JPH0645335U - 基板加熱処理装置 - Google Patents

基板加熱処理装置

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JPH0645335U
JPH0645335U JP8633792U JP8633792U JPH0645335U JP H0645335 U JPH0645335 U JP H0645335U JP 8633792 U JP8633792 U JP 8633792U JP 8633792 U JP8633792 U JP 8633792U JP H0645335 U JPH0645335 U JP H0645335U
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誠一郎 奥田
保夫 今西
正也 浅井
一国雄 溝端
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 加熱処理に伴って発生する溶剤蒸気を結露を
生じること無く効率良く排出する。 【構成】 基板Wを加熱する加熱プレート3上に、上端
及び下端に開口が形成されるとともにその内周壁面で加
熱姿勢の基板Wの外周全周を囲う第1のカバー部材6
と、下端に開口が形成されるとともに、その下端側内周
壁面で第1のカバー部材6の上端側外周壁面の水平方向
外方全周を覆う第2のカバー部材7とを設けるととも
に、その第2のカバー部材7に、外気とともに溶剤蒸気
を排出する排気手段を接続し、かつ、第1のカバー部材
6の上端側外周壁面と第2のカバー部材7の下端側内周
壁面との間に、排気手段によって吸引導入される外気を
第2のカバー部材7の内周壁面に沿う方向に上昇案内す
る環状ガイド流路Rを形成する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基 板、光ディスク用の基板などの電子部品製造用の基板に対して、ポリイミド樹脂 液やフォトレジスト液などを塗布した後に加熱して溶剤成分を蒸発させる基板加 熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のこの種の基板加熱処理装置としては、特開平4−30738号公報に開 示されているものがあった。 この公知例によれば、フォトレジスト液やポリイミド樹脂液などの液状の塗料 を塗布した基板を搬送手段によって搬送するとともに、その搬送基板を加熱手段 によって加熱するように構成し、かつ、搬送基板の上方を覆ってカバーを設ける とともに、そのカバーに排気口を形成し、加熱によって蒸発した溶剤などの有害 物質を外部に流出させずに回収設備に回収できるように構成している。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公知例の基板加熱処理装置では、排気に伴って溶剤蒸気が カバーの内周壁面に接触し、その接触した溶剤蒸気がカバーにより冷却されて結 露し、その結露した溶剤が基板上に落下して再付着し、基板の処理品質を低下さ せたり、その後の基板搬送時において搬送装置に付着するなどのトラブルの原因 となったりする欠点があった。
【0004】 本考案は、このような事情に鑑みてなされたものであって、加熱処理に伴って 発生する溶剤蒸気を結露を生じること無く効率良く排出できるようにすることを 目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】 本考案の基板加熱処理装置は、上述のような目的を達成するために、基板を加 熱する加熱プレートと、上端と下端に開口が形成され、下端が加熱プレートに接 触または近接し、加熱姿勢の前記基板の外周全周を囲う第1のカバー部材と、上 端が排気手段に連通し、下端に開口が形成されるとともに、第1のカバー部材の 上端側外周壁面の水平方向外方全周を囲い、加熱姿勢の基板の上方を覆う第2の カバー部材とより成り、第1のカバー部材の上端側外周壁面と、第2のカバー部 材の下端側内周壁面との間で、第2のカバー部材内が排気されるに伴って吸引導 入される外気を、第2のカバー部材の下端から内周壁面に沿う方向に上昇案内さ せる環状ガイド流路を形成して構成する。
【0006】
【作用】
本考案の基板加熱処理装置の構成によれば、外気を環状ガイド流路から導入す るとともに、その外気を第2のカバー部材の下端から内周壁面に沿わせて流動上 昇させ、その外気で第2のカバー部材の内周壁面全体をいわゆるエアーカーテン 状に覆い、加熱に伴って発生した溶剤蒸気を第2のカバー部材に接触させずに外 気とともに排出することができる。
【0007】 しかも、外気は、基板面と平行に横流れすることなく第2のカバー部材の下端 から内周壁面に沿う方向に流動上昇させられるので、導入した外気が基板面と平 行に横流れすることによる不都合、すなわち、外気が横流れすることによりカバ ー部材内に空気の対流をひきおこし、こん影響でカバー部材内に空気の淀む部分 が生じて、その部分のカバー部材の内周壁面で溶剤蒸気が結露を生じるという不 都合を回避できる。
【0008】
【実施例】
<実施例> 次に、本考案の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
【0009】 (第1実施例) 図1は、本考案に係る基板加熱処理装置の第1実施例を示す全体断面図、図2 は、加熱状態の要部の拡大断面図であり、化粧カバー1で覆われた処理室2内に 、ヒータなどの加熱手段(図示せず)を内装して基板Wを加熱する加熱プレート 3が設けられるとともに、その加熱プレート3を貫通して昇降可能に基板支持ピ ン4が設けられている。そして、ポリイミド樹脂液を塗布した後の基板Wを処理 室2の側壁に形成した取り入れ口5から搬入して加熱プレート3の上面に載置支 持し、加熱により溶剤を蒸発するように構成されている。
【0010】 加熱プレート3上には、上端及び下端が開口していて、その内周壁面19によ って加熱姿勢の基板Wの外周全周を囲うとともに下端側が下拡がりとなった短筒 状で、その下端を加熱プレート3に接触または近接させる第1のカバー部材6が 設けられている。その第1のカバー部材6に、傾斜壁部20とその下方に形成さ れた鉛直壁部21とから成る第2のカバーが、鉛直壁部21の内周壁面21aに よって前記第1のカバー部材の外周壁面22の上端側の水平方向外方全周を囲う 状態で取り付けられている。この第1のカバー部材6と第2のカバー部材7の取 り付けは、図3の第1のカバー部材6の平面図に示すように、第1のカバー部材 6の周方向に、所定間隔を隔てた4箇所に雌ネジ部材12が取り付けられており 、一方、第2のカバー部材7には、前記雌ネジ部材12…それぞれに対応する箇 所に上下方向の長穴14が形成され、ネジ13を長穴14を貫通して雌ネジ部材 12にねじ込むことによりなされている。ここで長穴14は、第2のカバー部材 7に対する第1のカバー部材6の取り付け位置を上下方向に調整できるように上 下方向に長く開口形成されたものである。
【0011】 また、第2のカバー部材7の頂部に、排気口30が形成されており、該排気口 30に曲がり管7aと排気管8と気液分離装置9とを介して吸気源10と廃液容 器11とが接続され、加熱により蒸発した溶剤蒸気を回収するように構成されて いる。
【0012】 前記第1のカバー部材6の外周壁面22の上端側の鉛直壁面部分22aと第2 のカバー部材7の内周壁面21aの下端側とが所定間隔を隔てて平行に対向され て環状ガイド流路Rが形成され、かかる環状ガイド流路Rによって、吸気源10 によって第1および第2のカバー部材6,7内に吸引導入される空気を第2のカ バー部材7の鉛直な内周壁面21a、傾斜状の内周壁面20aに沿う方向に上昇 案内するように構成されている。
【0013】 前記第1のカバー部材6の外周壁面22の下端側部分22bは、やや外方に拡 がるテーパ面に形成され、外気を環状ガイド流路Rに円滑に導入しやすいように 構成されている。
【0014】 前記第1および第2のカバー部材6,7と基板支持ピン4とはエアシリンダ1 5によって一体的に昇降できるように構成されている。
【0015】 そして、基板Wの搬入時には、まず第1および第2のカバー部材6,7、基板 支持ピン4を上昇させた状態で、上面にポリイミド樹脂液を塗布した基板Wを取 り入れ口5から処理室2内に搬送し、基板支持ピン4の上に載せる。そして、次 に、第1および第2のカバー部材6,7、基板支持ピン4を下降させると、基板 Wは加熱プレート3上に載置され、さらに、第1のカバー部材6の下端が加熱プ レート3の上面に接触あるいは近接する位置まで第1および第2のカバー部材6 ,7を下降させることで、基板Wの周囲は第1および第2のカバー部材6,7に 覆われることになる。
【0016】 そして、かかる状態で加熱プレート3の加熱手段の動作にて基板Wを加熱する と、それに伴い、第1および第2のカバー部材6,7内の雰囲気に、基板Wの表 面に塗布されたポリイミド樹脂液から溶剤成分が蒸発する。
【0017】 ポリイミド樹脂液は、例えば、N−メチル2ピリドン等を溶剤として含んでお り、その溶剤の沸点は約 106〜 107℃である。このポリイミド樹脂液を塗布した 基板Wを加熱して溶剤成分を蒸発させるための加熱温度は、通常、約80〜 120℃ 程度であるが、第2のカバー部材7の内周壁面の温度が溶剤の沸点の温度よりも 低くなると、溶剤蒸気がそこに触れて結露を生じやすい状態となる。
【0018】 しかしながら、本考案では、基板Wの加熱と同時に吸気源10を動作させると 、第1および第2のカバー部材6,7の外側から内側に環状ガイド流路Rを通っ て外気として導入される処理室2の空気が、第2のカバー部材7の鉛直な内周壁 面21a、傾斜状の内周壁面20aを覆うようにその鉛直な内周壁面21aの下 端から傾斜状の内周壁面20aに沿って流動上昇する。この気流のため、基板W から蒸発した溶剤は、第2のカバー部材7の内周壁面には直接触れることなく排 気口30まで運ばれ、第2のカバー部材7から円滑に排出され、第2のカバー部 材7の内周壁面に結露を生じることはなくなる。
【0019】 なお、本考案の課題となったこのような結露は、ポリイミド樹脂液に限らず、 他の塗布液、例えば、フォトレジスト液等でも生じることがあり、特に厚く塗布 された場合に顕著であり、本考案はそのような他の塗布液に対しても有効である 。
【0020】 また、本実施例では、第2のカバー部材7と排気管8とを接続する曲がり管7 aの外周面に面状ヒータ16が巻き付けられており、溶剤蒸気が凝結することを 効果的に防止するように構成されている。
【0021】 以上の構成により、吸気源10の吸引力によって外気を環状ガイド流路Rから 導入するとともに、その外気を第2のカバー部材7の鉛直な内周壁面21a及び 傾斜状の内周壁面20aに沿わせて上昇流動させ、その外気をいわゆるエアーカ ーテンにして、加熱に伴って発生した溶剤蒸気を第2のカバー部材7に接触させ ずに外気とともに排出して回収するようになっている。
【0022】 また、排気手段によって導入する外気は、基板面と平行に横流れするようなこ とはなく第2のカバー部材の下端から内周壁面を沿わせて流動上昇させることが できるので、導入した外気が基板面と平行に横流れすることによる不都合、すな わち、外気が横流れすることによりカバー部材内に空気の対流をひきおこし、こ の影響でカバー部材内に空気の淀む部分が生じて、その部分のカバー部材の内周 壁面で溶剤蒸気が結露を生じるという不都合を回避できる。
【0023】 (第2実施例) 図4は、第2実施例を示す縦断面図であり、基板Wの外周を囲う第1のカバー 部材の形状のみが第1実施例と異なる点である。 すなわち、第2実施例における第1のカバー部材6aは、その下端側にテーパ ー面を形成せずに円筒状に構成されている。他の構成は第1実施例と同じであり 、同一図番を付すことにより、その説明を省略する。
【0024】 (第3実施例) 図5は、第3実施例を示す縦断面図であり、第1のカバー部材及び第2のカバ ー部材の形状のみが、第1実施例及び第2実施例と異なる点である。 すなわち、第2のカバー部材7aは、その内周壁面70が上下方向全長にわた って下拡がり形状に構成され、一方、その加熱プレート3側に対して傾斜した第 2のカバー部材7aの内周壁面70の下端側部分と平行になるように、第1のカ バー部材6bの外周壁面60も傾斜するように構成されている。他の構成は第1 実施例と同じであり、同一図番を付すことにより、その説明を省略する。
【0025】 上記第1実施例では、第1および第2のカバー部材6,7の外部を化粧カバー 1で覆い、これによって第1および第2のカバー部材6,7の外部の処理室2内 での空気の流れを無くし、環状ガイド流路Rから外気を円滑に導入できるととも に、パーティクルの不測の侵入を防止でき、かつ、保温効果によって第1および 第2のカバー部材6,7が低温になることを防止できるように構成されているが 、本考案としては、化粧カバー1を設けないものでも良い。
【0026】
【考案の効果】 以上説明したように、本考案の基板加熱処理装置によれば、排気手段によって 導入する外気を第2のカバー部材の下端から内周壁面に沿わせて流動上昇させ、 その外気により、基板の加熱に伴って発生した溶剤蒸気の第2のカバー部材への 接触を回避するから、溶剤蒸気が第2のカバー部材に接触して冷却されて結露を 生じることを回避でき、溶剤の基板への再付着を無くすことができて処理品質を 向上でき、また、その後の基板搬送時におけるトラブルを防止できるようになっ た。
【0027】 また、本考案の基板加熱処理装置によれば、排気手段によって導入する外気を 基板面と平行に横流れすることなく第2のカバー部材の下端から内周壁面を沿わ せて流動上昇させることができるので、導入した外気が基板面と平行に横流れす ることによる不都合、すなわち、外気が横流れすることによりカバー部材内に空 気の対流をひきおこし、この影響でカバー部材内に空気の淀む部分が生じて、そ の部分のカバー部材の内周壁面で溶剤蒸気が結露を生じるという不都合を回避で き、溶剤の基板への再付着を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案に係る基板加熱処理装置の第1実施例を
示す全体断面図である。
【図2】加熱状態を示す要部の拡大断面図である。
【図3】第1のカバー部材の平面図である。
【図4】第2実施例を示す全体断面図である。
【図5】第3実施例を示す全体断面図である。
【符号の説明】
3…加熱プレート 6…第1のカバー部材 7…第2のカバー部材 R…環状ガイド流路 W…基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 浅井 正也 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西工場内 (72)考案者 溝端 一国雄 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西工場内

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を加熱する加熱プレートと、 上端と下端に開口が形成され、下端が前記加熱プレート
    に接触または近接し、加熱姿勢の前記基板の外周全周を
    囲う第1のカバー部材と、 上端が排気手段に連通し、下端に開口が形成されるとと
    もに、前記第1のカバー部材の上端側外周壁面の水平方
    向外方全周を囲い、加熱姿勢の前記基板の上方を覆う第
    2のカバー部材とより成り、 前記第1のカバー部材の上端側外周壁面と、前記第2の
    カバー部材の下端側内周壁面との間で、前記第2のカバ
    ー部材内が排気されるに伴って吸引導入される外気を、
    前記第2のカバー部材の下端から内周壁面に沿う方向に
    上昇案内させる環状ガイド流路を形成したことを特徴と
    する基板加熱処理装置。
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