JPH0636977A - 半導体ウエハのパターン検査方法 - Google Patents

半導体ウエハのパターン検査方法

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JPH0636977A
JPH0636977A JP18786592A JP18786592A JPH0636977A JP H0636977 A JPH0636977 A JP H0636977A JP 18786592 A JP18786592 A JP 18786592A JP 18786592 A JP18786592 A JP 18786592A JP H0636977 A JPH0636977 A JP H0636977A
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JP
Japan
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inspection
semiconductor wafer
mark
wafer
pattern
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Pending
Application number
JP18786592A
Other languages
English (en)
Inventor
Isao Miyazaki
功 宮崎
Minoru Yajima
実 矢嶋
Kazuhiko Matsuoka
一彦 松岡
Masaomi Hamada
雅臣 浜田
Haruo Nagai
晴夫 長井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 IDを自動的かつ迅速にサーチおよびアライ
メントする半導体ウエハのパターン検査方法を提供す
る。 【構成】 形態が単純でコントラストの良好なターゲッ
トマーク6を検出した後、このターゲットマーク6の位
置に基づいて検査対象であるID7-1〜7-nをそれぞれ
特定し、ID読み取り装置30の読み取りスポット39
に位置合わせする。 【効果】 検査対象IDを正確かつ迅速に検出すること
ができるため、検査対象ID群についての検出率を大幅
に向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハのパター
ン検査方法、特に、半導体装置の製造工程において、ワ
ークである半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に作
り込まれるパターンを検査する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、ワーク
であるウエハに作り込まれたパターンを検査する技術と
して、ウエハの各ペレット形成部にパターンと共に作り
込まれた検査のための識別標識を金属顕微鏡等を使用し
て目視により読み取って認識することにより、製品パタ
ーンについての検査を実行する方法、がある。
【0003】なお、ウエハ検査技術を述べてある例とし
ては、株式会社工業調査会発行「電子材料1989年1
1月号別冊」平成1年11月10日発行 P157〜P
162、がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前記した半導体ウエハ
のパターン検査方法においては、人間の認識に頼るた
め、生産性および信頼性が低いという問題点がある。
【0005】そこで、前記した半導体ウエハのパターン
検査方法を自動化することが一般的に考えられる。しか
し、自動化するに際しては、検査のための識別標識(以
下、IDという。)のサーチ(検出)およびそのアライ
メント(位置合わせ)についての自動化が重要な課題に
なる。
【0006】本発明の目的は、IDを自動的かつ迅速に
サーチおよびアライメントすることができる半導体ウエ
ハのパターン検査方法を提供することにある。
【0007】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0008】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【0009】すなわち、半導体ウエハの各ペレット形成
部に検査のための識別標識が製品パターンと共にそれぞ
れ作り込まれており、この識別標識が読み取られて認識
されることにより、製品パターンについての検査が実行
される半導体ウエハのパターン検査方法であって、前記
半導体ウエハに予め作り込まれた単純な形態の基準標識
が検出された後、この基準標識の位置に基づいて、前記
識別標識のそれぞれの位置が特定されることを特徴とす
る。
【0010】
【作用】前記した手段によれば、複雑でコントラストの
悪い検査のための識別標識がダイレクトに実行されるの
ではなく、単純でコントラストの良好な基準標識に対し
てサーチが実行されるため、サーチは迅速に実行するこ
とができる。
【0011】そして、検査のための識別標識についての
アライメントは、サーチされた基準標識に基づいて自動
的に特定されて実行されるため、各識別標識は正確かつ
迅速にアライメントすることができる。
【0012】
【実施例】図1は本発明の一実施例である半導体ウエハ
のパターン検査方法を示すフローチャート図、図2はウ
エハにおけるペレット形成部とIDとの関係を示す模式
的平面図、図3はウエハおよびペレット形成部とIDと
の関係を示す模式的平面図、図4はファイルの一実施例
を示す模式図である。図5はID読み取り装置の一実施
例を示す模式図である。
【0013】本実施例において、本実施例に係る半導体
ウエハのパターン検査方法は、半導体装置の製造工程に
おいて、ワークであるウエハの各ペレット形成部に形成
された検査のための識別標識としてのIDを自動的にサ
ーチするとともに、IDをID読み取り装置に自動的に
アライメントするのに使用される。
【0014】図2に示されているように、ワークである
ウエハ1の第1主面2にはスクライブライン5により仕
切られたペレット形成部4が多数個、オリエンテーショ
ンフラット3を基準にして縦横に規則正しく整列されて
形成されている。このペレット形成部4には、製品とし
ての半導体装置を実質的に形成する回路パターン(図示
せず)が、リソグラフィー処理やイオン注入処理、拡散
処理等々の各種半導体装置についての製造処理によって
作り込まれている。
【0015】図3に示されているように、ウエハ1のス
クライブライン5にはターゲットマーク6がリソグラフ
ィー処理により描画されている。このターゲットマーク
6はリソグラフィー処理における露光工程においてアラ
イメントマークとして使用される。このため、通例、タ
ーゲットマーク6は単純でコントラストの良好な標識と
して形成されている。
【0016】本実施例においては、図2に示されている
ように、ウエハ1には検査対象ペレット形成部として、
5個のペレット形成部4A〜4Eが選定されており、各
検査対象ペレット形成部4A〜4Eには検査のための識
別標識としてのペレットID(以下、IDという。)7
が1〜n個選定されている。
【0017】ここで、検査のための識別標識としてのI
D7はペレット形成部5に形成される回路パターンと共
にリソグラフィー処理によって形成される。したがっ
て、ID7をサーチして認識することにより、共にリソ
グラフィー処理された回路パターンについての検査を実
質的に実施することができる。
【0018】他方、本実施例においては、図5に示され
ているID読み取り装置30が使用される。
【0019】ID読み取り装置30には認識ステージ3
1が設備されており、このステージ31はコントローラ
38によってXY方向への移動を制御されるようになっ
ている。この認識ステージ31の真上には鏡筒32およ
び画像取り込み装置としてのテレビカメラ35がスタン
ド(図示せず)によって支持されている。
【0020】鏡筒32には光源34が光ファイバ33を
介して光学的に接続されており、この鏡筒32により光
源34からの光が光ファイバ33を通して認識ステージ
31に向けて調光されて、読み取りスポット39になっ
て照射されるようになっている。テレビカメラ35は認
識ステージ31上において照明されたウエハ1のペレッ
ト形成部4を撮映するように構成されている。
【0021】テレビカメラ35にはID認識装置36が
ケーブルを介して電気的に接続されており、このID認
識装置36は画像処理装置等から構成されて、テレビカ
メラ35からの撮像信号に基づいてウエハ1に付された
ID7を認識し得るように構成されている。また、ID
認識装置36にはモニタ37が接続されており、このモ
ニタ37によりテレビカメラ35の撮映状況がモニタリ
ングされるようになっている。
【0022】さらに、ID認識装置36にはコンピュー
タ等から構築されているデータ処理装置40が接続され
ており、このデータ処理装置40によって後述するデー
タ処理が実行されるようになっている。
【0023】また、データ処理装置40にはメモリー4
1が接続されており、このメモリー41には、後述する
ファイルが予め記憶される。
【0024】次に、前記構成に係るウエハについての半
導体ウエハのパターン検査方法の一実施例を、前記構成
に係るID読み取り装置30およびデータ処理装置40
が使用される場合について説明する。
【0025】本実施例においては、ID読み取り装置3
0によってウエハ1のID7群に対しての読み取りが自
動的に実施される以前に、次のようなティーチング(教
示)工程により、図4に示されている検査条件ファイル
および品種情報ファイルが作成されてメモリー40に記
憶される。
【0026】まず、このティーチング工程において、製
品パターンについての検査対象となるロットのうちのウ
エハ1が1枚、選定されて、ID読み取り装置30の認
識ステージ31にセットされる。
【0027】認識ステージ31がコントローラ38の制
御によってXY方向に移動されることにより、鏡筒32
の読み取りスポット39にウエハ1のターゲットマーク
6が一致される。ターゲットマーク6が認識装置36に
より確かに認識されると、ペレット形成部4の原点Oの
座標(x1、y1)と、ターゲントマーク6のXY座標
(X1、Y1)とが、メモリー41における検査条件フ
ァイルに図4(a)に示されているように登録される。
【0028】本実施例においては、5個のペレット形成
部4A〜4Eが検査対象として選定されているので、こ
の操作が5回繰り返されて、第1〜第5検査対象ペレッ
ト形成部4A〜4Eについての検査条件が検査条件ファ
イル(a)に登録されることになる。
【0029】また、第1検査対象ペレット形成部4Aが
指定された後、この第1検査対象ペレット形成部4Aの
内部における検査対象としてID7が複数個(1〜
n)、指定される。
【0030】このペレット形成部4A内における各検査
対象ID7-1〜7-nについての指定に際して、図3に示
されているように、ID読み取り装置30のスポット3
9がペレット形成部4A内の各ID7-1〜7-nにおける
左下隅の位置に移動される。そして、このID7-1〜7
-nの左下隅の位置についてのターゲットマーク6の位置
(x0、y0)からの距離が、座標(x1、y2)・・
・(xn、yn)によって図4(b)に示されている品
種情報ファイルに登録される。
【0031】このようにして登録された検査条件ファイ
ル(a)および品種情報ファイル(b)は検査情報とし
てメモリー41にまとめて記憶される。以降、このよう
にして作成された検査情報に基づいて、実際の検査がI
D読み取り装置30によって自動的に実施されることに
なる。
【0032】次に、ID読み取り装置30、データ処理
装置40およびメモリー41が使用された半導体ウエハ
のパターン検査方法の一実施例を、図1に示されている
フローチャート図に沿って説明する。
【0033】ID読み取り装置30の認識ステージ31
上に検査対象であるウエハ1がセットされると、データ
処理装置40はメモリー41を検索することによって、
図4(a)に示されている検査条件ファイルから、この
ウエハ1の製品名に対応する第1検査対象ペレット形成
部4Aについてのターゲットマーク6の座標位置データ
を呼び出す。そして、呼び出されたターゲットマーク6
の位置データは、データ処理装置40によって認識ステ
ージ31の移動を制御するコントローラ38に送信され
る。
【0034】コントローラ38は送信されたターゲット
マーク6についての位置データに基づいて、認識ステー
ジ31の移動を制御する。このステージ31の移動によ
って、ID読み取り装置30の読み取りスポット39が
ウエハ1のターゲットマーク6に位置合わせされる。
【0035】続いて、ID認識装置36によって当該タ
ーゲットマーク6が認識される。この際、ターゲットマ
ーク6は形態が単純で、コントラストも良好であるた
め、きわめて容易かつ正確に認識することができる。こ
のターゲットマーク6の位置からの検査対象であるペレ
ット形成部4Aの原点oの位置が、データ処理装置40
によってメモリー41の検査条件ファイルから呼び出さ
れる。
【0036】そして、呼び出されたペレット形成部4A
の原点oの位置に基づいて、第1のID7-1についての
ターゲットマーク6からの座標(x1、y1)が呼び出
される。この第1のID7-1についての位置データは、
データ処理装置40によって認識ステージ31のコント
ローラ38に送信される。
【0037】コントローラ38は送信された第1のID
-1についての位置データに基づいて、認識ステージ3
1の移動を制御する。このステージ31の移動によっ
て、読み取りスポット39が第1のID7-1の左下隅の
位置にアライメントされる。このとき、第1のID7-1
の位置はターゲットマーク6の位置に基づいて特定され
ているため、その位置合わせ精度はきわめて良好にな
る。
【0038】以上のようにして、第1のID7-1が検出
された後、当該第1のID7-1についての読み取り作業
および認識作業がID読み取り装置30によって自動的
に実施される。
【0039】その後、予め指定された各検査対象ID7
-1〜7-nに対して前記作動がそれぞれ繰り返されること
により、各ID7-1〜7-nについての読み取り作業およ
び認識作業が自動的に順次実施される。
【0040】そして、予め指定された検査対象ID7-1
〜7-nについての読み取り作業および認識作業が終了し
た後、予め指定された残りの4個の検査対象ペレット形
成部4B、4C、4D、4Eについての検査が実施され
る。
【0041】予め指定された5個の検査対象ペレット形
成部4A〜4Eについての検査が終了したことが、デー
タ処理装置40によって確認されると、このウエハ1に
ついての検査作業は終了する。
【0042】1枚のウエハ1について予め指定されたペ
レット形成部4A〜4Eに対する検査作業が終了する
と、ウエハ1は認識ステージ31から排出され、次のウ
エハ1が認識ステージ31に供給されてセットされる。
以降、前記作動が各ウエハ1について順次、繰り返され
て行く。
【0043】前記実施例によれば次の効果が得られる。 形態が単純でコントラストの良好なターゲットマー
ク6を検出した後、このターゲットマーク6の位置に基
づいて検査対象であるID7-1〜7-nをそれぞれ特定
し、位置合わせすることにより、検査対象ID7-1〜7
-nを正確かつ迅速に検出することができるため、検査対
象ID7-1〜7-n群についての検出率を大幅に向上させ
ることができる。
【0044】 検査の各種条件によってデータがそれ
ぞれ変動する情報が記録される検査条件ファイル(a)
と、検査対象であるペレット形成部に作り込まれる品種
によって各種データがそれぞれ変動する情報が記録され
る品種条件ファイル(b)とに分けて、検査情報をメモ
リー41に記録することにより、データの記録容量を大
幅に低減させることができるとともに、そのデータの管
理を容易化させることができる。
【0045】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【0046】例えば、検査情報は教示再生入力方式によ
ってメモリーに記憶させるに限らず、ウエハに関する設
計データに基づいてキーボード操作による入力方式等に
よってメモリーに記憶させてもよい。
【0047】また、検査情報は、検査条件ファイルと品
種条件ファイルとに分けて記録するに限らず、一体系的
に記録してもよい。
【0048】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
装置の製造工程における、半導体ウエハのパターン検査
方法に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、ウエハの受け入れ検査にも適用する
ことができる。
【0049】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【0050】形態が単純でコントラストの良好な基準標
識を検出した後、この基準標識の位置に基づいて検査対
象である識別標識をそれぞれ特定し、位置合わせするこ
とにより、検査対象である識別標識を正確かつ迅速に検
出することができるため、検査対象標識群についての検
出率を大幅に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である半導体ウエハのパター
ン検査方法を示すフローチャート図である。
【図2】ウエハにおけるペレット形成部とIDとの関係
を示す模式的平面図である。
【図3】ウエハおよびペレット部とIDとの関係を示す
模式的平面図である。
【図4】ファイルの一実施例を示す模式図である。
【図5】ID読み取り装置の一実施例を示す模式図であ
る。
【符号の説明】
1…ウエハ、2…第1主面、3…オリエンテーションフ
ラット、4、4A〜4E…ペレット形成部、5…スクラ
イブライン、6…ターゲットマーク(基準標識)、7…
ID(検査のための識別標識)、7-1〜7-n…検査対象
ID、30…ID読み取り装置、31…認識ステージ、
32…鏡筒、33…光ファイバ、34…光源、35…テ
レビカメラ、36…ID認識装置、37…モニタ、38
…コントローラ、39…読み取りスポット、40…デー
タ処理装置、41…メモリー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浜田 雅臣 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会社 日立製作所高崎工場内 (72)発明者 長井 晴夫 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会社 日立製作所高崎工場内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウエハの各ペレット形成部に検査
    のための識別標識が製品パターンと共にそれぞれ作り込
    まれており、この識別標識が読み取られて認識されるこ
    とにより、製品パターンについての検査が実行される半
    導体ウエハのパターン検査方法であって、 前記半導体ウエハに予め作り込まれた単純な形態の基準
    標識が検出された後、この基準標識の位置に基づいて、
    前記識別標識のそれぞれの位置が特定されることを特徴
    とする半導体ウエハのパターン検査方法。
  2. 【請求項2】 基準標識として、半導体ウエハのスクラ
    イブライン上に描画されたアライメントマークが利用さ
    れることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエハの
    パターン検査方法。
  3. 【請求項3】 読み取られるべき識別標識が予め選定さ
    れ、その選定に際して、ペレット形成部内における識別
    標識の位置が指定されるファイルが用意され、かつ、選
    定した識別標識の認識および検査条件が指定されるファ
    イルが用意されることを特徴とする請求項1に記載の半
    導体ウエハのパターン検査方法。
JP18786592A 1992-07-15 1992-07-15 半導体ウエハのパターン検査方法 Pending JPH0636977A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001015536A (ja) * 1999-06-29 2001-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd バンプボンディング方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001015536A (ja) * 1999-06-29 2001-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd バンプボンディング方法

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