JPH10307298A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH10307298A JPH10307298A JP13300597A JP13300597A JPH10307298A JP H10307298 A JPH10307298 A JP H10307298A JP 13300597 A JP13300597 A JP 13300597A JP 13300597 A JP13300597 A JP 13300597A JP H10307298 A JPH10307298 A JP H10307298A
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- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜トランジスタのゲート電極あるいはＭＩ
Ｍ素子の一方の導体薄膜の表面に形成された陽極酸化膜
の膜厚を、画素電極との間で補助容量を形成するための
補助容量用ラインの表面に形成された陽極酸化膜の膜厚
と相異なる厚さにする。 【解決手段】 薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置
の場合には、第１の陽極酸化用給電ライン１０を介して
走査信号ライン７に通常のつまり比較的高い電圧を印加
するとともに、第２の陽極酸化用給電ライン１１を介し
て補助容量用ライン９に上記通常の電圧よりも所定値だ
け低い電圧を印加し、陽極酸化処理を所定の時間行う。
すると、走査信号ライン７の表面に膜厚の比較的厚い陽
極酸化膜が形成され、補助容量用ライン９の表面に膜厚
の比較的薄い陽極酸化膜が形成される。
Ｍ素子の一方の導体薄膜の表面に形成された陽極酸化膜
の膜厚を、画素電極との間で補助容量を形成するための
補助容量用ラインの表面に形成された陽極酸化膜の膜厚
と相異なる厚さにする。 【解決手段】 薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置
の場合には、第１の陽極酸化用給電ライン１０を介して
走査信号ライン７に通常のつまり比較的高い電圧を印加
するとともに、第２の陽極酸化用給電ライン１１を介し
て補助容量用ライン９に上記通常の電圧よりも所定値だ
け低い電圧を印加し、陽極酸化処理を所定の時間行う。
すると、走査信号ライン７の表面に膜厚の比較的厚い陽
極酸化膜が形成され、補助容量用ライン９の表面に膜厚
の比較的薄い陽極酸化膜が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は液晶表示装置に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス型の液晶表示装置
には、画素用スイッチング素子として薄膜トランジスタ
を備えたものがある。また、このような液晶表示装置に
は、画素電極との間で補助容量を形成するための補助容
量用ライン（補助容量用電極）を備えたものがある。さ
らに、このような液晶表示装置には、薄膜トランジスタ
のゲート電極（信号電極）を含む走査信号ラインと補助
容量用ラインとを同一平面に同一材料で同時に形成する
とともに、これらの表面に陽極酸化膜を形成したものが
ある。
には、画素用スイッチング素子として薄膜トランジスタ
を備えたものがある。また、このような液晶表示装置に
は、画素電極との間で補助容量を形成するための補助容
量用ライン（補助容量用電極）を備えたものがある。さ
らに、このような液晶表示装置には、薄膜トランジスタ
のゲート電極（信号電極）を含む走査信号ラインと補助
容量用ラインとを同一平面に同一材料で同時に形成する
とともに、これらの表面に陽極酸化膜を形成したものが
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このような液晶表示装置では、陽極酸化膜上にゲート絶
縁膜を形成しているが、ゲート電極上における陽極酸化
膜及びゲート絶縁膜の絶縁耐圧を十分とするために、ゲ
ート電極の陽極酸化膜の膜厚を比較的厚くなるようにし
ており、このため補助容量用ラインの陽極酸化膜の膜厚
も比較的厚くなっている。この結果、補助容量用ライン
と画素電極との間に形成される補助容量の容量を大きく
しようとすると、補助容量用ラインと画素電極との重な
り合う面積を大きくしなければならず、ひいては開口率
が低下するという問題があった。なお、液晶表示装置に
は、画素用スイッチング素子としてＭＩＭ素子等の二端
子非線形素子を備えたものもある。このような液晶表示
装置では、通常、補助容量は設けられていないが、画質
向上のため、補助容量を付加する検討もなされている。
しかし、仮に、補助容量を付加するにしても、上述の薄
膜トランジスタを備えた液晶表示装置の場合と同様に、
信号電極の陽極酸化膜の膜厚と補助容量用電極の陽極酸
化膜の膜厚とを同じ厚さに形成することになるが、ＭＩ
Ｍ素子の両電極間に介在される絶縁体薄膜としての陽極
酸化膜の膜厚を比較的薄く形成するため、補助容量用電
極の陽極酸化膜の膜厚も比較的薄くなり、この結果画素
電極から補助容量用電極を介してのリーク電流が大きく
なり、ひいては画質が低下するという問題がある。この
発明の課題は、信号電極の陽極酸化膜の膜厚及び補助容
量用電極の陽極酸化膜の膜厚をそれぞれ最適とすること
である。
このような液晶表示装置では、陽極酸化膜上にゲート絶
縁膜を形成しているが、ゲート電極上における陽極酸化
膜及びゲート絶縁膜の絶縁耐圧を十分とするために、ゲ
ート電極の陽極酸化膜の膜厚を比較的厚くなるようにし
ており、このため補助容量用ラインの陽極酸化膜の膜厚
も比較的厚くなっている。この結果、補助容量用ライン
と画素電極との間に形成される補助容量の容量を大きく
しようとすると、補助容量用ラインと画素電極との重な
り合う面積を大きくしなければならず、ひいては開口率
が低下するという問題があった。なお、液晶表示装置に
は、画素用スイッチング素子としてＭＩＭ素子等の二端
子非線形素子を備えたものもある。このような液晶表示
装置では、通常、補助容量は設けられていないが、画質
向上のため、補助容量を付加する検討もなされている。
しかし、仮に、補助容量を付加するにしても、上述の薄
膜トランジスタを備えた液晶表示装置の場合と同様に、
信号電極の陽極酸化膜の膜厚と補助容量用電極の陽極酸
化膜の膜厚とを同じ厚さに形成することになるが、ＭＩ
Ｍ素子の両電極間に介在される絶縁体薄膜としての陽極
酸化膜の膜厚を比較的薄く形成するため、補助容量用電
極の陽極酸化膜の膜厚も比較的薄くなり、この結果画素
電極から補助容量用電極を介してのリーク電流が大きく
なり、ひいては画質が低下するという問題がある。この
発明の課題は、信号電極の陽極酸化膜の膜厚及び補助容
量用電極の陽極酸化膜の膜厚をそれぞれ最適とすること
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
画素用スイッチング素子の信号電極の表面に形成された
陽極酸化膜の膜厚を、画素電極との間で補助容量を形成
するための補助容量用電極の表面に形成された陽極酸化
膜の膜厚と相異なる厚さとしたものである。この場合、
請求項３記載の発明の如く、画素用スイッチング素子が
薄膜トランジスタの場合には、ゲート電極の陽極酸化膜
の膜厚を補助容量用電極の陽極酸化膜の膜厚よりも薄く
する。また、請求項４記載の発明の如く、画素用スイッ
チング素子が二端子非線形素子の場合には、二端子非線
形素子の信号電極の陽極酸化膜の膜厚を補助容量用電極
の陽極酸化膜の膜厚よりも厚くする。
画素用スイッチング素子の信号電極の表面に形成された
陽極酸化膜の膜厚を、画素電極との間で補助容量を形成
するための補助容量用電極の表面に形成された陽極酸化
膜の膜厚と相異なる厚さとしたものである。この場合、
請求項３記載の発明の如く、画素用スイッチング素子が
薄膜トランジスタの場合には、ゲート電極の陽極酸化膜
の膜厚を補助容量用電極の陽極酸化膜の膜厚よりも薄く
する。また、請求項４記載の発明の如く、画素用スイッ
チング素子が二端子非線形素子の場合には、二端子非線
形素子の信号電極の陽極酸化膜の膜厚を補助容量用電極
の陽極酸化膜の膜厚よりも厚くする。
【０００５】請求項１記載の発明によれば、信号電極の
表面に形成された陽極酸化膜の膜厚を補助容量用電極の
表面に形成された陽極酸化膜の膜厚と相異なる厚さとし
ているので、信号電極の陽極酸化膜の膜厚及び補助容量
用電極の陽極酸化膜の膜厚をそれぞれ最適とすることが
できる。また、請求項３記載の発明によれば、ゲート電
極の陽極酸化膜の膜厚を比較的厚くしても、補助容量用
電極の陽極酸化膜の膜厚をそれよりも薄くすることがで
きるので、開口率の向上を図ることができる。さらに、
請求項４記載の発明によれば、二端子非線形素子の信号
電極の陽極酸化膜の膜厚を比較的薄くしても、補助容量
用電極の陽極酸化膜の膜厚をそれよりも厚くすることが
できるので、画素電極から補助容量用電極を介してのリ
ーク電流の低減を図ることができる。
表面に形成された陽極酸化膜の膜厚を補助容量用電極の
表面に形成された陽極酸化膜の膜厚と相異なる厚さとし
ているので、信号電極の陽極酸化膜の膜厚及び補助容量
用電極の陽極酸化膜の膜厚をそれぞれ最適とすることが
できる。また、請求項３記載の発明によれば、ゲート電
極の陽極酸化膜の膜厚を比較的厚くしても、補助容量用
電極の陽極酸化膜の膜厚をそれよりも薄くすることがで
きるので、開口率の向上を図ることができる。さらに、
請求項４記載の発明によれば、二端子非線形素子の信号
電極の陽極酸化膜の膜厚を比較的薄くしても、補助容量
用電極の陽極酸化膜の膜厚をそれよりも厚くすることが
できるので、画素電極から補助容量用電極を介してのリ
ーク電流の低減を図ることができる。
【０００６】
（第１実施形態）図１はこの発明の第１実施形態におけ
る薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置を説明するた
めに示すもので、アクティブパネル複数個分に対応する
大きさのガラス基板上に形成されたものの一部を省略し
た全体的な等価回路的平面図を示し、図２はその一部の
等価回路的平面図を示したものである。アクティブパネ
ル複数個分に対応する大きさのガラス基板１は、最終的
には一点鎖線で示すカットライン２（一部図示せず）に
沿って切断されることにより、各単体に分断されるよう
になっている。この場合、カットライン２で囲まれた領
域はパネル形成領域３となっており、その周囲は余剰部
４となっている。
る薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置を説明するた
めに示すもので、アクティブパネル複数個分に対応する
大きさのガラス基板上に形成されたものの一部を省略し
た全体的な等価回路的平面図を示し、図２はその一部の
等価回路的平面図を示したものである。アクティブパネ
ル複数個分に対応する大きさのガラス基板１は、最終的
には一点鎖線で示すカットライン２（一部図示せず）に
沿って切断されることにより、各単体に分断されるよう
になっている。この場合、カットライン２で囲まれた領
域はパネル形成領域３となっており、その周囲は余剰部
４となっている。
【０００７】パネル形成領域３には、マトリクス状に配
置された複数の画素電極５と、これらの画素電極５にそ
れぞれ接続された複数の薄膜トランジスタ６と、行方向
に延ばされ、薄膜トランジスタ６に走査信号を供給する
ための複数の走査信号ライン７と、列方向に延ばされ、
薄膜トランジスタ６にデータ信号を供給するための複数
のデータ信号ライン８と、行方向に延ばされ、画素電極
５との間で補助容量Ｃｓを形成する複数の補助容量用ラ
イン（補助容量用電極）９とが設けられている。余剰部
４の各所定の箇所には第１及び第２の陽極酸化用給電ラ
イン１０、１１が設けられている。そして、各走査信号
ライン７の右端部は第１の陽極酸化用給電ライン１０に
接続されている。各補助容量用ライン９の左端部は第２
の陽極酸化用給電ライン１１に接続されている。第１及
び第２の陽極酸化用給電ライン１０、１１は第１及び第
２の接続端子１２、１３に接続されている。
置された複数の画素電極５と、これらの画素電極５にそ
れぞれ接続された複数の薄膜トランジスタ６と、行方向
に延ばされ、薄膜トランジスタ６に走査信号を供給する
ための複数の走査信号ライン７と、列方向に延ばされ、
薄膜トランジスタ６にデータ信号を供給するための複数
のデータ信号ライン８と、行方向に延ばされ、画素電極
５との間で補助容量Ｃｓを形成する複数の補助容量用ラ
イン（補助容量用電極）９とが設けられている。余剰部
４の各所定の箇所には第１及び第２の陽極酸化用給電ラ
イン１０、１１が設けられている。そして、各走査信号
ライン７の右端部は第１の陽極酸化用給電ライン１０に
接続されている。各補助容量用ライン９の左端部は第２
の陽極酸化用給電ライン１１に接続されている。第１及
び第２の陽極酸化用給電ライン１０、１１は第１及び第
２の接続端子１２、１３に接続されている。
【０００８】次に、この液晶表示装置の具体的な構造に
ついて図３を参照して説明する。ガラス基板１の上面に
は薄膜トランジスタ６のゲート電極（信号電極）Ｇが形
成されている。また、ガラス基板１の上面には、図１に
示すように、走査信号ライン７、補助容量用ライン９、
第１と第２の陽極酸化用給電ライン１０、１１及び第１
と第２の接続端子１２、１３が、ゲート電極Ｇと同一の
材料例えばアルミニウムによってゲート電極Ｇの形成と
同時に形成されている。そして、この状態において、後
で説明するように、陽極酸化処理を行うと、ゲート電極
Ｇを含む走査信号ライン７の表面に陽極酸化膜２１が形
成され、また補助容量用ライン９の表面に陽極酸化膜２
２が形成される。
ついて図３を参照して説明する。ガラス基板１の上面に
は薄膜トランジスタ６のゲート電極（信号電極）Ｇが形
成されている。また、ガラス基板１の上面には、図１に
示すように、走査信号ライン７、補助容量用ライン９、
第１と第２の陽極酸化用給電ライン１０、１１及び第１
と第２の接続端子１２、１３が、ゲート電極Ｇと同一の
材料例えばアルミニウムによってゲート電極Ｇの形成と
同時に形成されている。そして、この状態において、後
で説明するように、陽極酸化処理を行うと、ゲート電極
Ｇを含む走査信号ライン７の表面に陽極酸化膜２１が形
成され、また補助容量用ライン９の表面に陽極酸化膜２
２が形成される。
【０００９】ゲート電極Ｇ等を含むガラス基板１の上面
全体にはゲート絶縁膜２３が形成されている。ゲート電
極Ｇに対応する部分におけるゲート絶縁膜２３の上面に
はアモルファスシリコン等からなる半導体薄膜２４が形
成されている。半導体薄膜２４の上面中央部にはチャネ
ル保護膜２５が形成されている。半導体薄膜２４の上面
両側にはソース側ｎ+シリコン層２６及びドレイン側ｎ+
シリコン層２７が形成されている。ソース側ｎ+シリコ
ン層２６の上面及びゲート絶縁膜２３の上面にはソース
電極Ｓを兼ねたＩＴＯからなる画素電極５が形成されて
いる。この場合、画素電極５の所定の一部は、補助容量
用ライン９上のゲート絶縁膜２３の上面に形成されてい
る。ドレイン側ｎ+シリコン層２７の上面にはドレイン
電極Ｄが形成されている。また、ゲート絶縁膜２３の上
面にはドレイン電極Ｄの形成と同時に図２に示すデータ
信号ライン８が形成されている。
全体にはゲート絶縁膜２３が形成されている。ゲート電
極Ｇに対応する部分におけるゲート絶縁膜２３の上面に
はアモルファスシリコン等からなる半導体薄膜２４が形
成されている。半導体薄膜２４の上面中央部にはチャネ
ル保護膜２５が形成されている。半導体薄膜２４の上面
両側にはソース側ｎ+シリコン層２６及びドレイン側ｎ+
シリコン層２７が形成されている。ソース側ｎ+シリコ
ン層２６の上面及びゲート絶縁膜２３の上面にはソース
電極Ｓを兼ねたＩＴＯからなる画素電極５が形成されて
いる。この場合、画素電極５の所定の一部は、補助容量
用ライン９上のゲート絶縁膜２３の上面に形成されてい
る。ドレイン側ｎ+シリコン層２７の上面にはドレイン
電極Ｄが形成されている。また、ゲート絶縁膜２３の上
面にはドレイン電極Ｄの形成と同時に図２に示すデータ
信号ライン８が形成されている。
【００１０】ここで、図３に示す陽極酸化膜２１、２２
の形成方法について説明する。まず、陽極酸化処理によ
り形成される陽極酸化膜の膜厚は、印加電圧及び処理時
間に比例する。そこで、一例として、図１に示す第１の
接続端子１２に接続された第１の陽極酸化用給電ライン
１０を介してゲート電極Ｇを含む走査信号ライン７に通
常のつまり比較的高い電圧を印加するとともに、第２の
接続端子１３に接続された第２の陽極酸化用給電ライン
１１を介して補助容量用ライン９に上記通常の電圧より
も所定値だけ低い電圧を印加し、陽極酸化処理を所定の
時間行う。すると、処理時間が同一であっても、ゲート
電極Ｇを含む走査信号ライン７の表面及び第１の陽極酸
化用給電ライン１０の表面に膜厚の比較的厚い陽極酸化
膜２１が形成され、補助容量用ライン９の表面及び第２
の陽極酸化用給電ライン１１の表面に膜厚の比較的薄い
陽極酸化膜２２が形成される。
の形成方法について説明する。まず、陽極酸化処理によ
り形成される陽極酸化膜の膜厚は、印加電圧及び処理時
間に比例する。そこで、一例として、図１に示す第１の
接続端子１２に接続された第１の陽極酸化用給電ライン
１０を介してゲート電極Ｇを含む走査信号ライン７に通
常のつまり比較的高い電圧を印加するとともに、第２の
接続端子１３に接続された第２の陽極酸化用給電ライン
１１を介して補助容量用ライン９に上記通常の電圧より
も所定値だけ低い電圧を印加し、陽極酸化処理を所定の
時間行う。すると、処理時間が同一であっても、ゲート
電極Ｇを含む走査信号ライン７の表面及び第１の陽極酸
化用給電ライン１０の表面に膜厚の比較的厚い陽極酸化
膜２１が形成され、補助容量用ライン９の表面及び第２
の陽極酸化用給電ライン１１の表面に膜厚の比較的薄い
陽極酸化膜２２が形成される。
【００１１】このように、ゲート電極Ｇの表面に形成さ
れた陽極酸化膜２１の膜厚を比較的厚くしても、補助容
量用ライン９の表面に形成された陽極酸化膜２２の膜厚
を比較的薄くすることができるので、ゲート電極Ｇの陽
極酸化膜２１の膜厚及び補助容量用ライン９の陽極酸化
膜２２の膜厚をそれぞれ最適とすることができる。この
結果、補助容量用ライン９と画素電極５との重なり合う
面積を小さくしても、補助容量用ライン９と画素電極５
との間に形成される補助容量Ｃｓを大きくすることがで
き、ひいては開口率を大きくすることができる。
れた陽極酸化膜２１の膜厚を比較的厚くしても、補助容
量用ライン９の表面に形成された陽極酸化膜２２の膜厚
を比較的薄くすることができるので、ゲート電極Ｇの陽
極酸化膜２１の膜厚及び補助容量用ライン９の陽極酸化
膜２２の膜厚をそれぞれ最適とすることができる。この
結果、補助容量用ライン９と画素電極５との重なり合う
面積を小さくしても、補助容量用ライン９と画素電極５
との間に形成される補助容量Ｃｓを大きくすることがで
き、ひいては開口率を大きくすることができる。
【００１２】（第２実施形態）図３はこの発明の第２実
施形態における二端子非線形素子を備えた液晶表示装置
を説明するために示すもので、アクティブパネル複数個
分に対応する大きさのガラス基板上に形成されたものの
一部を省略した全体的な等価回路的平面図を示し、図４
はその一部の等価回路的平面図を示し、図５はその具体
的な構造の一部の断面図を示したものである。これらの
図において、図１〜図３と同一名称部分には同一の符合
を付し、その説明を適宜省略する。
施形態における二端子非線形素子を備えた液晶表示装置
を説明するために示すもので、アクティブパネル複数個
分に対応する大きさのガラス基板上に形成されたものの
一部を省略した全体的な等価回路的平面図を示し、図４
はその一部の等価回路的平面図を示し、図５はその具体
的な構造の一部の断面図を示したものである。これらの
図において、図１〜図３と同一名称部分には同一の符合
を付し、その説明を適宜省略する。
【００１３】この液晶表示装置では、二端子非線形素子
としてＭＩＭ素子３１を用いたものであるが、データ信
号ラインを有する対向基板は図示を省略している。ＭＩ
Ｍ素子３１の具体的な構造は、図６に示すように、ガラ
ス基板１の上面に例えばアルミニウムからなる一方の導
体薄膜（信号電極）３２が形成され、一方の導体薄膜３
２の表面に陽極酸化膜２１が形成され、陽極酸化膜２１
の表面に画素電極５を兼ねた他方の導体薄膜３３が形成
された構造となっている。この場合、一方の導体薄膜３
２は、図５に示すように、走査信号ライン７に接続され
ている。
としてＭＩＭ素子３１を用いたものであるが、データ信
号ラインを有する対向基板は図示を省略している。ＭＩ
Ｍ素子３１の具体的な構造は、図６に示すように、ガラ
ス基板１の上面に例えばアルミニウムからなる一方の導
体薄膜（信号電極）３２が形成され、一方の導体薄膜３
２の表面に陽極酸化膜２１が形成され、陽極酸化膜２１
の表面に画素電極５を兼ねた他方の導体薄膜３３が形成
された構造となっている。この場合、一方の導体薄膜３
２は、図５に示すように、走査信号ライン７に接続され
ている。
【００１４】次に、図６に示す陽極酸化膜２１、２２の
形成方法について説明する。この場合には、図４に示す
第１の接続端子１２に接続された第１の陽極酸化用給電
ライン１０を介して一方の導体薄膜３２を含む走査信号
ライン７に通常のつまり比較的低い電圧を印加するとと
もに、第２の接続端子１３に接続された第２の陽極酸化
用給電ライン１１を介して補助容量用ライン９に上記通
常の電圧よりも所定値だけ高い電圧を印加し、陽極酸化
処理を所定の時間行う。すると、処理時間が同一であっ
ても、一方の導体薄膜３２を含む走査信号ライン７の表
面及び第１の陽極酸化用給電ライン１０の表面に膜厚の
比較的薄い陽極酸化膜２１が形成され、補助容量用ライ
ン９の表面及び第２の陽極酸化用給電ライン１１の表面
に膜厚の比較的厚い陽極酸化膜２２が形成される。
形成方法について説明する。この場合には、図４に示す
第１の接続端子１２に接続された第１の陽極酸化用給電
ライン１０を介して一方の導体薄膜３２を含む走査信号
ライン７に通常のつまり比較的低い電圧を印加するとと
もに、第２の接続端子１３に接続された第２の陽極酸化
用給電ライン１１を介して補助容量用ライン９に上記通
常の電圧よりも所定値だけ高い電圧を印加し、陽極酸化
処理を所定の時間行う。すると、処理時間が同一であっ
ても、一方の導体薄膜３２を含む走査信号ライン７の表
面及び第１の陽極酸化用給電ライン１０の表面に膜厚の
比較的薄い陽極酸化膜２１が形成され、補助容量用ライ
ン９の表面及び第２の陽極酸化用給電ライン１１の表面
に膜厚の比較的厚い陽極酸化膜２２が形成される。
【００１５】このように、一方の導体薄膜３２の表面に
形成された陽極酸化膜２１の膜厚を比較的薄くしても、
補助容量用ライン９の表面に形成された陽極酸化膜２２
の膜厚を比較的厚くすることができるので、一方の導体
薄膜３２の陽極酸化膜２１の膜厚及び補助容量用ライン
９の陽極酸化膜２２の膜厚をそれぞれ最適とすることが
できる。この結果、画素電極５から補助容量用ライン９
を介してのリーク電流が小さくなり、ひいては画質を良
くすることができる。
形成された陽極酸化膜２１の膜厚を比較的薄くしても、
補助容量用ライン９の表面に形成された陽極酸化膜２２
の膜厚を比較的厚くすることができるので、一方の導体
薄膜３２の陽極酸化膜２１の膜厚及び補助容量用ライン
９の陽極酸化膜２２の膜厚をそれぞれ最適とすることが
できる。この結果、画素電極５から補助容量用ライン９
を介してのリーク電流が小さくなり、ひいては画質を良
くすることができる。
【００１６】なお、上記第１及び第２実施形態では、陽
極酸化処理を各印加電圧を変えて同一の時間行う場合に
ついて説明したが、これに限定されるものではない。例
えば、各印加電圧を同じとし、処理時間を各陽極酸化膜
の膜厚に応じた時間とするようにしてもよい。すなわ
ち、膜厚が比較的薄い方の陽極酸化膜を形成するための
処理時間が経過したら、これに対応する方への電圧印加
のみを停止するようにしてもよい。また、第１または第
２の陽極酸化用給電ライン１０または１１のみを一方の
電極として陽極酸化処理を行った後に、第２または第１
の陽極酸化用給電ライン１１または１０のみを一方の電
極として陽極酸化処理を行うようにしてもよい。この場
合、各陽極酸化膜の膜厚は印加電圧あるいは処理時間を
調整すればよい。
極酸化処理を各印加電圧を変えて同一の時間行う場合に
ついて説明したが、これに限定されるものではない。例
えば、各印加電圧を同じとし、処理時間を各陽極酸化膜
の膜厚に応じた時間とするようにしてもよい。すなわ
ち、膜厚が比較的薄い方の陽極酸化膜を形成するための
処理時間が経過したら、これに対応する方への電圧印加
のみを停止するようにしてもよい。また、第１または第
２の陽極酸化用給電ライン１０または１１のみを一方の
電極として陽極酸化処理を行った後に、第２または第１
の陽極酸化用給電ライン１１または１０のみを一方の電
極として陽極酸化処理を行うようにしてもよい。この場
合、各陽極酸化膜の膜厚は印加電圧あるいは処理時間を
調整すればよい。
【００１７】また、上記第１及び第２実施形態では、例
えば図１に示すように、走査信号ライン７及び補助容量
用ライン９等を露出させた状態で陽極酸化処理を行う場
合について説明したが、これに限定されるものではな
い、例えば、図示していないが、ゲート電極Ｇまたは一
方の導体薄膜３２を含む走査信号ライン７の表面に陽極
酸化膜２１を形成するとき、補助容量用ライン９をレジ
ストで覆い、補助容量用ライン９の表面に陽極酸化膜２
２を形成するとき、ゲート電極Ｇまたは一方の導体薄膜
３２を含む走査信号ライン７をレジストで覆うようにし
てもよい。このようにする場合には、陽極酸化用給電ラ
インを第１と第２に分ける必要はなく、例えば図７に示
すように、１つの共通陽極酸化用給電ライン４１と１つ
の接続端子４２を設けるようにしてもよい。
えば図１に示すように、走査信号ライン７及び補助容量
用ライン９等を露出させた状態で陽極酸化処理を行う場
合について説明したが、これに限定されるものではな
い、例えば、図示していないが、ゲート電極Ｇまたは一
方の導体薄膜３２を含む走査信号ライン７の表面に陽極
酸化膜２１を形成するとき、補助容量用ライン９をレジ
ストで覆い、補助容量用ライン９の表面に陽極酸化膜２
２を形成するとき、ゲート電極Ｇまたは一方の導体薄膜
３２を含む走査信号ライン７をレジストで覆うようにし
てもよい。このようにする場合には、陽極酸化用給電ラ
インを第１と第２に分ける必要はなく、例えば図７に示
すように、１つの共通陽極酸化用給電ライン４１と１つ
の接続端子４２を設けるようにしてもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、信号電極の表面に形成された陽極酸化膜の
膜厚を補助容量用電極の表面に形成された陽極酸化膜の
膜厚と相異なる厚さとしているので、信号電極の陽極酸
化膜の膜厚及び補助容量用電極の陽極酸化膜の膜厚をそ
れぞれ最適とすることができる。また、請求項３記載の
発明によれば、ゲート電極の陽極酸化膜の膜厚を比較的
厚くしても、補助容量用電極の陽極酸化膜の膜厚をそれ
よりも薄くすることができるので、補助容量用電極と画
素電極との重なり合う面積を小さくしても、補助容量用
電極と画素電極との間に形成される補助容量を大きくす
ることができ、ひいては開口率を大きくすることができ
る。さらに、請求項４記載の発明によれば、二端子非線
形素子の信号電極の陽極酸化膜の膜厚を比較的薄くして
も、補助容量用電極の陽極酸化膜の膜厚をそれよりも厚
くすることができるので、画素電極から補助容量用電極
を介してのリーク電流が小さくなり、ひいては画質を良
くすることができる。
明によれば、信号電極の表面に形成された陽極酸化膜の
膜厚を補助容量用電極の表面に形成された陽極酸化膜の
膜厚と相異なる厚さとしているので、信号電極の陽極酸
化膜の膜厚及び補助容量用電極の陽極酸化膜の膜厚をそ
れぞれ最適とすることができる。また、請求項３記載の
発明によれば、ゲート電極の陽極酸化膜の膜厚を比較的
厚くしても、補助容量用電極の陽極酸化膜の膜厚をそれ
よりも薄くすることができるので、補助容量用電極と画
素電極との重なり合う面積を小さくしても、補助容量用
電極と画素電極との間に形成される補助容量を大きくす
ることができ、ひいては開口率を大きくすることができ
る。さらに、請求項４記載の発明によれば、二端子非線
形素子の信号電極の陽極酸化膜の膜厚を比較的薄くして
も、補助容量用電極の陽極酸化膜の膜厚をそれよりも厚
くすることができるので、画素電極から補助容量用電極
を介してのリーク電流が小さくなり、ひいては画質を良
くすることができる。
【図１】この発明の第１実施形態における薄膜トランジ
スタを備えた液晶表示装置を説明するために示すもの
で、アクティブパネル複数個分に対応する大きさのガラ
ス基板上に形成されたものの一部を省略した全体的な等
価回路的平面図。
スタを備えた液晶表示装置を説明するために示すもの
で、アクティブパネル複数個分に対応する大きさのガラ
ス基板上に形成されたものの一部を省略した全体的な等
価回路的平面図。
【図２】図１に示すガラス基板上に形成されたものの一
部の等価回路的平面図。
部の等価回路的平面図。
【図３】図１及び図２に示す液晶表示装置の具体的な構
造の一部の断面図。
造の一部の断面図。
【図４】この発明の第２実施形態における二端子非線形
素子を備えた液晶表示装置を説明するために示すもの
で、アクティブパネル複数個分に対応する大きさのガラ
ス基板上に形成されたものの一部を省略した全体的な等
価回路的平面図。
素子を備えた液晶表示装置を説明するために示すもの
で、アクティブパネル複数個分に対応する大きさのガラ
ス基板上に形成されたものの一部を省略した全体的な等
価回路的平面図。
【図５】図４に示すガラス基板上に形成されたものの一
部の等価回路的平面図。
部の等価回路的平面図。
【図６】図４及び図５に示す液晶表示装置の具体的な構
造の一部の断面図。
造の一部の断面図。
【図７】陽極酸化用給電ラインを共通化した場合の一例
を示す図１同様の等価回路的平面図図。
を示す図１同様の等価回路的平面図図。
５ 画素電極 ６ 薄膜トランジスタ Ｇ ゲート電極（信号電極） ７ 走査信号ライン ８ データ信号ライン ９ 補助容量用ライン（補助容量用電極） １０、１１ 陽極酸化用給電ライン ２１、２２ 陽極酸化膜 ３１ ＭＩＭ素子 ３２ 一方の導体薄膜（信号電極）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１７Ｗ 49/02
Claims (4)
- 【請求項１】 画素用スイッチング素子の信号電極の表
面に形成された陽極酸化膜の膜厚を、画素電極との間で
補助容量を形成するための補助容量用電極の表面に形成
された陽極酸化膜の膜厚と相異なる厚さとしたことを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の発明において、前記信号
電極と前記補助容量用電極とは同一平面に同一材料で同
時に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の発明において、
前記画素用スイッチング素子は薄膜トランジスタであ
り、前記信号電極はゲート電極であって、該ゲート電極
の陽極酸化膜の膜厚が前記補助容量用電極の陽極酸化膜
の膜厚よりも薄く形成されていることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項４】 請求項１または２記載の発明において、
前記画素用スイッチング素子は二端子非線形素子であ
り、該二端子非線形素子の信号電極の陽極酸化膜の膜厚
が前記補助容量用電極の陽極酸化膜の膜厚よりも厚く形
成されていることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13300597A JPH10307298A (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13300597A JPH10307298A (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10307298A true JPH10307298A (ja) | 1998-11-17 |
Family
ID=15094567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13300597A Pending JPH10307298A (ja) | 1997-05-08 | 1997-05-08 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10307298A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7795796B2 (en) | 2005-01-18 | 2010-09-14 | Seiko Epson Corporation | Wiring substrate, electro optic device and electronic equipment |
| CN107068692A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、阵列基板及其制造方法 |
-
1997
- 1997-05-08 JP JP13300597A patent/JPH10307298A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7795796B2 (en) | 2005-01-18 | 2010-09-14 | Seiko Epson Corporation | Wiring substrate, electro optic device and electronic equipment |
| CN107068692A (zh) * | 2017-04-20 | 2017-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、阵列基板及其制造方法 |
| CN107068692B (zh) * | 2017-04-20 | 2020-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、阵列基板及其制造方法 |
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