JPH0641882B2 - レ−ザビ−ムの半径方向強度分布を検出する装置 - Google Patents
レ−ザビ−ムの半径方向強度分布を検出する装置Info
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- JPH0641882B2 JPH0641882B2 JP61504725A JP50472586A JPH0641882B2 JP H0641882 B2 JPH0641882 B2 JP H0641882B2 JP 61504725 A JP61504725 A JP 61504725A JP 50472586 A JP50472586 A JP 50472586A JP H0641882 B2 JPH0641882 B2 JP H0641882B2
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- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 この発明は、ビーム全体から選択的に部分ビームを絞り
込んでレーザビームの半径方向強度分布を検出する装置
に関する。
込んでレーザビームの半径方向強度分布を検出する装置
に関する。
レーザビームを使った工作物の加工では、特にレーザビ
ームの半径方向強度分布によって結果が決定的に左右さ
れる。それゆえこの強度分布を知ることが重要である。
ただしその際末集束レーザビームのビーム品質を調べて
も加工結果の判定には不十分である。加工プロセスにと
って重要なのはむしろ焦点におけるビームの分布および
横断面、そして工作物表面を基準とした焦点の位置であ
る。
ームの半径方向強度分布によって結果が決定的に左右さ
れる。それゆえこの強度分布を知ることが重要である。
ただしその際末集束レーザビームのビーム品質を調べて
も加工結果の判定には不十分である。加工プロセスにと
って重要なのはむしろ焦点におけるビームの分布および
横断面、そして工作物表面を基準とした焦点の位置であ
る。
先行技術 ビーム横断面によりワイヤを回転させ、ワイヤの高反射
面でレーザ放射幅を広げ、ビームの軸に対し適当な位置
に置いた検出器にそれを向けることが知られている[光
学素子とレーザ技術6,149乃至153頁、198
2]。しかしこの配置ではレーザビームの焦点、そして
焦点前後、集束レンズとその2倍の焦点距離との間の範
囲においてひずみ誤差が発生するのでビーム分布を十分
に突き止めることができない。更に2次元強度横断面全
体を検出するのに複数の検出器が必要であり、しかも配
置をビームの中心に調整しないと像が乱れてビーム特性
の判定を間違えることにもなる。
面でレーザ放射幅を広げ、ビームの軸に対し適当な位置
に置いた検出器にそれを向けることが知られている[光
学素子とレーザ技術6,149乃至153頁、198
2]。しかしこの配置ではレーザビームの焦点、そして
焦点前後、集束レンズとその2倍の焦点距離との間の範
囲においてひずみ誤差が発生するのでビーム分布を十分
に突き止めることができない。更に2次元強度横断面全
体を検出するのに複数の検出器が必要であり、しかも配
置をビームの中心に調整しないと像が乱れてビーム特性
の判定を間違えることにもなる。
発明の開示 この発明は、未集束レーザビームの強度分布も集束レー
ザビームの強度分布もできるだけ少ない数の検出器を頼
りに求めることができる装置を提供することを目的とす
る。この配置は調整に鈍感で、10kwを超えるレーザ出
力でも使用可能でなければならない。
ザビームの強度分布もできるだけ少ない数の検出器を頼
りに求めることができる装置を提供することを目的とす
る。この配置は調整に鈍感で、10kwを超えるレーザ出
力でも使用可能でなければならない。
この目的が、類概念に記載の装置において請求の範囲第
1項特徴部の特徴により達成される。
1項特徴部の特徴により達成される。
本発明装置では支持体が1回転する間にレーザビームの
1断面がピックアップされる。さまざまな箇所でレーザ
ビームの幾つかの断面をピックアップしてビーム横断面
全体を検出するため、本発明の別の1構成によれば支持
体の回転軸がステッパモータにより平行移動可能であ
る。
1断面がピックアップされる。さまざまな箇所でレーザ
ビームの幾つかの断面をピックアップしてビーム横断面
全体を検出するため、本発明の別の1構成によれば支持
体の回転軸がステッパモータにより平行移動可能であ
る。
本発明で達成される利点は特に下記の点にある。
未集束レーザビームでも集束レーザビームの焦点および
焦点前後、集束レンズとその2倍の焦点距離との間にあ
る範囲でも本発明装置によりビームの強度分布および横
断面を求めることができる。
焦点前後、集束レンズとその2倍の焦点距離との間にあ
る範囲でも本発明装置によりビームの強度分布および横
断面を求めることができる。
所要の検出器は1個にすぎない。
ビームの中心にセンタリングする必要がなく、しかもビ
ームの位置のずれが検出される。
ームの位置のずれが検出される。
高強度のレーザビームも調べることができる。
図面の簡単な説明 本発明の実施例を図面に示し、以下詳しく説明する。
第1図は本発明装置の縦断面図。
第2図は第1図部分の拡大図。
第3図は両端をそれぞれプラグで密封した直管を導波路
として有する支持体。
として有する支持体。
第4図は両端を曲げた光ファイバを導波路として有する
支持体。
支持体。
第5図は両端を研磨して45゜にした直線状光ファイバ
を有する支持体。
を有する支持体。
第6図は底の内面を45゜面取りした保護キャップ付き
直線状光ファイバを有する支持体。
直線状光ファイバを有する支持体。
第7図は複数の導波路を有する支持体の側面図。
第8図は2枚の円板から成る支持体の縦断面図。
第9図は同上側面図。
第10図は本発明に係る別の支持体の部分側面図及び第
11図は第10図に示した支持体の部分断面図。
11図は第10図に示した支持体の部分断面図。
発明の実施 第1図において1は回転可能に支承された支持体であ
り、その回転軸2はレーザビーム3の軸と平行である。
支持体1と結合された小管4は導波路として働く円筒中
空導波路であり、その両端は90゜曲げてある。この曲
げは小管4の支持体側末端5に示すように1ステップで
行うことができる。それに対し小管4の他端6は幾つか
のステップに分けて曲げた例を示し、反射損失が小さく
なる利点を有する。
り、その回転軸2はレーザビーム3の軸と平行である。
支持体1と結合された小管4は導波路として働く円筒中
空導波路であり、その両端は90゜曲げてある。この曲
げは小管4の支持体側末端5に示すように1ステップで
行うことができる。それに対し小管4の他端6は幾つか
のステップに分けて曲げた例を示し、反射損失が小さく
なる利点を有する。
小管4はレーザビーム3を通す方の末端6がキャップ7
で密封してある。キャップは中心に回転軸2と平行な穴
8を有する。穴の直径はビームの横断面および小管4の
内径に準じて決まる。レーザがCO2レーザで、本装置
を自走レーザビーム用に使用する場合穴の直径は主に
0.5乃至1.0mm、集束レーザビーム用に使用する場
合主に10乃至50μmである。
で密封してある。キャップは中心に回転軸2と平行な穴
8を有する。穴の直径はビームの横断面および小管4の
内径に準じて決まる。レーザがCO2レーザで、本装置
を自走レーザビーム用に使用する場合穴の直径は主に
0.5乃至1.0mm、集束レーザビーム用に使用する場
合主に10乃至50μmである。
小管4は他端5に回転軸2と同軸上に射出孔9を有す
る。射出孔9の前に市販の検出器10、例えばCO2レ
ーザと合わせて使用する場合焦電検出器が、固定配置し
てある。
る。射出孔9の前に市販の検出器10、例えばCO2レ
ーザと合わせて使用する場合焦電検出器が、固定配置し
てある。
レーザをオンにし支持体1を回転させると小管4は支持
体1が1回転するたびに1回、レーザビームを通す。穴
8を通って小管4の内部に達した微量のレーザ放射部分
は射出孔9まで導かれ、そこから固定検出器10に結像
される。
体1が1回転するたびに1回、レーザビームを通す。穴
8を通って小管4の内部に達した微量のレーザ放射部分
は射出孔9まで導かれ、そこから固定検出器10に結像
される。
第2図は第1図の部分“A”を拡大図示したものであ
り、穴8近辺での小管4内の放射分布を認めることがで
きる。減衰をできるだけ小さく抑えるため小管4の内壁
はレーザ波長にとって高反射物質、例えば銅、銀または
金から構成し、またはそれらの被膜を設けるべきであ
り、必要なら表面を研磨しておくことができる。
り、穴8近辺での小管4内の放射分布を認めることがで
きる。減衰をできるだけ小さく抑えるため小管4の内壁
はレーザ波長にとって高反射物質、例えば銅、銀または
金から構成し、またはそれらの被膜を設けるべきであ
り、必要なら表面を研磨しておくことができる。
第3図に示した実施例では小管4の末端が曲げてなく、
内面13又は14を回転軸2に対し45゜の角度に面取
りしたプラグ11または12で密封してある。内面14
の高さに小管4は第1図の射出孔9に対応した穴19を
有する。
内面13又は14を回転軸2に対し45゜の角度に面取
りしたプラグ11または12で密封してある。内面14
の高さに小管4は第1図の射出孔9に対応した穴19を
有する。
第4図に示す実施例では、単数または複数のガラス繊維
から形成され末端16,17に保護キャップ20または
21を有する光ファイバ15が導波路として使われてい
る。光ファイバ15は第1図の小管4と同様に両端1
6,17が90゜曲げてある。保護キャップ20は同心
の穴28(第1図の穴8に相当)、そして保護キャップ
21は同心の穴29(第1図の射出孔9に相当)を有す
る。
から形成され末端16,17に保護キャップ20または
21を有する光ファイバ15が導波路として使われてい
る。光ファイバ15は第1図の小管4と同様に両端1
6,17が90゜曲げてある。保護キャップ20は同心
の穴28(第1図の穴8に相当)、そして保護キャップ
21は同心の穴29(第1図の射出孔9に相当)を有す
る。
第5図では光ファイバ15を直線状に形成しその両端1
6,17が光ファイバの軸に対し45゜の角度に研磨し
てあり、この研磨平面で入射ビームの全反射が起きる。
保護キャップ30はレーザに対向した壁に穴38(第1
図の穴8に相当)、そして保護キャップ31は検出器に
対向した壁に穴39(第1図の射出孔9に相当)を有す
る。
6,17が光ファイバの軸に対し45゜の角度に研磨し
てあり、この研磨平面で入射ビームの全反射が起きる。
保護キャップ30はレーザに対向した壁に穴38(第1
図の穴8に相当)、そして保護キャップ31は検出器に
対向した壁に穴39(第1図の射出孔9に相当)を有す
る。
第6図に示す実施例でも光ファイバ15はやはり直線状
に形成してあるが、両端16,17を光ファイバの軸に
対し90゜の角度に研磨し、保護キャップ40または4
1の底23,24の内面が45゜に面取りしてある。保
護キャップ40の穴48、保護キャップ41の穴は第5
図の穴38、39に相当する。保護キャップ40,41
の内部は高反射性にしてある。
に形成してあるが、両端16,17を光ファイバの軸に
対し90゜の角度に研磨し、保護キャップ40または4
1の底23,24の内面が45゜に面取りしてある。保
護キャップ40の穴48、保護キャップ41の穴は第5
図の穴38、39に相当する。保護キャップ40,41
の内部は高反射性にしてある。
光ファイバ15が捩れるのを防ぐため第4,5,6図の
実施態様では支管22を設け、これに光ファイバ15が
例えば接着により固着してある。保護キャップ20,3
0または40はレーザビームを横切る外壁が加熱をでき
るだけ低く抑えるため高反射性にしてある。
実施態様では支管22を設け、これに光ファイバ15が
例えば接着により固着してある。保護キャップ20,3
0または40はレーザビームを横切る外壁が加熱をでき
るだけ低く抑えるため高反射性にしてある。
第7図は本発明対象の別の構成を示す。ここでは支持体
内に円筒中空導波路が半径方向に穿設してあり、円筒中
空導波路は差込み式導波路により延長することができ
る。この目的のため支持体1′が通路25を有し、該通
路25はその製造後、板26で施蓋されて円筒中空導波
路の性格をおびる。通路25の内端は通路25の射出孔
27が板26内で支持体1′の回転軸2と同軸になるよ
う曲げてある。ビームをできるだけ損失なしに案内する
上で、通路25の曲げを幾つかの部分、主に各45゜の
2つの曲折部に細分すると有利である。
内に円筒中空導波路が半径方向に穿設してあり、円筒中
空導波路は差込み式導波路により延長することができ
る。この目的のため支持体1′が通路25を有し、該通
路25はその製造後、板26で施蓋されて円筒中空導波
路の性格をおびる。通路25の内端は通路25の射出孔
27が板26内で支持体1′の回転軸2と同軸になるよ
う曲げてある。ビームをできるだけ損失なしに案内する
上で、通路25の曲げを幾つかの部分、主に各45゜の
2つの曲折部に細分すると有利である。
通路25が外向き末端に径拡大部32を有し、そのなか
に円筒中空導波路、つまり第3図に示す小管4が、ただ
し内プラグ12および穴19を設けることなく配置して
ある。円筒中空導波路に代え、第4,第5の又は第6図
に示す光ファイバ15を通路25の径拡大部に配置する
こともできる。ただしこの場合ビームは通路25の方向
に射出する。
に円筒中空導波路、つまり第3図に示す小管4が、ただ
し内プラグ12および穴19を設けることなく配置して
ある。円筒中空導波路に代え、第4,第5の又は第6図
に示す光ファイバ15を通路25の径拡大部に配置する
こともできる。ただしこの場合ビームは通路25の方向
に射出する。
支持体1′内に設けた円筒中空導波路25を差し込み式
導波路32で延長するのでなく、支持体1′の直径を適
当に大きくしかつ円筒中空導波路25の支持体周面に対
向した方の末端も90゜曲げ、第8図に示すようにその
入射孔をレーザに対向させることもやはり本発明に含ま
れる。板26はこの箇所に第1図の穴8に相当する穴
8′を有する。しかしこの実施態様は、レーザビームが
支持体1′で完全にまたは大部分覆われるので、限定的
にのみ使用することができる。
導波路32で延長するのでなく、支持体1′の直径を適
当に大きくしかつ円筒中空導波路25の支持体周面に対
向した方の末端も90゜曲げ、第8図に示すようにその
入射孔をレーザに対向させることもやはり本発明に含ま
れる。板26はこの箇所に第1図の穴8に相当する穴
8′を有する。しかしこの実施態様は、レーザビームが
支持体1′で完全にまたは大部分覆われるので、限定的
にのみ使用することができる。
第1乃至第8図を基に説明した本発明の実施例では支持
体1または1′が1回転するとレーザビームの1断面が
ピックアップされる。さまざまな箇所でレーザビーム断
面をピックアップしてビーム横断面全体を検出するた
め、図示省略したステッパモータにより支持体1または
1′の回転軸を平行移動させることができる。その際個
々の断面は順次ピックアップされる。
体1または1′が1回転するとレーザビームの1断面が
ピックアップされる。さまざまな箇所でレーザビーム断
面をピックアップしてビーム横断面全体を検出するた
め、図示省略したステッパモータにより支持体1または
1′の回転軸を平行移動させることができる。その際個
々の断面は順次ピックアップされる。
本発明の1展開によれば、支持体内の同一平面上に幾つ
かの通路がそれぞれ同一角度距離に配設され、そのなか
に導波路が挿入してあり、支持体から張り出した導波路
部分の長さ、従ってその穴と回転軸との距離は支持体周
面にわたって均一に減少している。こうして1回転でも
ってレーザビームの断面を幾つか検出することが可能と
なる。この場合にも所要の検出器が1個にすぎない点が
特に有利である。
かの通路がそれぞれ同一角度距離に配設され、そのなか
に導波路が挿入してあり、支持体から張り出した導波路
部分の長さ、従ってその穴と回転軸との距離は支持体周
面にわたって均一に減少している。こうして1回転でも
ってレーザビームの断面を幾つか検出することが可能と
なる。この場合にも所要の検出器が1個にすぎない点が
特に有利である。
第9図は16個の導波路(小管4または光ファイバ1
5)をそれぞれ22.5゜の角度距離に配設して有する
支持体1′を示す。導波路は支持体1′から張り出した
部分の長さが支持体1′の周面にわたって均一に減少し
ている。1巡した後、最短導波路の長さが最長導波路の
長さにジャンプする。それらの穴58(=8、18、2
8、38または48)と支持体1′の回転軸との距離も
それに対応し、穴と回転軸との距離差はビームまたは焦
点の直径に左右される。個々の穴58で絞り込まれたレ
ーザ放射部分は射出孔27に供給され、そこから固定検
出器10に、ビームの中心がその目標位置からずれた場
合でも、平行断面として結像される。この場合検出器に
結像されたビーム断面の像がそれに応じて変位し、この
変位量はビーム位置の自動補正に利用することができ
る。
5)をそれぞれ22.5゜の角度距離に配設して有する
支持体1′を示す。導波路は支持体1′から張り出した
部分の長さが支持体1′の周面にわたって均一に減少し
ている。1巡した後、最短導波路の長さが最長導波路の
長さにジャンプする。それらの穴58(=8、18、2
8、38または48)と支持体1′の回転軸との距離も
それに対応し、穴と回転軸との距離差はビームまたは焦
点の直径に左右される。個々の穴58で絞り込まれたレ
ーザ放射部分は射出孔27に供給され、そこから固定検
出器10に、ビームの中心がその目標位置からずれた場
合でも、平行断面として結像される。この場合検出器に
結像されたビーム断面の像がそれに応じて変位し、この
変位量はビーム位置の自動補正に利用することができ
る。
幾つかの通路25を射出孔27でまとめることから困難
が生じことがあるので、本発明の更に別の構成により支
持体は第10、11図に示すように2枚の、好ましくは
ねじ33で互いに結合した円板34,35から構成さ
れ、円板は縁部36でのみ互いに重なり合い、この縁部
に小管4または光ファイバ15を受容する凹部37を有
し、またその内部に円錐形突部42またはそれに適合し
たくぼみ43を有する。くぼみ43は検出器10に対向
した射出孔27′に移行し、また円板34、35間の環
状隙間44が通路として働く。放射速度が導波路の穴5
8の運動速度よりかなり大きいので、隙間44内で放射
の個々の断面が相互に邪魔し合うこともない。射出穴2
7′の直径は本発明をCO2レーザと合わせて使用する
場合約1乃至2mmである。
が生じことがあるので、本発明の更に別の構成により支
持体は第10、11図に示すように2枚の、好ましくは
ねじ33で互いに結合した円板34,35から構成さ
れ、円板は縁部36でのみ互いに重なり合い、この縁部
に小管4または光ファイバ15を受容する凹部37を有
し、またその内部に円錐形突部42またはそれに適合し
たくぼみ43を有する。くぼみ43は検出器10に対向
した射出孔27′に移行し、また円板34、35間の環
状隙間44が通路として働く。放射速度が導波路の穴5
8の運動速度よりかなり大きいので、隙間44内で放射
の個々の断面が相互に邪魔し合うこともない。射出穴2
7′の直径は本発明をCO2レーザと合わせて使用する
場合約1乃至2mmである。
本発明のこの実施態様は多数の通路を集合させたものよ
り製造が簡単であるという利点を有するだけではない。
更にそれは導波路の容易な交換、例えば穴径または長さ
の異なる導波路との交換を容易に可能とする。しかもこ
の交換に必要なのは、隣接したねじを多少緩め、当該小
管または光ファイバの交換後再び締付けることだけであ
る。
り製造が簡単であるという利点を有するだけではない。
更にそれは導波路の容易な交換、例えば穴径または長さ
の異なる導波路との交換を容易に可能とする。しかもこ
の交換に必要なのは、隣接したねじを多少緩め、当該小
管または光ファイバの交換後再び締付けることだけであ
る。
第10図、11図を基に上述した本発明の実施態様の更
に別の構成では、円板34の平面46から円錐形突部4
2に移行する移行部45が面取りしてある。これにより
放射の反射は適切な進路に転向される。
に別の構成では、円板34の平面46から円錐形突部4
2に移行する移行部45が面取りしてある。これにより
放射の反射は適切な進路に転向される。
産業上の利用可能性 支持体が1回転すると本発明対象によりレーザビームの
1断面がピックアップされる。さまざまな箇所でレーザ
ビームの断面をピックアップしてビーム横断面全体を検
出するため支持体の回転軸がステッパモータにより平行
移動される。これは例えば工作物、金属表面の加工、溶
接等に用いるCO2レーザ又はその他あらゆる好適なレ
ーザにおいて監視に利用することができる。
1断面がピックアップされる。さまざまな箇所でレーザ
ビームの断面をピックアップしてビーム横断面全体を検
出するため支持体の回転軸がステッパモータにより平行
移動される。これは例えば工作物、金属表面の加工、溶
接等に用いるCO2レーザ又はその他あらゆる好適なレ
ーザにおいて監視に利用することができる。
1……支持体(第8図の支持体1′) 2……1の回転軸、3……レーザビーム、 4……小管、5……4の支持体側末端、 6……4の他端、7……キャップ、8……穴、9……射
出孔、 10……検出器、11…上プラグ、12……下プラグ、 13……11の内面、14……13の内面、 15……光ファイバ、16……15の上端、 17……15の下端、18……穴、 19……穴(射出孔)、 20……15の上側保護キャップ、 21……15の下側保護キャップ、 22……15用支管、23……20の底、 24……21の底、25……通路、26……板、 27……射出孔、28……穴、29……穴(射出孔)、 30……15の上側保護キャップ、 31……15の下側保護キャップ、 32……25の径拡大部、33……ねじ、 34……円板、35……円板、36……縁部、 37……凹部、38……穴、 39……穴(射出孔)、 40……15の上側保護キャップ、 41……15の下側保護キャップ、 42……突部、43……くぼみ、 44……隙間、45……移行部、 46……平面、48……穴、 49……穴(射出孔)、58……穴。
出孔、 10……検出器、11…上プラグ、12……下プラグ、 13……11の内面、14……13の内面、 15……光ファイバ、16……15の上端、 17……15の下端、18……穴、 19……穴(射出孔)、 20……15の上側保護キャップ、 21……15の下側保護キャップ、 22……15用支管、23……20の底、 24……21の底、25……通路、26……板、 27……射出孔、28……穴、29……穴(射出孔)、 30……15の上側保護キャップ、 31……15の下側保護キャップ、 32……25の径拡大部、33……ねじ、 34……円板、35……円板、36……縁部、 37……凹部、38……穴、 39……穴(射出孔)、 40……15の上側保護キャップ、 41……15の下側保護キャップ、 42……突部、43……くぼみ、 44……隙間、45……移行部、 46……平面、48……穴、 49……穴(射出孔)、58……穴。
Claims (14)
- 【請求項1】ビーム全体から選択的に部分ビームを絞り
込んでレーザビームの半径方向強度分布を検出する装置
において、回転可能に支承された支持体(1)がレーザ
ビームの軸と平行な回転軸(2)を有し、支持体(1)
の表面または内部に導波路(4,15)が半径方向に延
ばして配設してあり、支持体(1)が1回転する間に導
波路の外端がレーザビーム(3)を横切り、その際レー
ザ放射の部分ビームを検出し、この部分ビームを、回転
軸(2)上に固定配設された周知の検出器(10)に供
給することを特徴とする装置。 - 【請求項2】導波路として円筒中空導波路、主に高反射
性壁を有する小管(4)を用いることを特徴とする請求
の範囲第1項に記載の装置。 - 【請求項3】円筒中空導波路の両端がそれぞれ1ステッ
プまたは幾つかのステップで合計90゜曲げてあること
を特徴とする請求の範囲第2項に記載の装置。 - 【請求項4】小管(4)を直線状に構成し少なくとも一
端を主に45゜の角度で密閉し、この密閉部の高さでレ
ーザに対向した壁に穴(18)を回転軸(2)と平行に
設け、両側を密閉する場合には検出器(10)に対向し
た壁にも穴(19)を回転軸(2)と同軸に設けること
を特徴とする請求の範囲第2項に記載の装置。 - 【請求項5】単数または複数のガラス繊維から形成し両
端(16,17)に保護キャップを設けた光ファイバ
(15)を導波路として用い、レーザビームを横切る保
護キャップ(20,30,40)の外壁が高反射性にし
てあることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の装
置。 - 【請求項6】光ファイバ(15)の両端(16,17)
をそれぞれ90゜曲げ、その保護キャップ(20,2
1)に各1つの同軸穴(28,29)を設けることを特
徴とする請求の範囲第5項に記載の装置。 - 【請求項7】光ファイバ(15)を直線状に形成し少な
くとも一端(16)を光ファイバの軸に対し主に45゜
の角度に研磨し、研磨個所の範囲で保護キャップ(3
0)のそれぞれレーザに対向した壁に穴(38)を回転
軸(2)と平行に設け、光ファイバ(15)の両端を研
磨する場合には他方の保護キャップ(31)の、それぞ
れ検出器(10)に対向した壁にも穴(39)を回転軸
(2)と同軸に設けることを特徴とする請求の範囲第5
項に記載の装置。 - 【請求項8】光ファイバ(15)の少なくとも一端を9
0゜の角度に研磨し、付属の保護キャップ(40,4
1)の底(23,24)内面を主に45゜に面取りし、
この保護キャップ(40,41)の内部を高反射性にし
たことを特徴とする請求の範囲第7項に記載の装置。 - 【請求項9】支持体(1′)が、円筒中空導波路として
形成され半径方向に穿設された通路(25)を有し、小
管(4)の密閉してない方の末端、または光ファイバ
(15)の90゜に研磨された検出器側末端は長さの一
部が、支持体(1′)の周面に対向した通路(25)末
端の適当な径拡大部(32)内に配設てあり、通路(2
5)の他端が複数回、主に2回、各45゜曲げてあり、
その射出穴(27)が支持体(1′)の回転軸(2)と
同軸上にあることを特徴とする請求の範囲第4,7また
は8項に記載の装置。 - 【請求項10】支持体(1)の回転軸(2)がステッパ
モータにより平行移動可能であることを特徴とする請求
の範囲第1乃至9項のいずれかに記載の装置。 - 【請求項11】支持体(1′)内の同一平面上に複数の
通路をそれぞれ同一角度距離に配設し、これに導波路
(小管4または光ファイバ15)が導入してあり、支持
体(1′)から張り出した導波路部分の長さ、従って導
波路の穴(58)と回転軸(2)との距離が支持体
(1′)の周面にわたって均一に減少していることを特
徴とする請求の範囲第9項に記載の装置。 - 【請求項12】支持体が2枚の主にねじ(33)で互い
に結合した円板(34,35)から成り、円板が縁部
(36)でのみ互いに重なり合い、この縁部(36)に
小管(4)または光ファイバ(15)を受容するための
凹部(37)、そしてその下部には円錐形突部(42)
またはそれ対応したくぼみ(43)を有し、くぼみ(4
3)が検出器(10)に対向した射出孔(27′)に移
行し、円板(34,35)間の環状隙間(44)が通路
として働くことを特徴とする請求の範囲第11項の記載
の装置。 - 【請求項13】円板平面(46)から円錐突部(48)
に移行する移行部(45)を面取りしたことを特徴とす
る請求の範囲第12項に記載の装置。 - 【請求項14】小管(4)または保護キャップ(28,
38,48)の穴(8,18)の直径が、CO2レーザ
において自走レーザビーム用に使用する場合0.5乃至
1.0mm、集束レーザビーム用に使用する場合10乃至
50μmであることを特徴とする請求の範囲第1項から
第13項のいずれか1項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3532047.8 | 1985-09-09 | ||
DE19853532047 DE3532047A1 (de) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | Einrichtung zum erfassen der radialen intensitaetsverteilung einer laserstrahlung |
PCT/DE1986/000358 WO1987001447A1 (en) | 1985-09-09 | 1986-09-06 | Device for detecting the radial distribution of the radial intensity distribution of a laser beam |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63501444A JPS63501444A (ja) | 1988-06-02 |
JPH0641882B2 true JPH0641882B2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=6280425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61504725A Expired - Fee Related JPH0641882B2 (ja) | 1985-09-09 | 1986-09-06 | レ−ザビ−ムの半径方向強度分布を検出する装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5514867A (ja) |
EP (1) | EP0294367B1 (ja) |
JP (1) | JPH0641882B2 (ja) |
DE (2) | DE3532047A1 (ja) |
WO (1) | WO1987001447A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3706271A1 (de) * | 1987-02-26 | 1988-09-08 | Erwin Strigl | Vorrichtung zum messen des intensitaetsprofils eines laserstrahls |
US4846853A (en) * | 1987-03-09 | 1989-07-11 | Mobil Oil Corporation | Layered divalent metal hydrogen phosphates |
US5184307A (en) * | 1988-04-18 | 1993-02-02 | 3D Systems, Inc. | Method and apparatus for production of high resolution three-dimensional objects by stereolithography |
US5949534A (en) * | 1998-01-23 | 1999-09-07 | Photon, Inc. | Goniometric scanning radiometer |
JP3007875B2 (ja) * | 1998-04-20 | 2000-02-07 | オー・エム・シー株式会社 | レーザ出力検出方法とその装置並びに該方法を利用したレーザ出力制御方法とその装置 |
DE19832774B4 (de) * | 1998-07-22 | 2008-01-24 | Siemens Ag | Schutzvorrichtung zum Herstellen von Kleinstbohrungen in rohrartigen Bauteilen sowie Verfahren zum Herstellen von in einen Hohlraum mündenden Bohrungen |
DE10142945B4 (de) * | 2001-09-01 | 2004-07-29 | Leica Microsystems Heidelberg Gmbh | Vorrichtung zur Ermittlung einer Lichtleistung und Mikroskop |
US7916769B2 (en) * | 2008-04-30 | 2011-03-29 | Corning Incorporated | Optical package having deformable mirrors for focus compensation |
US20110317153A1 (en) * | 2010-06-24 | 2011-12-29 | Apple Inc. | Laser peak energy point calibration method and apparatus |
DE102010047917A1 (de) * | 2010-10-08 | 2012-04-12 | Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh | Vorrichtung zur simultanen Umfangsbearbeitung eines Werkstückes mit Laserstrahlen |
JP2014115215A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Otsuka Denshi Co Ltd | 配光特性測定装置および配光特性測定方法 |
ES2597982B1 (es) * | 2015-01-05 | 2017-11-30 | Abengoa Solar New Technologies, S.A. | Sistema y método de medida de la irradiancia asociada a una fuente de radiación lumínica y del ángulo de incidencia de dicha radiación |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3617755A (en) * | 1969-12-10 | 1971-11-02 | Bell Telephone Labor Inc | Apparatus for locating and measuring the beam-waist radius of a gaussian laser beam |
US4035088A (en) * | 1975-08-05 | 1977-07-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | High energy laser beam sampling meter |
US4009392A (en) * | 1976-01-26 | 1977-02-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Radiation focus meter |
JPS57207216A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-18 | Mita Ind Co Ltd | Optical deflector |
DE3127086A1 (de) * | 1981-07-09 | 1983-01-27 | Siggelkow, Horst, 2000 Hamburg | Geraet zur messung des tageslichts |
DE8227494U1 (de) * | 1982-09-30 | 1983-02-17 | Arnold, Peter, Dr., 8000 München | Vorrichtung zur messung der intensitaet eines laserstrahls |
-
1985
- 1985-09-09 DE DE19853532047 patent/DE3532047A1/de active Granted
-
1986
- 1986-09-06 US US07/050,701 patent/US5514867A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-09-06 DE DE8686905212T patent/DE3677783D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-06 WO PCT/DE1986/000358 patent/WO1987001447A1/de active IP Right Grant
- 1986-09-06 EP EP86905212A patent/EP0294367B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-06 JP JP61504725A patent/JPH0641882B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
DE3532047C2 (ja) | 1988-12-15 |
EP0294367A1 (de) | 1988-12-14 |
WO1987001447A1 (en) | 1987-03-12 |
DE3677783D1 (de) | 1991-04-04 |
EP0294367B1 (de) | 1991-02-27 |
US5514867A (en) | 1996-05-07 |
JPS63501444A (ja) | 1988-06-02 |
DE3532047A1 (de) | 1987-03-19 |
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