JP3433351B2 - 陽極酸化方法 - Google Patents
陽極酸化方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁性基板の上に形成
されたＡl 系合金からなる金属膜の表面を陽極酸化する
陽極酸化方法に関するものである。
されたＡl 系合金からなる金属膜の表面を陽極酸化する
陽極酸化方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えばＴＦＴアクティブマトリックス液
晶表示素子に用いられるＴＦＴパネルは、ガラス等から
なる絶縁性基板の上にゲート配線とデータ配線とを互い
に直交させて形成するとともに、このゲート配線とデー
タ配線との交差部にそれぞれ薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）を形成し、これら薄膜トランジスタにそれぞれ対応
させて画素電極を配列形成したもので、このＴＦＴパネ
ルとしては、一般に、ゲート配線を基板上に形成し、デ
ータ配線を前記ゲート配線を覆う絶縁膜の上に形成した
ものが知られている。
晶表示素子に用いられるＴＦＴパネルは、ガラス等から
なる絶縁性基板の上にゲート配線とデータ配線とを互い
に直交させて形成するとともに、このゲート配線とデー
タ配線との交差部にそれぞれ薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）を形成し、これら薄膜トランジスタにそれぞれ対応
させて画素電極を配列形成したもので、このＴＦＴパネ
ルとしては、一般に、ゲート配線を基板上に形成し、デ
ータ配線を前記ゲート配線を覆う絶縁膜の上に形成した
ものが知られている。
【０００３】このＴＦＴパネルの薄膜トランジスタは、
上記ゲート配線に一体に形成されたゲート電極と、この
ゲート電極およびゲート配線を覆って基板上のほぼ全面
に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜の上に
前記ゲート電極と対向させて形成されたａ−Ｓi （アモ
ルファスシリコン）からなる半導体膜と、この半導体膜
の上に形成されたソース，ドレイン電極とからなってお
り、そのソース電極は画素電極に接続され、ドレイン電
極はデータ配線につながっている。
上記ゲート配線に一体に形成されたゲート電極と、この
ゲート電極およびゲート配線を覆って基板上のほぼ全面
に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜の上に
前記ゲート電極と対向させて形成されたａ−Ｓi （アモ
ルファスシリコン）からなる半導体膜と、この半導体膜
の上に形成されたソース，ドレイン電極とからなってお
り、そのソース電極は画素電極に接続され、ドレイン電
極はデータ配線につながっている。
【０００４】ところで、上記ＴＦＴパネルのゲート配線
およびデータ配線は、一般に、低抵抗金属であるＡl 系
合金で形成されており、また下層の金属膜であるゲート
配線およびこのゲート配線に一体に形成されたゲート電
極の表面は、ゲート配線の端子部を除いて陽極酸化され
ている。
およびデータ配線は、一般に、低抵抗金属であるＡl 系
合金で形成されており、また下層の金属膜であるゲート
配線およびこのゲート配線に一体に形成されたゲート電
極の表面は、ゲート配線の端子部を除いて陽極酸化され
ている。
【０００５】このように下層金属膜であるゲート配線お
よびゲート電極の表面を陽極酸化しているのは、ゲート
配線とデータ配線との間、およびゲート電極とソース，
ドレイン電極との間の絶縁耐圧を十分高くして層間短絡
の発生を防ぐためであり、前記ゲート配線およびゲート
電極の表面を陽極酸化してその表面に酸化膜を生成させ
ておけば、ゲート配線およびゲート電極と上記データ配
線およびソース，ドレイン電極との間が前記酸化膜とそ
の上の絶縁膜とによって二重に絶縁されるため、十分な
絶縁耐圧を得ることができる。
よびゲート電極の表面を陽極酸化しているのは、ゲート
配線とデータ配線との間、およびゲート電極とソース，
ドレイン電極との間の絶縁耐圧を十分高くして層間短絡
の発生を防ぐためであり、前記ゲート配線およびゲート
電極の表面を陽極酸化してその表面に酸化膜を生成させ
ておけば、ゲート配線およびゲート電極と上記データ配
線およびソース，ドレイン電極との間が前記酸化膜とそ
の上の絶縁膜とによって二重に絶縁されるため、十分な
絶縁耐圧を得ることができる。
【０００６】なお、下層金属膜の陽極酸化は、上記ＴＦ
Ｔパネルに限らず、絶縁性基板上に複数層に配線を形成
した多層配線パネル等にも適用されており、この多層配
線パネル等においても、下層金属膜である下部配線の表
面を陽極酸化して、その上に絶縁膜を介して形成される
上部配線との間の絶縁耐圧を高くしている。
Ｔパネルに限らず、絶縁性基板上に複数層に配線を形成
した多層配線パネル等にも適用されており、この多層配
線パネル等においても、下層金属膜である下部配線の表
面を陽極酸化して、その上に絶縁膜を介して形成される
上部配線との間の絶縁耐圧を高くしている。
【０００７】上記ＴＦＴパネルや多層配線パネル等の下
層金属膜の陽極酸化は、図３に示した陽極酸化装置によ
って行なわれている。この陽極酸化装置は、電解液（被
酸化金属膜がＡl 系合金膜である場合は、硼酸アンモニ
ウム水溶液等）２を満たした電解液槽１内に、白金等の
耐蝕性金属からなる網状の陰極３を電解液２中に浸漬し
て垂直に配置したもので、陰極３は直流電源４の−側に
接続されている。
層金属膜の陽極酸化は、図３に示した陽極酸化装置によ
って行なわれている。この陽極酸化装置は、電解液（被
酸化金属膜がＡl 系合金膜である場合は、硼酸アンモニ
ウム水溶液等）２を満たした電解液槽１内に、白金等の
耐蝕性金属からなる網状の陰極３を電解液２中に浸漬し
て垂直に配置したもので、陰極３は直流電源４の−側に
接続されている。
【０００８】この陽極酸化装置による陽極酸化は、被酸
化金属膜１１を形成した基板１０を電解液槽１の電解液
２中に垂直に浸漬してこの基板１０上の被酸化金属膜１
１を陰極３と対向させ、前記被酸化金属膜１１を陽極と
して、この金属膜１１と陰極３との間に電源４から化成
電圧を印加して行なわれている。
化金属膜１１を形成した基板１０を電解液槽１の電解液
２中に垂直に浸漬してこの基板１０上の被酸化金属膜１
１を陰極３と対向させ、前記被酸化金属膜１１を陽極と
して、この金属膜１１と陰極３との間に電源４から化成
電圧を印加して行なわれている。
【０００９】このように電解液２中で被酸化金属膜１１
と上記陰極３との間に化成電圧を印加すると、陽極であ
る被酸化金属膜１１が電解液中で化成反応を起してその
表面から陽極酸化され、この金属膜１１の表面に酸化膜
が生成する。
と上記陰極３との間に化成電圧を印加すると、陽極であ
る被酸化金属膜１１が電解液中で化成反応を起してその
表面から陽極酸化され、この金属膜１１の表面に酸化膜
が生成する。
【００１０】なお、図３に示した金属膜１１は、例えば
上述したＴＦＴパネルのゲート配線であり、各ゲート配
線には薄膜トランジスタのゲート電極（図示せず）が一
体に形成されている。この各ゲート配線は、基板１０の
端縁部（ＴＦＴパネルの完成後または液晶表示素子の組
立て後に分離される部分）に形成した給電路１１ａに共
通接続されており、各ゲート配線への＋電圧の供給は、
前記給電路１１ａを基板端縁部を挾持するクリップ形接
続部材５により電源４の＋側に接続して行なわれてい
る。
上述したＴＦＴパネルのゲート配線であり、各ゲート配
線には薄膜トランジスタのゲート電極（図示せず）が一
体に形成されている。この各ゲート配線は、基板１０の
端縁部（ＴＦＴパネルの完成後または液晶表示素子の組
立て後に分離される部分）に形成した給電路１１ａに共
通接続されており、各ゲート配線への＋電圧の供給は、
前記給電路１１ａを基板端縁部を挾持するクリップ形接
続部材５により電源４の＋側に接続して行なわれてい
る。
【００１１】ところで、上記陽極酸化において金属膜の
表面に生成する酸化膜の膜厚は、被酸化金属膜と陰極と
の間に印加する化成電圧によって決まるとされており、
そのため従来は、被酸化金属膜と陰極との間に印加する
化成電圧を次のように制御して金属膜の陽極酸化を行な
っている。
表面に生成する酸化膜の膜厚は、被酸化金属膜と陰極と
の間に印加する化成電圧によって決まるとされており、
そのため従来は、被酸化金属膜と陰極との間に印加する
化成電圧を次のように制御して金属膜の陽極酸化を行な
っている。
【００１２】図４は従来の陽極酸化方法におけるＡl 系
合金膜を陽極酸化する場合の化成電圧および電流の制御
パターンを示しており、従来は、被酸化金属膜（Ａl 系
合金膜）と陰極との間に印加する化成電圧を、被酸化金
属膜に流れる化成電流（電解液を介して被酸化金属膜と
陰極との間に流れる電流）の値を一定に保ち、かつその
電流密度を２．５ｍＡ／ｃｍ2 以下（図４では１．５ｍ
Ａ／ｃｍ2 ）に制御しながら、酸化膜の生成膜厚に応じ
た電圧値まで上昇させている。
合金膜を陽極酸化する場合の化成電圧および電流の制御
パターンを示しており、従来は、被酸化金属膜（Ａl 系
合金膜）と陰極との間に印加する化成電圧を、被酸化金
属膜に流れる化成電流（電解液を介して被酸化金属膜と
陰極との間に流れる電流）の値を一定に保ち、かつその
電流密度を２．５ｍＡ／ｃｍ2 以下（図４では１．５ｍ
Ａ／ｃｍ2 ）に制御しながら、酸化膜の生成膜厚に応じ
た電圧値まで上昇させている。
【００１３】なお、従来は、電圧値が所定値に達した後
も、その値の化成電圧の印加をある時間だけ保持し、被
酸化金属膜に流れる電流値がある設定値以下になったと
きに酸化膜の膜厚が所望の値になったと判定して、この
時点でその後、電圧印加を停止して陽極酸化を終了して
いる。
も、その値の化成電圧の印加をある時間だけ保持し、被
酸化金属膜に流れる電流値がある設定値以下になったと
きに酸化膜の膜厚が所望の値になったと判定して、この
時点でその後、電圧印加を停止して陽極酸化を終了して
いる。
【００１４】上記のように電流密度を２．５ｍＡ／ｃｍ
2 以下に制御して被酸化金属膜（Ａl 系合金膜）の表面
に生成された酸化膜（Ａl 2 Ｏ3 膜）は、微結晶状のバ
リア型被膜であり、高い真性絶縁破壊耐圧（欠陥がない
場合の絶縁破壊耐圧）をもっている。
2 以下に制御して被酸化金属膜（Ａl 系合金膜）の表面
に生成された酸化膜（Ａl 2 Ｏ3 膜）は、微結晶状のバ
リア型被膜であり、高い真性絶縁破壊耐圧（欠陥がない
場合の絶縁破壊耐圧）をもっている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の陽極酸化方法でＡl 系合金膜の表面に生成された酸
化膜（微結晶状のバリア型被膜）は、その真性絶縁破壊
耐圧は高いが、その反面、被膜が微小な結晶粒を含んで
いるために絶縁耐圧の弱い耐圧不良箇所が多く、そのた
め、３ＭＶ／ｃｍ程度の比較的低い電界でも絶縁破壊を
発生してしまうという問題をもっていた。
来の陽極酸化方法でＡl 系合金膜の表面に生成された酸
化膜（微結晶状のバリア型被膜）は、その真性絶縁破壊
耐圧は高いが、その反面、被膜が微小な結晶粒を含んで
いるために絶縁耐圧の弱い耐圧不良箇所が多く、そのた
め、３ＭＶ／ｃｍ程度の比較的低い電界でも絶縁破壊を
発生してしまうという問題をもっていた。
【００１６】本発明は、Ａl 系合金からなる金属膜の表
面に、耐圧不良箇所がほとんどない信頼性の高い酸化膜
を生成させることができる陽極酸化方法を提供すること
を目的としたものである。
面に、耐圧不良箇所がほとんどない信頼性の高い酸化膜
を生成させることができる陽極酸化方法を提供すること
を目的としたものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の陽極酸化方法
は、アクティブマトリックス液晶表示素子を構成するＴ
ＦＴパネルの絶縁性基板の上にＡｌ系合金からなる配線
用の被酸化金属膜を形成し、この被酸化金属膜を電界液
中において陰極と対向させ、この被酸化金属膜と前記陰
極との間に電圧を印加して前記被酸化金属膜の表面を陽
極酸化する方法において、Ａｌ系合金からなる前記被酸
化金属膜と前記陰極との間に印加する電圧を、前記被酸
化金属膜に流れる電流値を一定に保ち、かつその電流密
度を３．０ｍＡ／ｃｍ2 以上１５．０ｍＡ／ｃｍ2 以下
の範囲に制御しながら酸化膜の生成膜厚に応じた所定の
電圧値まで上昇させて、前記被酸化金属膜の表面に無定
形のバリア型酸化膜を生成し、前記被酸化金属膜と前記
陰極との間に印加する電圧が前記所定の電圧値に達した
とき電圧印加を停止することを特徴とするものである。
は、アクティブマトリックス液晶表示素子を構成するＴ
ＦＴパネルの絶縁性基板の上にＡｌ系合金からなる配線
用の被酸化金属膜を形成し、この被酸化金属膜を電界液
中において陰極と対向させ、この被酸化金属膜と前記陰
極との間に電圧を印加して前記被酸化金属膜の表面を陽
極酸化する方法において、Ａｌ系合金からなる前記被酸
化金属膜と前記陰極との間に印加する電圧を、前記被酸
化金属膜に流れる電流値を一定に保ち、かつその電流密
度を３．０ｍＡ／ｃｍ2 以上１５．０ｍＡ／ｃｍ2 以下
の範囲に制御しながら酸化膜の生成膜厚に応じた所定の
電圧値まで上昇させて、前記被酸化金属膜の表面に無定
形のバリア型酸化膜を生成し、前記被酸化金属膜と前記
陰極との間に印加する電圧が前記所定の電圧値に達した
とき電圧印加を停止することを特徴とするものである。
【００１８】
【作用】このように電流密度を３．０ｍＡ／ｃｍ2 以上
１５．０ｍＡ／ｃｍ2 以下の範囲の値に制御して生成さ
れた酸化膜は、無定形（アモルファス）のバリア型被膜
であり、この酸化膜は、従来の陽極酸化方法で生成され
た酸化膜（微結晶状のバリア型被膜）のように結晶粒を
含んでいないため、絶縁耐圧の弱い耐圧不良箇所が発生
することはほとんどない。
１５．０ｍＡ／ｃｍ2 以下の範囲の値に制御して生成さ
れた酸化膜は、無定形（アモルファス）のバリア型被膜
であり、この酸化膜は、従来の陽極酸化方法で生成され
た酸化膜（微結晶状のバリア型被膜）のように結晶粒を
含んでいないため、絶縁耐圧の弱い耐圧不良箇所が発生
することはほとんどない。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１および図２を
参照して説明する。図１は被酸化金属膜と陰極との間に
印加する化成電圧および電流の制御パターンを示す図、
図２は陽極酸化された金属膜の断面図である。
参照して説明する。図１は被酸化金属膜と陰極との間に
印加する化成電圧および電流の制御パターンを示す図、
図２は陽極酸化された金属膜の断面図である。
【００２０】まず、陽極酸化する金属膜について説明す
ると、図２に示した金属膜１１は、例えばＴＦＴパネル
の基板１０上に形成されたゲート配線である。この金属
膜１１は、Ａl （アルミニウム）にＴi （チタン）また
はＴa （タンタル）等の高融点金属を数重量％含有させ
たＡl 系合金膜であり、その表面に生成する酸化膜１２
はＡl 2 Ｏ3 膜である。
ると、図２に示した金属膜１１は、例えばＴＦＴパネル
の基板１０上に形成されたゲート配線である。この金属
膜１１は、Ａl （アルミニウム）にＴi （チタン）また
はＴa （タンタル）等の高融点金属を数重量％含有させ
たＡl 系合金膜であり、その表面に生成する酸化膜１２
はＡl 2 Ｏ3 膜である。
【００２１】この実施例の陽極酸化方法は、上記基板１
０上に形成されたＡl 系合金からなる金属膜１１の表面
を図３に示した陽極酸化装置を用いて陽極酸化するもの
であり、この陽極酸化方法では、図１に示した化成電圧
および電流の制御パターンのように、基板１０上の被酸
化金属膜（Ａl 系合金膜）１１と図３に示した陰極３と
の間に印加する化成電圧を、被酸化金属膜１１に流れる
化成電流（電解液を介して被酸化金属膜と陰極との間に
流れる電流）の値を一定に保ち、かつ被酸化金属膜１１
の単位面積当りの電流密度を４．５ｍＡ／ｃｍ2 に制御
しながら、被酸化金属膜１１の表面に生成させる酸化膜
１２の膜厚に応じた所定の電圧値まで上昇させている。
０上に形成されたＡl 系合金からなる金属膜１１の表面
を図３に示した陽極酸化装置を用いて陽極酸化するもの
であり、この陽極酸化方法では、図１に示した化成電圧
および電流の制御パターンのように、基板１０上の被酸
化金属膜（Ａl 系合金膜）１１と図３に示した陰極３と
の間に印加する化成電圧を、被酸化金属膜１１に流れる
化成電流（電解液を介して被酸化金属膜と陰極との間に
流れる電流）の値を一定に保ち、かつ被酸化金属膜１１
の単位面積当りの電流密度を４．５ｍＡ／ｃｍ2 に制御
しながら、被酸化金属膜１１の表面に生成させる酸化膜
１２の膜厚に応じた所定の電圧値まで上昇させている。
【００２２】なお、従来の陽極酸化方法では、化成電圧
を所定値まで上昇させた後にその電圧の印加をある時間
保持しているが、この電圧保持は省略してもよく、前記
電圧保持を省略する場合は、化成電圧を所定の値に達し
たところで図１に実線で示したように電圧印加を停止す
る。
を所定値まで上昇させた後にその電圧の印加をある時間
保持しているが、この電圧保持は省略してもよく、前記
電圧保持を省略する場合は、化成電圧を所定の値に達し
たところで図１に実線で示したように電圧印加を停止す
る。
【００２３】すなわち、上記陽極酸化方法は、Ａl 系合
金からなる被酸化金属膜１１を、その単位面積当りの電
流密度を従来の陽極酸化方法における電流密度（２．５
ｍＡ／ｃｍ2 以下）よりも大きい密度（この実施例では
４．５ｍＡ／ｃｍ2 ）に制御して陽極酸化するものであ
り、このように電流密度を大きくしてＡl 系合金膜を陽
極酸化すると、その表面に生成する酸化膜（Ａl 2 Ｏ3
膜）１２が、無定形（アモルファス）のバリア型被膜と
なる。
金からなる被酸化金属膜１１を、その単位面積当りの電
流密度を従来の陽極酸化方法における電流密度（２．５
ｍＡ／ｃｍ2 以下）よりも大きい密度（この実施例では
４．５ｍＡ／ｃｍ2 ）に制御して陽極酸化するものであ
り、このように電流密度を大きくしてＡl 系合金膜を陽
極酸化すると、その表面に生成する酸化膜（Ａl 2 Ｏ3
膜）１２が、無定形（アモルファス）のバリア型被膜と
なる。
【００２４】そして、この酸化膜１２は、無定形のバリ
ア型被膜であるため、従来の陽極酸化方法で生成された
酸化膜、つまり微結晶状のバリア型被膜に比べると、そ
の真性絶縁破壊耐圧は若干低くなるが、薄膜トランジス
タ等の絶縁膜に要求される絶縁破壊耐圧は十分にもって
いるし、また、この酸化膜１２は、従来の陽極酸化方法
で生成された酸化膜（微結晶状のバリア型被膜）のよう
に結晶粒を含んでいないため、絶縁耐圧の弱い耐圧不良
箇所が発生することはほとんどない。
ア型被膜であるため、従来の陽極酸化方法で生成された
酸化膜、つまり微結晶状のバリア型被膜に比べると、そ
の真性絶縁破壊耐圧は若干低くなるが、薄膜トランジス
タ等の絶縁膜に要求される絶縁破壊耐圧は十分にもって
いるし、また、この酸化膜１２は、従来の陽極酸化方法
で生成された酸化膜（微結晶状のバリア型被膜）のよう
に結晶粒を含んでいないため、絶縁耐圧の弱い耐圧不良
箇所が発生することはほとんどない。
【００２５】したがって、上記陽極酸化方法によれば、
Ａl 系合金からなる金属膜１１の表面に、耐圧不良箇所
がほとんどない信頼性の高い酸化膜１２を生成させるこ
とができる。
Ａl 系合金からなる金属膜１１の表面に、耐圧不良箇所
がほとんどない信頼性の高い酸化膜１２を生成させるこ
とができる。
【００２６】なお、上記実施例では、被酸化金属膜１１
の単位面積当りの電流密度を４．５ｍＡ／ｃｍ2 とした
が、この電流密度は、従来の陽極酸化方法における電流
密度（２．５ｍＡ／ｃｍ2 以下）よりも大きい密度であ
れば任意でよい。ただし、電流密度を３．０ｍＡ／ｃｍ
2 より小さくすると酸化膜が微結晶状のバリア型被膜に
近くなり、また電流密度を１５．０ｍＡ／ｃｍ2 より大
きくすると酸化膜の膜質が粗になって欠陥を発生するた
め、上記電流密度は、電流密度は３．０ｍＡ／ｃｍ2 以
上１５．０ｍＡ／ｃｍ2 以下の範囲が望ましい。
の単位面積当りの電流密度を４．５ｍＡ／ｃｍ2 とした
が、この電流密度は、従来の陽極酸化方法における電流
密度（２．５ｍＡ／ｃｍ2 以下）よりも大きい密度であ
れば任意でよい。ただし、電流密度を３．０ｍＡ／ｃｍ
2 より小さくすると酸化膜が微結晶状のバリア型被膜に
近くなり、また電流密度を１５．０ｍＡ／ｃｍ2 より大
きくすると酸化膜の膜質が粗になって欠陥を発生するた
め、上記電流密度は、電流密度は３．０ｍＡ／ｃｍ2 以
上１５．０ｍＡ／ｃｍ2 以下の範囲が望ましい。
【００２７】
【発明の効果】本発明の陽極酸化方法は、アクティブマ
トリックス液晶表示素子を構成するＴＦＴパネルの絶縁
性基板の上にＡｌ系合金からなる配線用の被酸化金属膜
を形成し、この被酸化金属膜を電界液中において陰極と
対向させ、この被酸化金属膜と前記陰極との間に電圧を
印加して前記被酸化金属膜の表面を陽極酸化する方法に
おいて、Ａｌ系合金からなる前記被酸化金属膜と前記陰
極との間に印加する電圧を、前記被酸化金属膜に流れる
電流値を一定に保ち、かつその電流密度を３．０ｍＡ／
ｃｍ2 以上１５．０ｍＡ／ｃｍ2 以下の範囲に制御しな
がら酸化膜の生成膜厚に応じた所定の電圧値まで上昇さ
せて、前記被酸化金属膜の表面に無定形のバリア型酸化
膜を生成し、前記被酸化金属膜と前記陰極との間に印加
する電圧が前記所定の電圧値に達したとき電圧印加を停
止するものであるから、Ａｌ系合金からなる配線膜の表
面に、耐圧不良箇所がほとんどない信頼性の高い酸化膜
を生成させることができる。
トリックス液晶表示素子を構成するＴＦＴパネルの絶縁
性基板の上にＡｌ系合金からなる配線用の被酸化金属膜
を形成し、この被酸化金属膜を電界液中において陰極と
対向させ、この被酸化金属膜と前記陰極との間に電圧を
印加して前記被酸化金属膜の表面を陽極酸化する方法に
おいて、Ａｌ系合金からなる前記被酸化金属膜と前記陰
極との間に印加する電圧を、前記被酸化金属膜に流れる
電流値を一定に保ち、かつその電流密度を３．０ｍＡ／
ｃｍ2 以上１５．０ｍＡ／ｃｍ2 以下の範囲に制御しな
がら酸化膜の生成膜厚に応じた所定の電圧値まで上昇さ
せて、前記被酸化金属膜の表面に無定形のバリア型酸化
膜を生成し、前記被酸化金属膜と前記陰極との間に印加
する電圧が前記所定の電圧値に達したとき電圧印加を停
止するものであるから、Ａｌ系合金からなる配線膜の表
面に、耐圧不良箇所がほとんどない信頼性の高い酸化膜
を生成させることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す被酸化金属膜と陰極と
の間に印加する化成電圧および電流の制御パターン図。
の間に印加する化成電圧および電流の制御パターン図。
【図２】本発明の陽極酸化方法によって陽極酸化された
金属膜の断面図。
金属膜の断面図。
【図３】陽極酸化装置の斜視図。
【図４】従来の陽極酸化方法を示す被酸化金属膜と陰極
との間に印加する化成電圧および電流の制御パターン
図。
との間に印加する化成電圧および電流の制御パターン
図。
１０…基板
１１…被酸化金属膜（Ａl 系合金膜）
１２…酸化膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平３−232274（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−118520（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−299865（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−38599（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−141400（ＪＰ，Ａ)
特開 昭50−131636（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−306495（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C25D 11/00 - 11/24
H01L 21/336
H01L 21/768
H01L 29/786
Claims (3)
- 【請求項１】アクティブマトリックス液晶表示素子を構
成するＴＦＴパネルの絶縁性基板の上にＡｌ系合金から
なる配線用の被酸化金属膜を形成し、この被酸化金属膜
を電界液中において陰極と対向させ、この被酸化金属膜
と前記陰極との間に電圧を印加して前記被酸化金属膜の
表面を陽極酸化する方法において、 Ａｌ系合金からなる前記被酸化金属膜と前記陰極との間
に印加する電圧を、前記被酸化金属膜に流れる電流値を
一定に保ち、かつその電流密度を３．０ｍＡ／ｃｍ2 以
上１５．０ｍＡ／ｃｍ2 以下の範囲に制御しながら酸化
膜の生成膜厚に応じた所定の電圧値まで上昇させて、前
記被酸化金属膜の表面に無定形のバリア型酸化膜を生成
し、前記被酸化金属膜と前記陰極との間に印加する電圧
が前記所定の電圧値に達したとき電圧印加を停止するこ
とを特徴とする陽極酸化方法。 - 【請求項２】被酸化金属膜は、高融点金属を含有するＡ
ｌ系合金膜であることを特徴とする請求項１に記載の陽
極酸化方法。 - 【請求項３】 前記被酸化金属膜は、薄膜トランジスタの
ゲート配線であることを特徴とする請求項１に記載の陽
極酸化方法。
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|---|---|---|---|
| JP32383692A JP3433351B2 (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | 陽極酸化方法 |
| US08/147,129 US5441618A (en) | 1992-11-10 | 1993-11-02 | Anodizing apparatus and an anodizing method |
| KR1019930023837A KR960002417B1 (ko) | 1992-11-10 | 1993-11-10 | 양극산화장치와 양극산화방법 |
| US08/694,210 US5733420A (en) | 1992-11-10 | 1996-08-08 | Anodizing apparatus and an anodizing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32383692A JP3433351B2 (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | 陽極酸化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06146078A JPH06146078A (ja) | 1994-05-27 |
| JP3433351B2 true JP3433351B2 (ja) | 2003-08-04 |
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ID=18159138
Family Applications (1)
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| JP32383692A Expired - Fee Related JP3433351B2 (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | 陽極酸化方法 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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-
1992
- 1992-11-10 JP JP32383692A patent/JP3433351B2/ja not_active Expired - Fee Related
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