JPH06348154A - ヒーター、ヒーターを有する加熱定着装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 通電により発熱する抵抗層を有するヒーター
において、被加熱材を加熱するヒーターの面側の耐摩耗
性、摺動性等を向上すること。 【構成】 絶縁性基板２と、該絶縁性基板に支持され通
電により発熱する抵抗層３と、抵抗層端部に設けられた
電極端子部４を有するヒーターにおいて、前記抵抗層３
の上に水素化アモルファス炭素膜もしくはダイヤモンド
状炭素膜６を形成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、複写機、レーザービー
ムプリンタ等の画像形成装置に用いられるヒーター、加
熱定着装置に関し、特に未定着画像の加熱定着に用いら
れるヒーター、加熱定着装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、特開昭６３−３１３１８２号公報
等で固定ヒーターと、このヒーターと摺動する薄膜フィ
ルムを用いた加熱装置が提案されている。

【０００３】このようなヒーターについての説明を、本
発明に係るヒーターを示す図１、図２により行う。ヒー
ター１は、電気絶縁性・耐熱性・低熱容量の細長い基板
２と、この基板２の一方面側（表面側）の基板幅方向中
央部に基板長手に沿って直線細帯状に形成した通電発熱
体３と、この通電発熱抵抗体の両端部にそれぞれ導通さ
せて基板面に形成した電極端子（接続端子）４，５と、
基板２の通電発熱抵抗体形成面を被覆させたヒーター表
面保護層としてのガラス等の電気絶縁性保護層６と、基
板２の他方面側（背面側）に設けたサーミスター等の温
度検出素子７を有する。基板２は、例えば、幅１０ｍｍ
・厚さ１ｍｍ・長さ２４０ｍｍのＡｌ₂Ｏ₃ 、ＡｌＮ、
ＳｉＣ等のセラミック板等である。通電発熱抵抗体３
は、例えば厚さ１０μｍ・幅１ｍｍの、スクリーン印刷
等で塗工したＡｇ／Ｐｄ（銀パラジウム合金）、ＲｕＯ
₂ 、Ｔａ₂ Ｎ等を大気焼成して形成したパターン層であ
る。電極端子（接続端子）４，５は、通常厚さ１０μｍ
のスクリーン印刷等で塗工したＡｇを大気焼成して形成
したパターン層であり、この電極４，５に通常は、コネ
クター（不図示）を介して電線を接続し給電する。

【０００４】ヒーター１は定着面の温度を管理・制御す
るために装置の横断面において、通電発熱抵抗体３を定
着ニップ部１５（合接ニップ部、加圧部）の幅領域の略
中央部に位置させる構造となっている。ヒーター１の絶
縁保護層６側がフィルム接触摺動面側である。ヒーター
１は通電発熱抵抗体３の両端電極端子４，５間に交流電
源１２より電圧印加され、該通電発熱抵抗体３が発熱す
ることで昇温する。ヒーター１の温度は基板背面の温度
検出素子７で検出されてその検出情報が通電制御回路１
３へフィードバックされて、交流電源１２から通電発熱
抵抗体３への通電が制御され、ヒーター１が所定の温度
に温度制御される。ヒーター１の温度検出素子７は熱応
答性の最も良い定着面、つまりヒーター基板表面側の通
電発熱抵抗体３の形成位置に対応する基板背面側部分位
置（通電発熱抵抗体３の直下に対応する基板背面側部分
位置）に配設される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】未定着画像を定着する
ためには、ヒーター上の絶縁性保護層並びにフィルム接
触摺動面を介してヒーターの熱を伝熱させて熱定着す
る。しかしながら、絶縁性保護層とフィルムとの接触摺
動時の摩耗により、接触摺動距離が約６０ｋｍに達する
とフィルムの摩耗が激しくなってくる。このとき生じる
摩耗粉が、フィルムを駆動するローラーに不均一に付着
することから、フィルムの駆動速度が不規則となり、結
果として未定着画像の定着が不均一になるという問題が
発生する。絶縁保護膜に使用されているガラス質層は低
軟化点ガラスを印刷、焼成することにより形成される。
このガラス質層とフィルムの表面形状差（摩擦係数
差）、硬度差により、フィルムの摩耗が生じるものと考
えられる。このため、耐熱性のポリミドフィルムにフィ
ラーを混入したり、テフロンコーティング等を施して摩
擦係数を小さくし、フィルムの摩耗を防いでいるが十分
な効果を得るに至っていない。

【０００６】また、保護層がガラス等の熱伝導率の小さ
い材料であるため、ヒーターの熱が効率的に未定着画像
に供給されず、定着に課題な熱量を必要とする。通電電
流を大きくすると、図３に示すようなコネクターを形成
しているバネ材（一般にはリン青銅）が高温クリープに
より劣化し、コンタクト圧力の低下、接続抵抗値の上
昇、更には熱暴走を引き起こす結果、接続部及び装置の
信頼性に問題を生じることになる。このため、定着速度
の高速化と定着ボリュームの増大に対応することができ
ず、より長寿命（接触摺動距離の長い）の加熱定着装置
が求められている。

【０００７】本発明は、以上のような問題点を解決した
ヒーターを提供することを第１の目的とする。

【０００８】また未定着画像を定着するためには、ヒー
ター上の絶縁性保護層並びにフィルム接触摺動面を介し
てヒーターの熱を伝熱させて熱定着する。しかしなが
ら、絶縁性保護層とフィルムとの接触摺動時の摩耗によ
り、接触摺動距離が約６０ｋｍに達するとフィルムが摩
耗してくる。この時生じる摩耗粉が、フィルムを駆動す
るローラーに不均一に付着することから、フィルムの駆
動速度が不規則となり、結果として未定着画像の定着が
不均一になるという問題が発生する。絶縁性保護膜に用
いられるガラス質層は、低軟化点ガラスを印刷、焼成す
ることにより形成される。このガラス質層とフィルムの
表面形状差（摩擦係数）と硬度差によりフィルムの摩耗
が生じるものと考えられる。そこで、絶縁保護層として
電気絶縁性が高く、高硬度、低摩擦係数、である水素化
アモルファス炭素膜（以下、ａ−Ｃ：Ｈ膜）、ダイヤモ
ンド状炭素膜（以下、ＤＬＣ膜）をガラス質層の代わり
に、発熱抵抗体層上に直接形成することが考えられる。
しかしながら、発熱抵抗体上に十分なステップカバレー
ジを有するカーボン膜を形成するためには、カーボン膜
の厚さは少なくとも発熱抵抗体の厚さの約１／４以上は
必要である。従って、発熱抵抗体層の厚さが１０μｍの
場合には、最低でも２．５μｍより厚くカーボン膜を形
成する必要がある。ところが、ａ−Ｃ：Ｈ膜、ＤＬＣ膜
は共に圧縮方向の内部応力が大きく、膜厚を数μｍより
も厚く形成したときには、基体との密着性が必ずしも良
好ではなく、膜剥離を生じるという問題がある。この問
題を解決する手段として、従来通りガラス質の絶縁層を
設けた後、ａ−Ｃ：Ｈ膜あるいはＤＬＣ膜を形成するこ
とが考えられるが、ヒーターの製造コストがアップする
という問題がある。

【０００９】熱定着方式による定着のより高速化と定着
ボリュームの増大に対応するためには、ヒーターの寿命
（接触摺動距離）をできるだけ長くすることが必要であ
るが、前述の問題によりヒーター寿命が短く、コストア
ップの原因となっている。

【００１０】本発明は、以上のような問題点を解決した
ヒーターを提供することを第２の目的とする。

【００１１】また、未定着画像を定着するためには、ヒ
ーター上の絶縁性保護層並びにフィルム接触摺動面を介
してヒーターの熱を伝熱させて熱定着する。しかしなが
ら、絶縁性保護層とフィルムとの接触摺動時の摩耗によ
り、接触摺動距離が約６０ｋｍに達するとフィルムが摩
耗してくる。この時生じる摩耗粉が、フィルムを駆動す
るローラーに不均一に付着することから、フィルムの駆
動速度が不規則となり、結果として未定着画像の定着が
不均一になるという問題が発生する。絶縁性保護膜に用
いられるガラス質層は、低軟化点ガラスを印刷、焼成す
ることにより形成される。このガラス質層とフィルムの
表面形状差（摩擦係数）と硬度差により、フィルムの摩
耗が生じるものと考えられる。そこで、ポリイミド等の
エンドレスベルト状、あるいは長尺ウェブ状の耐熱性フ
ィルムの摩耗を防ぐために、ガラス質の絶縁性保護膜と
の摩擦係数を小さくする目的からポリイミド・フィルム
にフィラーを混入したり、テフロン（登録商標）コーテ
ィング等を施している。しかしながら、熱定着方式によ
る定着のより高速化と定着ボリュームの増大に対応する
ことはできず、ヒーターの寿命（接触摺動距離）をでき
るだけ長くすることが必要とされている。

【００１２】本発明は、以上のような問題点を解決した
加熱定着装置を提供することを第３の目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】前記第１の目的を達成す
るために、第１の解決手段として、本発明は、ヒーター
上又はヒーターの絶縁保護層上に気相合成法で形成した
電気絶縁性が高く、高熱伝導率、高硬度、低摩擦係数で
ある水素化アモルファス炭素膜（以下、ａ−Ｃ：Ｈ膜と
略記する）もしくはダイヤモンド状炭素膜（以下、ＤＬ
Ｃ膜と略記する）を用いることにより、上述の問題を解
決したものである。

【００１４】以下、本発明に関して詳細に説明する。本
発明に係るａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはダイヤモンド状炭素膜
は、熱伝導率が２００〜６００Ｗ／ｍ・Ｋ、電気抵抗
（体積抵抗率）１０⁸ 〜１０¹¹Ωｃｍ、硬度２０００〜
５０００ｋｇ／ｍｍ² 等に代表される物理的性質を有す
るものである。

【００１５】本発明で用いるａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬ
Ｃ膜は、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、直流プラズマＣ
ＶＤ法、高周波プラズマＣＶＤ法、有磁場マイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法、イオンビーム・スパッタ法、イオンビ
ーム蒸着法、反応性プラズマ・スパッタ法等により形成
される。このとき用いる原料ガスは、含炭素ガスである
メタン、エタン、プロパン、エチレン、ベンゼン、アセ
チレン等の炭化水素；塩化メチレン、四塩化炭素、クロ
ロホルム、トリクロルエタン等のハロゲン化炭化水素；
メチルアルコール、エチルアルコール等のアルコール
類；（ＣＨ₃ ）₂ＣＯ、（Ｃ₆ Ｈ₅ ）₂ ＣＯ等のケトン
類；ＣＯ、ＣＯ₂ 等のガス、及びこれらのガスにＮ₂ 、
Ｈ₂ 、Ｏ₂ 、Ｈ₂ Ｏ、Ａｒ等のガスを混合したものが挙
げられる。ａ−Ｃ：Ｈ膜あるいはＤＬＣ膜は、膜中に水
素を数十ａｔｏｍ％含有しており、この水素含有量によ
って膜の性質は大きく異なる。例えば、水素を５０ａｔ
ｏｍ％以上含むａ−Ｃ：Ｈ膜は、光学バンドギャップが
大きく透明で電気抵抗が高いものの、膜硬度が低く熱伝
導率の高いポリマーライクな膜である。一方、水素を１
０〜４０ａｔｏｍ％含むａ−Ｃ：Ｈ膜は、ビッカース硬
度で２０００〜５０００ｋｇ／ｍｍ² と非常に硬く、電
気抵抗が１０⁸ Ωｃｍ以上、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・
Ｋ以上、摩擦係数が０．２以下の高熱伝導率と高絶縁
性、高硬度を兼ね備えた膜である。これらの性質は、膜
中に４０〜７０％存在するｓｐ³ 結合に由来しているも
のと考えられる。したがって、本発明の保護膜として用
いられるのは、水素含有量が１０〜４０ａｔｏｍ％であ
るａ−Ｃ：Ｈ膜やＤＬＣ膜である。そして、ａ−Ｃ：Ｈ
膜とＤＬＣ膜を明確に区別することは難しい。いずれの
膜も巨視的にはアモルファスで、膜中に水素を含有し、
ｓｐ² 結合とｓｐ³ 結合炭素からなり、その物理的性質
も前述の通り類似している。本発明で言うＤＬＣ膜は、
微視的に見たときダイヤモンドの結晶構造、例えば電子
線回折によりダイヤモンドと特定される回折パターンを
有しているものである。

【００１６】前述のＡｌ₂ Ｏ₃ 、ＡｌＮ、ＳｉＣ等のセ
ラミックス基板即ち絶縁性基板にヒーターとなる発熱抵
抗体をスパッタリング法等のＰＶＤ法により形成し、抵
抗値を測定して所望の抵抗値となるよう必要によりトリ
ミングを行う。同様に、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕをスパッタリ
ング法により電極端子を形成する。次に、ケイ酸鉛系の
低軟化点ガラス等からなる絶縁保護層を発熱抵抗体と電
極端子上にスクリーン印刷により形成した後、焼成す
る。この絶縁保護層の上にａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ
膜からなる保護層を形成してヒーターを製作する。ａ−
Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜の厚さは、ヒーター使用条件
において定着時の押圧力からヒーターを保護できる機械
的強度と摩擦係数を保証することのできる厚さで、数ｎ
ｍ〜数１０μｍの範囲であれば良い。好ましくは、数１
０ｎｍ〜数μｍが好適である。なお、発熱抵抗体、電極
端子の形成方法は、スパッタリング法、真空蒸着法、イ
オンプレーティング法等のＰＶＤ法に限定されるもので
はなく、ＣＶＤ法やメッキ、スクリーン印刷等の方法を
用いても良い。この後、電極端子に電極タブをロウ付け
等により取り付け、電極タブにワイヤーを圧接しヒータ
ーをヒーターホルダーに接着して、ヒーターを完成す
る。

【００１７】本発明は、ヒーターの保護層として気相合
成法で形成したａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜を用いる
ことにより、ヒーター保護層の耐摩耗性と摺動性を向上
させることにより、従来より長寿命のヒーターを実現す
るものである。

【００１８】前記第２の目的を達成するために、第２の
解決手段として、本発明は、ヒーターを形成するセラミ
ックス基板に、予め発熱抵抗体層を形成する溝を加工
し、発熱抵抗体層がセラミックス基板の表面から突出し
ないように形成した後、この上に絶縁保護層として気相
合成法で形成した電気絶縁性が高く、高熱伝導率、高硬
度、低摩擦係数である前記と同様のａ−Ｃ：Ｈ膜もしく
はＤＬＣ膜を形成することにより、上述の問題を解決し
たものである。

【００１９】前述のＡｌ₂ Ｏ₃ 、ＡｌＮ、ＳｉＣ等のセ
ラミックス基板にヒーターとなる発熱抵抗体を形成する
ための溝を機械的に加工する。具体的には、３５０ｍｍ
×３５０ｍｍのセラミックス基板に剥離可能なフィルム
あるいはレジストを全面に形成する。次に、発熱抵抗体
層に相当する、例えば２ｍｍ×３５０ｍｍ×１０μｍの
溝を所定の位置に加工する。この溝にスパッタリング法
等のＰＶＤ法により発熱抵抗層を形成し、抵抗値を測定
して所望の抵抗値となるよう必要によりトリミングを行
う。この時、発熱抵抗体層がセラミックス基板の表面よ
り２μｍよりも多く突出しないようにする。２μｍより
多く突出した場合には、ａ−Ｃ：Ｈ膜あるいはＤＬＣ膜
により十分なステップカバレージを得るためにはこれら
の膜厚が厚くなり、剥離を発生するという問題が生じ
る。セラミックス基板に形成したフィルムもしくはレジ
ストを除去した後、同様に、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕをスパッ
タリング法により電極端子を形成する。次に、ａ−Ｃ：
Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜からなる保護層を発熱抵抗体上に
形成してヒーター基板を製作する。ａ−Ｃ：Ｈ膜もしく
はＤＬＣ膜の厚さは、ヒーター使用条件において十分な
絶縁耐圧と定着時の押圧力からヒーターを保護できる機
械的強度と密着強度を保証することのできる厚さで、数
１０ｎｍ〜数１０μｍの範囲であれば良い。好ましく
は、数１００ｎｍ〜数μｍが好適である。なお、発熱抵
抗体、電極端子の形成方法は、スパッタリング法、真空
蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法に限定さ
れるものではなく、ＣＶＤ法やメッキ、スクリーン印刷
等の方法を用いても良い。この後、所定の大きさに切断
した個々のヒーターの電極端子に電極タブをロウ付け等
により取り付け、電極タブにワイヤーを圧接しヒーター
をヒーターホルダーに接着して、本発明のヒーターを完
成する。なお、ヒーターホルダーのフィルム接触部にａ
−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜を同様に形成することによ
り、ヒーターとフィルムと接触摺動特性を更に改善する
ことができる。

【００２０】本発明は、ヒーターの保護層として気相合
成法で形成したａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜を用い、
ヒーターとフィルム間の耐摩耗性と摺動性を改善するこ
とにより長寿命のヒーターを実現するものである。

【００２１】また前記第３の目的を達成するために、第
３の解決手段として、加熱定着装置において、本発明
は、ヒーター面と接触摺動するフィルム面のいずれかに
高硬度、低摩擦係数の水素化アモルファス炭素膜即ちａ
−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜を気相合成法で形成するこ
とにより、上述の問題を解決したものである。

【００２２】ポリイミド等のエンドレスベルト状、ある
いは長尺ウェブ状の耐熱性フィルムのヒーターと接触す
る面にａ−Ｃ：Ｈ膜あるいはＤＬＣ膜を前述の形成方法
により形成する。ａ−Ｃ：Ｈ膜、ＤＬＣ膜の厚さは、数
ｎｍ〜数１００ｎｍの範囲が好適である。これは、膜厚
が数ｎｍより薄いときには、十分な潤滑性能が得られ
ず、数１００ｎｍよりも厚い時には膜応力により膜がフ
ィルムから剥離したり、フィルムがカールしてしまうた
めである。なお、前述の好適な膜厚範囲で膜を形成した
場合でも、フィルムがカールすることがある。この様な
場合には、フィルムの両面にａ−Ｃ：Ｈ膜あるいはＤＬ
Ｃ膜を形成すれば良い。更に、フィルムと接触するヒー
ター側の絶縁保護層やヒーターホルダー部にもａ−Ｃ：
Ｈ膜、ＤＬＣ膜を形成することにより、ヒーター、フィ
ルム間の接触摺動特性をより向上させることができる。

【００２３】本発明は、ヒーターと接触摺動するフィル
ム面に、気相合成法によりａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ
膜を潤滑保護層として形成することにより、ヒーターと
フィルム間の耐摩耗性と摺動性を改善し、長寿命のヒー
ターを実現するものである。

【００２４】

【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の具体的実
施例を説明する。

【００２５】＜実施例１＞図４は、本発明の実施例のヒ
ーターを用いた加熱定着装置の部分拡大断面図である。
ヒーター１は、断熱性のヒーターホルダー８を介してヒ
ーター支持部９に固定支持されている。１０は、例えば
厚さ４０μｍ程度のポリイミド等のエンドレスベルト
状、あるいは長尺ウェブ状の耐熱性フィルム、１１はこ
のフィルムをヒーター１に対して押圧する加圧部材とし
ての回転加圧ローラーである。フィルム１０は、不図示
の駆動部材により或は加圧ローラー１１の回転力によ
り、所定の速度で矢印の方向にヒーター１面に密着した
状態でヒーター１面を摺動しながら回転或は走行移動す
る。ヒーター１の通電発熱抵抗体３に対する通電により
ヒーター１を所定温度に昇温させ、またフィルム１０を
移動駆動させた状態である定着ニップ部１５に被加熱材
として記録材１６を未定着トナー画像面をフィルム１０
面側にして導入することで、記録材１６がフィルム１０
面に密着してフィルム１０と共に定着ニップ部１５を移
動通過し、その移動通過過程でヒーター１からフィルム
１０を介して記録材１６に熱エネルギーが付与されて記
録材１６上の未定着トナー画像１７が加熱溶融定着され
る。

【００２６】図５は、第１実施例を示す断面模式図であ
る。図中１はヒーター、２はセラミックス基板、３はＡ
ｇ／Ｐｄからなる発熱抵抗体、４，５はＣｕからなる電
極端子部、６はガラス質からなる絶縁保護層、１８はＤ
ＬＣ膜からなる保護層、８はヒーターホルダー、１２は
電極タブ、１３はＡｕＳｉからなるロウ材、１４はワイ
ヤーである。

【００２７】本実施例において、まずＡｌ₂ Ｏ₃ の絶縁
性基板上にＡｇ／Ｐｄからなるペーストを所定の位置に
発熱抵抗体３となるようにスクリーン印刷により塗工
し、大気焼成した。抵抗値を測定した後、所望の抵抗値
となるようトリミングした。次に、Ｃｕペーストをスク
リーン印刷により塗工し、電極端子部４を酸素分圧に注
意しながら焼成、形成した（図５の（ａ））。次に、絶
縁性保護膜となるガラス質層６をケイ酸鉛系の低軟化点
ガラスをスクリーン印刷によって塗工し、大気焼成して
形成した（図５の（ｂ））。この後、ＤＬＣ膜６をＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ法により２００ｎｍ形成した（図５の
（ｃ））。図６にＤＬＣ膜の形成に用いたＥＣＲプラズ
マＣＶＤ装置の模式図を示す。図中２０は空洞共振器タ
イプのプラズマ室、２１はガス導入系、２２はマイクロ
波導入窓、２３はマイクロ波導波管、２４は電磁石、２
５はマイクロ波発振器、２６は基板及び基板ホルダー、
２７は真空槽、２８は排気系である。電極形成を終えた
基板を基板ホルダーに設置し、真空槽を１×１０^-7Ｔｏ
ｒｒまで排気した。次に、ガス導入系よりＣ₆ Ｈ₆ ：３
１ｓｃｃｍ、Ｈ₂ ：１４ｓｃｃｍを導入し、ガス圧を
３．３×１０^-4Ｔｏｒｒとした後、２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波を１．２ｋＷ投入してプラズマ室内にプラズマ
を生成した。このとき、電磁石により導入窓で１６００
Ｇａｕｓｓ、空洞共振器出口で８７５ＧａｕｓｓのＥＣ
Ｒ条件とし、基板位置で７００Ｇａｕｓｓとなるよう外
部磁場を形成した。更に、不図示のＤＣ電源により基板
に−５００Ｖの電圧を印加して、ＤＬＣ膜を形成した。
このＤＬＣ膜の硬度を薄膜硬度計で測定した結果、ビッ
カース硬度換算で３０００ｋｇ／ｍｍ² であった。ま
た、ピン・オン・ディスク法により摩擦特性を評価し
た。測定は、ピンとして軸受け鋼（ＳＵＪ２）の球（直
径５ｍｍ）を用い、加重２．２Ｎ、摺動速度０．０４ｍ
／ｓで相対湿度４５％の大気中で行った結果、摩擦係数
は０．０８〜０．０９であった。

【００２８】次に、ＡｕＳｉからなるロウ材１３を用い
て銅合金からなる電極タブ１２と、セラミックス基板２
とをロウ付けした（図５の（ｃ））。引き続き、電極タ
ブ１２にワイヤー１４を圧接し（図５の（ｄ））、ヒー
ター１をヒーターホルダー８に接着した（図５の
（ｅ））。なお、ヒーター１の製作時に電極端子部４の
表面にＡｕをフラッシュメッキすることにより、ロウ付
け時のロウ材の濡れ性を向上させ、安定した接続信頼性
を得ることができる。電極タブ材料としては、銅合金の
ほかにコバール、４２アロイ、リン青銅等の金属が使用
できる。ロウ材は、融点２５０℃以上のものが好まし
く、ＡｕＳｉのほかにＡｕＧｅ、ＡｕＳｕ等を用いるこ
とができる。また、Ｃｕ電極端子部の表面にロウ付けま
での表面酸化防止や汚染を防ぐ目的から、Ａｕ、Ｎｉ、
Ａｕ／Ｎｉをフラッシュメッキ等で形成することによ
り、より安定したロウ付けが実現できる。この時、Ｎｉ
層を形成する目的は、ロウ材中にＣｕが過度に拡散する
ことを防ぐためである。

【００２９】以上のようにして得られたヒーター１は、
通電により発生する熱を効率的に記録材側に供給するこ
とが可能となり、ヒーター構成部材の熱的、電気的劣化
を生じることなく安定したヒーター性能を実現すること
ができた。特に、ヒーター保護層の耐摩耗性と摺動性が
向上した結果、従来より２倍以上の寿命（耐久性）を実
現した。

【００３０】＜実施例２＞実施例１と同様にして、セラ
ミックス基板上に発熱抵抗体３としてＡｕを１０μｍ、
スパッタリング法により形成した。発熱抵抗体の抵抗値
を測定し、所望の抵抗値となるようトリミングした。引
き続き、Ｃｕをスパッタリングして電極端子部４、を形
成した。この後、ガラス質からなる絶縁性保護層６を形
成し、更にその上にａ−Ｃ：Ｈ膜１８を形成した。図７
は、ａ−Ｃ：Ｈ膜を形成したイオンビーム蒸着（ＩＢ
Ｄ）装置の模式図である。図中３０は真空槽、３１はイ
オンビーム源、３２はイオン化室、３３はガス導入系、
３４はイオンビーム引き出し電極、３５は基体、３６は
基体ホルダー、３７は排気系である。電極形成を終えた
基板を基板ホルダーに設置し、真空槽を１×１０^-7Ｔｏ
ｒｒまで排気した。次にガス導入系よりＣＨ₄ ：１６ｓ
ｃｃｍ、Ｈ₂ ：３１ｓｃｃｍを導入し、ガス圧を３．２
×１０^-4Ｔｏｒｒとしてプラズマ室内にプラズマを生成
した。引き出し電極に１ｋＶの電圧を印加して、イオン
ビームを引き出し基板に照射して膜厚１μｍのａ−Ｃ：
Ｈ膜をガラス質の絶縁保護層上の所定の位置に形成し
た。このとき同様にして作成したａ−Ｃ：Ｈ膜の水素含
有率をＨＦＳ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｆｏｒｗａｒｄｓｃ
ａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で分析
した結果、膜中の水素濃度は３０ａｔｏｍ％であった。
また、実施例１と同様にして膜硬度と摩擦係数を評価し
た結果、それぞれ２５００ｋｇ／ｍｍ² 、０．０７であ
った。引き続き、実施例１と同様にして電極端子部に、
電極タブ、ワイヤーを接続した後、ヒーターホルダー部
に接着してヒーターを完成した。

【００３１】このヒーターを用い、実施例１と同様に記
録材の熱定着を行った結果、実施例１と同様の安定した
定着を実現することができた。

【００３２】上記各実施例において、絶縁性保護層６を
省略してａ−Ｃ：Ｈ膜もしくはＤＬＣ膜を抵抗体３の上
に形成してもよい。

【００３３】次に、本発明の第２の解決手段の具体的実
施例を説明する。

【００３４】＜実施例３＞図８は、本発明の実施例のヒ
ーターを用いた加熱定着装置の部分拡大断面図である。
ヒーター５１は、断熱性のヒーターホルダー５８を介し
てヒーター支持部５９に固定支持されている。６０は、
例えば厚さ４０μｍ程度のポリイミド等のエンドレスベ
ルト状、あるいは長尺ウェブ状の耐熱性フィルム、６１
はこのフィルムをヒーター５１に対して押圧する加圧部
材としての回転加圧ローラーである。フィルム６０は不
図示の駆動部材により或は加圧ローラー６１の回転力に
より、所定の速度で矢印の方向にヒーターホルダー５８
のエッジ部に接触しながら、ヒーター５１面に密着した
状態でヒーター５１面を摺動しながら回転或は走行移動
する。ヒーター５１の通電発熱抵抗体５３に対する通電
によりヒーター５１を所定温度に昇温させ、またフィル
ム６０を移動駆動させた状態である定着ニップ部６５に
被加熱材として記録材６６が未定着トナー画像面をフィ
ルム６０面側にして導入することで、記録材６６がフィ
ルム６０面に密着してフィルム６０と共に定着部ニップ
６５を移動通過し、その移動通過過程でヒーター５１か
らフィルム６０を介して記録材６６に熱エネルギーが付
与されて記録材６６上の未定着トナー画像６７が加熱溶
融定着される。

【００３５】図９は、第３実施例を示す断面模式図であ
る。図中５１はヒーター、５２はセラミックス基板、５
３はＡｇ／Ｐｄからなる発熱抵抗体、５４，５５はＣｕ
からなる電極端子部、５６はＤＬＣ膜からなる保護層、
５８はヒーターホルダー、６２は電極タブ、６３はＡｕ
Ｓｉからなるロウ材、６４はワイヤーである。

【００３６】本実施例において、まずＡｌ₂ Ｏ₃ 基板に
発熱抵抗体層を形成する溝Ｇを機械的に加工した。溝Ｇ
の形状は、３５０ｍｍ×２ｍｍ×１０μｍとした。この
溝にＡｇ／Ｐｄからなるペーストを発熱抵抗体５３とな
るようにスクリーン印刷により塗工し、大気焼成した。
抵抗値を測定した後、所望の抵抗値となるようトリミン
グした。この時、発熱抵抗体層の表面は、セラミックス
基板の表面と同一であった。次に、Ｃｕペーストをスク
リーン印刷により塗工し、電極端子部５４、５５を酸素
分圧に注意しながら焼成、形成した（図９の（ａ））。
この後、絶縁性保護膜となるＤＬＣ膜５６を形成した
（図９の（ｂ））。ＤＬＣ膜は前記図６に示す装置で形
成される。

【００３７】次に、ＡｕＳｉからなるロウ材６３を用い
て銅合金からなる電極タブ６２と、セラミックス基板５
２とをロウ付けした（図９の（ｃ））。引き続き、電極
タブ６２にワイヤー６４を圧接し（図９の（ｄ））、ヒ
ーター５１をヒーターホルダー５８に接着した（図９の
（ｅ））。なお、ヒーター５１の製作時に電極端子部５
４の表面にＡｕをフラッシュメッキすることにより、ロ
ウ付け時のロウ材の濡れ性を向上させ、安定した接続信
頼性を得ることができた。電極タブ材料としては銅合金
のほかにコバール、４２アロイ、リン青銅等の金属が使
用できる。ロウ材は、融点２５０℃以上のものが好まし
く、ＡｕＳｉのほかにＡｕＧｅ、ＡｕＳｕ等を用いるこ
とができる。また、Ｃｕ電極端子部の表面にロウ付けま
での表面酸化防止や汚染を防ぐ目的からＡｕ、Ｎｉ、Ａ
ｕ／Ｎｉをフラッシュメッキ等で形成することにより、
より安定したロウ付けが実現できた。この時、Ｎｉ層を
形成する目的は、ロウ材中にＣｕが過度に拡散すること
を防ぐためである。

【００３８】以上のようにして得られたヒーター５１
は、通電により発生する熱を効率的に記録材側に供給す
ることが可能となり、ヒーター構成部材の熱的劣化を生
じることなく安定したヒーター性能を実現することがで
きた。特に、ヒーターとフィルム間の摩擦、摺動に対し
てもフィルムの摩耗粉の発生がなく、安定した摺動性能
を保持することができた。

【００３９】＜実施例４＞図１０は、本発明の実施例の
ヒーターを用いた加熱定着装置の部分拡大断面図であ
る。各部の構造は図８と同様である。

【００４０】実施例３と同様にして、セラミックス基板
に発熱抵抗体層を形成するための溝を機械的に加工し
た。この溝に発熱抵抗体層５３としてＡｕを１０μｍ、
Ｗを５０ｎｍ、順次スパッタ法により形成した。この
時、発熱抵抗体を形成する溝の形状は実施例３と同様に
した。ＷはＡｕとＣの相互拡散を防止する目的で形成し
た。発熱抵抗体の抵抗値を測定し、所望の抵抗値となる
ようトリミングした。引き続き、Ｃｕをスパッタリング
して電極端子部５４を形成した。この後、絶縁性保護膜
となるａ−Ｃ：Ｈ膜５６を形成した。

【００４１】ａ−Ｃ：Ｈ膜５６は、前記図７に示す装置
により形成する。即ち、電極形成を終えた基板を基板ホ
ルダーに設置し、真空槽を１×１０^-7Ｔｏｒｒまで排気
した。次にガス導入系よりＣＨ₄ ：１２ｓｃｃｍ、Ｈ
₂ ：２５ｓｃｃｍを導入し、ガス圧を２．８×１０^-4Ｔ
ｏｒｒとしてプラズマ室内にプラズマを生成した。引き
出し電極に０．７５ｋＶの電圧を印加して、イオンビー
ムを引き出し基板に照射して膜厚４００ｎｍのａ−Ｃ：
Ｈ膜を発熱抵抗体上の所定の位置に形成した。このとき
同様にして作成したａ−Ｃ：Ｈ膜の水素含有率をＨＦＳ
（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｆｏｗａｒｄｓｃａｔｔｅｒｉｎ
ｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で分析した結果、膜中
の水素濃度は２７ａｔｏｍ％であった。また、実施例１
と同様にして膜硬度と摩擦係数を評価した結果、それぞ
れ２５００ｋｇ／ｍｍ² 、０．０７であった。引き続
き、実施例１と同様にして電極端子部に、電極タブ、ワ
イヤーを接続した後、ヒーターホルダー部に接着してヒ
ーターを完成した。

【００４２】このヒーターを用い、実施例３と同様に記
録材の熱定着を行った結果、実施例１と同様の安定した
定着と耐久性が得られた。

【００４３】＜実施例５＞図１１は、本発明の実施例の
ヒーターを用いた加熱定着装置の部分拡大断面図であ
る。各部の構造は図８と同様である。

【００４４】実施例３と同様にして発熱抵抗層を約１０
μｍ形成した。この時、発熱抵抗層を形成する溝の深さ
を１２μｍとした。次に、実施例３と同様にして電極端
子部５４を形成した後、発熱抵抗体を形成した溝にケイ
酸鉛系の低軟化点ガラスをスクリーン印刷により塗工
し、大気焼成して約２μｍの絶縁保護層５６’を形成し
た。この後、実施例３と同様の成膜方法、成膜条件によ
りＤＬＣ膜を２００ｎｍ、ヒーター側全面に形成した。
引き続き、実施例３と同様にして電極端子部に、電極タ
ブ、ワイヤーを接続した後、実施例４と同様にフィルム
との摺動部分にＤＬＣ膜を６０ｎｍ形成したヒーターホ
ルダーに接着してヒーターを完成した。

【００４５】このヒーターを用い、実施例３と同様に記
録材の熱定着を行った結果、実施例３と同様の安定した
定着と耐久性が得られた。

【００４６】＜実施例６＞図１２は、本発明の実施例の
ヒーターを用いた加熱定着装置の部分拡大断面図であ
る。ヒーター１０１は、断熱性のヒーターホルダー１０
８を介してヒーター支持部１０９に固定支持されてい
る。１１０は、例えば厚さ４０μｍ程度のポリイミド等
のエンドレスベルト状、あるいは長尺ウェブ状の耐熱性
フィルム、１１１はこのフィルムをヒーター１０１に対
して押圧する加圧部材としての回転加圧ローラーであ
る。フィルム１１０は、不図示の駆動部材により或は加
圧ローラー１１１の回転力により、所定の速度で矢印の
方向にヒーターホルダー１０８のエッジ部に接触しなが
ら、ヒーター１０１面に密着した状態でヒーター１０１
面を摺動しながら回転或は走行移動する。ヒーター１０
１の通電発熱抵抗体１０３に対する通電によりヒーター
１０１を所定温度に昇温させ、またフィルム１１０を移
動駆動させた状態である定着ニップ部１１５に被加熱材
として記録材１１６を未定着トナー画像面をフィルム１
１０面側にして導入することで、記録材１１６がフィル
ム１１０面に密着してフィルム１１０と共に定着ニップ
部１１５を移動通過し、その移動通過過程でヒーター１
０１からフィルム１１０を介して記録材１１６に熱エネ
ルギーが付与されて記録材１１６上の未定着トナー画像
１１７が加熱溶融定着される。

【００４７】図１３は、第６実施例を示すヒーター部の
断面模式図である。図中１０１はヒーター、１０２はセ
ラミックス等の絶縁性基板、１０３はＡｇ／Ｐｄからな
る発熱抵抗体、１０４はＣｕからなる電極端子部、１０
６はガラス質の絶縁保護層、１０８はヒーターホルダ
ー、１１２は電極タブ、１１３はＡｕＳｉからなるロウ
材、１１４はワイヤーである。

【００４８】本実施例におけるヒーターは、まずＡｌ₂
Ｏ₃ 基板上にＡｇ／Ｐｄからなるペーストを発熱抵抗体
１０３となるようにスクリーン印刷により塗工し、大気
焼成した。抵抗値を測定した後、所望の抵抗値となるよ
うトリミングした。次に、Ｃｕペーストをスクリーン印
刷により塗工し、電極端子部１０４を酸素分圧に注意し
ながら焼成、形成した。この後、絶縁性保護膜としてケ
イ酸鉛系の低軟化点ガラスをスクリーン印刷により塗工
し、大気焼成して形成した。

【００４９】次に、ＡｕＳｉからなるロウ材１１３を用
いて銅合金からなる電極タブ１１２と、セラミックス基
板１０２とをロウ付けした。引き続き、電極タブ１１２
にワイヤー１１４を圧接しヒーター１０１をヒーターホ
ルダー１０８に接着した。なお、ヒーター１０１の製作
時に電極端子部１０４の表面にＡｕをフラッシュメッキ
することにより、ロウ付け時のロウ材の濡れ性を向上さ
せ、安定した接続信頼性を得ることができた。電極タブ
材料としては、銅合金のほかにコバール、４２アロイ、
リン青銅等の金属が使用できる。ロウ材は、融点２５０
℃以上のものが好ましく、ＡｕＳｉのほかにＡｕＧｅ、
ＡｕＳｕ等を用いることができる。また、Ｃｕ電極端子
部の表面にロウ付けまでの表面酸化防止や汚染を防ぐ目
的から、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｕ／Ｎｉをフラッシュメッキ等
で形成することにより、より安定したロウ付けが実現で
きた。この時、Ｎｉ層を形成する目的は、ロウ材中にＣ
ｕが過度に拡散することを防ぐためである。

【００５０】図１４は、ポリイミド製のフィルム１１０
にＤＬＣ膜１１８を形成するために用いたＥＣＲプラズ
マＣＶＤ装置の模式図である。図中１２０は空洞共振器
タイプのプラズマ室、１２１はガス導入系、１２２はマ
イクロ波導入窓、１２３はマイクロ波導波管、１２４は
電磁石、１２５はマイクロ波発信器、１２６はフィルム
とフィルムを一定の張力、速度で送り出すと同時に巻き
取る機構、１２７は真空槽、１２８は排気系、１２９は
成膜領域を限定するカバーである。真空槽を１×１０^-7
Ｔｏｒｒまで排気した後、ガス導入系よりＣ₆ Ｈ₆ ：４
０ｓｃｃｍ、Ｈ₂ ：２５ｓｃｃｍを導入し、ガス圧を
４．０×１０^-4Ｔｏｒｒとした後、２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波を１．０ｋＷ投入してプラズマ室内にプラズマ
を生成した。このとき、電磁石により導入窓で１２００
Ｇａｕｓｓ、空洞共振器出口で８７５ＧａｕｓｓのＥＣ
Ｒ条件とし、基板位置で７００Ｇａｕｓｓとなるよう外
部磁場を形成した。更に、不図示のＤＣ電源により基板
に−５００Ｖの電圧を印加して、図１２中１１８のＤＬ
Ｃ膜を７０ｎｍ形成した。ＤＬＣ膜の硬度を薄膜硬度計
で測定した結果、ビッカース硬度換算で２５００ｋｇ／
ｍｍ² であった。また、ピン・オン・ディスク法により
摩擦特性を評価した。測定は相対湿度５０％の空気中で
行い、ピンとして軸受け鋼（ＳＵＪ２）の球（直径５ｍ
ｍ）を用い、加重２．２Ｎ、摺動速度０．０４ｍ／ｓで
行った結果、摩擦係数は０．１０であった。この時、フ
ィルムの移動速度は１ｍ／ｍｉｎ．、成膜速度は０．５
ｎｍ／ｓｅｃ．とした。

【００５１】以上のようにして得られた加熱定着装置
は、ヒーターとフィルム間の摩擦、摺動に対してもフィ
ルムの摩耗粉の発生がなく、安定した摺動性能を長期間
保持することができた。

【００５２】＜実施例７＞実施例６と同様にして、フィ
ルムに潤滑保護膜としてａ−Ｃ：Ｈ膜を形成した。図１
５はａ−Ｃ：Ｈ膜を形成したイオンビーム蒸着（ＩＢ
Ｄ）装置の模式図である。図中１３０は真空槽、１３１
はイオンビーム源、１３２はイオン化室、１３３はガス
導入系、１３４はイオンビーム引き出し電極、１３５は
基体、１３６はフィルムとフィルムを一定の張力、速度
で送り出すと同時に巻き取る機構、１３７は排気系、１
３８は成膜領域を限定するカバーである。なおイオン源
１３１はフィルムの両面に対向する位置に各一基、設け
られている。真空槽を１×１０^-7Ｔｏｒｒまで排気した
後、ガス導入系よりＣＨ₄ ：１２ｓｃｃｍ、Ｈ₂ ：２５
ｓｃｃｍｍを導入し、ガス圧を２．５×１０^-4Ｔｏｒｒ
としてプラズマを室内にプラズマを生成した。引き出し
電極に０．８ｋＶの電圧を印加して、イオンビームを引
き出しフィルムの両面に照射して膜厚６０ｎｍのａ−
Ｃ：Ｈ膜を形成した。なお、ａ−Ｃ：Ｈ膜中の水素含有
率をＨＦＳで分析した結果、膜中の水素濃度は２７ａｔ
ｏｍ％であった。また、実施例１と同様にして膜硬度と
摩擦係数を評価した結果、それぞれ３０００ｋｇ／ｍｍ
² 、０．１２であった。

【００５３】以上のようにして得られたフィルムを装着
した加熱定着装置を用い、実施例１と同様に記録材の熱
定着を行った結果、実施例６と同様の安定した定着と耐
久性が得られた。

【００５４】＜実施例８＞図１６は、本発明の実施例の
ヒーターを用いた加熱定着装置の部分拡大断面図であ
る。図中１１９はＤＬＣ膜で、その他の各部の構造は図
１２と同様である。実施例６と同様にしてポリイミド・
フィルム上にＤＬＣ膜を６５ｎｍ形成した。一方、実施
例６におけるヒーターの発熱抵抗層上に形成した絶縁保
護層１０６とヒーターが固定されるヒーターホルダー上
でフィルムと接触する部分に、ＤＬＣ膜を２００ｎｍ形
成した。

【００５５】以上のようにして得られたフィルムとヒー
ターからなる加熱定着装置を用い、実施例６と同様に記
録材の熱定着を行った結果、実施例６と同様の安定した
定着と耐久性が得られた。

【００５６】またその他の実施例として、ａ−Ｃ：Ｈ膜
又はＤＬＣ膜を、ヒーター又はヒーターホルダー側のみ
に設けることができる。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１の手
段は、熱定着による画像形成装置で使用される熱定着用
ヒーターにおいて、発熱抵抗体上に形成されたガラス質
の絶縁保護層上に、気相合成法によりａ−Ｃ：Ｈ膜もし
くはＤＬＣ膜を形成し、保護層としての耐摩耗性、摺動
性を向上させることにより、極めて信頼性、耐久性に優
れたヒーターを供給することが可能となった。この結
果、定着スピードの高速化、定着サイズの大型化が可能
となり、ランニング・コストの低減も実現できる。ま
た、本発明の第２の手段は、熱定着による画像形成装置
で使用される熱定着用ヒーターにおいて、ヒーターを形
成するセラミックス基板に、予め発熱抵抗体層を形成す
るための溝を加工し、発熱抵抗体層がセラミックス基板
の表面から突出しないように形成した後、この上に電気
絶縁性が高く、高硬度、低摩擦係数であるａ−Ｃ：Ｈ膜
もしくはＤＬＣ膜を絶縁性保護膜として形成するもので
ある。本発明のヒーターによれば、ヒーターとフィルム
間で生じる接触摺動に対して、フィルムの摩耗を生じる
ことなく、安定した摺動特性を保持する極めて信頼性、
耐久性に優れたヒーターを提供することができる。この
結果、定着スピードの高速化、定着サービスの大型化が
可能となり、ランニング・コストの低減も実現できる。

【００５８】また、本発明の第３の手段は、熱定着によ
る画像形成装置で使用される熱定着用ヒーターにおい
て、ヒーターと接触摺動するフィルム面、ヒーターホル
ダー面等に高硬度、低摩擦系数であるａ−Ｃ：Ｈ膜もし
くはＤＬＣ膜を潤滑性保護膜として形成するものであ
る。

【００５９】本発明のヒーターによれば、ヒーターとフ
ィルム間で生じる接触摺動に対して、フィルムの摩耗を
生じることなく、安定した摺動特性を保持する極めて信
頼性、耐久性に優れたヒーターを提供することができ
る。この結果、定着スピードの高速化、定着サイズの大
型化が可能となり、ランニング・コストの低減も実現で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るヒーターの表面側の平面図

【図２】本発明に係るヒーターの背面側の平面図

【図３】本発明に係るヒーターの断面図

【図４】本発明の実施例におけるヒーターを用いた定着
装置の断面図

【図５】本発明の第１実施例におけるヒーターの部分断
面図

【図６】本発明の実施例でＤＬＣ膜形成に用いたＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置の模式図

【図７】本発明の第２実施例でａ−Ｃ：Ｈ膜形成に用い
たイオンビーム蒸着装置の模式図

【図８】本発明の第３実施例におけるヒーターを用いた
定着装置の断面図

【図９】本発明の第３実施例におけるヒーターの部分断
面図

【図１０】本発明の第４実施例におけるヒーターを用い
た定着装置の断面図

【図１１】本発明の第５実施例におけるヒーターを用い
た定着装置の断面図

【図１２】本発明の第６実施例におけるヒーターを用い
た定着装置の断面図

【図１３】本発明の第６実施例におけるヒーターの部分
断面図である。

【図１４】本発明の第６実施例でＤＬＣ膜形成に用いた
ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の模式図である。

【図１５】本発明の第８実施例にａ−Ｃ：Ｈ膜形成に用
いたイオンビーム蒸着装置の模式図である。

【図１６】本発明の第９実施例におけるヒーターを用い
た定着装置の断面図である。

【符号の説明】

１，５１，１０１：ヒーター ２，５２，１０
２：セラミックス基板 ３，５３，１０３：発熱抵抗体 ４，５４，１０
４：電極端子部 ５，５６’，１０６：絶縁保護層 １８，５６：ＤＬ
Ｃ膜 ７，５７，１０７：温度測定素子 ８，５８，１０
８：ヒーターホルダー ９，５７，１０９：裏面断熱層 １０，６０，１１
０：耐熱性フィルム １１，６１，１１１：加圧ローラー １２，６２，１１
２：電極タブ １３，６３，１１３：ロウ材 １４，６４，１１
４：ワイヤー １５，６５，１１５：定着ニップ １６，６６，１１
６：記録材 １７，６７，１１７：未定着トナー ２０：プラズマ室 ２１：ガス導入系 ２２：マイクロ波
導入窓 ２３：マイクロ波導波管 ２４：電磁石 ２５：マイクロ波発振器 ２６：基板、基板
ホルダー ２７：真空槽 ２８：排気系 ３０：真空槽 ３１：イオンビー
ム源 ３２：イオン化室 ３３：ガス導入系 ３４：イオンビーム引き出し電極 ３５：基板 ３６：基板ホルダー ３７：排気系 １２０：プラズマ室 １２１：ガス導入
系 １２２：マイクロ波導入窓 １２３：マイクロ
波導波管 １２４：電磁石 １２５：マイクロ
波発振器 １２６：フィルム、送り巻き取り機構 １２７：真空槽 １２８：排気系 １３０：真空槽 １３１：イオンビ
ーム １３２：イオン化室 １３３：ガス導入
系 １３４：イオンビーム引き出し電極 １３５：フィルム １３６：フィルム送り巻き取り機構 １３７：排気系 １２９，１３８：成膜領域を限定するカバー

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基板と、該絶縁性基板に支持され
   通電により発熱する抵抗層と、抵抗層端部に設けられた
   電極端子部を有するヒーターにおいて、前記抵抗層の上
   に水素化アモルファス炭素膜もしくはダイヤモンド状炭
   素膜を形成したことを特徴とするヒーター。
2. 【請求項２】 請求項１のヒーターにおいて、抵抗層と
   水素化アモルファス炭素膜もしくはダイヤモンド状炭素
   膜との間にガラス等の保護層を形成したことを特徴とす
   るヒーター。
3. 【請求項３】 請求項１のヒーターにおいて、抵抗層を
   絶縁性基板に設けられた凹部に形成したことを特徴とす
   るヒーター。
4. 【請求項４】 絶縁性基板と、該絶縁性基板に支持され
   通電により発熱する抵抗層と、抵抗層端部に設けられた
   電極端子部を有するヒーターにおいて、定着フィルムを
   前記ヒーターの表面に接触摺動させ、定着フィルム及び
   ヒーター又はヒーターホルダーの各摺動面のうち少なく
   とも定着フィルムの摺動面に、水素化アモルファス炭素
   膜もしくはダイヤモンド状炭素膜からなる潤滑性保護膜
   を形成したことを特徴とする加熱定着装置。
5. 【請求項５】 絶縁性基板と、該絶縁性基板に支持され
   通電により発熱する抵抗層と、抵抗層端部に設けられた
   電極端子部を有するヒーターの製造方法において、前記
   抵抗層の上に水素化アモルファス炭素膜もしくはダイヤ
   モンド状炭素膜を形成することを特徴とするヒーターの
   製造方法。
6. 【請求項６】 請求項５のヒーターの製造方法におい
   て、抵抗層と水素化アモルファス炭素膜もしくはダイヤ
   モンド状炭素膜との間にガラス等の保護層を形成するこ
   とを特徴とするヒーターの製造方法。
7. 【請求項７】 請求項５のヒーターの製造方法におい
   て、抵抗層を絶縁性基板に設けられた凹部に形成するこ
   とを特徴とするヒーターの製造方法。
8. 【請求項８】 絶縁性基板と、該絶縁性基板に支持され
   通電により発熱する抵抗層と、抵抗層端部に設けられた
   電極端子部を有するヒーターにおいて、定着フィルムを
   前記ヒーターの表面に接触摺動させ、定着フィルム及び
   ヒーター又はヒーターホルダーの各摺動面のうち少なく
   とも定着フィルムの摺動面に、水素化アモルファス炭素
   膜もしくはダイヤモンド状炭素膜からなる潤滑性保護膜
   を形成したことを特徴とする加熱定着装置の製造方法。