JPH06328354A

JPH06328354A - ダイヤモンド研磨皿およびその製造方法

Info

Publication number: JPH06328354A
Application number: JP5118246A
Authority: JP
Inventors: Keiji Hirabayashi; 敬二平林; Toshiaki Yoshikawa; 俊明吉川
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1993-05-20
Filing date: 1993-05-20
Publication date: 1994-11-29

Abstract

(57)【要約】【構成】球面形状の研磨面を有する研磨皿の研磨面
に、研磨面の主軸を軸とする回転および／または研磨面
の中心を通り研磨面の主軸に直交する直線を軸とする回
転を加えて、研磨面内の任意の箇所に光を照射すること
により、研磨面上に滑らかな表面部分（イ）と複数の微
細な傷付け加工を施した部分（ロ）とをパターン状に形
成し、その研磨皿上に気相合成によるダイヤモンド形成
を行なってダイヤモンド研磨皿を作製する。【効果】従来不可能であった球面を有する基板表面の
任意の場所に１０μｍ²以下の大きさのパターンを形成
することが可能となり、再現性良く高品質なダイヤモン
ド粒子を成長させ、研削性能に優れた研磨皿の製作が可
能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学レンズ製造のため
の研磨皿、特にレンズ研磨工程に不可欠な研磨砂を使用
せずにレンズ研磨を行なうことのできるダイヤモンド砥
石を有する研磨皿に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光学レンズ製造工程は、光学ガラ
スをプレスあるいは切断した後、粗研削、精研削、研
磨、洗浄、コーティングといった工程から成り立ってい
る。このうち粗研削および精研削はいずれも、ベンガ
ラ、酸化セリウムなどの砥粒を水または油に混濁させた
液体を、ガラスと鋳鉄製研磨皿との間に潤滑させ、砥粒
でガラス表面を削り取ることで行なわれる。この際、砥
粒の粒径が大きいほどガラスの研磨量が大きくなるた
め、研削初期は大粒径の砥粒を使用する。しかしなが
ら、ガラス面の傷も大きいため、ガラス表面の傷や割れ
を防ぐために、工程の進行に応じて順次粒径の小さい砥
粒に替えていく。

【０００３】最近では、粒状の人工ダイヤモンドを有機
物や金属で研磨面に固定した研磨皿が使用されるように
なってきた。ダイヤモンドはベンガラ、酸化セリウムな
どに比べ硬度が高いため、研削性能が良く、研削時間の
短縮に役立っている。しかしながら、工程が進むに連れ
てダイヤモンドの粒径を替えるといった前記の工程は必
要とした。また、砥粒を変える時には粒径の異なる砥粒
の混合を防ぐため、ガラスの洗浄をする必要があり、煩
雑な工程を要した。

【０００４】この問題を解決するために、気相合成によ
る硬質炭素粒子を砥粒として用いた研削砥石が提案され
ている（特開平２−２７９２７８、３−２０８５６
０）。気相合成による硬質炭素粒子は粒径が小さく研削
性能が良い。このため、従来の研磨工程で避けられなか
った研削の進行に応じたダイヤモンド粒径の変更が不必
要となった。

【０００５】このような単結晶ダイヤモンド粒子を研磨
皿上に成長させた研削砥石製造において、研削に使用で
きるダイヤモンド粒子を成長させるためには、１０μｍ
²以下の凹凸のあるスポットパターンを指定する必要が
ある。また、研磨皿の各部分での研削性能が等しくなる
よう凹面の全ての部分で同じ密度で同じ径のスポットパ
ターンが必要となる。スポットパターンは０．５〜１０
μｍ²とするが、これは、この大きさのスポットパター
ンが存在する場合に限り、砥石として有用なダイヤモン
ド粒子が成長することが確認されているためである。半
導体集積回路の製造工程の１つである露光工程を使用す
れば、平面上に前記の０．５〜１０μｍ ²のスポットを
パターニングすることは可能である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マスク
材と被パターニング材の間隔を一定に保つことが不可能
な研磨皿などの球面には前記寸法のパターニングを正確
に行なうことは出来なかった。このため、上記従来例の
気相合成による硬質炭素粒子を砥粒として用いた研削砥
石を効率よく生産することは難しかった。

【０００７】本発明は上記従来例の技術の有する問題点
に鑑みてなされたものであり、球面形状を有する基板表
面に１０μｍ²以下の大きさのパターンを大きさおよび
場所を正確に作成することにより、再現性良く高品質な
ダイヤモンド粒子を成長させ研削性能に優れた研磨皿を
提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、セラミック
ス、金属またはそれらの複合材から成り、球面形状の研
磨面を有する研磨皿の該研磨面上に、滑らかな表面部分
（イ）と複数の微細な傷付け加工を施した部分（ロ）と
を形成し、気相合成により（ロ）上に選択的にダイヤモ
ンド粒子を析出させ、該析出ダイヤモンド粒子を該研磨
面上に固定するダイヤモンド研磨皿製造方法において、
研磨面に該研磨面の主軸を軸とする回転および／または
該研磨面の中心を通り該研磨面の主軸に直交する直線を
軸とする回転を加えて、該研磨面内の任意の箇所に光を
照射することにより、表面部分（イ）および（ロ）のパ
ターンを形成することを特徴とするダイヤモンド研磨皿
製造方法を提供する。

【０００９】本発明で用いられる基体は、アルミナ、ジ
ルコニアのような酸化物系セラミックス；炭化珪素、炭
化チタン、窒化チタン、炭化タングステンなどの炭化物
・窒化物系セラミックス；さらにＷＣ系の超硬合金、
銅、チタン、ニッケル、鉄、コバルト、シリコン、モリ
ブデン、タングステン、タンタルなどの金属およびこれ
らの合金を素材とすることができる。また、これらの基
体の表面に中間層を形成し、ダイヤモンド結晶との密着
力を向上させても良い。

【００１０】中間層の素材としては特に限定されるもの
ではないが、例えばシリコン、チタン、タンタル、モリ
ブデン、ニオブの単体およびこれらの合金、さらにはそ
れらの炭化物および窒化物を用いることができる。

【００１１】また、基体の形状は、用途や研削物の材質
あるいは形状により任意に決めることができるが、例え
ばレンズ形状のガラスなどを研削する場合は、そのレン
ズ形状の曲率に合わせて曲面形状とする。

【００１２】上記の基体上に気相合成法を用いてダイヤ
モンド砥粒を形成する。本発明で用いるダイヤモンド砥
粒の気相合成法は、特に限定されるものではないが、例
えば熱フィラメントＣＶＤ法、マイクロ波ＣＶＤ法、直
流プラズマＣＶＤ法、高周波プラズマＣＶＤ法、有磁場
マイクロ波プラズマＣＶＤ法、燃焼炎法などを挙げるこ
とができる。

【００１３】原料ガスには、炭素源としてメタン、エタ
ン、プロパン、ブタン、エチレン、アセチレンなどの炭
化水素ガス；ＣＯ、ＣＯ₂、ＣＣｌ₄、ＣＨＣｌ₃、ＣＨ₂
Ｃｌ ₂、ＣＨ₃Ｃｌ、ＣＦ₄、ＣＣｌＦ₃、ＣＨＦ₃などの
酸素、塩素および／またはフッ素と炭素から成る化合
物、さらにはメタノール、エタノール、アセトン、酢酸
などの有機化合物を用い、これに水素、酸素、ハロゲン
ガス、希ガスなどを適宜混合する。

【００１４】ダイヤモンド結晶の形成条件は合成法によ
って異なるが、例えばマイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
り水素−メタン系原料ガスでダイヤモンド砥粒を形成す
る場合、メタンガス濃度を０．１〜８％、基板温度を４
００〜１２００℃、圧力を１３．３Ｐａ〜１×１０⁶Ｐ
ａ、全ガス流量を１０〜１００００ｍｌ／分とすること
が望ましい。燃焼法により酸素−アセチレン系原料ガス
でダイヤモンド砥粒を形成する場合、酸素／アセチレン
比（Ｏ₂／Ｃ₂Ｈ₂）を０．７≦Ｏ₂／Ｃ₂Ｈ₂≦１．２と
し、圧力を１０³〜１０⁶Ｐａとし、さらに基板温度を４
００〜１２００℃とする。また、熱フィラメントＣＶＤ
法により水素−メタン系でダイヤモンド砥粒を合成する
場合、メタン濃度を０．１〜６％とし基板温度を３００
〜１２００℃、フィラメント温度を１４００〜２８００
℃、圧力を１３．３Ｐａ〜１×１０ ⁶Ｐａ、全ガス流量
を１０〜５０００ｍｌ／分とすることが望ましい。また
有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ法により一酸化炭素−
水素系でダイヤモンド砥粒を形成する場合、一酸化炭素
濃度を２〜８０％とし、基板温度を２５０〜１２５０
℃、マイクロ波出力を０．２〜５ｋＷとすることが望ま
しい。

【００１５】さらに、本発明において砥粒として用いら
れるダイヤモンド結晶の選択堆積法としては、例えば特
開平２−３０６９７号公報に開示の方法を挙げることが
できるが、特にかかる方法に限定されるものではない。

【００１６】特開平２−３０６９７号公報に開示された
方法は、基板表面の傷付け処理を施した後、基板にパタ
ーン状にマスクを形成し、エッチング処理を行ない、マ
スクを除去することにより、傷付け処理した部位をパタ
ーン状に形成する方法である。なお、基体にパターン状
にマスクを施し、基体表面を傷付け処理し、次にエッチ
ング処理によりパターン状のマスクを除去することによ
り、傷付け処理した部位をパターン状に形成する方法；
基体表面に傷付け処理を施した後、耐熱性を有するマス
クをパターン状に施すことにより傷付け処理した部位を
パターン状に形成する方法；基体表面に傷付処理を施し
た後、光を照射し、基体表面をパターン状に溶融して形
成する方法などで行なっても良い。いずれの方法におい
ても、ダイヤモンド結晶は傷付け処理されたパターン部
に選択的に形成される。

【００１７】本発明においては、傷付け処理されたパタ
ーン部の１箇所当たりの面積は０．５〜１０μｍ²の範
囲とすることが望ましい。このパターン部の面積が０．
５μｍ²以下では析出の抜けが生じ易く、また１０μｍ²
以上ではダイヤモンド砥粒が粒子形状ではなく平坦な膜
状となって砥粒として適さなくなる。又、ダイヤモンド
砥粒は基体上に分散形成されている必要があるため、パ
ターン間の間隔はダイヤモンド砥粒の粒子径より十分大
きくする必要がある。例えば砥粒粒子径が２０μｍの場
合、パターン間隔は２５μｍ以上とすることが望まし
い。また、研削特性の向上のため、パターン間隔は１０
０μｍ以下とすることが望ましい。

【００１８】基体上にダイヤモンド砥粒を用いて傷付け
処理した部位をパターン状に形成することでダイヤモン
ドの選択堆積を行なう方法の１例について、図３ａ〜ｅ
の模式図に従って説明する。

【００１９】まず、基体３１表面にダイヤモンド砥粒を
用いて均一に傷付け処理を施す（図３ａ）。この基体表
面に、後述する本発明の球面基体への露光方法を用い
て、マスク３２をパターン状に形成する（図３ｂ）。

【００２０】次に、マスク３２を介して基体３１をエッ
チングすることにより、傷付け処理した部位のパターン
を形成する（図３ｃ）。この際、エッチングはドライエ
ッチングまたはウェットエッチングのいずれでも良い。
ウェットエッチングの場合、種々の酸・アルカリ、例え
ば、フッ酸・硝酸混酸によるエッチングなどが挙げられ
る。またドライエッチングの場合、プラズマエッチング
用のガスとしてはＣＦ ₄およびＣＦ₄と酸素、水素、アル
ゴンなどとの混合ガス等を用いることができる。イオン
ビーム用のガスとしては、アルゴン、ネオン、ヘリウム
などの希ガスや酸素、フッ素、水素、ＣＦ₄などのガス
も使用可能である。エッチング深さは１０ｎｍ以上、望
ましくは５０〜１０００ｎｍ、最適には８０〜２００ｎ
ｍ程度とする。

【００２１】次にマスク３２を除去し（図３ｄ）、前述
した気相合成法を用いてダイヤモンドを形成すると、傷
付け処理を施した部位にのみ選択的にダイヤモンド３３
が形成される（図３ｅ）。

【００２２】また、基体上にダイヤモンド砥粒を用いて
傷付け処理した部位のパターン状形成を、基体３１表面
に高エネルギーを持つ光を照射し、基体３１表面の任意
の部分を溶融し、平滑化することによって行なうことも
できる。この場合、マスク材３２にパターンマスクのパ
ターンを露光することはできないため、パターン形状は
単純な多角形のみとなる。

【００２３】

【実施例】次に、本発明を図面を用いながら実施例によ
り具体的に説明する。

【００２４】（実施例１）本実施例では図１および図２
に示した装置を用いてパターニングを行なった。図１は
本発明の方法に用いる露光装置の１例の模式的断面図で
あり、図２はその模式的平面図である。

【００２５】図中１は研磨皿である露光用サンプルであ
り、サンプル支持盤２上に固定されている。サンプル支
持盤２は鉛直方向に立ったサンプル支持棒３により支持
され、さらに、サンプル支持棒３はベアリング４により
回転自在のまま鏡支持板５に固定されている。サンプル
支持棒３はギヤー６を介してエンコーダー内蔵のサンプ
ル回転用モーター７に接続されており、モーター７の回
転によりサンプル１を回転できる構造となっている。

【００２６】鏡８は、鏡支持棒１０に取り付けられた鏡
回転用ギヤー９に固定されており、その回転の中心はサ
ンプル１の主軸１７上にある。鏡支持棒１０はベアリン
グ１１により回転自在のまま鏡支持板５に固定されてい
る。鏡回転用ギヤー９はエンコーダー内蔵の鏡回転用モ
ーター１２に接続され、軸１７を含み紙面に垂直な面内
で鏡８を回転できるようになっている。

【００２７】ＫｒＦレーザー光源１３から放射される光
はビーム光学系１４とパターンマスク１５を通り、鏡８
で直角に反射され、サンプル１の表面に到達する。この
ため、サンプル１のどの表面部分に照射する場合でも、
照射光がビーム光学系１４からサンプル１表面に到達す
るまでに通過する距離は等しくなる。従って、ビーム光
学系１４からの光により、パターンマスク１５は、スポ
ットパターンをサンプル１表面に結像させるためのもの
である。サンプル１表面上のスポットの大きさはビーム
光学系１４の調整によって行なう。ここで、鏡回転用モ
ーター１２、サンプル回転用モーター７およびＫｒＦレ
ーザー光源１３は、光源・モーター制御電源１６に接続
されており、各モーターに内蔵されているエンコーダー
により光の照射箇所と光源の発光時期を合わせることで
自動的に任意の位置に光を照射できるようになってい
る。

【００２８】本実施例ではこの装置を用いてパターニン
グを行なった。パターニング操作の手順は図６のフロー
チャートに示した。以下、操作の番号（Ａ〜Ｊ）は図６
の操作項目番号に従う。

【００２９】研磨皿である露光用サンプル１をダイヤモ
ンド砥粒の分散されたアルコール中に入れ、超音波を印
加して傷付け処理を施した（Ａ）。この露光用サンプル
１にＰＭＭＡ系レジストを塗布した（Ｂ）。次に、レジ
スト材が塗布された被露光面を上向きにして、この露光
用サンプル１をサンプル支持盤２に固定した（Ｃ）。次
にこのサンプル支持盤をモーター７で回転させ（Ｄ）、
かつ鏡８の回転を行ないながら（Ｅ）、ＫｒＦレーザー
光源１３からパルス状に光を照射して露光を行ない
（Ｆ）、サンプル１の表面にスポットパターンを形成し
た。このように露光を行なったサンプル１を現像した
（Ｇ）後に、公知のイオンビームエッチングで１００ｎ
ｍ程度のエッチングを行なった（Ｈ）。さらに、レジス
トを除去し洗浄を行なった後、公知の熱フィラメントＣ
ＶＤ装置を用いてサンプル１上にダイヤモンド形成を行
なうと傷付け処理の残ったパターン形成部に選択的にダ
イヤモンド結晶粒子が形成された（Ｉ）。このダイヤモ
ンド粒子をニッケルメッキを用いて固定することによ
り、ダイヤモンド研削砥石とした（Ｊ）。

【００３０】（実施例２）本実施例では、図１の装置を
用い、ダイヤモンド砥粒を分散したアルコール中で超音
波を印加して傷付け処理した研磨皿を露光用サンプルと
して用いた。すなわち、被露光面へのレジスト材塗布を
施さない研磨皿を露光用サンプルとして用いた。このサ
ンプルの被露光面を上向きにしてサンプル支持盤２に固
定した。光源１３としては、ＹＡＧレーザーを用いた。
それ以外の装置構成および動作、制御は実施例１と同様
にしてダイヤモンド研削砥石を作製した。

【００３１】本実施例においては、傷付け処理を施した
サンプル１表面に熱量の大きいＹＡＧレーザーを用いる
ことで被露光箇所の表面層を溶融させ、表面張力により
被露光表面の傷を平滑化する。鏡８およびサンプル１の
運動により前記の平滑化した部分をサンプル１露光面に
格子状に作成することで、任意の大きさの多角形の傷付
き部分をサンプル１露光面に残すことができる。

【００３２】（実施例３）本実施例では図４の装置を用
い、球面が凸面のサンプル表面へのパターニングを実施
した。

【００３３】図中４１は研磨皿である露光用サンプルで
あり、サンプル支持盤４２上に固定されている。サンプ
ル支持盤４２は、サンプル支持棒４３にネジ４４で固定
されており、鉛直方向に立った状態でサンプル４１を支
持している。さらに、このサンプル支持棒４３はベアリ
ングａ（４６）とベアリングｂ（４５）により回転自在
のまま鏡体ａ（４７）に固定されている。サンプル支持
棒４３はギヤーａ（４９）を介してエンコーダー内蔵の
回転用モーター４８に接続されており、モーター４８の
回転によりサンプル４１を回転できる構造となってい
る。

【００３４】鏡体ａ４７は鏡体支持棒５０に固定されて
おり、ベアリングｃ（５２）とベアリングｄ（５３）に
より軸６３を軸とした回転により、光軸６２に対してサ
ンプル支持棒４３の中心軸が傾斜できるようになってい
る。サンプル支持棒５０には傾斜用ギヤー５１を介して
エンコーダー内蔵の傾斜用モーター５４が接続されてい
る。照射光はＫｒＦレーザー光源５８から放射され、ビ
ーム光学系５６によりサンプル４１の表面で焦点が合う
ようになっていて、パターンマスク５７の像をサンプル
表面上に結像するようになっている。

【００３５】モーター制御電源５９により傾斜用モータ
ー５４を回転することでサンプル４１を傾斜させ、同時
に回転用モーター４８を回転させながら、モーターに搭
載されているエンコーダーにより、光源５８から照射さ
れる光がサンプル４１のどの部分に当たるかが測定され
る。この測定値は光源・モーター制御系６０に転送さ
れ、光を照射したい部分が光軸上に来た時、光源・モー
ター制御系６０からのシグナルによって光源制御電源６
１が作動して、光源５８が発光する。この動作を繰り返
すことにより、凸面上の任意の部分にパターンマスク５
７の像を照射することができる。

【００３６】操作としては、先ず露光用サンプル４１を
ダイヤモンド砥粒の分散されたアルコール中に入れ、超
音波を印加して傷付け処理を施す。次に、このサンプル
４１にＰＭＭＡ系レジストを塗布し、レジスト材塗布し
た被露光面を上向きにしてサンプルをサンプル支持盤４
２に固定する。このサンプルに対して、上記装置によっ
て露光を行ない、現像し、公知のイオンビームエッチン
グで１００ｎｍ程度のエッチングを行ない、続いてレジ
スト除去、洗浄を行なう。その後、公知の熱フィラメン
トＣＶＤ装置を用いてサンプル４１上にダイヤモンド結
晶粒子を形成する。このダイヤモンド粒子をニッケルメ
ッキを用いて固定することにより、ダイヤモンド研削砥
石を作製する。

【００３７】（実施例４）実施例３の装置で、傷付け処
理したサンプル表面に照射する光として熱量の大きいＹ
ＡＧレーザーを用いることにより、被露光箇所の表面層
を溶融させ、表面張力により被露光表面の傷を平滑化す
る。鏡５８およびサンプル４１の運動により前記の平滑
化した部分をサンプル４１露光面に格子状に形成するこ
とで、任意の大きさの多角形の傷付き部分をサンプル４
１露光面に残す。

【００３８】このようにして得られるサンプル上に、実
施例３同様にダイヤモンド結晶の形成を行なうことによ
って、ダイヤモンド研削砥石を作製する。

【００３９】（実施例５）次に、サンプルの球面が凹面
の場合についてのパターニングについて説明する。装置
の概略は図５に示してある。サンプル４１が凹面の場
合、サンプルの球面の中心が凸面の場合と逆方向になる
ため、サンプル支持盤４２を短くし、鏡支持棒５０の回
転軸とサンプル４１の中心が重なるようにする。またこ
の時、サンプル４１とビーム光学系５６との距離が、図
４の装置の場合と変わらないようにするために、光源５
８、ビーム光学系５６およびパターンマスク５７は、図
４の場合に比べて下方に位置している。

【００４０】この装置を用い、実施例３と同様にパター
ニングを行ない、さらにダイヤモンド結晶形成を行なう
ことにより、ダイヤモンド研削砥石を作製する。

【００４１】（実施例６）実施例５の装置で、傷付け処
理したサンプル表面に照射する光として熱量の大きいＹ
ＡＧレーザーを用いることにより、被露光箇所の表面層
を溶融させ、表面張力により被露光表面に存在する傷を
平滑化する。鏡５８およびサンプル４１の運動により前
記の平滑化した部分をサンプル４１露光面に格子状に形
成することで、任意の大きさの多角形の傷付き部分をサ
ンプル４１露光面に残す。

【００４２】このようにして得られるサンプル上に、実
施例５同様にダイヤモンド結晶の形成を行なうことによ
って、ダイヤモンド研削砥石を作製する。

【００４３】以上、実施例３〜６に示したように、サン
プル球面が凸面でも凹面でもサンプル支持盤の長さを変
え、光源、ビーム光学系およびパターンマスクを移動す
ることでダイヤモンド研削砥石作製に望ましいパターニ
ングに好適な光照射が可能となる。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明により、従
来不可能であった球面を有する基板表面の任意の場所に
１０μｍ²以下の大きさのパターンを形成することが可
能となり、再現性良く高品質なダイヤモンド粒子を成長
させ、研削性能に優れた研磨皿の製作が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のダイヤモンド研磨皿製造に用いる露光
装置の１例の模式的断面図である。

【図２】図１の装置の模式的平面図である。

【図３】球面基体上へのダイヤモンドの選択的堆積の工
程図である。

【図４】本発明のダイヤモンド研磨皿製造に用いる露光
装置の別の例の模式的断面図である。

【図５】本発明のダイヤモンド研磨皿製造に用いる露光
装置のさらに別の例の模式的断面図である。

【図６】本発明のダイヤモンド研磨皿製造の１実施態様
を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１サンプル２サンプル支持盤３サンプル支持棒４サンプル支持棒用ベアリング５鏡支持板６ギヤー７サンプル回転用モーター（エンコーダー内蔵）８鏡９鏡回転用ギヤー１０鏡支持棒１１ベアリング１２鏡回転用モーター（エンコーダー内蔵）１３光源１４ビーム光学系１５パターンマスク１６光源・モーター制御電源１７サンプル主軸３１基体３２マスク材３３ダイヤモンド粒子４１サンプル４２サンプル支持盤４３サンプル支持棒４４ネジ４５ベアリングｂ４６ベアリングａ４７鏡体ａ４８回転用モーター４９回転用ギヤー５０鏡体支持棒５１傾斜用ギヤー５２ベアリングｃ５３ベアリングｄ５４傾斜用モーター５５鏡体ｂ５６ビーム光学系５７パターンマスク５８光源５９モーター制御電源６０光源・モーター制御系６１光源制御電源６２光軸６３鏡体支持棒回転軸

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミックス、金属またはそれらの複合
材から成り、球面形状の研磨面を有する研磨皿の該研磨
面上に、滑らかな表面部分（イ）と複数の微細な傷付け
加工を施した部分（ロ）とを形成し、気相合成により
（ロ）上に選択的にダイヤモンド粒子を析出させ、該析
出ダイヤモンド粒子を該研磨面上に固定するダイヤモン
ド研磨皿製造方法において、研磨面に該研磨面の主軸を
軸とする回転および／または該研磨面の中心を通り該研
磨面の主軸に直交する直線を軸とする回転を加えて、該
研磨面内の任意の箇所に光を照射することにより、表面
部分（イ）および（ロ）のパターンを形成することを特
徴とするダイヤモンド研磨皿製造方法。
【請求項２】研磨面を凹面とし、光学系からの照射光
を該研磨面主軸上に設置した鏡に反射させて、該照射光
の焦点を凹面の研磨面上に合わせる、請求項１記載のダ
イヤモンド研磨皿製造方法。
【請求項３】光照射のタイミングおよび研磨面の運動
の制御手段により、該研磨面へ位置選択的な光照射を行
なう、請求項１または２に記載のダイヤモンド研磨皿製
造方法。
【請求項４】光照射のタイミング、鏡の運動および研
磨面の運動の制御手段により、該研磨面へ位置選択的な
光照射を行なう、請求項１または２に記載のダイヤモン
ド研磨皿製造方法。
【請求項５】研磨面にレジスト材を塗布し、該レジス
ト材塗布面に光照射によって部分的マスクを施し、現像
によって非マスク部分のレジスト材を除去し、エッチン
グを施し、最後にマスクを除去することによって、表面
部分（イ）および（ロ）の設定を行なう、請求項１ない
し４のいずれか１項に記載のダイヤモンド研磨皿製造方
法。
【請求項６】研磨面全体に傷つけ加工を施し、次に光
照射によって該研磨面を溶融させることによって、表面
部分（イ）および（ロ）の設定を行なう、請求項１ない
し４のいずれか１項に記載のダイヤモンド研磨皿製造方
法。
【請求項７】請求項１ないし６のいずれか１項に記載
の方法によって製造されるダイヤモンド研磨皿。
【請求項８】ダイヤモンド粒子の析出箇所１つ当たり
の面積が１０μｍ²以下であり、かつ該析出箇所同士の
間隔が１００μｍ以下である、請求項７記載のダイヤモ
ンド研磨皿。