JPH06333970A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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JPH06333970A
JPH06333970A JP5120137A JP12013793A JPH06333970A JP H06333970 A JPH06333970 A JP H06333970A JP 5120137 A JP5120137 A JP 5120137A JP 12013793 A JP12013793 A JP 12013793A JP H06333970 A JPH06333970 A JP H06333970A
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wire
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liquid resin
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孝詩 阿部
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Abstract

(57)【要約】 【構成】半導体素子をリードフレームに搭載し、ワイヤ
ボンデイングした半導体装置において、ワイヤ立ち上が
り部ボンデイングワイヤ表面を２０μｍ以下に液状樹脂
でコートしたあと樹脂成形封止した。その製造方法とし
ては半導体素子をワイヤボンデイングした後、リードフ
レームを反転し、半導体素子をリードフレームの下方に
位置させ、液状の絶縁性樹脂吹き上げ部に接触させる事
により、液状樹脂でコートする。あるいは、半導体素子
をワイヤボンデイングした後、液状樹脂を粉霧状にして
ボンデイングワイヤに吹き付け樹脂コートする。 【効果】ボンデイングパッドのピッチやインナーリード
のピッチが狭くなったり、ボンデイングワイヤが長くな
ったりしたとき、注入樹脂によりボンデイングワイヤが
流され接触しても回路がショートせず、インナーリード
とボンデイングワイヤの接合強度も強く信頼性の高いパ
ッケージを実現する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置とその製造方
法、さらに詳しくは長いボンデイングワイヤ、もしくは
微細ボンデイングに対して樹脂コートし、その後樹脂封
止した半導体装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置とその製造方法を図４
で説明すると、ダイパット１２に、搭載された半導体素
子１１上のボンデイングパッド４３とインナーリード１
４はボンデイングワイヤ１３で接続されている。多ピン
パッケージの場合ボンデイングパッドのピッチＣが１１
０μｍ程度、インナーリードｄのピッチｄが２００μｍ
程度よりも狭くなり、あるいはボンデイングワイヤ長さ
ｅが４ｍｍ程度よりも長くなることがある。
【０００３】このような製品に於いて樹脂封止のとき注
入樹脂によりボンデイングワイヤは４１のように流され
となりのボンデイングワイヤと４２で接触して回路がシ
ョートするという課題については考慮されていなかっ
た。このショート発生は間隔が狭いワイヤ立ち上がり部
に於いてとくに発生頻度が高かった。
【０００４】また、ボンデイングワイヤにあらかじめ数
ミクロン程度樹脂コートしたワイヤで、ワイヤボンデイ
ングする方法もあるが、樹脂コート膜がワイヤとリード
フレームのメッキの間に残るインナーリード側の接合強
度は弱かった。
【０００５】また、図５で示すようにワイヤボンデイン
グ終了後、液状の絶縁性樹脂をシリンジ５１から吐出し
て樹脂コート膜５２を形成して、ボンデイングワイヤ１
３のショートが発生しやすいワイヤ立ち上がり部５３ま
でカバーしようとした場合、樹脂コート膜の厚みは、
０．５ｍｍから１．０ｍｍの厚さになった。
【０００６】これを図６に示すように樹脂封止材１６で
樹脂封止してパッケージにしたあとリフロー半田付けな
どで、パッケージに熱がかかった場合樹脂コート膜と樹
脂封止材の熱膨張率の差により材料界面５４にてボンデ
イングワイヤに応力が発生して、ボンデイングワイヤが
切断し信頼性が低下するという課題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ボン
デイングパッドのピッチやインナーリードのピッチが狭
くなったり、ボンデイングワイヤが長くなったりしたと
き、ワイヤの立ち上がり部に於いて注入樹脂によりボン
デイングワイヤが流され接触しても回路がショートせ
ず、インナーリードとボンデイングワイヤの接合強度も
強く信頼性の高いパッケージを実現することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、半導体素子
をリードフレームに搭載し、ワイヤボンデイングした半
導体装置において、ボンデイングワイヤ表面を２０μｍ
以下に液状樹脂でコートしたあと樹脂成形封止したこ
と、その製造方法としては半導体素子をワイヤボンデイ
ングした後、リードフレームを反転し、半導体素子をリ
ードフレームの下方に位置させ、液状の絶縁性樹脂吹き
上げ部に接触させる事により、液状樹脂でコートするこ
とにより、達成される。あるいは、半導体素子をワイヤ
ボンデイングした後、液状樹脂を粉霧状にしてボンデイ
ングワイヤに吹き付け樹脂コートすることにより達成さ
れる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１及び図２及び
図３により説明する。
【００１０】図１に於いてダイパット１２に搭載された
半導体素子１１とインナーリード１４をボンデイングワ
イヤ１３で接続した後、樹脂コート薄膜１５を形成して
いる。この場合樹脂コート薄膜はボンデイングワイヤの
一部だけにコートしてあっても良くボンデイングワイヤ
全体あるいは半導体素子表面、またはインナーリード表
面にもコートしてあってもよい。更に特定ワイヤを樹脂
コートしてあっても良く、全ワイヤを樹脂コートしても
よい。
【００１１】この様な構成に於いてボンデイングパッド
のピッチやインナーリードのピッチが狭くなったり、ボ
ンデイングワイヤが長くなったりしても、ワイヤ立ち上
がり部に於いて注入樹脂によりボンデイングワイヤが流
され接触しても回路がショートせず、インナーリードと
ボンデイングワイヤの接合強度も強く信頼性の高いパッ
ケージを実現することができる。更にパッケージに熱が
加えられても樹脂コート薄膜の膜厚を２０μｍ以下にす
る事により材料間の熱膨張差による応力発生への寄与率
がたいへん少なくなりボンデイングワイヤが切断される
こともなくなった。このあと樹脂成型封止材１６で封止
したあとアウターリードを成形してパッケージが完成す
る。
【００１２】図２はその製造方法を説明する図である。
【００１３】吹き上げ口２１から吹き出している液状の
樹脂コート剤２２がある。
【００１４】ここにワイヤボンデイングが終わったリー
ドフレーム２３を半導体素子１１及びボンデイングワイ
ヤ１３がリードフレームの下方になるようにして液状の
樹脂コート剤にあてる。液状の樹脂コート剤はワイヤ立
ち上がり部５３だけに塗布しても良くボンデイングワイ
ヤ全体あるいは半導体素子及びインナーリード１４にも
塗布しても良い。この製造方法により低粘度の液状樹脂
でもボンデイングワイヤに均一に塗布することが可能と
なり、且つ２０μｍ以下に塗布することができるように
なった。
【００１５】図３は他の製造方法を示す図である。ノズ
ル３１から粉霧状の樹脂コート剤３２をボンデイングワ
イヤ１３に吹き付ける。このとき樹脂をコートしないア
ウターリード部にはマスク３３をかぶせ選択的にコート
する。
【００１６】更に、液状樹脂をシリンジに入れ特定のワ
イヤに塗布しても良い。
【００１７】これらの製造方法において樹脂をコートし
た後乾燥してから半導体素子をモールドすることは言う
までもない。
【００１８】更にエアーブロー用ノズル３４により矢印
３５のように圧縮空気を吹き付け樹脂コート膜を薄く均
一にする事もできる以上のような構成に於いて、図４に
おけるボンデイングワイヤが４２で接触しても回路がシ
ョートすることはない。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば半導体素子
をリードフレームに搭載し、ワイヤボンデイングした半
導体装置において、ワイヤ立ち上がり部のボンデイング
ワイヤ表面を２０μｍ以下に液状樹脂でコートしたあと
樹脂成形封止したこと、その製造方法としては半導体素
子をワイヤボンデイングした後、リードフレームを反転
し、半導体素子をリードフレームの下方に位置させ、液
状の絶縁性樹脂吹き上げ部に接触させる事により、液状
樹脂でコートすること、あるいは、半導体素子をワイヤ
ボンデイングした後、液状樹脂を粉霧状にしてボンデイ
ングワイヤに吹き付け樹脂コートする。この方法により
ボンデイングパッドのピッチやインナーリードのピッチ
が狭くなったり、ボンデイングワイヤが長くなったりし
たとき、注入樹脂によりボンデイングワイヤが流され接
触しても回路がショートせず、インナーリードとボンデ
イングワイヤの接合強度も強く信頼性の高いパッケージ
を提供するという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す断面図。
【図２】本発明の製造方法を示す断面図。
【図３】本発明の他の製造方法を示す断面図。
【図４】従来の半導体装置を示す図。
【図５】従来の半導体装置を示す図。
【図６】従来の半導体装置を示す図。
【符号の説明】
１１・・・半導体素子 １２・・・ダイパット １３・・・ボンデイングワイヤ １４・・・インナーリード １５・・・樹脂コート薄膜 ２１・・・吹き上げノズル ２２・・・液状の樹脂コート剤 ３１・・・ノズル ３２・・・粉霧状の樹脂コート剤

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体素子をリードフレームに搭載し、ワ
    イヤボンデイングした半導体装置において、少なくても
    ボンデイングワイヤの半導体素子側ループ立ち上がり部
    付近を特定ワイヤあるいは全ワイヤを液状樹脂でコート
    したあと樹脂成形封止したことを特徴とする半導体装
    置。
  2. 【請求項２】液状樹脂の平均厚さが２０μｍ以下である
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】半導体素子をワイヤボンデイングした後、
    リードフレームを反転し、半導体素子をリードフレーム
    の下方に位置させ、液状の絶縁性樹脂吹き上げ部に接触
    させる事により、液状樹脂でコートすることを特徴とす
    る請求項１、２記載の半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】半導体素子をワイヤボンデイングした後、
    液状樹脂を粉霧状にしてボンデイングワイヤに吹き付け
    る事により、樹脂コートすることを特徴とする請求項
    １、２記載の半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】半導体素子をワイヤボンデイング及び液状
    樹脂コートした後エアーブローにより液状樹脂コート膜
    を均一に、且つ薄くすることを特徴とする請求項１、
    ２、３、４記載の半導体装置の製造方法。
JP5120137A 1993-05-21 1993-05-21 半導体装置およびその製造方法 Pending JPH06333970A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009206222A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JPWO2021070358A1 (ja) * 2019-10-11 2021-04-15

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