JPH0636257A - 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH0636257A JPH0636257A JP19074192A JP19074192A JPH0636257A JP H0636257 A JPH0636257 A JP H0636257A JP 19074192 A JP19074192 A JP 19074192A JP 19074192 A JP19074192 A JP 19074192A JP H0636257 A JPH0636257 A JP H0636257A
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- magnetic recording
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スペーシングロスを低減させるとともに、熱
伝導率、機械的強度の向上及び軽量化を図る。 【構成】 非磁性支持体としてアモルファスカーボン基
板を用い、このアモルファスカーボン基板上にＣｏ−Ｃ
ｒ系合金膜からなる磁性層を被着形成せしめる。上記Ｃ
ｏ−Ｃｒ系合金膜中のＣｒの組成比は１０〜２３原子％
であることが好ましく、その膜厚は１００〜３００ｎｍ
であることが好ましい。また、上記アモルファスカーボ
ン基板は、所定の形状に成形された熱硬化性樹脂を不活
性ガス雰囲気中で所定の温度にて焼成することによって
得られるものである。
伝導率、機械的強度の向上及び軽量化を図る。 【構成】 非磁性支持体としてアモルファスカーボン基
板を用い、このアモルファスカーボン基板上にＣｏ−Ｃ
ｒ系合金膜からなる磁性層を被着形成せしめる。上記Ｃ
ｏ−Ｃｒ系合金膜中のＣｒの組成比は１０〜２３原子％
であることが好ましく、その膜厚は１００〜３００ｎｍ
であることが好ましい。また、上記アモルファスカーボ
ン基板は、所定の形状に成形された熱硬化性樹脂を不活
性ガス雰囲気中で所定の温度にて焼成することによって
得られるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜を
磁性層とする垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関す
る。
磁性層とする垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の分野においては、年々高記録
密度化、高記録容量化が要求されており、このような高
密度化に伴って、使用する磁気記録媒体が磁性酸化物を
バインダーとともに塗布形成せしめた，所謂塗布型の磁
気記録媒体から、金属磁性薄膜を磁性層とする，所謂金
属磁性薄膜型の磁気記録媒体へと移行しつつある。
密度化、高記録容量化が要求されており、このような高
密度化に伴って、使用する磁気記録媒体が磁性酸化物を
バインダーとともに塗布形成せしめた，所謂塗布型の磁
気記録媒体から、金属磁性薄膜を磁性層とする，所謂金
属磁性薄膜型の磁気記録媒体へと移行しつつある。
【０００３】一方、記録方式としても、これまで面内方
向に磁化容易軸を有した磁気記録媒体を用いる，所謂面
内磁気記録方式が主であったが、この方式では記録密度
を上げれば上げるほど磁気記録媒体の磁化方向が互いに
反発し合うように並ぶため、高密度化には自ずと限度が
あり、要求されるような高密度化を図ることは困難であ
ることから、近年、膜面に対して垂直方向に磁化容易軸
を有する磁気記録媒体を用いる，所謂垂直磁気記録方式
が開発されており、その実用化に期待が持たれている。
向に磁化容易軸を有した磁気記録媒体を用いる，所謂面
内磁気記録方式が主であったが、この方式では記録密度
を上げれば上げるほど磁気記録媒体の磁化方向が互いに
反発し合うように並ぶため、高密度化には自ずと限度が
あり、要求されるような高密度化を図ることは困難であ
ることから、近年、膜面に対して垂直方向に磁化容易軸
を有する磁気記録媒体を用いる，所謂垂直磁気記録方式
が開発されており、その実用化に期待が持たれている。
【０００４】この垂直磁気記録方式では、面内磁気記録
方式に比べて減磁作用が極めて少なく却って磁区が安定
するという特徴を有し、かかる方式を採用することで記
録密度を飛躍的に増大することが可能となる。このよう
な垂直磁気記録方式に用いる磁気記録媒体としては、膜
面に対して垂直方向に磁気異方性を有することが必要で
あり、これまでＣｏ−Ｃｒ系合金膜を磁性層とするＣｏ
−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体が広く用いられている。
方式に比べて減磁作用が極めて少なく却って磁区が安定
するという特徴を有し、かかる方式を採用することで記
録密度を飛躍的に増大することが可能となる。このよう
な垂直磁気記録方式に用いる磁気記録媒体としては、膜
面に対して垂直方向に磁気異方性を有することが必要で
あり、これまでＣｏ−Ｃｒ系合金膜を磁性層とするＣｏ
−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体が広く用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このＣｏ−
Ｃｒ系垂直磁気記録媒体を例えばコンピュータ等のハー
ドディスク装置の記憶媒体として使用する場合には、基
板材料として主にアルミニウムやガラス等の硬質材料が
使用されている。
Ｃｒ系垂直磁気記録媒体を例えばコンピュータ等のハー
ドディスク装置の記憶媒体として使用する場合には、基
板材料として主にアルミニウムやガラス等の硬質材料が
使用されている。
【０００６】このようなＣｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体
にあっては、近年の高密度化の要請から、磁気ヘッドの
浮上量が減少（低フライングハイト化）される傾向にあ
り、それに伴って磁気ヘッドと媒体間のスペーシングロ
スが重大な問題となっている。そこで、スペーシングロ
スを低減させるために、上記基板としては表面粗さの極
力小さいガラス基板が使用されている。
にあっては、近年の高密度化の要請から、磁気ヘッドの
浮上量が減少（低フライングハイト化）される傾向にあ
り、それに伴って磁気ヘッドと媒体間のスペーシングロ
スが重大な問題となっている。そこで、スペーシングロ
スを低減させるために、上記基板としては表面粗さの極
力小さいガラス基板が使用されている。
【０００７】しかしながら、ガラス基板は、比重が大き
く、基板重量が嵩むことや、熱伝導率が小さいため、例
えば基板を加熱する際に、基板温度が所定の温度まで達
するのに時間を要すること、或いは温度分布状態が悪い
こと等といった欠点を抱えている。これに対して、上記
Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体においては、磁性層を構
成してなるＣｏ−Ｃｒ系合金膜の成膜に際し、得られる
膜の保磁力ＨC をある程度（例えば７００Ｏｅ程度）確
保するために、成膜時に基板温度を約２００℃以上の高
温に設定することが必要とされている。従って、上述の
ようにガラス基板を使用することは、磁性層の成膜時の
生産効率を向上させる上で非常に不利である。また、ガ
ラス基板は、十分な機械的強度を備えておらず、ヒビ割
れ等の発生により信頼性の低下を招く虞れがある。
く、基板重量が嵩むことや、熱伝導率が小さいため、例
えば基板を加熱する際に、基板温度が所定の温度まで達
するのに時間を要すること、或いは温度分布状態が悪い
こと等といった欠点を抱えている。これに対して、上記
Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体においては、磁性層を構
成してなるＣｏ−Ｃｒ系合金膜の成膜に際し、得られる
膜の保磁力ＨC をある程度（例えば７００Ｏｅ程度）確
保するために、成膜時に基板温度を約２００℃以上の高
温に設定することが必要とされている。従って、上述の
ようにガラス基板を使用することは、磁性層の成膜時の
生産効率を向上させる上で非常に不利である。また、ガ
ラス基板は、十分な機械的強度を備えておらず、ヒビ割
れ等の発生により信頼性の低下を招く虞れがある。
【０００８】そこで、本発明はこのような実情に鑑みて
提案されたものであって、スペーシングロスを低減させ
つつ、軽量化が図られ、優れた熱伝導率、機械的強度を
得ることが可能な垂直磁気記録媒体及びその製造方法を
提供することを目的とする。
提案されたものであって、スペーシングロスを低減させ
つつ、軽量化が図られ、優れた熱伝導率、機械的強度を
得ることが可能な垂直磁気記録媒体及びその製造方法を
提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意研究の結果、ＨＩＰ処理により
焼成されたアモルファスカーボン基板を非磁性支持体と
して用いることにより、従来のガラス基板が抱えている
問題を解消することができ、更にこのアモルファスカー
ボン基板とＣｏ−Ｃｒ合金膜の組み合わせによって一層
保磁力を高めることができることを見出し、本発明を完
成するに至ったものである。
的を達成せんものと鋭意研究の結果、ＨＩＰ処理により
焼成されたアモルファスカーボン基板を非磁性支持体と
して用いることにより、従来のガラス基板が抱えている
問題を解消することができ、更にこのアモルファスカー
ボン基板とＣｏ−Ｃｒ合金膜の組み合わせによって一層
保磁力を高めることができることを見出し、本発明を完
成するに至ったものである。
【００１０】即ち、本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁
性支持体上に磁性層としてＣｏ−Ｃｒ系合金膜が形成さ
れてなる垂直磁気記録媒体において、上記非磁性支持体
がアモルファスカーボン基板からなることを特徴とする
ものである。また、本発明の垂直磁気記録媒体の製造方
法は、非磁性支持体上にＣｏ−Ｃｒ系合金膜からなる磁
性層を形成する垂直磁気記録媒体の製造方法において、
熱硬化性樹脂を所定の形状に成形した後、不活性ガス雰
囲気中で所定の温度にて焼成し、得られたアモルファス
カーボン基板を非磁性支持体として用いることを特徴と
するものである。
性支持体上に磁性層としてＣｏ−Ｃｒ系合金膜が形成さ
れてなる垂直磁気記録媒体において、上記非磁性支持体
がアモルファスカーボン基板からなることを特徴とする
ものである。また、本発明の垂直磁気記録媒体の製造方
法は、非磁性支持体上にＣｏ−Ｃｒ系合金膜からなる磁
性層を形成する垂直磁気記録媒体の製造方法において、
熱硬化性樹脂を所定の形状に成形した後、不活性ガス雰
囲気中で所定の温度にて焼成し、得られたアモルファス
カーボン基板を非磁性支持体として用いることを特徴と
するものである。
【００１１】本発明の垂直磁気記録媒体において、磁性
層はＣｏとＣｒを主成分とするＣｏ−Ｃｒ系合金膜から
なる。図３に、このＣｏ−Ｃｒ系合金膜中のＣｒ量を変
化させた時の上記垂直磁気記録媒体の磁気特性を示す。
図３より、上記Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜においては、Ｃｒの
組成比が１０〜２３原子％の割合とされることが好まし
いと言える。Ｃｒの組成比を上記範囲内とすることによ
り、垂直方向の保磁力ＨC が１０００Ｏｅ以上となり、
高保磁力を得ることができる。これに対して、上記Ｃｏ
−Ｃｒ系合金膜中のＣｒの組成比が１０原子％よりも少
ないと、十分な保磁力ＨC を確保することができず、逆
に２３原子％よりも多くなると、飽和磁化が低下する。
層はＣｏとＣｒを主成分とするＣｏ−Ｃｒ系合金膜から
なる。図３に、このＣｏ−Ｃｒ系合金膜中のＣｒ量を変
化させた時の上記垂直磁気記録媒体の磁気特性を示す。
図３より、上記Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜においては、Ｃｒの
組成比が１０〜２３原子％の割合とされることが好まし
いと言える。Ｃｒの組成比を上記範囲内とすることによ
り、垂直方向の保磁力ＨC が１０００Ｏｅ以上となり、
高保磁力を得ることができる。これに対して、上記Ｃｏ
−Ｃｒ系合金膜中のＣｒの組成比が１０原子％よりも少
ないと、十分な保磁力ＨC を確保することができず、逆
に２３原子％よりも多くなると、飽和磁化が低下する。
【００１２】また、このＣｏ−Ｃｒ系合金膜の膜厚は、
１００〜３００ｎｍの範囲内とされることが望ましい。
図４に、上記Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜の膜厚と上記垂直磁気
記録媒体の規格化再生出力の関係を示す。図４に示すよ
うに、上記Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜の膜厚が１００ｎｍより
も薄い場合には、十分な再生出力を得ることができず、
逆に３００ｎｍを越える場合では、厚み損失が増大し、
再生出力の向上が望めなくなる。
１００〜３００ｎｍの範囲内とされることが望ましい。
図４に、上記Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜の膜厚と上記垂直磁気
記録媒体の規格化再生出力の関係を示す。図４に示すよ
うに、上記Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜の膜厚が１００ｎｍより
も薄い場合には、十分な再生出力を得ることができず、
逆に３００ｎｍを越える場合では、厚み損失が増大し、
再生出力の向上が望めなくなる。
【００１３】本発明では、このＣｏ−Ｃｒ系垂直磁気記
録媒体において、上記非磁性支持体としてアモルファス
カーボン基板が使用される。このアモルファスカーボン
基板は、通常この種の垂直磁気記録媒体において使用さ
れているガラス基板と同程度の表面平滑性を有するとと
もに、前記ガラス基板と比較して比重が小さく、高熱伝
導率、優れた機械的強度等、良好な特性を種々有する。
従って、このアモルファスカーボン基板を使用すること
により、従来のガラス基板が抱えている問題を解消する
ことができ、更にはこのアモルファスカーボン基板上に
上記Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜を形成することによって極めて
高い保磁力を得ることが可能となる。
録媒体において、上記非磁性支持体としてアモルファス
カーボン基板が使用される。このアモルファスカーボン
基板は、通常この種の垂直磁気記録媒体において使用さ
れているガラス基板と同程度の表面平滑性を有するとと
もに、前記ガラス基板と比較して比重が小さく、高熱伝
導率、優れた機械的強度等、良好な特性を種々有する。
従って、このアモルファスカーボン基板を使用すること
により、従来のガラス基板が抱えている問題を解消する
ことができ、更にはこのアモルファスカーボン基板上に
上記Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜を形成することによって極めて
高い保磁力を得ることが可能となる。
【００１４】このようなアモルファスカーボン基板は、
ホットプレス法等により所定の形状に成形された熱硬化
性樹脂を不活性ガス雰囲気中で所定の温度にて焼成する
ことにより得られるものである。上記熱硬化性樹脂とし
ては、特に限定されるものではなく、具体的に例示する
ならば、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂，フラン樹
脂等が何れも使用可能である。
ホットプレス法等により所定の形状に成形された熱硬化
性樹脂を不活性ガス雰囲気中で所定の温度にて焼成する
ことにより得られるものである。上記熱硬化性樹脂とし
ては、特に限定されるものではなく、具体的に例示する
ならば、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂，フラン樹
脂等が何れも使用可能である。
【００１５】ここで、上記焼成温度は、１０００〜１５
００℃の範囲とする必要がある。これにより、材料が十
分に炭素化され、良好な特性を実現することができる。
焼成温度が上記範囲よりも低いと、材料を十分に炭素化
させることがでない。更に、上記範囲よりも高い温度、
即ち２０００℃以上、より好ましくは２６００℃程度に
て焼成を行うことが望ましい。これにより、上記温度範
囲でアモルファスカーボン微結晶（六方晶）のＣ軸配向
が進み、材料が僅かな流動性を有するようになって緻密
化が急激に進行するようになる。従って、得られるアモ
ルファスカーボン基板の緻密性が非常に高くなり、基板
の表面研磨を行う際に良好な表面精度が得られる。
００℃の範囲とする必要がある。これにより、材料が十
分に炭素化され、良好な特性を実現することができる。
焼成温度が上記範囲よりも低いと、材料を十分に炭素化
させることがでない。更に、上記範囲よりも高い温度、
即ち２０００℃以上、より好ましくは２６００℃程度に
て焼成を行うことが望ましい。これにより、上記温度範
囲でアモルファスカーボン微結晶（六方晶）のＣ軸配向
が進み、材料が僅かな流動性を有するようになって緻密
化が急激に進行するようになる。従って、得られるアモ
ルファスカーボン基板の緻密性が非常に高くなり、基板
の表面研磨を行う際に良好な表面精度が得られる。
【００１６】また、この場合、上記焼成温度まで加熱す
る際の昇温速度は、１℃／時間以下とする必要がある。
昇温速度が上記範囲よりも大きいと、焼成時における炭
素化に伴って発生するＨ2 ，Ｈ2 Ｏ，ＣＯ2 等のガスに
よる微小気孔の形成を抑制することができず、得られた
基板中に多数の微小気孔が残存してしまい、十分な表面
精度を期待することができなくなる。
る際の昇温速度は、１℃／時間以下とする必要がある。
昇温速度が上記範囲よりも大きいと、焼成時における炭
素化に伴って発生するＨ2 ，Ｈ2 Ｏ，ＣＯ2 等のガスに
よる微小気孔の形成を抑制することができず、得られた
基板中に多数の微小気孔が残存してしまい、十分な表面
精度を期待することができなくなる。
【００１７】更に、上記焼成工程の前処理として、不活
性ガス雰囲気中にて１２００〜２０００℃の温度で予備
焼成を行うことが好ましい。これにより、より良好にア
モルファスカーボン基板を緻密化させることができる。
この前処理にあっては、その処理温度が重要であり、上
記範囲よりも低い温度とした場合には、材料中の残留水
素量が多くなり、続く焼成工程で多量のガスが発生し
て、材料割れを起こす虞れが生じる。逆に、上記範囲よ
りも高い温度とした場合には、材料の結晶化が進行し、
上述のような超高温での焼成を行っても、緻密化させる
ことができない。
性ガス雰囲気中にて１２００〜２０００℃の温度で予備
焼成を行うことが好ましい。これにより、より良好にア
モルファスカーボン基板を緻密化させることができる。
この前処理にあっては、その処理温度が重要であり、上
記範囲よりも低い温度とした場合には、材料中の残留水
素量が多くなり、続く焼成工程で多量のガスが発生し
て、材料割れを起こす虞れが生じる。逆に、上記範囲よ
りも高い温度とした場合には、材料の結晶化が進行し、
上述のような超高温での焼成を行っても、緻密化させる
ことができない。
【００１８】また、この焼成工程においては、処理圧力
が緻密化の程度に大きく影響する。従って、十分な緻密
化を行うためには、処理圧力を適宜選定することが望ま
しく、例えば焼成温度を２５００℃とした場合で１８０
ＭＰａ以上とすることが望ましい。このような所謂ＨＩ
Ｐ処理、或いは超高温ＨＩＰ処理を行うことにより、上
記熱硬化性樹脂が炭素化され、軽量で且つ熱伝導率、機
械的強度に優れたアモルファスカーボン基板を得ること
ができる。
が緻密化の程度に大きく影響する。従って、十分な緻密
化を行うためには、処理圧力を適宜選定することが望ま
しく、例えば焼成温度を２５００℃とした場合で１８０
ＭＰａ以上とすることが望ましい。このような所謂ＨＩ
Ｐ処理、或いは超高温ＨＩＰ処理を行うことにより、上
記熱硬化性樹脂が炭素化され、軽量で且つ熱伝導率、機
械的強度に優れたアモルファスカーボン基板を得ること
ができる。
【００１９】なお、この非磁性支持体の形状は、何ら限
定されるものではなく、如何なる形態であっても良い
が、特にディスク状等が好適である。また、この非磁性
支持体には、その表面性をコントロールするために、微
細な凹凸が形成されていてもよい。更に、本発明の垂直
磁気記録媒体においては、上記非磁性支持体の表面にア
ルマイト処理等の酸化皮膜やＮｉ−Ｐ皮膜等を形成して
その表面を更に硬くするようにしてもよい。
定されるものではなく、如何なる形態であっても良い
が、特にディスク状等が好適である。また、この非磁性
支持体には、その表面性をコントロールするために、微
細な凹凸が形成されていてもよい。更に、本発明の垂直
磁気記録媒体においては、上記非磁性支持体の表面にア
ルマイト処理等の酸化皮膜やＮｉ−Ｐ皮膜等を形成して
その表面を更に硬くするようにしてもよい。
【００２０】また、上記磁性層上に保護膜、潤滑剤層等
が設けられても良い。上記保護膜としては、例えばカー
ボン膜、ダイヤモンド状あるいはアモルファス状カーボ
ン膜、酸化クロム膜、ＳｉＯ2 膜等が挙げられる。上記
潤滑剤層の構成材料とされる潤滑剤としては、従来より
公知の材料が何れも使用可能であり、特に限定されな
い。
が設けられても良い。上記保護膜としては、例えばカー
ボン膜、ダイヤモンド状あるいはアモルファス状カーボ
ン膜、酸化クロム膜、ＳｉＯ2 膜等が挙げられる。上記
潤滑剤層の構成材料とされる潤滑剤としては、従来より
公知の材料が何れも使用可能であり、特に限定されな
い。
【００２１】
【作用】基板材料とされる熱硬化性樹脂を所定の形状に
成形した後、不活性ガス雰囲気中で所定の温度にて焼成
を行うことにより、材料が炭素化され、軽量で且つ熱伝
導率、機械的強度に優れたアモルファスカーボン基板が
製造される。
成形した後、不活性ガス雰囲気中で所定の温度にて焼成
を行うことにより、材料が炭素化され、軽量で且つ熱伝
導率、機械的強度に優れたアモルファスカーボン基板が
製造される。
【００２２】従って、このようなアモルファスカーボン
基板を垂直磁気記録媒体の基板として使用することによ
り、従来より使用されているガラス基板と同程度の表面
平滑性が得られるとともに、前記ガラス基板に比べて低
比重、高熱伝導率、優れた機械的強度等、良好な特性が
得られる。また、このアモルファスカーボン基板上にＣ
ｏ−Ｃｒ系合金膜を形成すると、垂直方向の保磁力が向
上する。
基板を垂直磁気記録媒体の基板として使用することによ
り、従来より使用されているガラス基板と同程度の表面
平滑性が得られるとともに、前記ガラス基板に比べて低
比重、高熱伝導率、優れた機械的強度等、良好な特性が
得られる。また、このアモルファスカーボン基板上にＣ
ｏ−Ｃｒ系合金膜を形成すると、垂直方向の保磁力が向
上する。
【００２３】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例により説明す
るが、本発明がこの実施例に限定されるものでないこと
は言うまでもない。本実施例は、ディスク状のアモルフ
ァスカーボン基板（神戸製鋼社製）上に磁性層としてＣ
ｏ−Ｃｒ合金膜が形成されてなる垂直磁気記録媒体の例
である。
るが、本発明がこの実施例に限定されるものでないこと
は言うまでもない。本実施例は、ディスク状のアモルフ
ァスカーボン基板（神戸製鋼社製）上に磁性層としてＣ
ｏ−Ｃｒ合金膜が形成されてなる垂直磁気記録媒体の例
である。
【００２４】先ず、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂
等の熱硬化性樹脂を金型に充填し、ホットプレスにて所
定のディスク状に成形した後、不活性ガス雰囲気中で所
定の温度にて焼成してアモルファスカーボン基板を作製
した。なお、焼成温度は１０００〜１５００℃程度とし
た。
等の熱硬化性樹脂を金型に充填し、ホットプレスにて所
定のディスク状に成形した後、不活性ガス雰囲気中で所
定の温度にて焼成してアモルファスカーボン基板を作製
した。なお、焼成温度は１０００〜１５００℃程度とし
た。
【００２５】続いて、Ａｒガス雰囲気中にてスパッタリ
ングを行い、上記アモルファスカーボン基板上に膜厚が
２００ｎｍとなるようにＣｏ−Ｃｒ膜を直接被着形成せ
しめた。
ングを行い、上記アモルファスカーボン基板上に膜厚が
２００ｎｍとなるようにＣｏ−Ｃｒ膜を直接被着形成せ
しめた。
【００２６】このスパッタリングを行うに際し、ターゲ
ットとしてＣｏ82Ｃｒ18（数値は重量％を表す。）合金
を用い、真空度を１．３３×１０-1Ｐａ（＝１×１０-3
Ｔｏｒｒ）に保つとともに、スパッタ電力を２ｋＷに設
定した。なお、成膜レートは２００ｎｍ／分とし、基板
温度は１８０℃とし、また背圧は１．３３×１０-4〜
２．６６×１０-4Ｐａ（＝１×１０-6〜２×１０-6Ｔｏ
ｒｒ）とした。
ットとしてＣｏ82Ｃｒ18（数値は重量％を表す。）合金
を用い、真空度を１．３３×１０-1Ｐａ（＝１×１０-3
Ｔｏｒｒ）に保つとともに、スパッタ電力を２ｋＷに設
定した。なお、成膜レートは２００ｎｍ／分とし、基板
温度は１８０℃とし、また背圧は１．３３×１０-4〜
２．６６×１０-4Ｐａ（＝１×１０-6〜２×１０-6Ｔｏ
ｒｒ）とした。
【００２７】以上のようにして得られた磁気ディスク
と、比較用としてガラス基板上に本実施例と同様の手法
によりＣｏ−Ｃｒ膜が形成されてなる磁気ディスク（比
較例）とを用い、垂直方向の保磁力ＨC を調べるため
に、それぞれのヒステリシス曲線を測定した。その結
果、図１に示すように、本実施例では、垂直方向の保磁
力ＨC が７１．６ｋＡ／ｍ（９００Ｏｅ）にも及び、非
常に優れた磁気特性が得られることが判った。
と、比較用としてガラス基板上に本実施例と同様の手法
によりＣｏ−Ｃｒ膜が形成されてなる磁気ディスク（比
較例）とを用い、垂直方向の保磁力ＨC を調べるため
に、それぞれのヒステリシス曲線を測定した。その結
果、図１に示すように、本実施例では、垂直方向の保磁
力ＨC が７１．６ｋＡ／ｍ（９００Ｏｅ）にも及び、非
常に優れた磁気特性が得られることが判った。
【００２８】これに対して、図２に示すように、比較例
では、保磁力ＨC は、３９．８ｋＡ／ｍ（５００Ｏｅ）
となったことから、非磁性支持体としてアモルファスカ
ーボン基板を使用することにより、従来のガラス基板を
用いた場合の約１．８倍もの高保磁力が得られることが
判った。
では、保磁力ＨC は、３９．８ｋＡ／ｍ（５００Ｏｅ）
となったことから、非磁性支持体としてアモルファスカ
ーボン基板を使用することにより、従来のガラス基板を
用いた場合の約１．８倍もの高保磁力が得られることが
判った。
【００２９】なお、本実施例では、上記非磁性支持体上
に直接磁性層を形成したが、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の結晶性
等をコントロールするために、非磁性支持体上に例えば
Ｃｒ膜等により下地層を設け、この下地層上に磁性層を
形成してなる構成としても同様の効果を期待することが
できる。
に直接磁性層を形成したが、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜の結晶性
等をコントロールするために、非磁性支持体上に例えば
Ｃｒ膜等により下地層を設け、この下地層上に磁性層を
形成してなる構成としても同様の効果を期待することが
できる。
【００３０】
【発明の効果】上述の説明からも明らかなように、本発
明では、非磁性支持体としてＨＩＰ処理されてなるアモ
ルファスカーボン基板を使用しているので、従来より使
用されているガラス基板と同程度の表面平滑性を確保す
ることができる。従って、この基板上に設けられる記録
部の表面が平滑にされるので、この媒体と磁気ヘッド間
のスペーシングロスを抑えることができ、良好な電磁変
換特性を得ることができる。
明では、非磁性支持体としてＨＩＰ処理されてなるアモ
ルファスカーボン基板を使用しているので、従来より使
用されているガラス基板と同程度の表面平滑性を確保す
ることができる。従って、この基板上に設けられる記録
部の表面が平滑にされるので、この媒体と磁気ヘッド間
のスペーシングロスを抑えることができ、良好な電磁変
換特性を得ることができる。
【００３１】また、上記アモルファスカーボン基板は、
従来より使用されているガラス基板に比べて比重が小さ
く、軽量化に有利である。更に、このアモルファスカー
ボン基板は、高い熱伝導率を有するので、例えば基板を
加熱する際に、加熱時間の短縮化を図りつつ、温度分布
ムラを抑えることができ、なお且つ機械的強度に優れて
いることから、ヒビ割れ等の発生を防止することができ
る。
従来より使用されているガラス基板に比べて比重が小さ
く、軽量化に有利である。更に、このアモルファスカー
ボン基板は、高い熱伝導率を有するので、例えば基板を
加熱する際に、加熱時間の短縮化を図りつつ、温度分布
ムラを抑えることができ、なお且つ機械的強度に優れて
いることから、ヒビ割れ等の発生を防止することができ
る。
【００３２】更に、磁性層としてＣｏ−Ｃｒ系合金膜が
用いられる垂直磁気記録媒体においては、得られる膜の
保磁力ＨC を向上させる目的から、磁性層の成膜時に基
板温度を高く設定する必要があるが、上述のようなアモ
ルファスカーボン基板を使用することによってその加熱
温度の上限を１０００℃以上まで拡げることができ、広
い温度範囲での成膜が可能となる。従って、保磁力の向
上を図る上で非常に有利であり、上記アモルファスカー
ボン基板の特性を活かしたメディアの開発が大いに期待
される。
用いられる垂直磁気記録媒体においては、得られる膜の
保磁力ＨC を向上させる目的から、磁性層の成膜時に基
板温度を高く設定する必要があるが、上述のようなアモ
ルファスカーボン基板を使用することによってその加熱
温度の上限を１０００℃以上まで拡げることができ、広
い温度範囲での成膜が可能となる。従って、保磁力の向
上を図る上で非常に有利であり、上記アモルファスカー
ボン基板の特性を活かしたメディアの開発が大いに期待
される。
【図１】本発明を適用したＣｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒
体の一実施例にかかる垂直方向のヒステリシル曲線であ
る。
体の一実施例にかかる垂直方向のヒステリシル曲線であ
る。
【図２】非磁性支持体としてガラス基板を用いた従来の
Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体にかかる垂直方向のヒス
テリシル曲線である。
Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体にかかる垂直方向のヒス
テリシル曲線である。
【図３】Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜中のＣｒの組成比と該Ｃｏ
−Ｃｒ系合金膜を磁性層とする垂直磁気記録媒体の飽和
磁化及び垂直方向の保磁力との関係を示す特性図であ
る。
−Ｃｒ系合金膜を磁性層とする垂直磁気記録媒体の飽和
磁化及び垂直方向の保磁力との関係を示す特性図であ
る。
【図４】Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜の膜厚と該Ｃｏ−Ｃｒ系合
金膜を磁性層とする垂直磁気記録媒体の規格化再生出力
の関係を示す特性図である。
金膜を磁性層とする垂直磁気記録媒体の規格化再生出力
の関係を示す特性図である。
Claims (4)
- 【請求項１】 非磁性支持体上に磁性層としてＣｏ−Ｃ
ｒ系合金膜が形成されてなる垂直磁気記録媒体におい
て、 上記非磁性支持体がアモルファスカーボン基板からなる
ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 上記Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜がＣｒ１０〜２
３原子％なる組成を有することを特徴とする請求項１記
載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 上記Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜の膜厚が１００
〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の垂
直磁気記録媒体。 - 【請求項４】 非磁性支持体上にＣｏ−Ｃｒ系合金膜か
らなる磁性層を形成する垂直磁気記録媒体の製造方法に
おいて、 熱硬化性樹脂を所定の形状に成形した後、不活性ガス雰
囲気中で所定の温度にて焼成し、得られたアモルファス
カーボン基板を非磁性支持体として用いることを特徴と
する垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19074192A JPH0636257A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19074192A JPH0636257A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636257A true JPH0636257A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16262994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19074192A Withdrawn JPH0636257A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636257A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1785505A1 (en) * | 2004-08-10 | 2007-05-16 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Barrier film for flexible copper substrate and sputtering target for forming barrier film |
-
1992
- 1992-07-17 JP JP19074192A patent/JPH0636257A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1785505A1 (en) * | 2004-08-10 | 2007-05-16 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Barrier film for flexible copper substrate and sputtering target for forming barrier film |
| EP1785505A4 (en) * | 2004-08-10 | 2008-03-19 | Nippon Mining Co | BARRIER FILM FOR FLEXIBLE COPPER SUBSTRATE AND SPUTTER TARGET FOR FORMING A BARRIER FILM |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |