JPH0633243A - 硬質炭素膜被覆用治具 - Google Patents
硬質炭素膜被覆用治具Info
- Publication number
- JPH0633243A JPH0633243A JP19054492A JP19054492A JPH0633243A JP H0633243 A JPH0633243 A JP H0633243A JP 19054492 A JP19054492 A JP 19054492A JP 19054492 A JP19054492 A JP 19054492A JP H0633243 A JPH0633243 A JP H0633243A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- hard carbon
- frame
- jig
- carbon film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマを均一に発生させ、密着性良く硬質
炭素膜を被覆するための硬質炭素膜被覆治具を得る。 【構成】 複数の枠棒３で複数の被覆部材２を囲んだ枠
部と、各被覆部材間と、各枠棒間と、被覆部材と枠棒の
間の導通がとれる構成にした支持棒受け４、底部８と、
枠部の端部に設けられたリング部１とを有する。
炭素膜を被覆するための硬質炭素膜被覆治具を得る。 【構成】 複数の枠棒３で複数の被覆部材２を囲んだ枠
部と、各被覆部材間と、各枠棒間と、被覆部材と枠棒の
間の導通がとれる構成にした支持棒受け４、底部８と、
枠部の端部に設けられたリング部１とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、工具、軸受け等の耐
摩耗性を必要とする部材に硬質炭素膜を被覆するための
硬質炭素膜被覆用治具に関する。
摩耗性を必要とする部材に硬質炭素膜を被覆するための
硬質炭素膜被覆用治具に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図２に示すように、マイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法による硬質炭素膜の被覆用治具９は、ア
ルミナまたは石英からなる円筒形のものが知られてい
た。例えば特開昭５８−１１０４９４号公報などに従来
のこのような構造の硬質炭素膜被覆用治具が開示されて
いる。
ラズマＣＶＤ法による硬質炭素膜の被覆用治具９は、ア
ルミナまたは石英からなる円筒形のものが知られてい
た。例えば特開昭５８−１１０４９４号公報などに従来
のこのような構造の硬質炭素膜被覆用治具が開示されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の硬質炭
素膜被覆用治具においては下記の課題があった。図２
（ａ）は従来治具の平面図であり、図２（ｂ）は従来治
具の側面図である。図２（ｂ）に示すように、角部にエ
ッジを有する被覆部材１０を従来の硬質炭素膜被覆用治
具９に載せてマイクロ波放電のプラズマ内に設置する
と、前記エッジ部分にマイクロ波の電界が集中し、該エ
ッジ部分に強い放電部１１が発生する。この放電部１１
によりエッジ部分の膜厚が厚くなり、また、エッジ部分
の温度が上昇し、被覆後の冷却時に、熱応力のため硬質
炭素膜が剥離するという現象が起きていた。
素膜被覆用治具においては下記の課題があった。図２
（ａ）は従来治具の平面図であり、図２（ｂ）は従来治
具の側面図である。図２（ｂ）に示すように、角部にエ
ッジを有する被覆部材１０を従来の硬質炭素膜被覆用治
具９に載せてマイクロ波放電のプラズマ内に設置する
と、前記エッジ部分にマイクロ波の電界が集中し、該エ
ッジ部分に強い放電部１１が発生する。この放電部１１
によりエッジ部分の膜厚が厚くなり、また、エッジ部分
の温度が上昇し、被覆後の冷却時に、熱応力のため硬質
炭素膜が剥離するという現象が起きていた。
【０００４】一方、図２（ｃ）に示すように、金属製の
複数の棒２を従来の硬質炭素膜被覆用治具９に載せてマ
イクロ波放電のプラズマ内に設置すると、上述と同じ原
理で前記金属製の棒２の先端部分に強い放電部１１が発
生する。さらに、前記金属製の枠棒３は絶縁されている
ため、前記各棒間にはマイクロ波中で電位差が発生し、
各棒間に放電１２も発生する。これらの現象は、前記金
属製の棒間の場合だけではなく、一般に絶縁された金属
が接近してマイクロ波放電中に設置された場合に発生す
る。そして、この放電１２は非常に強いことに起因して
プラズマの組成が大きく変わり、硬質炭素の析出はなか
った。
複数の棒２を従来の硬質炭素膜被覆用治具９に載せてマ
イクロ波放電のプラズマ内に設置すると、上述と同じ原
理で前記金属製の棒２の先端部分に強い放電部１１が発
生する。さらに、前記金属製の枠棒３は絶縁されている
ため、前記各棒間にはマイクロ波中で電位差が発生し、
各棒間に放電１２も発生する。これらの現象は、前記金
属製の棒間の場合だけではなく、一般に絶縁された金属
が接近してマイクロ波放電中に設置された場合に発生す
る。そして、この放電１２は非常に強いことに起因して
プラズマの組成が大きく変わり、硬質炭素の析出はなか
った。
【０００５】そこで、この発明の目的は、従来のこのよ
うな課題を解決するため、エッジ部分への電界集中を抑
制し、金属製棒間の電位差をなくして、均一なプラズマ
を発生させて硬質炭素膜を均一に密着性良く被覆するた
めの硬質炭素膜被覆用治具を得ることにある。
うな課題を解決するため、エッジ部分への電界集中を抑
制し、金属製棒間の電位差をなくして、均一なプラズマ
を発生させて硬質炭素膜を均一に密着性良く被覆するた
めの硬質炭素膜被覆用治具を得ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、硬質炭素膜被覆用治具において、被覆部材を囲むよ
うに形成された複数の枠棒からなる枠部と、各被覆部材
間と、各枠棒間と、前記被覆部材と枠棒との間の電気的
導通を行う底部と、前記枠部および被覆部材の端部に設
けられた絶縁性のリング状部材とを有する構成とするも
のである。
に、硬質炭素膜被覆用治具において、被覆部材を囲むよ
うに形成された複数の枠棒からなる枠部と、各被覆部材
間と、各枠棒間と、前記被覆部材と枠棒との間の電気的
導通を行う底部と、前記枠部および被覆部材の端部に設
けられた絶縁性のリング状部材とを有する構成とするも
のである。
【０００７】
【作用】上記のように構成された硬質炭素膜被覆用治具
においては、前記枠棒にマイクロ波の電界が集中して被
覆部材付近の電界が弱められ、前記被覆部材のエッジ部
分への電界集中を抑制することができ、よってエッジ部
分における強い放電がなくなる。
においては、前記枠棒にマイクロ波の電界が集中して被
覆部材付近の電界が弱められ、前記被覆部材のエッジ部
分への電界集中を抑制することができ、よってエッジ部
分における強い放電がなくなる。
【０００８】また、被覆部材間と、枠棒間と、被覆部材
と枠棒との間に発生する電位差をも無くすことができ、
枠棒間、被覆部材間、被覆部材と枠棒の間（絶縁された
金属が接近して設置された間）の非常に強い放電がなく
なる。また、上述の構成にすると、被覆部材のエッジ部
分での強い放電はなくなるが、枠棒への電界集中によ
り、枠棒の先端に強い放電が発生し、均一なプラズマが
発生しない。そこで前記被覆部材および枠棒の端部を絶
縁性のリング状部材で支持することにより、枠棒先端に
発生する強い放電を防ぎ、均一なプラズマを発生できる
ようにしたものである。
と枠棒との間に発生する電位差をも無くすことができ、
枠棒間、被覆部材間、被覆部材と枠棒の間（絶縁された
金属が接近して設置された間）の非常に強い放電がなく
なる。また、上述の構成にすると、被覆部材のエッジ部
分での強い放電はなくなるが、枠棒への電界集中によ
り、枠棒の先端に強い放電が発生し、均一なプラズマが
発生しない。そこで前記被覆部材および枠棒の端部を絶
縁性のリング状部材で支持することにより、枠棒先端に
発生する強い放電を防ぎ、均一なプラズマを発生できる
ようにしたものである。
【０００９】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
説明する。図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施
例を開示したものであり、図１（ａ）は本願硬質炭素膜
被覆用治具の平面図、図１（ｂ）は本願硬質炭素膜被覆
用治具の部分側断面図である。図面において、底部８は
支持棒受け４と導通板５と固定枠６で構成している。前
記支持棒受け４はｈ−ＢＮ粉体をホットプレス等の手段
で成型したものであり、加工性は良いが電気絶縁体であ
るため、導通板５で各被覆部材２の間と、各枠棒３の間
と、前記被覆部材２及び枠棒３の間との電気的導通をと
るようにした。
説明する。図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施
例を開示したものであり、図１（ａ）は本願硬質炭素膜
被覆用治具の平面図、図１（ｂ）は本願硬質炭素膜被覆
用治具の部分側断面図である。図面において、底部８は
支持棒受け４と導通板５と固定枠６で構成している。前
記支持棒受け４はｈ−ＢＮ粉体をホットプレス等の手段
で成型したものであり、加工性は良いが電気絶縁体であ
るため、導通板５で各被覆部材２の間と、各枠棒３の間
と、前記被覆部材２及び枠棒３の間との電気的導通をと
るようにした。
【００１０】一方、支持棒受け４の底部８には支持棒７
を挿入する穴を形成し、前記固定枠６には枠棒３と被覆
部材２を挿入するための通し穴を形成する。さらに、前
記固定枠６に形成した通し穴にＷ製の枠棒３と被覆部材
２とを挿入し、前記各枠棒３及び被覆部材の端部にｈ−
ＢＮ等からなる絶縁性のリング状部材１を設置する。
を挿入する穴を形成し、前記固定枠６には枠棒３と被覆
部材２を挿入するための通し穴を形成する。さらに、前
記固定枠６に形成した通し穴にＷ製の枠棒３と被覆部材
２とを挿入し、前記各枠棒３及び被覆部材の端部にｈ−
ＢＮ等からなる絶縁性のリング状部材１を設置する。
【００１１】上記のように構成した硬質炭素膜被覆用治
具の底面部に形成した穴には支持棒７を挿入し、これら
をマイクロ波プラズマＣＶＤ装置内に設置する。その
後、以下の条件に従い硬質炭素膜の被覆処理を行った。 原料ガス ： ＣＨ４＋Ｈ２ 原料ガス混合比 ： ＣＨ４／Ｈ２＝０．１〜１０ ｖ
ｏｌ％ ガス圧 ： ２０〜４０ Ｔｏｒｒ ガス流量 ： １００〜５００ ＳＣＣＭ マイクロ波出力 ： ３００〜６００ Ｗ 被覆温度 ： ７００〜９００ ℃ 被覆時間 ： ２０ ｈｒ この結果、被覆処理中のプラズマは硬質炭素膜被覆用治
具の上部を覆い、部分的な強い放電もなく、均一に形成
されていた。被覆終了後は前記硬質炭素膜被覆用治具を
反応室内で室温まで冷却し、確認したところ、被覆部材
先端には剥離なく均一な硬質炭素膜が被覆される。
具の底面部に形成した穴には支持棒７を挿入し、これら
をマイクロ波プラズマＣＶＤ装置内に設置する。その
後、以下の条件に従い硬質炭素膜の被覆処理を行った。 原料ガス ： ＣＨ４＋Ｈ２ 原料ガス混合比 ： ＣＨ４／Ｈ２＝０．１〜１０ ｖ
ｏｌ％ ガス圧 ： ２０〜４０ Ｔｏｒｒ ガス流量 ： １００〜５００ ＳＣＣＭ マイクロ波出力 ： ３００〜６００ Ｗ 被覆温度 ： ７００〜９００ ℃ 被覆時間 ： ２０ ｈｒ この結果、被覆処理中のプラズマは硬質炭素膜被覆用治
具の上部を覆い、部分的な強い放電もなく、均一に形成
されていた。被覆終了後は前記硬質炭素膜被覆用治具を
反応室内で室温まで冷却し、確認したところ、被覆部材
先端には剥離なく均一な硬質炭素膜が被覆される。
【００１２】図１（ｃ）および（ｄ）は本発明の第２の
実施例を開示したものであり、図１（ｃ）は本願第２の
実施例による硬質炭素膜被覆用治具の平面図、図１
（ｄ）はその部分側断面図である。図１（ｃ）、（ｄ）
において、底部８は電気的導通部材からなる高融点金属
（Ｍｏ）で作製し、一方の面には支持棒７を挿入支持す
るための穴を形成し、他方の面には枠棒３と被覆部材２
とを挿入支持するための穴を形成している。前記各穴に
はそれぞれ枠棒３と被覆部材２を挿入し、前記枠棒およ
び被覆部材の端部には絶縁性部材からなるリング部材１
を設けている。
実施例を開示したものであり、図１（ｃ）は本願第２の
実施例による硬質炭素膜被覆用治具の平面図、図１
（ｄ）はその部分側断面図である。図１（ｃ）、（ｄ）
において、底部８は電気的導通部材からなる高融点金属
（Ｍｏ）で作製し、一方の面には支持棒７を挿入支持す
るための穴を形成し、他方の面には枠棒３と被覆部材２
とを挿入支持するための穴を形成している。前記各穴に
はそれぞれ枠棒３と被覆部材２を挿入し、前記枠棒およ
び被覆部材の端部には絶縁性部材からなるリング部材１
を設けている。
【００１３】上記のように組み立てた被覆治具の底部の
一方の面に形成された穴に支持棒を挿入し、実施例１と
同じ条件で硬質炭素膜の被覆処理を行うと、被覆処理中
のプラズマは、硬質炭素膜被覆用治具の上部を覆い、部
分的な強い放電もなく、均一に形成されていた。被覆終
了後、反応室内で室温まで冷却し、確認したところ、被
覆部材先端には剥離なく均一な硬質炭素膜が被覆され
る。
一方の面に形成された穴に支持棒を挿入し、実施例１と
同じ条件で硬質炭素膜の被覆処理を行うと、被覆処理中
のプラズマは、硬質炭素膜被覆用治具の上部を覆い、部
分的な強い放電もなく、均一に形成されていた。被覆終
了後、反応室内で室温まで冷却し、確認したところ、被
覆部材先端には剥離なく均一な硬質炭素膜が被覆され
る。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は被覆部材
を囲む枠棒からなる枠部と、各被覆部材間と、各枠棒間
と、前記被覆部材と枠棒の間との電気的導通がとれるよ
うに構成した底部と、前記枠部の上部に設けられたリン
グ状部材とを有する構成としたので、被覆材のエッジ部
分の強い放電が抑制され、枠棒間、被覆部材間、被覆部
材と枠棒の間の非常に強い放電がなくなり、さらに枠棒
の先端の強い放電もなくなる。
を囲む枠棒からなる枠部と、各被覆部材間と、各枠棒間
と、前記被覆部材と枠棒の間との電気的導通がとれるよ
うに構成した底部と、前記枠部の上部に設けられたリン
グ状部材とを有する構成としたので、被覆材のエッジ部
分の強い放電が抑制され、枠棒間、被覆部材間、被覆部
材と枠棒の間の非常に強い放電がなくなり、さらに枠棒
の先端の強い放電もなくなる。
【００１５】即ち、以上のことから均一なプラズマの発
生により、均一な密着性の良い硬質炭素膜の被膜が形成
できる。また、被覆部材の形状に関係なく、マイクロ波
中で均一なプラズマが発生し、均一な処理ができるとい
う本発明の硬質炭素膜被覆用治具の効果は、硬質炭素膜
被覆の場合のみではなく、マイクロ波で得られたプラズ
マを用いた全ての処理においても得られることが明白で
ある。例えば、マイクロ波で得られたプラズマを用いて
の、珪素と炭素を主成分とする物質、珪素と酸素を主成
分とする物質、珪素と窒素を主成分とする物質、窒素と
アルミニウムを主成分とする物質、ホウ素と窒素を主成
分とする物質、等の被覆処理、また、プラズマエッチッ
グ処理等においても、本発明の硬質炭素膜被覆用治具を
用いれば、均一な処理が可能となる。
生により、均一な密着性の良い硬質炭素膜の被膜が形成
できる。また、被覆部材の形状に関係なく、マイクロ波
中で均一なプラズマが発生し、均一な処理ができるとい
う本発明の硬質炭素膜被覆用治具の効果は、硬質炭素膜
被覆の場合のみではなく、マイクロ波で得られたプラズ
マを用いた全ての処理においても得られることが明白で
ある。例えば、マイクロ波で得られたプラズマを用いて
の、珪素と炭素を主成分とする物質、珪素と酸素を主成
分とする物質、珪素と窒素を主成分とする物質、窒素と
アルミニウムを主成分とする物質、ホウ素と窒素を主成
分とする物質、等の被覆処理、また、プラズマエッチッ
グ処理等においても、本発明の硬質炭素膜被覆用治具を
用いれば、均一な処理が可能となる。
【図１】本発明の硬質炭素膜被覆用治具の平面図および
側面図である。
側面図である。
【図２】従来の硬質炭素膜被覆用治具の平面図、側面図
および説明図である。
および説明図である。
１ リング状部材 ２ 被覆部材 ３ 枠棒 ４ 支持枠受け ５ 導通板 ６ 固定枠 ７ 支持棒 ８ 底部 １１ 放電部
Claims (1)
- 【請求項１】 マイクロ波プラズマＣＶＤ法によりダイ
ヤモンド構造を有し、炭素を主成分とする膜を被覆する
際、マイクロ波放電より得られたプラズマ中に複数の被
覆部材を設置する硬質炭素膜被覆用治具において、
（イ）複数の金属製の枠棒で被覆部材を囲んだ枠部と、
（ロ）各被覆部材間と、各枠棒間と、前記被覆部材と枠
棒間とで互いに導通がとれる構成にした底部と、（ハ）
前記枠部の端部に設けられ、前記被覆部材及び枠棒を支
持する絶縁性のリング状部材と、を有することを特徴と
する硬質炭素膜被覆用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19054492A JPH0633243A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 硬質炭素膜被覆用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19054492A JPH0633243A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 硬質炭素膜被覆用治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0633243A true JPH0633243A (ja) | 1994-02-08 |
Family
ID=16259852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19054492A Pending JPH0633243A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 硬質炭素膜被覆用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0633243A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005220424A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 製膜カバーおよび真空処理装置 |
| JP2016506450A (ja) * | 2012-12-12 | 2016-03-03 | エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド | Ｃｖｄによりダイヤモンド層を作製する方法 |
-
1992
- 1992-07-17 JP JP19054492A patent/JPH0633243A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005220424A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 製膜カバーおよび真空処理装置 |
| JP2016506450A (ja) * | 2012-12-12 | 2016-03-03 | エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド | Ｃｖｄによりダイヤモンド層を作製する方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1300878A1 (en) | Device and method for plasma processing, and slow-wave plate | |
| US6105518A (en) | Durable plasma treatment apparatus and method | |
| US2438892A (en) | Electrical translating materials and devices and methods of making them | |
| JPH11162880A (ja) | 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2010103188A (ja) | 大気圧プラズマ処理装置 | |
| JPS62294163A (ja) | 低接触低抗組成物及びその製造方法 | |
| EP0364215A2 (en) | Plasma etching apparatus | |
| KR20210153149A (ko) | 정전 척 시스템 | |
| US6863926B2 (en) | Corrosive-resistant coating over aluminum substrates for use in plasma deposition and etch environments | |
| US4900371A (en) | Method and apparatus for thermochemical treatment | |
| JPH0633243A (ja) | 硬質炭素膜被覆用治具 | |
| US4179618A (en) | Apparatus for ion-nitriding treatment | |
| JP2001284328A (ja) | セラミック部品 | |
| US2658844A (en) | Process of carburizing | |
| JP3173754B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JPH05299382A (ja) | プラズマ処理装置およびその方法 | |
| JP3246795B2 (ja) | タングステン膜の成膜方法及びタングステンｃｖｄ装置 | |
| JPH0845911A (ja) | プラズマ処理装置用電極 | |
| JPS62218577A (ja) | 気相反応装置用電極 | |
| JPS61117839A (ja) | 絶縁薄膜形成装置 | |
| JPH01145309A (ja) | 金属窒化物の製造方法およびその装置 | |
| JPH03267358A (ja) | 金型の表面処理方法 | |
| JPH05315093A (ja) | プラズマトーチ | |
| JP2000169978A (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜の除去方法 | |
| JPS61116843A (ja) | 絶縁薄膜の製造方法 |