JPH0643464A - 液晶配向膜、これを有する液晶挟持基板及び液晶表示素子並びに液晶配向膜用材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】安定して高いプレチルト角をもつ液晶配向膜が
得られ、従って優れた液晶挟持基板、液晶表示素子を与
える。 【構成】 式（Ｉ）： 【化１】 （ただし、Ｘは芳香環を含む四価の有機基を示し、２組
のＮとＯは、それぞれ五員環を形成するようにＸ内の芳
香環に互いにオルト位に結合しており、ｎは２〜２０の
整数を表わす）で表わされる構成単位を含むポリベンゾ
オキサゾールを用いること、特定のジカルボン酸又は
そのアミド形成性誘導体と特定のビス（アミノフェノー
ル）との反応物構成単位ポリベンゾオキサゾールを用い
ること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶配向膜、これを有
する液晶挟持基板及び液晶表示素子並びに液晶配向膜用
材料に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、大型ディスプレイ用液晶表示素子
には、視覚特性をよくするためにＳＴＮ（スーパーツイ
ステッドネマチック）方式が用いられている。これは、
セル内で液晶分子の長軸方向が２４０〜２７０°ねじれ
た方式（２４０〜２７０°ツイスト）である。

【０００３】ＳＴＮ方式液晶表示素子の製造には、高い
プレチルト角を安定して得られる配向膜材料が不可欠で
ある。また、表示素子のカラー化にともない、カラーフ
ィルタの耐熱性上の制限から、低い硬化温度で膜形成で
きる配向膜材料が望まれている。

【０００４】そこで、このような高いプレチルト角の配
向膜を得るために、（１）フルオロアルキル基が鎖状炭
素に結合しているポリイミドを用いる方法（特開昭６２
−１７４７２５号公報、米国特許４，７３５，４９２号
明細書）、（２）ポリイミドに長鎖フルオロアルキル基
を有するアミン化合物を添加する方法（特開平１−１８
０５１８号公報）、（３）長鎖フルオロアルキル基を有
する金属錯体を添加する方法（第１３回液晶討論会予稿
集１９８７年１０月）などが検討されている。

【０００５】しかし、これらの方法では、何れも安定し
たプレチルト角が得られない欠点があった。また、特開
昭６２−２０７３３２号公報には、下記式 (Ｖ) で示さ
れる含フッ素ポリベンゾオキサゾールが開示されるが、
これも液晶配向膜として安定したプレチルト角が得られ
ない。

【０００６】

【化５】 （ただし、式中Ｒ⁶ は、二価の芳香族基を示す）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来の
問題点を解決して安定して高いプレチルト角を示す液晶
配向膜、これを有する液晶挟持基板及び液晶表示素子並
びに液晶配向膜用組成物を提供するものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明における液晶配向
膜は、式（Ｉ）：

【化６】

【０００９】（ただし、Ｘ，ｎ及びＮ，Ｏの結合位置は
式（Ｉ）と同じ）で表わされる構成単位を含むポリベン
ゾオキサゾールを含むものである。

【００１０】一般式（Ｉ）において、ベンゼン環は、低
級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ素、塩素、臭素
等で置換されていてもよい。

【００１１】前記ポリベンゾオキサゾールは、さらに式
（Ｉ′）

【化７】 （Ｚは、−（ＣＨ₂ ）_n −以外の二価の有機基であり、
Ｘ′はＸと同じ）で表わされる構成単位を含んでいても
よい。

【００１２】前記ポリベンゾオキサゾールは、一般式
（Ｉ）で表わされる構成単位と一般式（Ｉ′）で表わさ
れる構成単位を後者／前者がモル比で０／１００〜９５
／５になるように含むのが好ましく、特に０／１００〜
９０／１０になるように含むのが好ましい。

【００１３】前記一般式（Ｉ）で表わされる構成単位が
少ないとプレチルト角が低下する傾向にある。前記液晶
配向膜をＩＴＯ(Indium Tin Oxide)等の透明電極が形成
されたガラス基板等の適当な基板上に形成し、上記液晶
配向膜を有する液晶挟持基板とすることができる。

【００１４】また、上記液晶挟持基板を用いて、公知の
方法により電極が設けられており、しかもこの電極の上
に前記液晶配向膜が液晶に面して設けられている液晶挟
持基板を有する液晶表示素子とすることができる。

【００１５】前記液晶配向膜は、ポリベンゾオキサゾー
ルの前駆体であるポリヒドロキシアミドを含有してなる
液晶配向膜用材料を用いて作製することができる。ポリ
ヒドロキシアミドは式（II）：

【化８】 （ただし、Ｘ，ｎは式 (Ｉ) と同じ）で表わされる構成
単位を含むものである。

【００１６】上記ポリヒドロキシアミドは、上記一般式
（II）で表わされる構成単位とともに一般式（II′）：

【化９】 （ただし、Ｚは−（ＣＨ₂ ）_n −以外の二価の有機基で
あり、Ｘ′はＸと同じ）で表わされる構成単位を含んで
いてもよい。

【００１７】この場合、一般式（II）で表わされる構成
単位を５〜１００モル％及び一般式（II′）で表わされ
る構成単位を９５〜０モル％含むようにするのが好まし
い。前記液晶配向膜は、次に説明するポリベンゾオキサ
ゾール系樹脂を含有してなる材料を用いて作製すること
ができる。

【００１８】上記ポリベンゾオキサゾール系樹脂は、式
（III)：

【化１０】 （ただし、ｎ＝２〜２０の整数である）で表わされるジ
カルボン酸又はそのアミド形成性誘導体を含む成分及び

【００１９】式（IV）：

【化１１】

【００２０】（ただし、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ はそれ
ぞれ独立に水素又はトリアルキルシリル基を示し、Ｘは
芳香環を含む四価の基を示し、−Ｎ，−ＯはそれぞれＸ
内の芳香環にオルト位に結合している）で表わされるビ
ス（アミノフェノール）化合物を含むアミノフェノール
成分を反応させることにより得ることができる。

【００２１】この方法は、一般式（III)で表わされるジ
カルボン酸又はそのアミド形成性誘導体を酸成分とし、
一般式（IV）で表わされるビス（アミノフェノール）化
合物をその反応の相手（アミノフェノール成分）とし、
これらを縮合又は縮合・閉環反応させるものである。

【００２２】酸成分としては、上記ジカルボン酸又はそ
のアミド形成性誘導体以外に、上記アミノフェノール成
分と反応性のジカルボン酸又はそのアミド形成性誘導体
を併用してもよい。

【００２３】一般式（III)で表わされるジカルボン酸の
例としては、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメ
リン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウン
デカンジオン酸、ドデカン二酸、１，１２−ドデカンジ
カルボン酸、ヘキサデカンジオン酸等があり、これらを
二種以上併用してもよい。

【００２４】前記一般式（ＩＩＩ）のジカルボン酸のア
ミド形成性誘導体とは、一般式（IV）で表わされるビス
（アミノフェノール）と反応してアミド結合を形成し得
る誘導体であり、上記ジカルボン酸のジクロライド、ジ
ブロマイド等の酸ハロゲン化物、ジメチルエステル、ジ
エチルエステル等のジアルキルエステル等がある。

【００２５】上記ジクロライドは、例えば一般式(III)
で表わされるジカルボン酸に塩化チオニル、五塩化リン
を反応させることにより得ることができる。上記ジメチ
ルエステル、ジエチルエステル等のジアルキルエステル
は、酸の存在下、それぞれメタノール、エタノール等の
アルコールをジカルボン酸に反応させることにより得ら
れる。

【００２６】前記した一般式（III)で表わされるジカル
ボン酸又はそのアミド形成性誘導体と併用してもよいジ
カルボン酸又はそのアミド形成性誘導体としては

【００２７】一般式(III′）：

【化１２】 （ただし、一般式(III′）中、Ｚは一般式（Ｉ′）に同
じである）で表わされるジカルボン酸又はそのアミド形
成性誘導体がある。

【００２８】−（ＣＨ₂ ）n −以外の二価の有機基とし
ては、一般式（ａ）：

【化１３】 で表わされる基、又は

【００２９】一般式（ｂ）：

【化１４】 （ここで、Ｚ′は、結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ
₂ −，−Ｃ（＝Ｏ）−，−ＣＨ₂ −，−Ｃ（ＣＨ₃ ）₂
−，−ＣＦ₂ −，−Ｃ（ＣＦ₃ ）₂ −等を示す）で表わ
される基、又は

【００３０】一般式（ｃ）：

【化１５】 （ここで、Ｚ′は前記と同様のものを示し、２個のＺ′
は同一でも異なっていてもよい）で表わされる基又は

【００３１】一般式（ｄ）：

【化１６】 （ここで、Ｚ′は前記と同様のものを示し、３個のＺ′
は同一でも異なっていてもよい）で表わされる基などが
ある。

【００３２】これらの基は、適宜、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、塩素、臭素、フッ素等のハロゲンなど
で置換されていてもよい。これらの基は、一般式
（Ｉ′）及び一般式（II′）のＺでもある。

【００３３】一般式（III ′）で表わされるジカルボン
酸の例としては、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル
酸、３，３′−ジカルボキシルジフエニルエーテル、
３，４′−ジカルボキシルジフエニルエーテル、４，
４′−ジカルボキシルジフエニルエーテル、

【００３４】３，３′−ジカルボキシルジフエニルメタ
ン、３，４′−ジカルボキシルジフエニルメタン、４，
４′−ジカルボキシルジフエニルメタン、３，３′−ジ
カルボキシルジフエニルジフルオロメタン、３，４′−
ジカルボキシルジフエニルジフルオロメタン、４，４′
−ジカルボキシルジフエニルジフルオロメタン、３，
３′−ジカルボキシルジフエニルスルホン、３，４′−
ジカルボキシルジフエニルスルホン、４，４′−ジカル
ボキシルジフエニルスルホン、

【００３５】３，３′−ジカルボキシルジフエニルスル
フイド、３，４′−ジカルボキシルジフエニルスルフイ
ド、４，４′−ジカルボキシルジフエニルスルフイド、
３，３′−ジカルボキシルジフエニルケトン、３，４′
−ジカルボキシルジフエニルケトン、４，４′−ジカル
ボキシルジフエニルケトン、

【００３６】２，２−ビス（３−カルボキシルフエニ
ル）プロパン、２，２−（３，４′−ジカルボキシルジ
フエニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシル
フエニル）プロパン、２，２−ビス（３−カルボキシル
フエニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−（３，
４′−ジカルボキシルジフエニル）ヘキサフルオロプロ
パン、２，２−ビス（４−カルボキシルジフエニル）ヘ
キサフルオロプロパン、

【００３７】１，３−ビス（３−カルボキシルフエノキ
シ）ベンゼン、１，４−ビス（３−カルボキシルフエノ
キシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−カルボキシルフエ
ノキシ）ベンゼン、３，３′−〔１，４−フエニレンビ
ス（１−メチルエチリデン）〕ビス安息香酸、３，４′
−〔１，４−フエニレンビス（１−メチルエチリデ
ン）〕ビス安息香酸、４，４′−〔１，４−フエニレン
ビス（１−メチルエチリデン）〕ビス安息香酸、

【００３８】２，２−ビス〔４−（３−カルボキシルフ
エノキシ）フエニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−
（４−カルボキシルフエノキシ）フエニル〕プロパン、
２，２−ビス（４−（３−カルボキシルフエノキシ）フ
エニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−
（４−カルボキシルフエノキシ）フエニル〕ヘキサフル
オロプロパン、

【００３９】ビス〔４−（３−カルボキシルフエノキ
シ）フエニル〕スルフイド、ビス〔４−（４−カルボキ
シルフエノキシ）フエニル〕スルフイド、ビス〔４−
（３−カルボキシルフエノキシ）フエニル〕スルホン、
ビス〔４−（４−カルボキシルフエノキシ）フエニル〕
スルホン等の芳香族ジカルボン酸がある。

【００４０】前記一般式（III ′）で表わされるジカル
ボン酸のアミド形成性誘導体としては、該ジカルボン酸
のジクロライド、ジブロルイド等の酸ハロゲン化物、該
ジカルボン酸のジメチルエステル、ジエチルエステル等
のジアルキルエステル等がある。

【００４１】前記酸成分としては、一般式（III ）で表
わされる芳香族ジカルボン酸又はそのアミド形成性誘導
体を酸成分中、５〜１００モル％、特に１０〜１００モ
ル％使用するのが好ましい。

【００４２】一般式（IV）で表わされるビス（アミノフ
ェノール）化合物のうち、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ がト
リアルキルシリル基で表わされるトリアルキルシリル化
ジアミンは、マクロモレキュールズ（Macromolecules）
第２１巻２３０５頁（１９８８年）以下に示されるよう
な、３，３′−ビス（トリメチルシロキシ）−４，４′
−ビス（トリメチルシリルアミノ）ビフエニルの製造法
に準拠して調整することができる。

【００４３】例えば、４，４′−ジアミノ−３，３′−
ジヒドロキシビフエニルのテトラヒドロフラン溶液中で
トリエチルアミンの存在下、トリアルキルシリルクロラ
イドを反応させて、３，３′−ビス（トリアルキルシロ
キシ）−４，４′−ビス（トリアルキルシリルアミノ）
ビフエニルを得ることができる。

【００４４】一般式（IV）で表わされるビス（アミノフ
ェノール）化合物としては、より高分子量のベンゾオキ
サゾール系重合体を得るためには、少なくともＲ¹ 及び
Ｒ²がトリアルキルシリル基であるものが好ましい。

【００４５】トリアルキルシリル基としては、トリメチ
ルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル
基等がある。一般式（IV）中のＸとしては、例えば一般
式（ａ′）：

【化１７】 で表わされる基、又は

【００４６】一般式（ｂ′）：

【化１８】

【００４７】〔ただし、式中、Ｙは結合基、−Ｏ−，−
Ｓ−，−ＳＯ₂ −，−Ｃ−，−ＣＨ₂ −，−Ｃ（Ｃ
Ｈ₃ ）₂ −，−ＣＦ₂ −，−Ｃ（ＣＦ₃ ）₂ −又は−Ｒ
ｆ′−（ＯＲｆ′）_m −（ここで、Ｒｆ′は二価のフル
オロカーボンを示し、ｍは１〜５の整数であり、複数個
のＲｆ′は同一でも異なっていてもよい）である〕で表
わされる基、又は

【００４８】一般式（ｃ′）：

【化１９】 （ただし、式中、Ｙは一般式（ｂ′）に同じであり、２
個のＹは同一でも異なっていてもよい）で表わされる基
又は

【００４９】一般式（ｄ′）：

【化２０】 （ただし、式中、Ｙは一般式（ｂ′）に同じであり、３
個のＹは同一でも異なっていてもよい）で表わされる基
等がある。

【００５０】これらの基中のベンゼン環が適宜、低級ア
ルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲンなどで置換され
ていてもよい。これらの基は、一般式（Ｉ）、一般式
（Ｉ′）、一般式（II）及び一般式（II′）のＸ又は
Ｘ′でもある。

【００５１】一般式（IV）で表わされるビス（アミノフ
ェノール）化合物としては、３，４−ジアミノ−１，５
−ベンゼンジオール、３，３′−ジヒドロキシ−４，４
−ジアミノビフエニル、３，３′−ジアミノ−４，４′
−ジヒドロキシビフエニル、

【００５２】２，２′−ビス（３−アミノ−４−ヒドロ
キシフエニル）ケトン、２，２−ビス（３−アミノ−４
−ヒドロキシフエニル）スルフイド、２，２−ビス（３
−アミノ−４−ヒドロキシフエニル）エーテル、２，２
−ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフエニル）スルホ
ン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフエニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３−ヒドロキシ−４−ア
ミノフエニル）プロパン、

【００５３】２，２−ビス（３−ヒドロキシ−４−アミ
ノフエニル）メタン、２，２−ビス（３−アミノ−４−
ヒドロキシフエニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２
−ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフエニル）ヘキサ
フルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフエニル）ジフルオロメタン、

【００５４】下記式（イ），（ロ），（ハ），（ニ）等
及びこれらのトリアルキルシリル化物がある。

【化２１】

【００５５】

【化２２】

【化２３】

【００５６】

【化２４】

【００５７】前記酸成分とアミノフェノール成分を適当
な温度で反応させることにより含フッ素ポリベンゾオキ
サゾール及び含フッ素ポリヒドロキシアミド（ヒドロキ
シル基が前記したようにトリアルキルシリル化されてい
るものを含む。以下同じ）を製造することができる。

【００５８】この反応に際し、適当な条件を選定するこ
とにより閉環の度合を適宜調整することができる。例え
ば、前記酸成分と前記アミノフェノール成分を溶融させ
て（好ましくは２００℃以上の温度で）、無溶媒で反応
させる方法、前記酸成分と前記アミノフェノール成分を
有機溶媒中又はポリリン酸中、１５０℃以上で反応させ
る方法により、ほとんど又は完全に閉環したポリベンゾ
オキサゾールを製造することができる。

【００５９】また、前記酸成分（時にジハライド）と前
記アミノフェノール成分を有機溶媒中、８０℃以下、特
に５０℃以下で反応させることにより、ポリベンゾオキ
サゾールの前駆体であってほとんど又は全く閉環してい
ないポリヒドロキシアミドを製造することができる。

【００６０】また、ポリベンゾオキサゾール前駆体〔上
記ポリヒドロキシアミド又は閉環が部分的に進行したポ
リヒドロキシアミド〕は、さらに１００℃以上、特に１
５０℃以上で必要に応じ無水酢酸、無水プロピオン酸、
無水安息香酸等の酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジ
イミド等のカルボジイミド等の閉環剤、さらに必要に応
じてピリジン、イソキノリン、トリメチルアミン、アミ
ノピリジン、イミダゾール等の閉環触媒を添加して、化
学閉環させ（閉環剤及び閉環触媒は、それぞれ酸成分１
モルに対して１〜８モルの範囲内で使用するのが好まし
い）、閉環がほとんど又は完全に完結したポリベンゾオ
キサゾールを製造することができる。これらの反応は、
有機溶剤の存在下で行うことが好ましい。

【００６１】上記において使用できる有機溶媒として
は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド、フェノー
ル、ｍ−クレゾール、クロルベンゼンなどの有機極性溶
媒があり、互いに相溶すれば２種類以上を混合して用い
ても良い。

【００６２】また、これらの有機極性溶媒とともに、ト
ルエン、キシレン、セロソルブアセテート、メチルセロ
ソルブなどの汎用溶媒をポリベンゾオキサゾール又はそ
の前駆体の溶解性を低下させない範囲で併用することが
できる。

【００６３】上記した反応のいずれにおいても、酸成分
としてジハライドを使用する場合、反応を適宜ハロゲン
化水素トラップ剤の存在下に行なうことができる。ハロ
ゲン化水素トラップ剤としては、ピリジン、トリエチル
アミン、ジメチルアニリン等の三級アミンがある。

【００６４】前記酸成分とビス（アミノフェノール）成
分の反応は等モル又はほぼ等モルで行なうのが好まし
く、各成分の添加順序は任意である。以上の反応におい
て、式（IV）で表わされるビス（アミノフェノール）化
合物の基−ＮＨ−Ｒ¹ 又は基−ＮＨ−Ｒ² は、基−Ｏ−
Ｒ³ 又は基−Ｏ−Ｒ⁴ に優先して反応する。

【００６５】また、一般式（IV）で表わされるビス（ア
ミノフェノール）化合物として、式中のＲ³ 又はＲ⁴ が
トリアルキルシリル基であるものを用い、ポリベンゾオ
キサゾールの前駆体を前記した方法で生成させた場合、
得られる重合体は式（IV) 中、ＯＨ基の少なくとも一方
がトリアルキルシロキシ基である構成単位を含むが、こ
の重合体は、反応液をそのまま又は単離してメタノール
又は水に添加することにより、トリアルキルシロキシ基
をＯＨ基に転換することができる。

【００６６】前記のポリベンゾオキサゾール及びポリヒ
ドロキシアミド等のベンゾオキサゾール系樹脂は、それ
ぞれ、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）に溶解するも
のは、該溶媒に０．１ｇ／ｄｌの濃度で溶解し、３０℃
で測定した還元粘度が０．０１ｄｌ／ｇ以上、特に０．
３ｄｌ／ｇ以上のものが好ましい。前記ポリヒドロキシ
アミドは、ＤＭＡｃに溶解する。

【００６７】前記液晶配向膜用材料は、前記ポリベンゾ
オキサゾール系樹脂を含有するものであるが、このポリ
ベンゾオキサゾール系樹脂を有機溶媒に溶解したもの
（ワニス）であるのが好ましい。

【００６８】有機溶媒としては、ポリベンゾオキサゾー
ル系樹脂の製造時に使用できるものとして先に例示した
ものが使用できる。使用する有機溶媒の選択は、ポリベ
ンゾオキサゾール系樹脂の溶解性を考慮して決定される
が、ポリベンゾオキサゾール系樹脂のうち、ポリヒドロ
キシアミド酸等のポリベンゾオキサゾールの前駆体は有
機溶媒への溶解性は良好である。

【００６９】前記液晶配向膜用材料は、例えば、あらか
じめＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極が形成さ
れたガラス基板等の適当な基板上に塗布され、乾燥して
ポリベンゾオキサゾール層とされる。

【００７０】塗布方法としては、浸漬法、印刷法、吹付
け法等の方法が用いられる。乾燥温度は６０〜３５０
℃、好ましくは１００〜３００℃の範囲で選択される。
ポリベンゾオキサゾール系樹脂としてポリヒドロキシア
ミド酸等のポリベンゾオキサゾールの前駆体を使用する
場合は、閉環が起こる温度以上とされ、このためには２
００℃以上が好ましい。

【００７１】また、加熱時間は１分〜６時間、好ましく
は１分〜３時間とされる。基板とポリベンゾオキサゾー
ル層との密着性をよくするために、この間にシランカッ
プリング剤、チタンカップリング剤等のカップリング剤
を用いてもよい。

【００７２】このようにして形成されたポリベンゾオキ
サゾール層は、表面をラビングすることによって液晶配
向膜として用いる。また、該液晶配向膜を有する液晶挟
持基板を用いて公知の方法により液晶表示素子を得るこ
とができる。前記液晶配向膜は、２４０〜２７０°のツ
イスト角を有するＳＴＮ方式の液晶表示素子に特に適し
ている。

【００７３】

【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではな
い。 （合成例１）かくはん装置、窒素導入管、乾燥管を備え
た反応容器に、３，３′−ジヒドロキシ−４，４′−ジ
アミノビフエニル２．１６ｇ（０．０１mol ）、ピリジ
ン１．７４ｇ（０．０２２mol ）、ジメチルアセトアミ
ド１２．３ｇを入れ、氷水浴で冷却した。均一溶液にな
ったら、セバシン酸ジクロライド２．３９ｇ（０．０１
mol ）を少量ずつ加える。かくはんを５時間行った後、
メタノール中に注ぎ、沈でんしたポリマーを口別。乾燥
してポリヒドロキシアミドＡを得た。

【００７４】（合成例２〜５）下記表１に示す酸成分、
ビス（アミノフェノール）成分等を用い、合成例１と同
様にポリマーを合成した。

【００７５】

【表１】

【００７６】（実施例１及び比較例１）合成例１〜４で
得られたポリマーをジメチルアセトアミドで約５％にな
るように希釈し、液晶配向膜用組成物を調製した。この
溶液を２枚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板上にスピン
ナー塗布し、２５０℃で１時間加熱乾燥し、厚さ５００
Åのポリベンゾオキサゾール層を形成した。

【００７７】次に、該ポリベンゾオキサゾール層の表面
をラビング処理して液晶挟持基板を得、この２枚をラビ
ング方向がアンチパラレルになるようにポリベンゾオキ
サゾール層を対向させて組合せた後、周りをエポキシ系
シール剤ＥＮ−１０００（日立化成工業（株）商品名）
で封止し、１２０℃で２時間の加熱硬化を行って試験用
液晶表示セルを組み立てた。

【００７８】該試験用液晶表示セルに室温で液晶ＺＬＩ
−１１３２（メルク社製商品名）を封入し、液晶セルを
形成した。液晶のＴ_NI（７１℃）以上の温度である１２
０℃で１時間加熱した後、該セルのプレチルト角をレー
ザー光により測定した。

【００７９】表２に、使用したポリヒドロキシアミド及
びポリベンゾオキサゾール（これを作製した合成例）と
共に測定した結果を示す。

【００８０】

【表２】

【００８１】次に、前記合成例１〜４で得られたポリヒ
ドロキシアミドの溶液（液晶配向膜用組成物）を用い
て、前記と同様の方法で６４０×２００ドットになるよ
うにＩＴＯ透明電極が形成された基板上にポリイミド層
を形成した。

【００８２】この層の表面をラビング処理し、上記と同
様にして２４０°ツイストになるようにセルを組み立て
て、室温で上記液晶にカイラル剤Ｓ−８１１（メルク社
製商品名）を添加して調整した液晶を封入し、１２０℃
で１時間加熱して液晶表示素子を形成した。

【００８３】得られた液晶表示素子はいずれも、６４０
×２００ドットで駆動でき、ドメイン等の配向不良が発
生せず高表示品質であった。

【００８４】

【発明の効果】本発明による液晶配向膜を使用すると、
安定して高いプレチルト角をもつ液晶挟持基板、液晶表
示素子が得られる。また、本発明による液晶配向膜用材
料から容易に液晶配向膜を得ることができる。

フロントページの続き (72)発明者 宮寺 康夫 茨城県つくば市和台48番 日立化成工業株 式会社筑波開発研究所内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ）： 【化１】 （ただし、Ｘは芳香環を含む四価の有機基を示し、２組
   のＮとＯは、それぞれ五員環を形成するようにＸ内の芳
   香環に互いにオルト位に結合しており、ｎは２〜２０の
   整数を表わす）で表わされる構成単位を含むポリベンゾ
   オキサゾールを含むことを特徴とする、液晶配向膜。
2. 【請求項２】 請求項１記載の液晶配向膜を有すること
   を特徴とする、液晶挟持基板。
3. 【請求項３】 電極が設けられており、しかもこの電極
   の上に請求項１記載の液晶配向膜が液晶に面して設けら
   れていることを特徴とする、液晶挟持基板を有する液晶
   表示素子。
4. 【請求項４】 式（ＩＩ）： 【化２】 （ただし、Ｘ，ｎは式（Ｉ）と同じ）で表わされる構成
   単位を含む、ポリヒドロキシアミドを含有してなること
   を特徴とする、液晶配向膜用材料。
5. 【請求項５】 式（III)： 【化３】 （ｎ＝２〜２０の整数である）で表わされるジカルボン
   酸又はそのアミド形成誘導体を含む酸成分及び式(IV)： 【化４】 （ただし、式中、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ はそれぞれ独
   立に水素又はトリアルキルシリル基を示し、Ｘは、芳香
   環を含む四価の有機基を示し、−ＮＨ−Ｒ¹ と−Ｏ−Ｒ
   ³ 及び−ＮＨ−Ｒ³ と−Ｏ−Ｒ⁴ はそれぞれＸ内の芳香
   環にオルト位に結合している）で表わされるビス（アミ
   ノフェノール）化合物を含むアミノフェノール成分を反
   応させることにより得られることを特徴とするポリベン
   ゾオキサゾール系樹脂を含有してなる液晶配向膜用材
   料。