JPH06330299A - 複酸化物焼結ターゲットの製造方法 - Google Patents
複酸化物焼結ターゲットの製造方法Info
- Publication number
- JPH06330299A JPH06330299A JP5139523A JP13952393A JPH06330299A JP H06330299 A JPH06330299 A JP H06330299A JP 5139523 A JP5139523 A JP 5139523A JP 13952393 A JP13952393 A JP 13952393A JP H06330299 A JPH06330299 A JP H06330299A
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- Japan
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- sintered
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】種々の物理蒸着法に不可欠な強固なターゲット
の製造方法を提供するもので、特に操作上重要なハンド
リングが可能でかつバネやピンで確実に押さえることが
できるＢａＳｎＯ3系焼結ターゲットの製造方法を提供
する。 【構成】立方晶ペロウスカイト構造を有するＢａＳｎＯ
3系の単結晶薄膜を物理的蒸着法により形成する際に用
いる焼結ターゲットの製造方法において、少なくともＢ
ａ原子を含有する化合物とＳｎ原子を含有する化合物を
配合、混合し、Ｂａ原子とＳｎ原子を含有する混合物を
形成する工程と、該混合物を大気中あるいは酸化性雰囲
気で１３００℃以上の温度で焼結する工程を有すること
を特徴とする。 【効果】焼結体を形成するうえで単に所望のＢａＳｎＯ
3化合物系構造ができる温度だけではなく、ターゲット
として重要な蒸着装置内への固定性やハンドリングが容
易となる崩れない焼結体を得るに最適な焼結温度を実験
的にはじめて確認したことから、極めて良質な単結晶薄
膜が実現できると言う利点がある。
の製造方法を提供するもので、特に操作上重要なハンド
リングが可能でかつバネやピンで確実に押さえることが
できるＢａＳｎＯ3系焼結ターゲットの製造方法を提供
する。 【構成】立方晶ペロウスカイト構造を有するＢａＳｎＯ
3系の単結晶薄膜を物理的蒸着法により形成する際に用
いる焼結ターゲットの製造方法において、少なくともＢ
ａ原子を含有する化合物とＳｎ原子を含有する化合物を
配合、混合し、Ｂａ原子とＳｎ原子を含有する混合物を
形成する工程と、該混合物を大気中あるいは酸化性雰囲
気で１３００℃以上の温度で焼結する工程を有すること
を特徴とする。 【効果】焼結体を形成するうえで単に所望のＢａＳｎＯ
3化合物系構造ができる温度だけではなく、ターゲット
として重要な蒸着装置内への固定性やハンドリングが容
易となる崩れない焼結体を得るに最適な焼結温度を実験
的にはじめて確認したことから、極めて良質な単結晶薄
膜が実現できると言う利点がある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は複酸化物ターゲット
の製造方法、さらに詳細には、いわゆる酸化物高温超伝
導体による全酸化物系ジョセフソントンネル接合を形成
する上で不可欠な中間絶縁層に最適なＢａＳｎＯ3系薄
膜をスパッタ法、レーザ蒸着法等に代表される物理蒸着
法により堆積成長させる際に用いるＢａＳｎＯ3系焼結
ターゲットの製造方法に関するものである。本材料に関
しては本発明者がすでに発明、特許出願（特願平５−４
３２２２号）をしているものである。産業上の利用分野
は、いわゆる酸化物高温超伝導体で構成されるジョセフ
ソントンネル接合を作成する際の絶縁体層を極めて容易
にかつ微粒な介在物がないように作成するもので、極め
て影響力の大きい電子デバイス開発の領域である。
の製造方法、さらに詳細には、いわゆる酸化物高温超伝
導体による全酸化物系ジョセフソントンネル接合を形成
する上で不可欠な中間絶縁層に最適なＢａＳｎＯ3系薄
膜をスパッタ法、レーザ蒸着法等に代表される物理蒸着
法により堆積成長させる際に用いるＢａＳｎＯ3系焼結
ターゲットの製造方法に関するものである。本材料に関
しては本発明者がすでに発明、特許出願（特願平５−４
３２２２号）をしているものである。産業上の利用分野
は、いわゆる酸化物高温超伝導体で構成されるジョセフ
ソントンネル接合を作成する際の絶縁体層を極めて容易
にかつ微粒な介在物がないように作成するもので、極め
て影響力の大きい電子デバイス開発の領域である。
【０００２】
【従来の技術および問題点】ＢａＳｎＯ3は基本的には
ＢａＯとＳｎＯ2がモル比１：１の立方晶ペロウスカイ
ト構造化合物（格子定数４．１１６３Å）であるが、極
く一般的に複酸化物の整形体を焼結するにはその融点の
〜１／２の温度に加熱することでなされることが多い。
ＢａＳｎＯ3の融点が〜２０６０℃であることから焼結
温度は〜１１００℃となるが、以下の実施例、比較例で
も述べるが、本発明者が１１００〜１２００℃で実施し
たところ、目的とするＢａＳｎＯ3化合物はできている
が、焼結体は極めて脆く、たとえば手で該焼結体を掴む
と容易に崩れてしまうことを確認した。すなわちこの脆
弱性はＢａＳｎＯ3化合物特有の現象であり、したがっ
て、このような焼結体をターゲットとして用いるときに
蒸着装置内に搬送や固定することができない欠点を有し
ていることがはじめてわかった。また、このような脆弱
なターゲットを用いての薄膜には表面に微粒子が無数に
付着していることも本発明者は発見し、非脆弱なターゲ
ット形成が不可欠であることを認識したものである。
ＢａＯとＳｎＯ2がモル比１：１の立方晶ペロウスカイ
ト構造化合物（格子定数４．１１６３Å）であるが、極
く一般的に複酸化物の整形体を焼結するにはその融点の
〜１／２の温度に加熱することでなされることが多い。
ＢａＳｎＯ3の融点が〜２０６０℃であることから焼結
温度は〜１１００℃となるが、以下の実施例、比較例で
も述べるが、本発明者が１１００〜１２００℃で実施し
たところ、目的とするＢａＳｎＯ3化合物はできている
が、焼結体は極めて脆く、たとえば手で該焼結体を掴む
と容易に崩れてしまうことを確認した。すなわちこの脆
弱性はＢａＳｎＯ3化合物特有の現象であり、したがっ
て、このような焼結体をターゲットとして用いるときに
蒸着装置内に搬送や固定することができない欠点を有し
ていることがはじめてわかった。また、このような脆弱
なターゲットを用いての薄膜には表面に微粒子が無数に
付着していることも本発明者は発見し、非脆弱なターゲ
ット形成が不可欠であることを認識したものである。
【０００３】本発明は、種々の物理蒸着法、たとえばス
パッタ法やレーザ蒸着法など、に不可欠な強固なターゲ
ットの製造方法を提供するもので、特に操作上重要なハ
ンドリングが可能でかつバネやピンで確実に押さえるこ
とができるＢａＳｎＯ3系焼結ターゲットの製造方法を
提供することを目的とする。
パッタ法やレーザ蒸着法など、に不可欠な強固なターゲ
ットの製造方法を提供するもので、特に操作上重要なハ
ンドリングが可能でかつバネやピンで確実に押さえるこ
とができるＢａＳｎＯ3系焼結ターゲットの製造方法を
提供することを目的とする。
【０００４】
【問題点を解決するための手段】上述の問題点を解決す
るため、本発明による複酸化物ターゲットの製造方法
は、立方晶ペロウスカイト構造を有するＢａＳｎＯ3系
の単結晶薄膜を物理的蒸着法により形成する際に用いる
焼結ターゲットの製造方法において、少なくともＢａ原
子を含有する化合物とＳｎ原子を含有する化合物を配
合、混合し、Ｂａ原子とＳｎ原子を含有する混合物を形
成する工程と、該混合物を大気中あるいは酸化性雰囲気
で１３００℃以上の温度で焼結する工程を有することを
特徴とする。
るため、本発明による複酸化物ターゲットの製造方法
は、立方晶ペロウスカイト構造を有するＢａＳｎＯ3系
の単結晶薄膜を物理的蒸着法により形成する際に用いる
焼結ターゲットの製造方法において、少なくともＢａ原
子を含有する化合物とＳｎ原子を含有する化合物を配
合、混合し、Ｂａ原子とＳｎ原子を含有する混合物を形
成する工程と、該混合物を大気中あるいは酸化性雰囲気
で１３００℃以上の温度で焼結する工程を有することを
特徴とする。
【０００５】本発明で述べるＢａＳｎＯ3系複酸化物の
焼結体ターゲットの製造方法の詳細についての報告はこ
れまでに見当たらない。
焼結体ターゲットの製造方法の詳細についての報告はこ
れまでに見当たらない。
【０００６】本発明による複酸化物ターゲットの製造方
法によれば、ＢａＳｎＯ3系特有の脆弱焼結性を回避す
る焼結条件、特に焼結温度、を実験的にはじめて明らか
にしたもので、物理蒸着法に供するためにハンドリング
が容易で、安定したターゲットを製造でき、かつ該ター
ゲットによる薄膜の表面モフォロジーが極めて平坦な薄
膜形成が実現できる。なお、本明細書（特許請求の範囲
を含む）において、ＢａＳｎＯ3系とは、ＢａＳｎＯ3焼
結体だけでなく、Ｂａの一部を他のアルカリ土類元素に
置換した場合も含むことを示している。
法によれば、ＢａＳｎＯ3系特有の脆弱焼結性を回避す
る焼結条件、特に焼結温度、を実験的にはじめて明らか
にしたもので、物理蒸着法に供するためにハンドリング
が容易で、安定したターゲットを製造でき、かつ該ター
ゲットによる薄膜の表面モフォロジーが極めて平坦な薄
膜形成が実現できる。なお、本明細書（特許請求の範囲
を含む）において、ＢａＳｎＯ3系とは、ＢａＳｎＯ3焼
結体だけでなく、Ｂａの一部を他のアルカリ土類元素に
置換した場合も含むことを示している。
【０００７】
【実施例１】出発原料としてのＢａＣＯ3とＳｎＯ2をＢ
ａとＳｎの原子比１／１になるように秤量、混合した後
に直径３ｃｍ、厚さ１．５ｃｍの円盤に約１００Ｋｇ／
ｃｍ2の加圧下で整形した。この圧粉体を酸素雰囲気中
で１３００℃で２０時間焼成した。焼成体は直径、厚み
ともに〜３０％収縮し、焼結が進んでいることがわかっ
た。Ｘ線粉末回折法により、格子定数は４．１１６Å
で、米国ナショナル ビュロー オブ スランダード
のモノグラフ２５、セクション３１１（１９６４年）
（National Bureau of Standard Monograph 25, Sec. 3
11 (1964)）に記載されている値４．１１６３Åとよく
一致していた。また、（１１０）、（１１１）、（２０
０）回折ピークの半値幅は、各々、０．１４４°、０．
０９０°、０．１００°で、結晶性も極めてよいことが
判明した。さらに、この焼結体は極めて硬く、強固でバ
ネやピン等で強く押さえても解体、破壊せず、蒸着装置
内に搬送、固定が安定してできた。
ａとＳｎの原子比１／１になるように秤量、混合した後
に直径３ｃｍ、厚さ１．５ｃｍの円盤に約１００Ｋｇ／
ｃｍ2の加圧下で整形した。この圧粉体を酸素雰囲気中
で１３００℃で２０時間焼成した。焼成体は直径、厚み
ともに〜３０％収縮し、焼結が進んでいることがわかっ
た。Ｘ線粉末回折法により、格子定数は４．１１６Å
で、米国ナショナル ビュロー オブ スランダード
のモノグラフ２５、セクション３１１（１９６４年）
（National Bureau of Standard Monograph 25, Sec. 3
11 (1964)）に記載されている値４．１１６３Åとよく
一致していた。また、（１１０）、（１１１）、（２０
０）回折ピークの半値幅は、各々、０．１４４°、０．
０９０°、０．１００°で、結晶性も極めてよいことが
判明した。さらに、この焼結体は極めて硬く、強固でバ
ネやピン等で強く押さえても解体、破壊せず、蒸着装置
内に搬送、固定が安定してできた。
【０００８】
【実施例２】実施例１と同様、ＢａＣＯ3とＳｎＯ2をＢ
ａとＳｎの原子比１／１になるように秤量、混合した後
に直径３ｃｍ、厚さ１．５ｃｍの円盤に約１００Ｋｇ／
ｃｍ2の加圧下で整形した。この圧粉体を大気中で１３
５０℃で１２時間焼成した。Ｘ線粉末回折法により、格
子定数は４．１１５９Åで、米国ナショナル ビュロー
オブ スランダード のモノグラフ２５、セクション
３１１（１９６４年）（National Bureau of Standard
Monograph 25, Sec. 3 11 (1964)）に記載されている値
４．１１６３Åとよく一致していた。また、（１１
０）、（１１１）、（２００）回折ピークの半値幅は、
各々、０．１４０°、０．０８９°、０．１０１°で、
結晶性も極めてよいことが判明した。さらに、この焼結
体は極めて硬く、強固でバネやピン等で強く押さえても
解体、破壊せず、蒸着装置内に搬送、固定が安定してで
きた。
ａとＳｎの原子比１／１になるように秤量、混合した後
に直径３ｃｍ、厚さ１．５ｃｍの円盤に約１００Ｋｇ／
ｃｍ2の加圧下で整形した。この圧粉体を大気中で１３
５０℃で１２時間焼成した。Ｘ線粉末回折法により、格
子定数は４．１１５９Åで、米国ナショナル ビュロー
オブ スランダード のモノグラフ２５、セクション
３１１（１９６４年）（National Bureau of Standard
Monograph 25, Sec. 3 11 (1964)）に記載されている値
４．１１６３Åとよく一致していた。また、（１１
０）、（１１１）、（２００）回折ピークの半値幅は、
各々、０．１４０°、０．０８９°、０．１０１°で、
結晶性も極めてよいことが判明した。さらに、この焼結
体は極めて硬く、強固でバネやピン等で強く押さえても
解体、破壊せず、蒸着装置内に搬送、固定が安定してで
きた。
【０００９】
【実施例３】実施例１と２に述べた非脆弱性焼結体をレ
ーザ蒸着装置内に装着、ピン等で固定し、ＳｒＴｉＯ3
基板上に薄膜を成長させた。Ｘ線回折から格子定数４．
１３３ÅのＢａＳｎＯ3薄膜が成長し、（１００）回折
ピークの半値幅も０．１０°とよい単結晶薄膜ができて
いることが確認された。顕微鏡観察、さらには電子顕微
鏡観察によっても微粒子の存在は確認できず、極めて良
質なＢａＳｎＯ3薄膜であることが確認できた。
ーザ蒸着装置内に装着、ピン等で固定し、ＳｒＴｉＯ3
基板上に薄膜を成長させた。Ｘ線回折から格子定数４．
１３３ÅのＢａＳｎＯ3薄膜が成長し、（１００）回折
ピークの半値幅も０．１０°とよい単結晶薄膜ができて
いることが確認された。顕微鏡観察、さらには電子顕微
鏡観察によっても微粒子の存在は確認できず、極めて良
質なＢａＳｎＯ3薄膜であることが確認できた。
【００１０】
【比較例１】出発原料としてのＢａＣＯ3とＳｎＯ2をＢ
ａとＳｎの原子比１／１になるように秤量、混合した混
合物を、直径３ｃｍ、厚さ１．５ｃｍの円盤に約１００
Ｋｇ／ｃｍ2の加圧下で整形した。この圧粉体を大気中
９５０℃で１０時間焼成した。焼成体は直径、厚さとも
に数％程度の収縮が見られ、またＸ線粉末回折法により
格子定数４．１２０２Åの立方晶ペロウスカイト構造で
あることを確認した。そして回折ピークの強い（１１
０）、（１１１）、（２００）ピークの半値幅（FWHM:F
ull Width at Falf Maximum）は、各々、０．２４°、
０．２３°、０．２３８°であり、比較的大きかったこ
とから、結晶性がよくないことが判明した。さらに、こ
の焼結体を手で掴んだところ簡単にＢａＳｎＯ3粉体に
解体し、極めて脆いことがわかった。この脆弱性と低結
晶性は焼成温度が不十分であることによる。
ａとＳｎの原子比１／１になるように秤量、混合した混
合物を、直径３ｃｍ、厚さ１．５ｃｍの円盤に約１００
Ｋｇ／ｃｍ2の加圧下で整形した。この圧粉体を大気中
９５０℃で１０時間焼成した。焼成体は直径、厚さとも
に数％程度の収縮が見られ、またＸ線粉末回折法により
格子定数４．１２０２Åの立方晶ペロウスカイト構造で
あることを確認した。そして回折ピークの強い（１１
０）、（１１１）、（２００）ピークの半値幅（FWHM:F
ull Width at Falf Maximum）は、各々、０．２４°、
０．２３°、０．２３８°であり、比較的大きかったこ
とから、結晶性がよくないことが判明した。さらに、こ
の焼結体を手で掴んだところ簡単にＢａＳｎＯ3粉体に
解体し、極めて脆いことがわかった。この脆弱性と低結
晶性は焼成温度が不十分であることによる。
【００１１】
【比較例２】比較例１と同様に、ＢａＣＯ3とＳｎＯ2を
ＢａとＳｎの原子比１／１になるように秤量、混合した
混合物を、直径３ｃｍ、厚さ１．５ｃｍの円盤に約１２
０Ｋｇ／ｃｍ2の加圧下で整形した。この圧粉体を酸素
雰囲気中で８５０℃で１０時間、その後１１５０℃で２
５時間焼成した。焼成体は直径、厚さともに〜１０％収
縮しており、Ｘ線粉末回折法により格子定数は４．１１
９Åの立方晶ペロウスカイト構造ＢａＳｎＯ3であっ
た。（１１０）、（１１１）、（２００）回折ピークの
半値幅は、各々、０．１５６°、０．０７４°、０．０
５６°で、比較例１に比べて格段に結晶性が向上してい
ることが判明した。しかしながらこの焼成体もたとえば
ピンセット等で強く掴むと容易に解体し、安定に蒸着装
置内にターゲットとして固定することができなかった。
ＢａとＳｎの原子比１／１になるように秤量、混合した
混合物を、直径３ｃｍ、厚さ１．５ｃｍの円盤に約１２
０Ｋｇ／ｃｍ2の加圧下で整形した。この圧粉体を酸素
雰囲気中で８５０℃で１０時間、その後１１５０℃で２
５時間焼成した。焼成体は直径、厚さともに〜１０％収
縮しており、Ｘ線粉末回折法により格子定数は４．１１
９Åの立方晶ペロウスカイト構造ＢａＳｎＯ3であっ
た。（１１０）、（１１１）、（２００）回折ピークの
半値幅は、各々、０．１５６°、０．０７４°、０．０
５６°で、比較例１に比べて格段に結晶性が向上してい
ることが判明した。しかしながらこの焼成体もたとえば
ピンセット等で強く掴むと容易に解体し、安定に蒸着装
置内にターゲットとして固定することができなかった。
【００１２】
【比較例３】比較例１および２で述べた脆弱性焼成体を
強固に固定しない治具を用いてレーザ蒸着装置内に搬
入、設置してＢａＳｎＯ3薄膜をＳｒＴｉＯ3基板上に堆
積させた。薄膜をＸ線回折で調べたところ、薄膜の厚み
方向の格子定数が４．１６４ÅのＢａＳｎＯ3薄膜が成
長していたが、顕微鏡観察により膜表面には無数の微粒
子が付着しており、脆弱なターゲットのためにこれら微
粒子が蒸着中に同時に基板上に堆積したものと考えられ
た。
強固に固定しない治具を用いてレーザ蒸着装置内に搬
入、設置してＢａＳｎＯ3薄膜をＳｒＴｉＯ3基板上に堆
積させた。薄膜をＸ線回折で調べたところ、薄膜の厚み
方向の格子定数が４．１６４ÅのＢａＳｎＯ3薄膜が成
長していたが、顕微鏡観察により膜表面には無数の微粒
子が付着しており、脆弱なターゲットのためにこれら微
粒子が蒸着中に同時に基板上に堆積したものと考えられ
た。
【００１３】なお、ＢａＳｎＯ3薄膜の格子定数が焼結
ターゲットのそれに比べて大きいのは、基板ＳｒＴｉＯ
3の格子定数がＢａＳｎＯ3のそれよりも小さい（〜３．
９９Å）ことから、膜の厚み方向に膨張した結果であ
る。
ターゲットのそれに比べて大きいのは、基板ＳｒＴｉＯ
3の格子定数がＢａＳｎＯ3のそれよりも小さい（〜３．
９９Å）ことから、膜の厚み方向に膨張した結果であ
る。
【００１４】上述の実施例においては、炭酸バリウムお
よび酸化錫を使用したが、上記ターゲットを製造する上
において、母原料としてたとえば硝酸バリウム、硝酸錫
を用いても化学量論的組成に配合、混合した後、硝酸基
を揮発除去した後に円盤形状に整形し大気中、あるいは
酸化雰囲気中で１３００℃以上で長時間焼結することで
同様の効果が得られた。また、母原料として二つの陽イ
オンの一方を酸化物、他方を硝酸塩の形で化学量論的組
成に配合、混合し硝酸基を除去した後に円盤状に整形
し、１３００℃以上で長時間焼結することでもよいこと
も明らかである。
よび酸化錫を使用したが、上記ターゲットを製造する上
において、母原料としてたとえば硝酸バリウム、硝酸錫
を用いても化学量論的組成に配合、混合した後、硝酸基
を揮発除去した後に円盤形状に整形し大気中、あるいは
酸化雰囲気中で１３００℃以上で長時間焼結することで
同様の効果が得られた。また、母原料として二つの陽イ
オンの一方を酸化物、他方を硝酸塩の形で化学量論的組
成に配合、混合し硝酸基を除去した後に円盤状に整形
し、１３００℃以上で長時間焼結することでもよいこと
も明らかである。
【００１５】加えて、実施例では圧粉体を整形した場合
であるが、いわゆるホットプレス等の焼結方法において
も焼結温度が脆弱でない焼結体となる〜１３００℃以上
であれば本発明に制約されることになることは明らかで
ある。
であるが、いわゆるホットプレス等の焼結方法において
も焼結温度が脆弱でない焼結体となる〜１３００℃以上
であれば本発明に制約されることになることは明らかで
ある。
【００１６】また、実施例ではＢａＳｎＯ3焼結体につ
いて述べたが、Ｂａの一部を他のアルカリ土類元素に置
換した場合でも、本発明による非脆弱ターゲット製造方
法を適用可能であることは明らかである。すなわち、本
発明においてはＢａＳｎＯ3系燒結体の製造方法に適用
できる。
いて述べたが、Ｂａの一部を他のアルカリ土類元素に置
換した場合でも、本発明による非脆弱ターゲット製造方
法を適用可能であることは明らかである。すなわち、本
発明においてはＢａＳｎＯ3系燒結体の製造方法に適用
できる。
【００１７】なお、本実施例ではＢａＳｎＯ3薄膜をレ
ーザ蒸着法により製造したが、ＢａＳｎＯ3薄膜の製造
方法については本発明において限定されるものではな
い。
ーザ蒸着法により製造したが、ＢａＳｎＯ3薄膜の製造
方法については本発明において限定されるものではな
い。
【００１８】
【発明の効果】上述の説明より明らかなように、焼結体
を形成するうえで単に所望のＢａＳｎＯ3化合物系構造
ができる温度だけではなく、ターゲットとして重要な蒸
着装置内への固定性やハンドリングが容易となる崩れな
い焼結体を得るに最適な焼結温度を実験的にはじめて確
認したことから、極めて良質な単結晶薄膜が実現できる
と言う利点がある。
を形成するうえで単に所望のＢａＳｎＯ3化合物系構造
ができる温度だけではなく、ターゲットとして重要な蒸
着装置内への固定性やハンドリングが容易となる崩れな
い焼結体を得るに最適な焼結温度を実験的にはじめて確
認したことから、極めて良質な単結晶薄膜が実現できる
と言う利点がある。
Claims (1)
- 【請求項１】立方晶ペロウスカイト構造を有するＢａＳ
ｎＯ3系の単結晶薄膜を物理的蒸着法により形成する際
に用いる焼結ターゲットの製造方法において、少なくと
もＢａ原子を含有する化合物とＳｎ原子を含有する化合
物を配合、混合し、Ｂａ原子とＳｎ原子を含有する混合
物を形成する工程と、該混合物を大気中あるいは酸化性
雰囲気で１３００℃以上の温度で焼結する工程を有する
ことを特徴とする複酸化物ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5139523A JPH06330299A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 複酸化物焼結ターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5139523A JPH06330299A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 複酸化物焼結ターゲットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06330299A true JPH06330299A (ja) | 1994-11-29 |
Family
ID=15247275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5139523A Pending JPH06330299A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 複酸化物焼結ターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06330299A (ja) |
-
1993
- 1993-05-18 JP JP5139523A patent/JPH06330299A/ja active Pending
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