JPH0645706A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
- Publication number
- JPH0645706A JPH0645706A JP19798192A JP19798192A JPH0645706A JP H0645706 A JPH0645706 A JP H0645706A JP 19798192 A JP19798192 A JP 19798192A JP 19798192 A JP19798192 A JP 19798192A JP H0645706 A JPH0645706 A JP H0645706A
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- semiconductor laser
- package
- case
- laser module
- metal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】正極性電源駆動の低コストの半導体レーザモジ
ュールの提供。 【構成】半導体レーザ素子１を内蔵する半導体レーザパ
ッケージ２と、光ファイバ３と光学的に結合する結合系
内蔵４とをフランジ１３付きのモールドプラスチックケ
ース５１で内包し、このモールドプラスチックケース５
１の内部に金属部材による金属円筒５２を鋳込み成形
し、半導体レーザパッケージ２と金属円筒５２とを溶接
により固定し、フランジ１３で結合する運用装置のグラ
ンドからの絶縁を低コストに確保する。
ュールの提供。 【構成】半導体レーザ素子１を内蔵する半導体レーザパ
ッケージ２と、光ファイバ３と光学的に結合する結合系
内蔵４とをフランジ１３付きのモールドプラスチックケ
ース５１で内包し、このモールドプラスチックケース５
１の内部に金属部材による金属円筒５２を鋳込み成形
し、半導体レーザパッケージ２と金属円筒５２とを溶接
により固定し、フランジ１３で結合する運用装置のグラ
ンドからの絶縁を低コストに確保する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザモジュール
に関し、特に光通信用光源として利用し、正極性もしく
は負極性電源で駆動する場合の半導体レーザ素子を内包
する半導体レーザパッケージの絶縁構成もしくは非絶縁
構成の簡素化を図った半導体レーザモジュールに関す
る。
に関し、特に光通信用光源として利用し、正極性もしく
は負極性電源で駆動する場合の半導体レーザ素子を内包
する半導体レーザパッケージの絶縁構成もしくは非絶縁
構成の簡素化を図った半導体レーザモジュールに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光通信網は、幹線系から支線系、加入者
系へとその需要が拡大されてきており、光源としては、
将来的に低コスト化が予測される半導体レーザモジュー
ルが主流となりつつある。
系へとその需要が拡大されてきており、光源としては、
将来的に低コスト化が予測される半導体レーザモジュー
ルが主流となりつつある。
【０００３】半導体レーザモジュールに使用する半導体
レーザは、量産性、取り扱いの容易さ、低コスト化に優
れる等の理由で、通常、民生用のコンパクトディスク
（ＣＤ）に使用されている直径５．６ｍｍの小型の半導
体レーザパッケージに気密封止されて実装されたものが
使用されている。
レーザは、量産性、取り扱いの容易さ、低コスト化に優
れる等の理由で、通常、民生用のコンパクトディスク
（ＣＤ）に使用されている直径５．６ｍｍの小型の半導
体レーザパッケージに気密封止されて実装されたものが
使用されている。
【０００４】また、汎用性の点から、半導体レーザのア
ノード（陽極）端子が、半導体レーザパッケージのパッ
ケージシステムと電気的に共通になるように接続された
ものが主に使用されている。
ノード（陽極）端子が、半導体レーザパッケージのパッ
ケージシステムと電気的に共通になるように接続された
ものが主に使用されている。
【０００５】このような半導体レーザパッケージを用い
て構成された半導体レーザモジュールは、その本体に設
けたフランジ部分で運用装置に固定すると同時に、半導
体レーザモジュール本体が電気的にグランドに接続され
る。
て構成された半導体レーザモジュールは、その本体に設
けたフランジ部分で運用装置に固定すると同時に、半導
体レーザモジュール本体が電気的にグランドに接続され
る。
【０００６】半導体レーザモジュールを駆動するＩＣと
しては、通常、比較的変調速度が低い場合（数１０Ｍｂ
／ｓ以下）にはＴＴＬ回路が、また高速変調の場合（１
００Ｍｂ／ｓ以上）にはＥＣＬ回路が使用される。これ
らのＩＣは、駆動する電源の極性が異なり、ＴＴＬ回路
では正極性電源が、またＥＣＬでは負極性電源が使用さ
れている。
しては、通常、比較的変調速度が低い場合（数１０Ｍｂ
／ｓ以下）にはＴＴＬ回路が、また高速変調の場合（１
００Ｍｂ／ｓ以上）にはＥＣＬ回路が使用される。これ
らのＩＣは、駆動する電源の極性が異なり、ＴＴＬ回路
では正極性電源が、またＥＣＬでは負極性電源が使用さ
れている。
【０００７】前述の半導体レーザパッケージを用いた半
導体レーザモジュールを正極性電源で駆動する場合に
は、半導体レーザパッケージも正電位となるため、半導
体レーザモジュール本体が運用装置のグランド部分に接
触する場合には電気的ショートが起る。このような電気
的ショートを防止するためには、半導体レーザモジュー
ルを外部と電気的に絶縁する必要がある。
導体レーザモジュールを正極性電源で駆動する場合に
は、半導体レーザパッケージも正電位となるため、半導
体レーザモジュール本体が運用装置のグランド部分に接
触する場合には電気的ショートが起る。このような電気
的ショートを防止するためには、半導体レーザモジュー
ルを外部と電気的に絶縁する必要がある。
【０００８】特に低速の光通信装置では、正電源を使用
するＴＴＬ回路のＩＣが一般的に使用されており、低価
格化のために半導体レーザモジュールとして簡単に電気
的絶縁を確保することが要求される。
するＴＴＬ回路のＩＣが一般的に使用されており、低価
格化のために半導体レーザモジュールとして簡単に電気
的絶縁を確保することが要求される。
【０００９】図４に、正極性電源で使用する場合の従来
の技術の半導体レーザモジュールの縦断面図を示す。
の技術の半導体レーザモジュールの縦断面図を示す。
【００１０】半導体レーザ素子１は、パッケージステム
２１およびパッケージキャップ２２からなる半導体レー
ザパッケージ２内に実装され、半導体レーザ素子１のア
ノード端子１４１がパッケージシステム２１と同電位に
なるように接続されている。
２１およびパッケージキャップ２２からなる半導体レー
ザパッケージ２内に実装され、半導体レーザ素子１のア
ノード端子１４１がパッケージシステム２１と同電位に
なるように接続されている。
【００１１】絶縁リング１２は、セラミックリング１２
１と金属リング１２２とがろう付けにより接合されてい
る。この絶縁リング１２に半導体レーザ素子１が実装さ
れた半導体レーザパッケージ２のパッケージステム２１
をレーザスポット溶接１１で溶接固定し、これをさらに
ファイバ結合系内蔵ホルダ４に接合する時点で、半導体
レーザ素子１から出射されたレーザ光が光ファイバ３に
最適に結合するように、光軸に垂直な方向の調整を行な
いレーザスポット溶接１１により固定する。この構造に
より、レーザダイオードを利用する半導体レーザ素子の
アノード端子１４１、すなわち半導体レーザパッケージ
２に正の電位が印加された場合でも、半導体レーザモジ
ュール本体とは電気的に絶縁されているため、フランジ
１３ｂの部分で運用装置のグランドに接続されても電気
的にショートすることが回避できる。
１と金属リング１２２とがろう付けにより接合されてい
る。この絶縁リング１２に半導体レーザ素子１が実装さ
れた半導体レーザパッケージ２のパッケージステム２１
をレーザスポット溶接１１で溶接固定し、これをさらに
ファイバ結合系内蔵ホルダ４に接合する時点で、半導体
レーザ素子１から出射されたレーザ光が光ファイバ３に
最適に結合するように、光軸に垂直な方向の調整を行な
いレーザスポット溶接１１により固定する。この構造に
より、レーザダイオードを利用する半導体レーザ素子の
アノード端子１４１、すなわち半導体レーザパッケージ
２に正の電位が印加された場合でも、半導体レーザモジ
ュール本体とは電気的に絶縁されているため、フランジ
１３ｂの部分で運用装置のグランドに接続されても電気
的にショートすることが回避できる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の半導体
レーザモジュールでは、半導体レーザパッケージの電気
的絶縁のために、セラミックリングとのろう付け性の良
いコバール材を使用する必要がある。
レーザモジュールでは、半導体レーザパッケージの電気
的絶縁のために、セラミックリングとのろう付け性の良
いコバール材を使用する必要がある。
【００１３】コバール材は機械的加工が困難、材料自体
が高価かつ錆防止のためのメッキが必要である等の問題
があり、またろう付けに高度の技術を必要とするため、
低価格化や小型化が図りにくいという欠点がある。
が高価かつ錆防止のためのメッキが必要である等の問題
があり、またろう付けに高度の技術を必要とするため、
低価格化や小型化が図りにくいという欠点がある。
【００１４】さらに、光学結合系構成部品の中間にセラ
ミックのろう付け部分が存在し、温度や外力ストレスに
よる経時的な劣化の可能性があり、信頼性の面でも問題
点があった。
ミックのろう付け部分が存在し、温度や外力ストレスに
よる経時的な劣化の可能性があり、信頼性の面でも問題
点があった。
【００１５】本発明の目的は上述した問題点を解決し、
機械的加工が容易かつ安価な素材で、温度や外力ストレ
スによる経時的劣化を著しく抑圧した半導体レーザモジ
ュールを提供することにある。
機械的加工が容易かつ安価な素材で、温度や外力ストレ
スによる経時的劣化を著しく抑圧した半導体レーザモジ
ュールを提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザモ
ジュールは、半導体レーザ素子を内蔵するパッケージキ
ャップと、このパッケージキャップを密閉結合し前記半
導体レーザ素子のアノード端子と電気的に接続した金属
製のパッケージシステムとを有する半導体レーザパッケ
ージと、前記半導体レーザ素子の出射光を光ファイバに
光学的に結合する光結合系とをケースに取り付け、前記
ケースをグランドに接続して外部から正極性電源を供給
して駆動する半導体レーザモジュールにおいて、ほぼ円
筒形かつ運用装置に対する取付用のフランジを一体化形
成した絶縁性のモールドプラスチックケースにより前記
ケースを構成し、かつ前記モールドプラスチックケース
の内側の一部に金属部材による金属円筒を配設し、前記
金属円筒と前記半導体レーザパッケージのパッケージス
テムとを溶接固定し、前記半導体レーザパッケージのグ
ランドに対する絶縁を確保した構成を有する。
ジュールは、半導体レーザ素子を内蔵するパッケージキ
ャップと、このパッケージキャップを密閉結合し前記半
導体レーザ素子のアノード端子と電気的に接続した金属
製のパッケージシステムとを有する半導体レーザパッケ
ージと、前記半導体レーザ素子の出射光を光ファイバに
光学的に結合する光結合系とをケースに取り付け、前記
ケースをグランドに接続して外部から正極性電源を供給
して駆動する半導体レーザモジュールにおいて、ほぼ円
筒形かつ運用装置に対する取付用のフランジを一体化形
成した絶縁性のモールドプラスチックケースにより前記
ケースを構成し、かつ前記モールドプラスチックケース
の内側の一部に金属部材による金属円筒を配設し、前記
金属円筒と前記半導体レーザパッケージのパッケージス
テムとを溶接固定し、前記半導体レーザパッケージのグ
ランドに対する絶縁を確保した構成を有する。
【００１７】また本発明の別の半導体レーザモジュール
は、モールドプラスチックによる前記ケースを金属ケー
スとして構成し、外部からの負極性電源による駆動をケ
ース換装のみで可能とした構成を有する。
は、モールドプラスチックによる前記ケースを金属ケー
スとして構成し、外部からの負極性電源による駆動をケ
ース換装のみで可能とした構成を有する。
【００１８】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１９】図１は本発明の第１の実施例の半導体レー
ザモジュールの基本的構成を示す縦断面図である。
ザモジュールの基本的構成を示す縦断面図である。
【００２０】図１に示す第１の実施例の半導体レーザモ
ジュールは、正極性電源で駆動し、半導体レーザパッケ
ージの電気的絶縁を確保することが必要な場合を例と
し、金属製部材が内側に鋳込み成形されたモールドプラ
スチックケースで半導体レーザモジュール本体を覆い、
半導体レーザパッケージのシステム部分とモールドプラ
スチックケース内部に鋳込まれた金属部材とを溶接固定
することを特徴とする。
ジュールは、正極性電源で駆動し、半導体レーザパッケ
ージの電気的絶縁を確保することが必要な場合を例と
し、金属製部材が内側に鋳込み成形されたモールドプラ
スチックケースで半導体レーザモジュール本体を覆い、
半導体レーザパッケージのシステム部分とモールドプラ
スチックケース内部に鋳込まれた金属部材とを溶接固定
することを特徴とする。
【００２１】図１において、半導体レーザ素子１は半導
体レーザパッケージ２内に実装され、半導体レーザ素子
１のアノード端子１４１がパッケージシステム２１と同
電位になるように接続されている。
体レーザパッケージ２内に実装され、半導体レーザ素子
１のアノード端子１４１がパッケージシステム２１と同
電位になるように接続されている。
【００２２】半導体レーザ素子１から出射されたレーザ
光が光ファイバ３に最適に結合するように、半導体レー
ザパッケージ２のパッケージキャップ２２と光学結合系
内蔵ホルダ４とのすり合わせ面で光軸に垂直方向に調整
した後、レーザスポット溶接１１により固定され、半導
体レーザモジュール本体が構成されている。
光が光ファイバ３に最適に結合するように、半導体レー
ザパッケージ２のパッケージキャップ２２と光学結合系
内蔵ホルダ４とのすり合わせ面で光軸に垂直方向に調整
した後、レーザスポット溶接１１により固定され、半導
体レーザモジュール本体が構成されている。
【００２３】絶縁を確保すべきケース５のモールドプラ
スチックケース５には、溶接固定用の金属部材による金
属円筒５２が鋳込み成形により固定されており、半導体
レーザパッケージ２のパッケージシステム２１とモール
ドプラシチックケース５１内側の金属円筒５２とをレー
ザスポット溶接１１により固定する。
スチックケース５には、溶接固定用の金属部材による金
属円筒５２が鋳込み成形により固定されており、半導体
レーザパッケージ２のパッケージシステム２１とモール
ドプラシチックケース５１内側の金属円筒５２とをレー
ザスポット溶接１１により固定する。
【００２４】モールドプラスチックケース５１は、電気
的に絶縁性が得られる材料で成形されており、運用装置
に固定するためのフランジ１３も一体化形成されてい
る。
的に絶縁性が得られる材料で成形されており、運用装置
に固定するためのフランジ１３も一体化形成されてい
る。
【００２５】従って、半導体レーザ素子１のアノード端
子１４１、すなわち半導体レーザパッケージ２に正極性
電位が印加され、フランジ１３部分で運用装置のグラン
ドに接続されて利用する場合にも電気的なショートは起
こらず、安定した特性が得られる。
子１４１、すなわち半導体レーザパッケージ２に正極性
電位が印加され、フランジ１３部分で運用装置のグラン
ドに接続されて利用する場合にも電気的なショートは起
こらず、安定した特性が得られる。
【００２６】図２は、図１の実施例の光結合系内蔵ホル
ダ４の内部の具体的構成例を併記して示す縦断面図であ
る。
ダ４の内部の具体的構成例を併記して示す縦断面図であ
る。
【００２７】半導体レーザパッケージ２内に実装された
半導体レーザ素子１から出射されたレーザ光が、レンズ
ホルダ８に固定されたレンズ７によって適正な位置に集
光するように、半導体レーザパッケージ２のパッケージ
キャップ２２とレンズホルダ８との間で光軸に垂直な方
向にすり合わせて調整した後、最適位置でレーザスポッ
ト溶接１１により固定を行なう。
半導体レーザ素子１から出射されたレーザ光が、レンズ
ホルダ８に固定されたレンズ７によって適正な位置に集
光するように、半導体レーザパッケージ２のパッケージ
キャップ２２とレンズホルダ８との間で光軸に垂直な方
向にすり合わせて調整した後、最適位置でレーザスポッ
ト溶接１１により固定を行なう。
【００２８】さらに、光ファイバ３を固定したフェルー
ル（ｆｅｒｒｕｌｅ）９をサポート１０を介して光軸に
垂直方向、および光軸方向に調整し、半導体レーザ素子
１から出射されたレーザ光が光ファイバ３に最適に結合
される位置でレーザスポット溶接１１により固定する。
ル（ｆｅｒｒｕｌｅ）９をサポート１０を介して光軸に
垂直方向、および光軸方向に調整し、半導体レーザ素子
１から出射されたレーザ光が光ファイバ３に最適に結合
される位置でレーザスポット溶接１１により固定する。
【００２９】このあと全体をモールドプラスチックケー
ス５に挿入し、半導体レーザパッケージ２のパッケージ
ステム２１とモールドプラスチックケース５１内に鋳込
まれた金属円筒５２とをレーザスポット溶接１１により
固定する。
ス５に挿入し、半導体レーザパッケージ２のパッケージ
ステム２１とモールドプラスチックケース５１内に鋳込
まれた金属円筒５２とをレーザスポット溶接１１により
固定する。
【００３０】モールドプラスチックケース５１には、運
用装置に取り付けるための絶縁性のフランジ１３が形成
されており、装置のグランドに接続しても電気的なショ
ートが起こる心配はない。
用装置に取り付けるための絶縁性のフランジ１３が形成
されており、装置のグランドに接続しても電気的なショ
ートが起こる心配はない。
【００３１】また、半導体レーザモジュール本体とモー
ルドプラスチックケース５１とは溶接により強固に固定
されており、かくして接着等の方法に比べて作業性も良
く、製造コストを抑え、製造リードタイムを短縮した半
導体レーザモジュールの製造が可能となる。
ルドプラスチックケース５１とは溶接により強固に固定
されており、かくして接着等の方法に比べて作業性も良
く、製造コストを抑え、製造リードタイムを短縮した半
導体レーザモジュールの製造が可能となる。
【００３２】図３は、本発明の第２の実施例の半導体レ
ーザモジュールの縦断面図である。
ーザモジュールの縦断面図である。
【００３３】図３に示す第２の実施例は、負極性電源に
より半導体レーザを駆動する場合を例とし、図１，２に
示す第１の実施例におけるモールドプラスチックケース
５１と金属円筒５２から成るケース５に代えて金属ケー
ス６を利用し、半導体レーザパッケージ２のパッケージ
ステム２１と金属ケース６とをレーザスポット溶接１１
で溶接固定した点のみが異る。
より半導体レーザを駆動する場合を例とし、図１，２に
示す第１の実施例におけるモールドプラスチックケース
５１と金属円筒５２から成るケース５に代えて金属ケー
ス６を利用し、半導体レーザパッケージ２のパッケージ
ステム２１と金属ケース６とをレーザスポット溶接１１
で溶接固定した点のみが異る。
【００３４】負極性電源で駆動する場合には、半導体レ
ーザ素子のアノードをケースとともに良き接地を確保す
る必要があり、この構造でフランジ１３ａによる取付け
で安定した接地が確保できる。
ーザ素子のアノードをケースとともに良き接地を確保す
る必要があり、この構造でフランジ１３ａによる取付け
で安定した接地が確保できる。
【００３５】このようにして、カバーだけの換装によっ
て正極性電源および負極性電源に対応する絶縁構造およ
び非絶縁構造のいずれにも対処できる量産性の優れた半
導体レーザモジュールが実現できる。
て正極性電源および負極性電源に対応する絶縁構造およ
び非絶縁構造のいずれにも対処できる量産性の優れた半
導体レーザモジュールが実現できる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体レ
ーザパッケージの電気的絶縁のために、金属製部材が鋳
込み成形されたモールドプラスチックケースで半導体レ
ーザモジュール本体を覆い、半導体レーザパッケージの
ステム部分とモールドプラスチックケース内部に鋳込ま
れた金属部材とを溶接で固定することにより、半導体レ
ーザモジュールを正極性電源で駆動し、かつモジュール
本体を装置のグランドに接続する場合でも、高価な材料
を絶縁のために用いることなく、低コストの半導体レー
ザモジュールを容易に製造できるという効果がある。
ーザパッケージの電気的絶縁のために、金属製部材が鋳
込み成形されたモールドプラスチックケースで半導体レ
ーザモジュール本体を覆い、半導体レーザパッケージの
ステム部分とモールドプラスチックケース内部に鋳込ま
れた金属部材とを溶接で固定することにより、半導体レ
ーザモジュールを正極性電源で駆動し、かつモジュール
本体を装置のグランドに接続する場合でも、高価な材料
を絶縁のために用いることなく、低コストの半導体レー
ザモジュールを容易に製造できるという効果がある。
【００３７】また、半導体レーザパッケージのパッケー
ジステムとモールドケース内側に鋳込まれた金属円筒と
がレーザスポット溶接で固定されるため、接着剤等の方
法に比べて強固に固定することができるという効果があ
る。
ジステムとモールドケース内側に鋳込まれた金属円筒と
がレーザスポット溶接で固定されるため、接着剤等の方
法に比べて強固に固定することができるという効果があ
る。
【００３８】更に、モールドプラスチックケースにはフ
ランジが一体化形成され、金属では切削加工が困難な形
状でも容易に成形できるという特徴があり、小型化も容
易であるという効果がある。
ランジが一体化形成され、金属では切削加工が困難な形
状でも容易に成形できるという特徴があり、小型化も容
易であるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の半導体レーザモジュー
ルの基本的構成を示す縦断面図である。
ルの基本的構成を示す縦断面図である。
【図２】図１の実施例における光結合系内蔵ホルダ４の
内部の具体的構成例を併記して示す縦断面図である。
内部の具体的構成例を併記して示す縦断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例の半導体レーザモジュー
ルの縦断面図である。
ルの縦断面図である。
【図４】従来の半導体レーザモジュールの縦断面図であ
る。
る。
１ 半導体レーザ素子 ２ 半導体レーザパッケージ ３ 光ファイバ ４，４ａ 光結合系内蔵ホルダ ５ ケース ６ 金属ケース ７ レンズ ８ レンズホルダ ９ フェルール １０ サポート １１ レーザスポット溶接 １２ 絶縁リング １３，１３ａ，１３ｂ フランジ １４ リード端子 ２１ パッケージステム ２２ パッケージキャップ ５１ モールドプラスチックケース ５２ 金属円筒 １２１ セラミックリング １２２ 金属リング １４１ アノード端子 １４２ カソード端子
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体レーザ素子を内蔵するパッケージ
キャップと、このパッケージキャップを密閉結合し前記
半導体レーザ素子のアノード端子と電気的に接続した金
属製のパッケージシステムとを有する半導体レーザパッ
ケージと、前記半導体レーザ素子の出射光を光ファイバ
に光学的に結合する光結合系とをケースに取り付け、前
記ケースをグランドに接続して外部から正極性電源を供
給して駆動する半導体レーザモジュールにおいて、ほぼ
円筒形かつ運用装置に対する取付用のフランジを一体化
形成した絶縁性のモールドプラスチックケースにより前
記ケースを構成し、かつ前記モールドプラスチックケー
スの内側の一部に金属部材による金属円筒を配設し、前
記金属円筒と前記半導体レーザパッケージのパッケージ
ステムとを溶接固定し、前記半導体レーザパッケージの
グランドに対する絶縁を確保したことを特徴とする半導
体レーザモジュール。 - 【請求項２】 モールドプラスチックによる前記ケース
を金属ケースとして構成し、外部からの負極性電源によ
る駆動をケース換装のみで可能としたことを特徴とする
請求項１記載の半導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19798192A JPH0645706A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19798192A JPH0645706A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645706A true JPH0645706A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16383533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19798192A Pending JPH0645706A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645706A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0945994A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Nec Corp | 半導体レーザモジュール |
| EP0905642A2 (en) * | 1997-09-30 | 1999-03-31 | Fujitsu Limited | A light source module for a scanning apparatus and a scanning apparatus with the light source module |
| JP2019009236A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | スタンレー電気株式会社 | 光モジュール |
| JP2021524613A (ja) * | 2018-07-12 | 2021-09-13 | 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 基部、光トランシーバー、光モジュール、及び通信デバイス |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP19798192A patent/JPH0645706A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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