JPH06336694A - 陽極酸化方法および装置 - Google Patents
陽極酸化方法および装置Info
- Publication number
- JPH06336694A JPH06336694A JP15439793A JP15439793A JPH06336694A JP H06336694 A JPH06336694 A JP H06336694A JP 15439793 A JP15439793 A JP 15439793A JP 15439793 A JP15439793 A JP 15439793A JP H06336694 A JPH06336694 A JP H06336694A
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- Japan
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- current
- anodic oxidation
- voltage
- power source
- electrolytic solution
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電解液の液面がゆれてもピンホールが発生し
ない陽極酸化方法と装置を提供する。 【構成】 定電流で酸化した後定電圧で酸化し、実電流
の減少に従い電流設定値を減少して酸化することを特徴
とする。
ない陽極酸化方法と装置を提供する。 【構成】 定電流で酸化した後定電圧で酸化し、実電流
の減少に従い電流設定値を減少して酸化することを特徴
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体および液晶パネル
の金属膜に陽極酸化法で絶縁膜を形成する方法および装
置に関する。
の金属膜に陽極酸化法で絶縁膜を形成する方法および装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶パネルの陽極酸化を例にとり説明す
る。液晶パネルでは絶縁性基板としてガラスを金属膜と
してアルミニュームまたはタンタルが使用される。
る。液晶パネルでは絶縁性基板としてガラスを金属膜と
してアルミニュームまたはタンタルが使用される。
【０００３】パターン化した金属膜を有する被酸化基板
を電解液、例えば酒石酸アンモニュームの５％水溶液に
浸漬し、基板を直流電源の陽極に、ステンレススチール
板を陰極に接続してアルミニュームの表面に酸化アルミ
の絶縁膜を形成する。
を電解液、例えば酒石酸アンモニュームの５％水溶液に
浸漬し、基板を直流電源の陽極に、ステンレススチール
板を陰極に接続してアルミニュームの表面に酸化アルミ
の絶縁膜を形成する。
【０００４】図３は陽極酸化の説明図である。酸化槽２
１の電解液２２に被酸化基板２３を浸漬する。被酸化基
板２３の大きさは３００ｍｍ×４００ｍｍ、厚み１．１
ｍｍである。被酸化基板２３には厚み３０００オングス
トロームのアルミ膜パターン２６が形成されており、そ
のパターンに連結したプローブ接続部２５に陽極プロー
ブを接続する。
１の電解液２２に被酸化基板２３を浸漬する。被酸化基
板２３の大きさは３００ｍｍ×４００ｍｍ、厚み１．１
ｍｍである。被酸化基板２３には厚み３０００オングス
トロームのアルミ膜パターン２６が形成されており、そ
のパターンに連結したプローブ接続部２５に陽極プロー
ブを接続する。
【０００５】図４は従来の陽極酸化法の電流と電圧のタ
イムチャートである。２７は定電流の設定値Ｉ１、２８
は最大電圧の設定値Ｖ１であり、２９は実電流、３０は
実電圧の波形である。アルミニュームの場合、通常、Ｉ
１＝１Ａ、Ｖ１＝１００Ｖである。
イムチャートである。２７は定電流の設定値Ｉ１、２８
は最大電圧の設定値Ｖ１であり、２９は実電流、３０は
実電圧の波形である。アルミニュームの場合、通常、Ｉ
１＝１Ａ、Ｖ１＝１００Ｖである。
【０００６】初めは抵抗値が小さいので定電流Ｉ１が流
れる。アルミ膜の表面に酸化アルミの絶縁膜が形成され
るに従い抵抗値が増大し、電圧は直線的に上昇する。こ
の電圧が設定最大電圧Ｖ１に達すると、電圧は一定とな
り電流が減少する。この領域では定電圧で酸化が行われ
る。
れる。アルミ膜の表面に酸化アルミの絶縁膜が形成され
るに従い抵抗値が増大し、電圧は直線的に上昇する。こ
の電圧が設定最大電圧Ｖ１に達すると、電圧は一定とな
り電流が減少する。この領域では定電圧で酸化が行われ
る。
【０００７】以上述べた従来の酸化方法では、酸化膜が
成長し電流が十分小さくなった時点で液面２４がゆれる
と、液面２４の境界で酸化膜のない部分と電解液が接す
るのでそこに設定電流Ｉ１の電流が集中して流れアルミ
膜が溶けてピンホールとなり、最悪の場合断線するとい
う欠陥があった。
成長し電流が十分小さくなった時点で液面２４がゆれる
と、液面２４の境界で酸化膜のない部分と電解液が接す
るのでそこに設定電流Ｉ１の電流が集中して流れアルミ
膜が溶けてピンホールとなり、最悪の場合断線するとい
う欠陥があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、液面
がゆれてもピンホールが発生しない陽極酸化方法と装置
を提供することである。
がゆれてもピンホールが発生しない陽極酸化方法と装置
を提供することである。
【０００９】
【問題を解決するための手段】本発明は定電流で酸化し
た後定電圧で酸化し、実電流の減少に従い電流設定値を
減少して酸化することを特徴とする。
た後定電圧で酸化し、実電流の減少に従い電流設定値を
減少して酸化することを特徴とする。
【００１０】
【実施例】本発明を図面を参照して説明する。図１は本
発明の陽極酸化装置の構成図である。図２は本発明の陽
極酸化装置の電流と電圧のタイムチャートである。
発明の陽極酸化装置の構成図である。図２は本発明の陽
極酸化装置の電流と電圧のタイムチャートである。
【００１１】電流設定回路１で定電流値を設定し、電圧
設定回路２で最大電圧値を設定して制御回路３を介して
直流電源４に定電流値と最大電圧値をセットする。直流
電源４の陽極に抵抗５とプローブ９をつなぎ基板７のア
ルミ膜１０に接続する。
設定回路２で最大電圧値を設定して制御回路３を介して
直流電源４に定電流値と最大電圧値をセットする。直流
電源４の陽極に抵抗５とプローブ９をつなぎ基板７のア
ルミ膜１０に接続する。
【００１２】抵抗５の両端の電圧を測定して基板７と陰
極極板８に流れる実電流を測定する。最大電圧Ｖ１にな
った後は実電流１１より大きい電流１２を制御回路２か
ら直流電源４にフィードバックしてセットする。
極極板８に流れる実電流を測定する。最大電圧Ｖ１にな
った後は実電流１１より大きい電流１２を制御回路２か
ら直流電源４にフィードバックしてセットする。
【００１３】実電流より小さい電流をセットすると、酸
化時間が長くなることおよび自然な電流変化でなくなる
などの欠陥があるため、実電流に等しいかまたは１０〜
２０％程度大きい電流値をセットする。
化時間が長くなることおよび自然な電流変化でなくなる
などの欠陥があるため、実電流に等しいかまたは１０〜
２０％程度大きい電流値をセットする。
【００１４】上記説明ではアルミニュームの酸化につい
て述べたが、全く同様にしてタンタル等他の金属膜の酸
化についても本発明を実現できることは明らかである。
て述べたが、全く同様にしてタンタル等他の金属膜の酸
化についても本発明を実現できることは明らかである。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は次のよう
な効果を奏するものである。電解液の液面がゆれても定
電流の設定値が小さいのでアルミニュームが溶けてピン
ホールになることがなく、液晶パネルの歩留りが上が
る。
な効果を奏するものである。電解液の液面がゆれても定
電流の設定値が小さいのでアルミニュームが溶けてピン
ホールになることがなく、液晶パネルの歩留りが上が
る。
【図１】本発明の陽極酸化装置の構成図である。
【図２】本発明の陽極酸化装置の電流と電圧のタイムチ
ャートである。
ャートである。
【図３】陽極酸化の説明図である。
【図４】従来の陽極酸化法の電流と電圧のタイムチャー
トである。
トである。
１…電流設定回路、２…電圧設定回路、３…制御回路、
４…直流電源、５…抵抗、６…酸化槽、７…基板、８…
陰極極板、９…プローブ、１０…アルミ膜、１１…実電
流、１２…フィードバックされた設定電流、２１…酸化
槽、２２…電解液、２３…被酸化基板、２４…液面、２
５…プローブ接続部、２７…定電流の設定値、２８…最
大電圧の設定値、２９…実電流、３０…実電圧の波形。
４…直流電源、５…抵抗、６…酸化槽、７…基板、８…
陰極極板、９…プローブ、１０…アルミ膜、１１…実電
流、１２…フィードバックされた設定電流、２１…酸化
槽、２２…電解液、２３…被酸化基板、２４…液面、２
５…プローブ接続部、２７…定電流の設定値、２８…最
大電圧の設定値、２９…実電流、３０…実電圧の波形。
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に形成された金属膜を、電
解液に浸漬して陽極酸化する方法において、定電流で酸
化した後定電圧で酸化し、実電流の減少に従い電流設定
値を減少して酸化することを特徴とした陽極酸化方法。 - 【請求項２】 前記電流設定値が実電流より小さくない
ことを特徴とした請求項１記載の陽極酸化方法。 - 【請求項３】 絶縁性基板上に形成された金属膜を、電
解液に浸漬して陽極酸化する装置において、定電流設定
手段と最大電圧設定手段と直流電源と酸化槽と陽極プロ
ーブと陰極板と前記直流電源の実電流測定手段と実電流
に基づく電流を設定する手段とからなることを特徴とし
た陽極酸化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154397A JP2657888B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 陽極酸化方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154397A JP2657888B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 陽極酸化方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06336694A true JPH06336694A (ja) | 1994-12-06 |
| JP2657888B2 JP2657888B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=15583255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5154397A Expired - Lifetime JP2657888B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 陽極酸化方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2657888B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5915172A (en) * | 1996-12-26 | 1999-06-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing LCD and TFT |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5224174A (en) * | 1975-08-20 | 1977-02-23 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | Exfoliating agent |
| JPS6142921A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Nec Corp | 陽極酸化方法およびその装置 |
| JPH04198497A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-17 | Izumi Ind Ltd | アルミニウム又はその合金の表面処理方法 |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP5154397A patent/JP2657888B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5224174A (en) * | 1975-08-20 | 1977-02-23 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | Exfoliating agent |
| JPS6142921A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Nec Corp | 陽極酸化方法およびその装置 |
| JPH04198497A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-17 | Izumi Ind Ltd | アルミニウム又はその合金の表面処理方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5915172A (en) * | 1996-12-26 | 1999-06-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing LCD and TFT |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2657888B2 (ja) | 1997-09-30 |
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