JPH0644513B2 - 高周波発生装置 - Google Patents
高周波発生装置Info
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- JPH0644513B2 JPH0644513B2 JP61298145A JP29814586A JPH0644513B2 JP H0644513 B2 JPH0644513 B2 JP H0644513B2 JP 61298145 A JP61298145 A JP 61298145A JP 29814586 A JP29814586 A JP 29814586A JP H0644513 B2 JPH0644513 B2 JP H0644513B2
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- transformer
- circuit element
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- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高周波加熱器などに利用され、商用電源などの
電源により得られた電力を半導体スイッチを含み電力変
換器により高周波電力に変換した後トランスによりさら
に電力変換し、マグネトロンにその変換電力を供給し高
周波を発生する高周波発生装置に関するものである。
電源により得られた電力を半導体スイッチを含み電力変
換器により高周波電力に変換した後トランスによりさら
に電力変換し、マグネトロンにその変換電力を供給し高
周波を発生する高周波発生装置に関するものである。
従来の技術 一般にこのような電力供給装置は、主として装置のトラ
ンスを小型・軽量・低コスト化することなどを目的とし
て様々な構成のものが提案されている。
ンスを小型・軽量・低コスト化することなどを目的とし
て様々な構成のものが提案されている。
第９図は、このような従来の高周波発生装置の１例であ
る。
る。
このような構成で、トランジスタ６を２０ＫHz〜１００
ＫHz程度の周波数で動作させると、商用電源周波数のま
まで昇圧する場合に比べて昇圧トランスの重量、サイズ
を数分の一から十数分の一にでき、高周波発生装置の小
型化・低コスト化が可能であるというものである。
ＫHz程度の周波数で動作させると、商用電源周波数のま
まで昇圧する場合に比べて昇圧トランスの重量、サイズ
を数分の一から十数分の一にでき、高周波発生装置の小
型化・低コスト化が可能であるというものである。
商用電源９の電力はダイオードブリッジ１０により整流
され、単方向電源が形成されている。商用電源９と直流
電源回路１３はインバータ１４の電源を形成している。
なお１１はチョークコイル、１２は平滑コンデンサであ
ってインバータの高周波スイッチング動作に対するフィ
ルタの役割をも果たしている。
され、単方向電源が形成されている。商用電源９と直流
電源回路１３はインバータ１４の電源を形成している。
なお１１はチョークコイル、１２は平滑コンデンサであ
ってインバータの高周波スイッチング動作に対するフィ
ルタの役割をも果たしている。
インバータ１４は共振コンデンサ５、トランス２、トラ
ンジスタ６、ダイオード７および駆動回路８より構成さ
れている。トランジスタ６は駆動回路８より供給される
ベース電流によって所定の周期とデューティ（オンオフ
時間比）でスイッチング動作する。この結果トランス２
の一次巻線には第３図(a)のようなコレクタ電流ＩCE）
とダイオード電流Ｉｄを中心とした電流が流れ、第３図
(b)のようなILが流れる。
ンジスタ６、ダイオード７および駆動回路８より構成さ
れている。トランジスタ６は駆動回路８より供給される
ベース電流によって所定の周期とデューティ（オンオフ
時間比）でスイッチング動作する。この結果トランス２
の一次巻線には第３図(a)のようなコレクタ電流ＩCE）
とダイオード電流Ｉｄを中心とした電流が流れ、第３図
(b)のようなILが流れる。
トランス２の２次側には逆阻止特性を有し高周波を発生
するマグネトロン３が接続されこれにインバータ１４に
より変換された電力を供給するものである。マグネトロ
ン３は等価的にダイオードDM、抵抗RM、ツェナーダイオ
ードＺDMの直列接続体で表わされる負荷である。
するマグネトロン３が接続されこれにインバータ１４に
より変換された電力を供給するものである。マグネトロ
ン３は等価的にダイオードDM、抵抗RM、ツェナーダイオ
ードＺDMの直列接続体で表わされる負荷である。
マグネトロン３には第１０図(b)のような電流IAが流れ
る。マグネトロン３の電圧ＶAKは同図(a)のようにな
る。これはトランス２がリーケージ型トランスとなって
いること、さらに逆バイアス電流バイパス手段であるコ
ンデンサＣＨ４が負荷に並列に接続されていることによ
るものである。すなわちマグネトロン３は抵抗ＲＭ、ダ
イオードDM、ツェナーダイオードＤDMの直列回路で置き
換えることができ、これに並列にコンデンサＣＨが接続
された構成である。
る。マグネトロン３の電圧ＶAKは同図(a)のようにな
る。これはトランス２がリーケージ型トランスとなって
いること、さらに逆バイアス電流バイパス手段であるコ
ンデンサＣＨ４が負荷に並列に接続されていることによ
るものである。すなわちマグネトロン３は抵抗ＲＭ、ダ
イオードDM、ツェナーダイオードＤDMの直列回路で置き
換えることができ、これに並列にコンデンサＣＨが接続
された構成である。
マグネトロン３は非線形であり、逆電圧（正方向電圧）
に対してはダイオードＤＭにより非常に大きなインピー
ダンス（ほぼ開放）となり、一方順電圧（負方向電圧）
に対してはある一定電圧（ＺDMのツェナー電圧）をこえ
るまでは大きなインピーダンスとなり、この電圧をこえ
ると小さなインピーダンスとなる。マグネトロンの特性
を第８図に示す。
に対してはダイオードＤＭにより非常に大きなインピー
ダンス（ほぼ開放）となり、一方順電圧（負方向電圧）
に対してはある一定電圧（ＺDMのツェナー電圧）をこえ
るまでは大きなインピーダンスとなり、この電圧をこえ
ると小さなインピーダンスとなる。マグネトロンの特性
を第８図に示す。
従って第１０図(a)においてマグネトロン３の電圧ＶAK
が−４ＫＶの時に負荷が導通し、低インピーダンスであ
るため一次側の電圧が上がってもほぼ−４ＫＶ程度を維
持する。又、この時負荷電流IAが流れる。
が−４ＫＶの時に負荷が導通し、低インピーダンスであ
るため一次側の電圧が上がってもほぼ−４ＫＶ程度を維
持する。又、この時負荷電流IAが流れる。
一方逆電流が印加されると負荷は非常に高いインピーダ
ンスとなるため、逆バイアスのバイパス用コンデンサＣ
Ｈ４を接続することにより同図(a)の様な電圧が発生す
る。この大きさは約１０ＫＶ程度のものであり、コンデ
ンサＣＨ４を大きくすることによりいく分小さくするこ
とはできるが、その分コンデンサＣＨ４への充電電流が
増加し、トランスの巻線に生じる銅損が大きくなり発熱
による温度上昇が発生する。従ってほぼ最適なコンデン
サ容量では逆電圧が１０ＫＶ程度となる。
ンスとなるため、逆バイアスのバイパス用コンデンサＣ
Ｈ４を接続することにより同図(a)の様な電圧が発生す
る。この大きさは約１０ＫＶ程度のものであり、コンデ
ンサＣＨ４を大きくすることによりいく分小さくするこ
とはできるが、その分コンデンサＣＨ４への充電電流が
増加し、トランスの巻線に生じる銅損が大きくなり発熱
による温度上昇が発生する。従ってほぼ最適なコンデン
サ容量では逆電圧が１０ＫＶ程度となる。
発明が解決しようとする問題点 ところがこのような電力供給装置においては、この電圧
ＶAKが１０ＫＶ程度のものが印加されることによりマグ
ネトロン３の両端子間からコロナ放電やアーク放電など
の絶縁破壊が発生し、装置を破損するに到る。又、この
電圧を小さくするため逆バイアスのバイパス用コンデン
サＣＨ４の大きさを大きくすることによりいく分下げる
ことができるが、逆にコンデンサの充電電流が大きくな
り、トランス２の銅損が増加し発熱してトランスが絶縁
破壊により破損してしまう。この様にＶAKを下げ、コロ
ナ放電やアーク放電を防止するのは非常に困難であると
いう問題があった。
ＶAKが１０ＫＶ程度のものが印加されることによりマグ
ネトロン３の両端子間からコロナ放電やアーク放電など
の絶縁破壊が発生し、装置を破損するに到る。又、この
電圧を小さくするため逆バイアスのバイパス用コンデン
サＣＨ４の大きさを大きくすることによりいく分下げる
ことができるが、逆にコンデンサの充電電流が大きくな
り、トランス２の銅損が増加し発熱してトランスが絶縁
破壊により破損してしまう。この様にＶAKを下げ、コロ
ナ放電やアーク放電を防止するのは非常に困難であると
いう問題があった。
本発明はこの様な従来の問題を解消するものであり、ト
ランスの銅損の増加をおさえてかつ逆方向の印加電圧を
小さくすることで、コロナ放電やアーク放電による装置
の破損をなくすることを目的とする。
ランスの銅損の増加をおさえてかつ逆方向の印加電圧を
小さくすることで、コロナ放電やアーク放電による装置
の破損をなくすることを目的とする。
問題点を解決するための手段 上記目的を達するため、本発明の高周波発生装置は、商
用電源などの電源と、半導体スイッチとその駆動手段を
有し高周波電力を発生する電力変換器と、逆阻止特性を
有し高周波を発生すマグネトロンと、このマグネトロン
に先に電力変換された電力を供給するトランスと、前記
マグネトロンに並列に接続された逆バイアス電流バイア
ス手段であるコンデンサと、電力変換器の動作周波数の
約３倍の共振周波数を有し、かつ電力変換器に同調動作
する同調回路要素を設ける構成である。又同調回路要素
は動作周波数の高調波とほぼ同一にする構成である。
用電源などの電源と、半導体スイッチとその駆動手段を
有し高周波電力を発生する電力変換器と、逆阻止特性を
有し高周波を発生すマグネトロンと、このマグネトロン
に先に電力変換された電力を供給するトランスと、前記
マグネトロンに並列に接続された逆バイアス電流バイア
ス手段であるコンデンサと、電力変換器の動作周波数の
約３倍の共振周波数を有し、かつ電力変換器に同調動作
する同調回路要素を設ける構成である。又同調回路要素
は動作周波数の高調波とほぼ同一にする構成である。
そしてこの同調回路要素はトランスに巻線を追加して結
合し、この巻線の負荷としてコンデンサを接続する。こ
の時の負荷に接続された巻線と同調回路要素の巻線の各
一端子どうしを接続し、各巻線の他方の端子に発生する
電圧の極性を同じにする構成である。
合し、この巻線の負荷としてコンデンサを接続する。こ
の時の負荷に接続された巻線と同調回路要素の巻線の各
一端子どうしを接続し、各巻線の他方の端子に発生する
電圧の極性を同じにする構成である。
作用 本発明の高周波発生装置は、電力変換器の基本動作に同
調回路要素を結合することにより、電力変換器の基本波
に同調回路要素の波形をのせることにより、基本波形を
歪ませてピーク値の低い波形に変えることにより逆側の
発生電圧を下げるというものであり、コロナ放電やアー
ク放電の発生を防止するとともに、トランスの銅損によ
る発熱も増すことがないという効果を有するものであ
る。
調回路要素を結合することにより、電力変換器の基本波
に同調回路要素の波形をのせることにより、基本波形を
歪ませてピーク値の低い波形に変えることにより逆側の
発生電圧を下げるというものであり、コロナ放電やアー
ク放電の発生を防止するとともに、トランスの銅損によ
る発熱も増すことがないという効果を有するものであ
る。
又同調回路要素の構成はトランスに巻線を追加してかつ
前述のような極性に接続することにより各巻線間の発生
電圧の極性が同じとなるため、巻線間の耐圧を大きくす
る必要がない。又、巻線間どうしでのコロナ放電やアー
ク放電等の恐れもない。
前述のような極性に接続することにより各巻線間の発生
電圧の極性が同じとなるため、巻線間の耐圧を大きくす
る必要がない。又、巻線間どうしでのコロナ放電やアー
ク放電等の恐れもない。
実施例 以下、本発明の一実施例について図面に基づき説明す
る。
る。
第１図に示すように、商用電源９は直流電源回路１３に
送られ電力変換器であるインバータ１４に供給される。
商用電源９と直流電流１３はインバータ１４の電源を形
成している。インバータ１４は半導体スイッチ（トラン
ジスタ）６やダイオード７等より成り、トランス２を付
勢して逆阻止特性を有するマグネトロン３に変換された
電力を供給するものである。マグネトロン３は等価的に
ダイオードＤＭ、抵抗ＲＭ、ツェナーダイオードＺDMの
直列接続体で表わされる負荷である。
送られ電力変換器であるインバータ１４に供給される。
商用電源９と直流電流１３はインバータ１４の電源を形
成している。インバータ１４は半導体スイッチ（トラン
ジスタ）６やダイオード７等より成り、トランス２を付
勢して逆阻止特性を有するマグネトロン３に変換された
電力を供給するものである。マグネトロン３は等価的に
ダイオードＤＭ、抵抗ＲＭ、ツェナーダイオードＺDMの
直列接続体で表わされる負荷である。
トランジスタ６、ダイオード７、トランスの一次巻線、
共振コンデンサ５に流れる電流は、それぞれ第３図
(a)、(b)、(c)のようになる。すなわちトランジスタ６
の電流ＩCE、ダイオード７の電流Ｉｄは第１図(a)の様
に流れる。そしてトランス２の一次巻線には同図(b)の
ような高周波電流ILが流れる。共振コンデンサ５には同
図(c)のような電流ＩC1が流れる。これらの波形はトラ
ンジスタ６のＯＮ−ＯＦＦによって流れるものである。
共振コンデンサ５に流れる電流は、それぞれ第３図
(a)、(b)、(c)のようになる。すなわちトランジスタ６
の電流ＩCE、ダイオード７の電流Ｉｄは第１図(a)の様
に流れる。そしてトランス２の一次巻線には同図(b)の
ような高周波電流ILが流れる。共振コンデンサ５には同
図(c)のような電流ＩC1が流れる。これらの波形はトラ
ンジスタ６のＯＮ−ＯＦＦによって流れるものである。
すなわち、トランジスタ６がＯＮの時（第３図(a)に示
す）にはトランス２の一次側にほぼＩCEと同じ電流が流
れ、このＯＮ時間が所定時間経過した時、トランジスタ
６をＯＦＦする。その時トランス２の一次側に流れてい
た電流は、トランス２のインダクンス成分と共振用コン
デンサとの間で発振し、トランジスタ６がＯＦＦ時では
同図(b)、(c)に示す様な発振電流が流れる。そしてこの
発振周期のほぼ半サンクル〜１サイクル程度のＯＦＦ時
間経過後に再びトランジスタ６をＯＮする。そして再び
トランス２の一次巻線のインダクタンス成分に電流が流
れ同図(a)、(b)に示す様な電流が流れる。以上の様な動
作を繰り返して発振が継続し、高周波電力に電力変換さ
れる。
す）にはトランス２の一次側にほぼＩCEと同じ電流が流
れ、このＯＮ時間が所定時間経過した時、トランジスタ
６をＯＦＦする。その時トランス２の一次側に流れてい
た電流は、トランス２のインダクンス成分と共振用コン
デンサとの間で発振し、トランジスタ６がＯＦＦ時では
同図(b)、(c)に示す様な発振電流が流れる。そしてこの
発振周期のほぼ半サンクル〜１サイクル程度のＯＦＦ時
間経過後に再びトランジスタ６をＯＮする。そして再び
トランス２の一次巻線のインダクタンス成分に電流が流
れ同図(a)、(b)に示す様な電流が流れる。以上の様な動
作を繰り返して発振が継続し、高周波電力に電力変換さ
れる。
一方トランス２の２次側の各動作電圧電流波形を第４図
に示す。マグネトロン３の電圧ＶAKは同図(a)、電流IA
は同図(b)に示す。すなわちトランス２がマグネトロン
が導通する方向に電圧が発生した時、マグネトロン３の
ツェナー電圧に相当する電圧を超えるとマグネトロン３
が導通して電流IAが流れる。そしてこの時の電圧ＶAKは
ほぼツェナー電圧程度に維持される。一般にマグネトロ
ンの場合は−４ＫＶ程度となる。
に示す。マグネトロン３の電圧ＶAKは同図(a)、電流IA
は同図(b)に示す。すなわちトランス２がマグネトロン
が導通する方向に電圧が発生した時、マグネトロン３の
ツェナー電圧に相当する電圧を超えるとマグネトロン３
が導通して電流IAが流れる。そしてこの時の電圧ＶAKは
ほぼツェナー電圧程度に維持される。一般にマグネトロ
ンの場合は−４ＫＶ程度となる。
さてトランス２がマグネトロン３の非導通方向に電圧が
発生した時は、マグネトロン３の電流IAは流れず、逆バ
イアスのバイパス用コンデンサCH4を流れる。そしてそ
の時の電圧ＶAKは−６ＫＶ程度発生する。さてここで、
従来の高周波発生装置ではこれが−１０ＫＶ以上発生し
ていた。ところが本発明の高周波発生装置では−６ＫＶ
程度である。これは第１図に示す同調回路要素１を設け
ることにより実現できる。すなわちこの同調回路要素１
を、インバータ１４の動作周波数の約３倍の周波数に共
振時を有する定数とする。この共振周波数はインバータ
１４の動作周波数の第３高周波にすることが最も効果的
である。第１図の実施例では、トランス２に巻線T3を追
加し、その追加巻線T3にコンデンサC3を接線し、このT3
とC3の動作状態での共振周波数をインバータ１４の動作
周波数の第３高調波にする。そして、この同調回路要素
１とトランス２の２次側とは鉄心を通じて磁気結合した
構成である。
発生した時は、マグネトロン３の電流IAは流れず、逆バ
イアスのバイパス用コンデンサCH4を流れる。そしてそ
の時の電圧ＶAKは−６ＫＶ程度発生する。さてここで、
従来の高周波発生装置ではこれが−１０ＫＶ以上発生し
ていた。ところが本発明の高周波発生装置では−６ＫＶ
程度である。これは第１図に示す同調回路要素１を設け
ることにより実現できる。すなわちこの同調回路要素１
を、インバータ１４の動作周波数の約３倍の周波数に共
振時を有する定数とする。この共振周波数はインバータ
１４の動作周波数の第３高周波にすることが最も効果的
である。第１図の実施例では、トランス２に巻線T3を追
加し、その追加巻線T3にコンデンサC3を接線し、このT3
とC3の動作状態での共振周波数をインバータ１４の動作
周波数の第３高調波にする。そして、この同調回路要素
１とトランス２の２次側とは鉄心を通じて磁気結合した
構成である。
以上の様な構成でＶAKが６ＫＶに下がる理由を第５図に
説明する。同図の点線は従来の同調回路要素１がない場
合の電圧波形であり１０ＫＶ程度発生する。これに本発
明の同調回路要素１が付加された場合の電圧波形を実線
で示す。この場合の同調回路要素１の共振周波数はイン
バータ１４の動作周波数の第３高調波に設定する。従っ
て、従来の１０ＫＶも発生していた電圧波形（点線で示
す）に同調回路要素１の第３高調波の周波数（一点鎖線
で示す）が重複することにより、実線で示す低い電圧の
波形となる。
説明する。同図の点線は従来の同調回路要素１がない場
合の電圧波形であり１０ＫＶ程度発生する。これに本発
明の同調回路要素１が付加された場合の電圧波形を実線
で示す。この場合の同調回路要素１の共振周波数はイン
バータ１４の動作周波数の第３高調波に設定する。従っ
て、従来の１０ＫＶも発生していた電圧波形（点線で示
す）に同調回路要素１の第３高調波の周波数（一点鎖線
で示す）が重複することにより、実線で示す低い電圧の
波形となる。
さて、同調回路要素１による効果は以上の通りである
が、第１図に示す同調回路要素以外にもその実現方法は
ある。第１図に示す同調回路要素１とトランス２を含む
点線で囲んだ部分の他の実施例を第２図(a)、(b)に示
す。これはトランス２に間線を追加し、これにコンデン
サを接線したものである。
が、第１図に示す同調回路要素以外にもその実現方法は
ある。第１図に示す同調回路要素１とトランス２を含む
点線で囲んだ部分の他の実施例を第２図(a)、(b)に示
す。これはトランス２に間線を追加し、これにコンデン
サを接線したものである。
第１図に示す同調回路要素１には第４図(c)に示す電圧
ＶC3が発生し、同図(d)に示す様な電流ＩC3が流れる。
この波形はインバータ１４の動作周波数の３倍周波数に
負荷電圧が重複したものである。この電圧ＶC3と電圧Ｖ
AKの極性が同じになる様に第１図に示すトランス２の巻
線を構成している。すなわち、負荷に接続された巻線T2
と同調回路要素１の巻線T3の各々の一端子どうしを接続
する。そして、各巻線のもう一方の端子の発生電圧の極
性を同じ極性にする。こうすることによりT2とT3の電圧
差が小さくなり、T2とT3の巻線間の耐圧を小さくするこ
とができる。この理由をトランスの巻線の構成を基にし
て第６図で説明する。
ＶC3が発生し、同図(d)に示す様な電流ＩC3が流れる。
この波形はインバータ１４の動作周波数の３倍周波数に
負荷電圧が重複したものである。この電圧ＶC3と電圧Ｖ
AKの極性が同じになる様に第１図に示すトランス２の巻
線を構成している。すなわち、負荷に接続された巻線T2
と同調回路要素１の巻線T3の各々の一端子どうしを接続
する。そして、各巻線のもう一方の端子の発生電圧の極
性を同じ極性にする。こうすることによりT2とT3の電圧
差が小さくなり、T2とT3の巻線間の耐圧を小さくするこ
とができる。この理由をトランスの巻線の構成を基にし
て第６図で説明する。
第６図において、２０１はコアであり、T2は一次側、T2
は負荷用巻線、T3は同調回路用巻線を示す。T2とT3のそ
れぞれの中心に近い方すなわちT2S部とT3Sを接続する。
そして外側の端子T2EとT3Eの発生電圧の極性を同じにな
る様に巻方向を構成する。こうすることにより巻線T2と
T3の間の電圧差が小さくなり、巻線間でのコロナ放電や
アーク放電がなく又、巻線T2とT3の耐圧も小さくてよ
く、空間距離も小さくすることができ、その結果トラン
スも小さくできる。もし逆極性であればT2EとT3E間には
大きな電圧が生じコロナ放電やアーク放電が生じ破損す
る。
は負荷用巻線、T3は同調回路用巻線を示す。T2とT3のそ
れぞれの中心に近い方すなわちT2S部とT3Sを接続する。
そして外側の端子T2EとT3Eの発生電圧の極性を同じにな
る様に巻方向を構成する。こうすることにより巻線T2と
T3の間の電圧差が小さくなり、巻線間でのコロナ放電や
アーク放電がなく又、巻線T2とT3の耐圧も小さくてよ
く、空間距離も小さくすることができ、その結果トラン
スも小さくできる。もし逆極性であればT2EとT3E間には
大きな電圧が生じコロナ放電やアーク放電が生じ破損す
る。
第７図は負荷用間線T2および同調回路巻線T3を分割巻き
にした場合の構造図を示す。この場合もT2SとT3Sを接続
する。そしてT2EおよびT3Eには同極性の電圧が発生する
ため、T2E−T3E間の電圧差は小さくコロナ放電やアーク
放電の恐れもない。又、T2E−T3E間の距離も小さくでき
その結果小型のトランスができる。もし逆極性であれば
T2E−T3E間には大きな電圧が生じコロナ放電やアーク放
電によってトランスが破損する。
にした場合の構造図を示す。この場合もT2SとT3Sを接続
する。そしてT2EおよびT3Eには同極性の電圧が発生する
ため、T2E−T3E間の電圧差は小さくコロナ放電やアーク
放電の恐れもない。又、T2E−T3E間の距離も小さくでき
その結果小型のトランスができる。もし逆極性であれば
T2E−T3E間には大きな電圧が生じコロナ放電やアーク放
電によってトランスが破損する。
発明の効果 以上の様に本発明の高周波発生装置によれば次の効果を
得ることができる。
得ることができる。
(1)トランスの巻線間の電圧を下げることができ、コロ
ナ放電やアーク放電のないトランスが実現できる。
ナ放電やアーク放電のないトランスが実現できる。
(2)トランスの巻線間の距離を小さくでき小型のトラン
スができる。
スができる。
第１図は本発明の一実施例である高周波発生装置の回路
図、第２図は同回路図中の同調回路要素の他の実施例を
示す回路図、第３図および第４図はそれぞれ同回路図の
動作波形図、第５図は同回路の要部説明のための波形
図、第６図および第７図は同トランスの構造を示す断面
図、第８図は同マグネトロンの動作特性図、第９図は従
来の高周波発生装置の回路図、第１０図は同回路の波形
図である。 １……同調回路要素、２……トランス、３……マグネト
ロン、４……逆バイアスのバイパス用コンデンサ、５…
…共振コンデンサ、６……半導体スイッチ（トランジス
タ）、７……ダイオード、８……駆動回路、９……商用
電源、１０……ダイオードブリッジ、１１……チョーク
コイル、１２……平滑コンデンサ、１３……直流電源回
路、１４……インバータ。
図、第２図は同回路図中の同調回路要素の他の実施例を
示す回路図、第３図および第４図はそれぞれ同回路図の
動作波形図、第５図は同回路の要部説明のための波形
図、第６図および第７図は同トランスの構造を示す断面
図、第８図は同マグネトロンの動作特性図、第９図は従
来の高周波発生装置の回路図、第１０図は同回路の波形
図である。 １……同調回路要素、２……トランス、３……マグネト
ロン、４……逆バイアスのバイパス用コンデンサ、５…
…共振コンデンサ、６……半導体スイッチ（トランジス
タ）、７……ダイオード、８……駆動回路、９……商用
電源、１０……ダイオードブリッジ、１１……チョーク
コイル、１２……平滑コンデンサ、１３……直流電源回
路、１４……インバータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前原 直芳 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 丹羽 孝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 松本 孝広 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 別荘 大介 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−259488（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】商用電源、電池等の電源と、少なくとも１
つの半導体スイッチとその駆動手段を有し高周波電力を
発生する電力変換器と、逆阻止特性を有し高周波を発生
するマグネトロンと、このマグネトロンに前記電力変換
器の発生電力を昇圧して供給するトランスと、前記マグ
ネトロンに並列に接続された逆バイアス電流のバイパス
用コンデンサと、前記電力変換器の動作周波数の約３倍
の共振周波数を有する同調回路要素を備え、前記同調回
路要素は前記トランスに巻線を設けて結合し、前記同調
回路要素の巻線の片方の端子と前記マグネトロンに接続
された巻線の片方の端子とを接続するとともに前記同調
回路要素の巻線のもう一方の端子および前記マグネトロ
ンに接続された巻線のもう一方の端子の各発生電圧を同
極性にする構成とした高周波発生装置。 - 【請求項２】同調回路要素の巻線に負荷として容量性負
荷を接続する構成とした特許請求の範囲第１項記載の高
周波発生装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298145A JPH0644513B2 (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 高周波発生装置 |
| US07/131,717 US4812960A (en) | 1986-12-15 | 1987-12-11 | Power feeding apparatus |
| KR1019870014220A KR900004348B1 (ko) | 1986-12-15 | 1987-12-12 | 전력공급장치 |
| EP87118439A EP0271850B1 (en) | 1986-12-15 | 1987-12-12 | Power feeding apparatus |
| DE8787118439T DE3786238T2 (de) | 1986-12-15 | 1987-12-12 | Leistungslieferungsgeraet. |
| CA000554402A CA1290817C (en) | 1986-12-15 | 1987-12-15 | Power supply apparatus |
| AU82574/87A AU595083B2 (en) | 1986-12-15 | 1987-12-15 | Power feeding apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298145A JPH0644513B2 (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 高周波発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63150883A JPS63150883A (ja) | 1988-06-23 |
| JPH0644513B2 true JPH0644513B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=17855778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61298145A Expired - Fee Related JPH0644513B2 (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 高周波発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644513B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51108230A (ja) * | 1975-03-19 | 1976-09-25 | Hitachi Ltd | Henatsukimakisen |
| JPS61259488A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-17 | 松下電器産業株式会社 | 高周波加熱装置 |
-
1986
- 1986-12-15 JP JP61298145A patent/JPH0644513B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63150883A (ja) | 1988-06-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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