JPH06349108A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH06349108A JPH06349108A JP5137428A JP13742893A JPH06349108A JP H06349108 A JPH06349108 A JP H06349108A JP 5137428 A JP5137428 A JP 5137428A JP 13742893 A JP13742893 A JP 13742893A JP H06349108 A JPH06349108 A JP H06349108A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- recording
- layer
- optical
- protective layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 反射率、コントラストが飛躍的に向上した光
記録媒体を提供すること。 【構成】 電磁波のエネルギーを利用して記録消去を行
う情報記録媒体であって、記録層中の主成分が Ａｇx（ＩｎαＧａ1-α）yＴｅz ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ １５≦ｘ≦４０ １５≦ｙ≦４０ ３０≦ｚ≦７０ ０．１＜α＜０．７ で表わされることを特徴とする光記録媒体。
記録媒体を提供すること。 【構成】 電磁波のエネルギーを利用して記録消去を行
う情報記録媒体であって、記録層中の主成分が Ａｇx（ＩｎαＧａ1-α）yＴｅz ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ １５≦ｘ≦４０ １５≦ｙ≦４０ ３０≦ｚ≦７０ ０．１＜α＜０．７ で表わされることを特徴とする光記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報記録媒体、特に相
変化形情報記録媒体に関するものであって、光ビームを
照射することにより記録材料に相変化を生じさせ、情報
の記録、再生を行い、かつ書換えが可能な情報記録媒体
に関するものであり、コンパクトディスク機器に応用さ
れる。
変化形情報記録媒体に関するものであって、光ビームを
照射することにより記録材料に相変化を生じさせ、情報
の記録、再生を行い、かつ書換えが可能な情報記録媒体
に関するものであり、コンパクトディスク機器に応用さ
れる。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく
知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。特に同一の光学系を用いることが
できるという利点から、高反射率、高コントラストとい
った特性をあわせ持った、書換えのできるコンパクトデ
ィスク（ＣＤ）としての応用が期待されている。
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく
知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、最近その研究開発
が活発になっている。特に同一の光学系を用いることが
できるという利点から、高反射率、高コントラストとい
った特性をあわせ持った、書換えのできるコンパクトデ
ィスク（ＣＤ）としての応用が期待されている。
【０００３】相変化形記録材料の代表的な例として、Ｕ
ＳＰ３５３０４４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔ
ｅ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−
Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｔ
ｅ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン
系合金材料が挙げられる。また安定性、高速結晶化など
の向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２
１９６９２）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１
９０）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０）などを添加し
た材料の提案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的
にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比
を特定した材料（特開昭６２−７３４３８、特開昭６３
−２２８４３３）の提案などもなされている。しかしな
がら、そのいずれもが元来コードデータファイル用の書
換え可能光ディスクとして設計されており、相変化形書
換可能コンパクトディスクとして要求される諸特性のほ
とんどを満足できていないのが現状である。特に反射
率、コントラスト、記録感度が解決すべき最重要課題と
なっている。これらの事情から反射率、コントラストが
高く、高感度の記録、消去に適する記録材料の開発が望
まれていた。
ＳＰ３５３０４４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔ
ｅ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−
Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｔ
ｅ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン
系合金材料が挙げられる。また安定性、高速結晶化など
の向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２
１９６９２）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１
９０）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０）などを添加し
た材料の提案や、記録／消去の繰り返し性能向上を目的
にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比
を特定した材料（特開昭６２−７３４３８、特開昭６３
−２２８４３３）の提案などもなされている。しかしな
がら、そのいずれもが元来コードデータファイル用の書
換え可能光ディスクとして設計されており、相変化形書
換可能コンパクトディスクとして要求される諸特性のほ
とんどを満足できていないのが現状である。特に反射
率、コントラスト、記録感度が解決すべき最重要課題と
なっている。これらの事情から反射率、コントラストが
高く、高感度の記録、消去に適する記録材料の開発が望
まれていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
に比較して反射率、コントラストの飛躍的向上を達成す
る情報記録媒体を提供するものである。本発明の目的は
以上のような事情に対するものであり、反射率、コント
ラストが高く、低パワーで記録−消去の繰り返しが可能
な書換可能コンパクトディスクを提供するものである。
に比較して反射率、コントラストの飛躍的向上を達成す
る情報記録媒体を提供するものである。本発明の目的は
以上のような事情に対するものであり、反射率、コント
ラストが高く、低パワーで記録−消去の繰り返しが可能
な書換可能コンパクトディスクを提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは改善
に鋭意研究を重ねた結果、前述目的に合致する記録材料
を見出した。即ち、本発明は （１）電磁波のエネルギーを利用して記録消去を行う情
報記録媒体であって、記録層中の主成分が Ａｇx（ＩｎαＧａ1-α）yＴｅｚ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ １５≦ｘ≦４０ １５≦ｙ≦４０ ３０≦ｚ≦７０ ０．１＜α＜０．７ で表わされる光記録媒体、 （２）記録層の膜厚ｄが １００Å≦ｄ≦１１００Å である前記（１）項記載の光記録媒体。
に鋭意研究を重ねた結果、前述目的に合致する記録材料
を見出した。即ち、本発明は （１）電磁波のエネルギーを利用して記録消去を行う情
報記録媒体であって、記録層中の主成分が Ａｇx（ＩｎαＧａ1-α）yＴｅｚ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ １５≦ｘ≦４０ １５≦ｙ≦４０ ３０≦ｚ≦７０ ０．１＜α＜０．７ で表わされる光記録媒体、 （２）記録層の膜厚ｄが １００Å≦ｄ≦１１００Å である前記（１）項記載の光記録媒体。
【０００６】（３）記録層の安定状態にカルコパイライ
ト構造を持つ化合物を含む前記（１）項記載の光記録媒
体。 （４）基板と記録層の間に下部耐熱保護層を、記録層と
反射層の間に上部耐熱性保護層を有し、かつ電磁波の波
長が７６０〜８４０ｎｍのとき記録媒体の未記録部の反
射率が７０％以上、記録部と未記録部のコントラストが
６０％以上である前記（１）記載の光記録媒体。
ト構造を持つ化合物を含む前記（１）項記載の光記録媒
体。 （４）基板と記録層の間に下部耐熱保護層を、記録層と
反射層の間に上部耐熱性保護層を有し、かつ電磁波の波
長が７６０〜８４０ｎｍのとき記録媒体の未記録部の反
射率が７０％以上、記録部と未記録部のコントラストが
６０％以上である前記（１）記載の光記録媒体。
【０００７】（５）電磁波の波長が７６０〜８４０ｎｍ
のとき、下部耐熱性保護層として主にＺｎＳとＳｉＯ２
の混合物からなる層、上部耐熱性保護層として主に窒化
アルミニウム、またはＺｎＳとＳｉＯ2の混合物からな
る層を用いる前記（１）項の光記録媒体。 （６）下部耐熱性保護層の膜厚ｄ1、屈折率ｎ1から求め
られる光学膜厚ｄ1'（＝ｄ1×ｎ1）が ５００×ｎ1≦ｄ1'≦５００×ｎ1＋７８００（Å） である前記（１）項記載の光記録媒体。
のとき、下部耐熱性保護層として主にＺｎＳとＳｉＯ２
の混合物からなる層、上部耐熱性保護層として主に窒化
アルミニウム、またはＺｎＳとＳｉＯ2の混合物からな
る層を用いる前記（１）項の光記録媒体。 （６）下部耐熱性保護層の膜厚ｄ1、屈折率ｎ1から求め
られる光学膜厚ｄ1'（＝ｄ1×ｎ1）が ５００×ｎ1≦ｄ1'≦５００×ｎ1＋７８００（Å） である前記（１）項記載の光記録媒体。
【０００８】（７）上部耐熱性保護層の膜厚ｄ2、屈折
率ｎ2から求められる光学膜厚ｄ2'（＝ｄ2×ｎ2）が ５０×ｎ2≦ｄ2'≦５０×ｎ2＋３９００（Å） である前記（１）項記載の光記録媒体。 （８）記録、および／又は消去、および／又は再生時の
記録媒体と電磁波ビームスポットとの相対速度がコンパ
クトディスクの再生時の線速、即ち１．２／ｓ以上１．
４ｍ／ｓ以下と同等、またはその整数倍であることを特
徴とする前記（１）記載の光記録媒体の記録、消去、再
生方法。 （９）カルコパイライト構造を有するＡｇＩｎＴｅ2と
カルコパイライト構造を有するＡｇＧａＴｅ2を原材料
として記録層を成膜することを特徴とする前記（１）記
載の光記録媒体の製造方法。
率ｎ2から求められる光学膜厚ｄ2'（＝ｄ2×ｎ2）が ５０×ｎ2≦ｄ2'≦５０×ｎ2＋３９００（Å） である前記（１）項記載の光記録媒体。 （８）記録、および／又は消去、および／又は再生時の
記録媒体と電磁波ビームスポットとの相対速度がコンパ
クトディスクの再生時の線速、即ち１．２／ｓ以上１．
４ｍ／ｓ以下と同等、またはその整数倍であることを特
徴とする前記（１）記載の光記録媒体の記録、消去、再
生方法。 （９）カルコパイライト構造を有するＡｇＩｎＴｅ2と
カルコパイライト構造を有するＡｇＧａＴｅ2を原材料
として記録層を成膜することを特徴とする前記（１）記
載の光記録媒体の製造方法。
【０００９】に関するものである。
【００１０】以下本発明を添付図面に基づき説明する。
図１は本発明の構成例を示すものである。基板１上に下
部耐熱性保護層２、記録層３、上部耐熱性保護層４、反
射放熱層５、環境保護層６が設けられている。本発明の
記録層は各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタ
リング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレ
ーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成でき
る。気相成長法以外にゾルゲル法のような湿式プロセス
も適用可能である。記録層の膜厚としては１００〜１１
００Å、好適には２００〜１０００Åとするのがよい。
１００Åより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層と
しての役割をはたさなくなる。また１２００Åより厚い
と反射率、コントラストが高いディスク構成がとれなく
なる。
図１は本発明の構成例を示すものである。基板１上に下
部耐熱性保護層２、記録層３、上部耐熱性保護層４、反
射放熱層５、環境保護層６が設けられている。本発明の
記録層は各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタ
リング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレ
ーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成でき
る。気相成長法以外にゾルゲル法のような湿式プロセス
も適用可能である。記録層の膜厚としては１００〜１１
００Å、好適には２００〜１０００Åとするのがよい。
１００Åより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層と
しての役割をはたさなくなる。また１２００Åより厚い
と反射率、コントラストが高いディスク構成がとれなく
なる。
【００１１】記録層の安定状態にカルコパイライト構造
を有する化合物を含むことで、高速で安定な記録消去の
可逆転移が可能となる。同時に記録層中に含まれる相の
種類が限定され、記録層の不必要な相分離または物質移
動を防ぐことができる。請求項中に規定されているｘ，
ｙ，ｚはこのようなカルコパイライト構造を有する化合
物を得るために必要な元素濃度範囲を示している。αは
主に光学定数に関係したパラメータである。０．７＜α
では複素屈折率ｋが０．１より低くなり、電磁波の吸収
率が著しく低下し記録層の相変化に必要な熱エネルギー
を得ることが困難となる。０．２＜αでは複素屈折率ｋ
が０．９より高くなり反射率、コントラストが高いディ
スク構成がとれなくなる。
を有する化合物を含むことで、高速で安定な記録消去の
可逆転移が可能となる。同時に記録層中に含まれる相の
種類が限定され、記録層の不必要な相分離または物質移
動を防ぐことができる。請求項中に規定されているｘ，
ｙ，ｚはこのようなカルコパイライト構造を有する化合
物を得るために必要な元素濃度範囲を示している。αは
主に光学定数に関係したパラメータである。０．７＜α
では複素屈折率ｋが０．１より低くなり、電磁波の吸収
率が著しく低下し記録層の相変化に必要な熱エネルギー
を得ることが困難となる。０．２＜αでは複素屈折率ｋ
が０．９より高くなり反射率、コントラストが高いディ
スク構成がとれなくなる。
【００１２】耐熱性保護層は各種気相成長法、例えば真
空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法な
どによって形成できる。また、必要に応じて不純物を含
んでいてもよい。但し耐熱保護層の融点は記録層の融点
よりも高いことが必要である。
空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光Ｃ
ＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法な
どによって形成できる。また、必要に応じて不純物を含
んでいてもよい。但し耐熱保護層の融点は記録層の融点
よりも高いことが必要である。
【００１３】下部耐熱性保護層の膜厚のはたす主な役割
として、耐熱性を確保する効果と、干渉を利用し入射光
・反射光を効率的に利用する光学的効果とがある。耐熱
性の観点から言えば、薄すぎる耐熱性保護層では隣接す
る基板、および層に過剰な熱が伝わる。このため、下部
耐熱性保護層として主にＺｎＳとＳｉＯ2の混合物から
なる層を用いたとき、最小膜厚は５００Å、上部耐熱保
護層として主に窒化アルミニウム、またはＺｎＳとＳｉ
Ｏ2の混合物からなる層を用いたときは５０Å以上でな
ければその機能をはたせなくなる。
として、耐熱性を確保する効果と、干渉を利用し入射光
・反射光を効率的に利用する光学的効果とがある。耐熱
性の観点から言えば、薄すぎる耐熱性保護層では隣接す
る基板、および層に過剰な熱が伝わる。このため、下部
耐熱性保護層として主にＺｎＳとＳｉＯ2の混合物から
なる層を用いたとき、最小膜厚は５００Å、上部耐熱保
護層として主に窒化アルミニウム、またはＺｎＳとＳｉ
Ｏ2の混合物からなる層を用いたときは５０Å以上でな
ければその機能をはたせなくなる。
【００１４】また、光学的観点から言えば、電磁波の波
長をλ、耐熱性保護層の屈折率をｎとすれば、膜厚がλ
／２ｎ毎の周期で同一の光学的条件が現われる。従っ
て、最適な最小膜厚を仮にｄ0×ｎとすると、 ｄ0＋ｍ×λ／２ｎ（ｍ＝１，２，３…） …式１ で再び最適条件が得られる。しかし、耐熱保護層が厚す
ぎると界面の剥離や、ひずみを起こしやすくなる。特に
上部耐熱性保護層は反射放熱層へと熱を逃がす役割を担
うため、これが厚すぎると記録膜に余剰な熱が蓄積さ
れ、ディスクとしての記録消去特性が劣化し、層分離や
物質移動等を引き起こすので好ましくない。これらの事
情から、式（１）中のｍは下部保護層は２、上部保護層
は１が最適膜厚範囲である。本発明の光記録情報媒体は
書換えのできるコンパクトディスクに関するものである
から、波長７６０〜８４０ｎｍでのｍ×λ／２ｎを考え
ればよい。従って、下部耐熱性保護層（屈折率ｎ1）の
膜厚ｄ1は ５００×ｎ1≦ｄ1×ｎ1≦５００×ｎ1＋７８００（Å） 上部耐熱性保護層（屈折率ｎ2）の膜厚ｄ2は ５０×ｎ2≦ｄ2×ｎ2≦５０×ｎ2＋３９００（Å） が最適である。
長をλ、耐熱性保護層の屈折率をｎとすれば、膜厚がλ
／２ｎ毎の周期で同一の光学的条件が現われる。従っ
て、最適な最小膜厚を仮にｄ0×ｎとすると、 ｄ0＋ｍ×λ／２ｎ（ｍ＝１，２，３…） …式１ で再び最適条件が得られる。しかし、耐熱保護層が厚す
ぎると界面の剥離や、ひずみを起こしやすくなる。特に
上部耐熱性保護層は反射放熱層へと熱を逃がす役割を担
うため、これが厚すぎると記録膜に余剰な熱が蓄積さ
れ、ディスクとしての記録消去特性が劣化し、層分離や
物質移動等を引き起こすので好ましくない。これらの事
情から、式（１）中のｍは下部保護層は２、上部保護層
は１が最適膜厚範囲である。本発明の光記録情報媒体は
書換えのできるコンパクトディスクに関するものである
から、波長７６０〜８４０ｎｍでのｍ×λ／２ｎを考え
ればよい。従って、下部耐熱性保護層（屈折率ｎ1）の
膜厚ｄ1は ５００×ｎ1≦ｄ1×ｎ1≦５００×ｎ1＋７８００（Å） 上部耐熱性保護層（屈折率ｎ2）の膜厚ｄ2は ５０×ｎ2≦ｄ2×ｎ2≦５０×ｎ2＋３９００（Å） が最適である。
【００１５】基板の材料は通常樹脂、ガラス、あるいは
セラミックスであり、樹脂基板が成形性、コストの点で
好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素
系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる
が、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂、アクリル系樹脂が好ましい。
セラミックスであり、樹脂基板が成形性、コストの点で
好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フッ素
系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる
が、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート樹
脂、アクリル系樹脂が好ましい。
【００１６】反射放熱層としては、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇな
どの金属材料、またはそれらの合金などを用いることが
できる。このような反射放熱層は各種気相成長法、例え
ば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、
光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着
法などによって形成できる。
どの金属材料、またはそれらの合金などを用いることが
できる。このような反射放熱層は各種気相成長法、例え
ば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、
光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着
法などによって形成できる。
【００１７】このようにして構成された記録媒体は、コ
ンパクトディスク規格のディスク回転速度である１．２
ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓ、またはその整数倍の線速で再
生、記録、消去できる。また、再生時の未記録部のレー
ザー光反射率、記録部と未記録部のコントラストもＣＤ
規格を満たしている。
ンパクトディスク規格のディスク回転速度である１．２
ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓ、またはその整数倍の線速で再
生、記録、消去できる。また、再生時の未記録部のレー
ザー光反射率、記録部と未記録部のコントラストもＣＤ
規格を満たしている。
【００１８】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。但しこれらの実施例は本発明をなんら制限するも
のではない。 実施例１ １２０ｍｍφのグルーブ付きポリカーボネート基板上に
ＺｎＳ・ＳｉＯ2（１４００Å）、Ａｇ25（Ｉｎ0.5Ｇａ
0.5）25Ｔｅ50（２００Å）、ＺｎＳ・ＳｉＯ2（３００
Å）、Ａｇ（７００Å）を順次スパッタ法にて積層し、
ＵＶ−ｒｅｓｉｎを塗布した。Ａｇ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｔｅ
の光学定数は記録部でｎ＝４．１１，ｋ＝０．６９、未
記録部でｎ＝２．７８，ｋ＝０．２５である。ＺｎＳ・
ＳｉＯ2層の光学定数はｎ＝２．０，ｋ〜０である。こ
のディスク構成で得られるミラー部（グルーブのない部
分）での反射率とコントラストの下部耐熱性保護層膜厚
依存性を計算により求めた結果を図２に示す。この結果
より下部耐熱性保護層膜厚を１４００Åとした。
する。但しこれらの実施例は本発明をなんら制限するも
のではない。 実施例１ １２０ｍｍφのグルーブ付きポリカーボネート基板上に
ＺｎＳ・ＳｉＯ2（１４００Å）、Ａｇ25（Ｉｎ0.5Ｇａ
0.5）25Ｔｅ50（２００Å）、ＺｎＳ・ＳｉＯ2（３００
Å）、Ａｇ（７００Å）を順次スパッタ法にて積層し、
ＵＶ−ｒｅｓｉｎを塗布した。Ａｇ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｔｅ
の光学定数は記録部でｎ＝４．１１，ｋ＝０．６９、未
記録部でｎ＝２．７８，ｋ＝０．２５である。ＺｎＳ・
ＳｉＯ2層の光学定数はｎ＝２．０，ｋ〜０である。こ
のディスク構成で得られるミラー部（グルーブのない部
分）での反射率とコントラストの下部耐熱性保護層膜厚
依存性を計算により求めた結果を図２に示す。この結果
より下部耐熱性保護層膜厚を１４００Åとした。
【００１９】線速１．２ｍ／ｓ、再生光パワー１．０ｍ
Ｗ、半導体レーザー波長７８０ｎｍ、対物レンズのＮＡ
＝０．５の条件下で、反射率が飽和するまで初期化し
た。この時、反射率７０％を得た。オーバーライトモー
ドにおける記録パワー、消去パワーとＣＮＲ、消去比、
記録前と後の反射率から計算されるコントラストを図３
に示す。これより、十分なＣＮＲと消去比が得られるパ
ワー領域で十分なコントラストが得られていることがわ
かる。
Ｗ、半導体レーザー波長７８０ｎｍ、対物レンズのＮＡ
＝０．５の条件下で、反射率が飽和するまで初期化し
た。この時、反射率７０％を得た。オーバーライトモー
ドにおける記録パワー、消去パワーとＣＮＲ、消去比、
記録前と後の反射率から計算されるコントラストを図３
に示す。これより、十分なＣＮＲと消去比が得られるパ
ワー領域で十分なコントラストが得られていることがわ
かる。
【００２０】実施例２ 実施例１と同様にしてディスクを作製した。ＺｎＳ・Ｓ
ｉＯ2を１５００Å、Ａｇ23（Ｉｎ0.6Ｇａ0.4）28Ｔｅ
49を８００Å、窒化アルミニウムを１２００Å、Ａｇを
７００Å、順次スパッタ法にて積層し、ＵＶ−ｒｅｓｉ
ｎを塗布した。Ａｇ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｔｅの光学定数は記
録部でｎ＝３．９２，ｋ＝０．８２、未記録部でｎ＝
２．９２，ｋ＝０．３８である。窒化アルミニウム層の
光学定数はｎ＝２．０，ｋ〜０である。このディスク構
成で得られるミラー部（グルーブのない部分）での反射
率とコントラストの下部耐熱性保護層膜厚依存性を計算
により求めた結果を図４に示す。この結果より下部耐熱
性保護層膜厚を１５００Åとした。このディスクで初期
化後のミラー部における反射率７２％を得た。
ｉＯ2を１５００Å、Ａｇ23（Ｉｎ0.6Ｇａ0.4）28Ｔｅ
49を８００Å、窒化アルミニウムを１２００Å、Ａｇを
７００Å、順次スパッタ法にて積層し、ＵＶ−ｒｅｓｉ
ｎを塗布した。Ａｇ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｔｅの光学定数は記
録部でｎ＝３．９２，ｋ＝０．８２、未記録部でｎ＝
２．９２，ｋ＝０．３８である。窒化アルミニウム層の
光学定数はｎ＝２．０，ｋ〜０である。このディスク構
成で得られるミラー部（グルーブのない部分）での反射
率とコントラストの下部耐熱性保護層膜厚依存性を計算
により求めた結果を図４に示す。この結果より下部耐熱
性保護層膜厚を１５００Åとした。このディスクで初期
化後のミラー部における反射率７２％を得た。
【００２１】オーバーライトモードにおける記録パワ
ー、消去パワーとＣＮＲ、消去比、コントラストを図５
に示す。低パワーで高ＣＮＲ、高消去比、高コントラス
トが得られている。このディスクのＣＤ２倍速、３倍速
におけるＣＮＲ、消去比、コントラストを図６，７に示
す。いずれの線速において良好な特性が得られている。
ー、消去パワーとＣＮＲ、消去比、コントラストを図５
に示す。低パワーで高ＣＮＲ、高消去比、高コントラス
トが得られている。このディスクのＣＤ２倍速、３倍速
におけるＣＮＲ、消去比、コントラストを図６，７に示
す。いずれの線速において良好な特性が得られている。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明により反射
率、コントラストの飛躍的向上を達成する情報記録媒体
を提供することができた。
率、コントラストの飛躍的向上を達成する情報記録媒体
を提供することができた。
【図１】光記録媒体の層構成説明図、
【図２】反射率、コントラストの下部耐熱性保護層膜厚
依存性を示す図、
依存性を示す図、
【図３】本発明光記録媒体（実施例１）の特性を示す
図、
図、
【図４】反射率、コントラストの下部耐熱性保護層膜厚
依存性を示す図、
依存性を示す図、
【図５】本発明光記録媒体（実施例２、線速１．２ｍ／
ｓ）の特性を示す図、
ｓ）の特性を示す図、
【図６】同（実施例２、線速２．４ｍ／ｓ）の特性を示
す図、
す図、
【図７】同（実施例２、線速３．６ｍ／ｓ）の特性を示
す図、
す図、
フロントページの続き (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 野々山 治 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 高橋 正悦 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 山田 勝幸 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (9)
- 【請求項１】 電磁波のエネルギーを利用して記録消去
を行う情報記録媒体であって、記録層中の主成分が Ａｇx（ＩｎαＧａ1-α）yＴｅz ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ １５≦ｘ≦４０ １５≦ｙ≦４０ ３０≦ｚ≦７０ ０．１＜α＜０．７ で表わされることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 記録層の膜厚ｄが １００Å≦ｄ≦１１００Å であることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
- 【請求項３】 記録層の安定状態にカルコパイライト構
造を持つ化合物を含むことを特徴とする請求項１記載の
光記録媒体。 - 【請求項４】 基板と記録層の間に下部耐熱性保護層
を、記録層と反射層の間に上部耐熱性保護層を有し、か
つ電磁波の波長が７６０〜８４０ｎｍのとき記録媒体の
未記録部の反射率が７０％以上、記録部と未記録部のコ
ントラストが６０％以上であることを特徴とする請求項
１記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 電磁波の波長が７６０〜８４０ｎｍのと
き、下部耐熱性保護層として主にＺｎＳとＳｉＯ2の混
合物からなる層、上部耐熱性保護層として主に窒化アル
ミニウム、またはＺｎＳとＳｉＯ2の混合物からなる層
を用いることを特徴とする請求項１の光記録媒体。 - 【請求項６】 下部耐熱性保護層の膜厚ｄ1、屈折率ｎ1
から求められる光学膜厚ｄ1'（＝ｄ1×ｎ1）が ５００×ｎ1≦ｄ1'≦５００×ｎ1＋７８００（Å） であることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項７】 上部耐熱性保護層の膜厚ｄ2、屈折率ｎ2
から求められる光学膜厚ｄ2'（＝ｄ2×ｎ2）が ５０×ｎ2≦ｄ2'≦５０×ｎ2＋３９００（Å） であることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項８】 記録、および／又は消去、および／又は
再生時の記録媒体と電磁波ビームスポットとの相対速度
がコンパクトディスクの再生時の線速、即ち１．２／ｓ
以上１．４ｍ／ｓ以下と同等、またはその整数倍である
ことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体の記録、消
去、再生方法。 - 【請求項９】 カルコパイライト構造を有するＡｇＩｎ
Ｔｅ2とカルコパイライト構造を有するＡｇＧａＴｅ2を
原材料として記録層を成膜することを特徴とする請求項
１記載の光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5137428A JPH06349108A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5137428A JPH06349108A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349108A true JPH06349108A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15198404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5137428A Pending JPH06349108A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349108A (ja) |
-
1993
- 1993-06-08 JP JP5137428A patent/JPH06349108A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3292890B2 (ja) | 光反射放熱用材料を用いた相変化形光記録媒体 | |
| US5631895A (en) | Optical information recording medium | |
| US5741603A (en) | Optical disc | |
| US6638594B1 (en) | Rewritable optical information recording medium | |
| JP4018340B2 (ja) | 書換可能型光学情報媒体 | |
| JP2000339751A (ja) | 相変化形光記録媒体 | |
| JP3032600B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH06349108A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3058443B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH05185733A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH06349109A (ja) | 光記録媒体、その製造方法及びその使用方法 | |
| JPH0373937B2 (ja) | ||
| JPH07246777A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH07186541A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH07161072A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP2804313B2 (ja) | 相変化型光情報記録媒体 | |
| JPH06349112A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH0558047A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP2963106B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP3463077B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3345703B2 (ja) | 光記録媒体および相変化光記録媒体ならびに相変化光記録媒体の初期化方法 | |
| JPH08104060A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2002274030A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3137093B2 (ja) | 相変化記録媒体 | |
| JP2954731B2 (ja) | 情報記録媒体及びそれを用いる情報記録方法 |