JPH0632662A - 低温焼成セラミック基板の焼成方法 - Google Patents
低温焼成セラミック基板の焼成方法Info
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- JPH0632662A JPH0632662A JP4234036A JP23403692A JPH0632662A JP H0632662 A JPH0632662 A JP H0632662A JP 4234036 A JP4234036 A JP 4234036A JP 23403692 A JP23403692 A JP 23403692A JP H0632662 A JPH0632662 A JP H0632662A
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- Japan
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- setter
- conductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低温焼成回路基板材料の焼成において、その
表面導体と焼成用セッタ面の接触による導体の剥がれ、
セッターへの付着の生じない焼成方法を提供する。 【構成】 少なくとも一表面に、融点が９６０℃以上の
Ａｇ系導体ペーストを印刷した、８００〜１０００℃で
焼成可能な一層または二層以上からなる低温焼成セラミ
ック材料の焼成において、前記焼成温度で軟化せず、か
つ気孔率が５％以上のセラミックからなる焼成用セッタ
ーを該表面導体ペースト面側に使用して焼成することを
特徴とする低温焼成セラミック基板の焼成方法。
表面導体と焼成用セッタ面の接触による導体の剥がれ、
セッターへの付着の生じない焼成方法を提供する。 【構成】 少なくとも一表面に、融点が９６０℃以上の
Ａｇ系導体ペーストを印刷した、８００〜１０００℃で
焼成可能な一層または二層以上からなる低温焼成セラミ
ック材料の焼成において、前記焼成温度で軟化せず、か
つ気孔率が５％以上のセラミックからなる焼成用セッタ
ーを該表面導体ペースト面側に使用して焼成することを
特徴とする低温焼成セラミック基板の焼成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路等に実装する
ために使用する低温焼成基板の焼成方法に関する。
ために使用する低温焼成基板の焼成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ａｇ単体または、ＡｇとＰｔ、Ａｕ，Ｐ
ｄ等の銀系の表面導体ペーストを８００〜１０００℃で
焼成可能な低温焼成セラミックグリーンシートの焼成の
際、これらを載置する焼成用セッター面に導体が付着し
て剥がれたり、導体面にセッター粉が付着したりして、
焼成後セラミック回路基板の表面あるいはセッター面を
研磨して修正する必要があった。
ｄ等の銀系の表面導体ペーストを８００〜１０００℃で
焼成可能な低温焼成セラミックグリーンシートの焼成の
際、これらを載置する焼成用セッター面に導体が付着し
て剥がれたり、導体面にセッター粉が付着したりして、
焼成後セラミック回路基板の表面あるいはセッター面を
研磨して修正する必要があった。
【０００３】また、上記不具合を避けるため、表面導体
ペーストの回路形成には、内層回路を形成したセラミッ
ク基板の焼成後、表面回路を形成し、導体面とセッター
面を接触させずに焼成する方法等がとられている。しか
しこの方法は、同時焼成でないため、焼成回数が増加し
コスト高となる。さらに、表面回路と接続する基板のビ
アホールの位置は、焼成時にセラミック基板と同じバラ
ツキを有し、後付けの表面のスクリーン印刷の導体位置
と合わなくなる場合がある。この位置ズレ（断線につな
がる）を防ぐため、従来セラミック基板の寸法を極力小
さくして位置ズレを避けてきた。
ペーストの回路形成には、内層回路を形成したセラミッ
ク基板の焼成後、表面回路を形成し、導体面とセッター
面を接触させずに焼成する方法等がとられている。しか
しこの方法は、同時焼成でないため、焼成回数が増加し
コスト高となる。さらに、表面回路と接続する基板のビ
アホールの位置は、焼成時にセラミック基板と同じバラ
ツキを有し、後付けの表面のスクリーン印刷の導体位置
と合わなくなる場合がある。この位置ズレ（断線につな
がる）を防ぐため、従来セラミック基板の寸法を極力小
さくして位置ズレを避けてきた。
【０００４】
【発明が解決しょうとする課題】本発明は、低温焼成セ
ラミック基板の導体面と焼成用セッター面の接触による
導体の剥がれ、セッターへの付着の生じない焼成方法を
提供するものである。
ラミック基板の導体面と焼成用セッター面の接触による
導体の剥がれ、セッターへの付着の生じない焼成方法を
提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも一
表面に、融点が９６０℃以上のＡｇ系導体ペーストを印
刷した、８００〜１０００℃で焼成可能な一層または二
層以上からなる低温焼成セラミック材料の焼成におい
て、前記焼成温度で軟化せず、かつ気孔率が５％以上の
セラミックからなる焼成用セッターを該表面導体ペース
ト面側に使用して焼成することを特徴とする低温焼成セ
ラミック基板の焼成方法である。
表面に、融点が９６０℃以上のＡｇ系導体ペーストを印
刷した、８００〜１０００℃で焼成可能な一層または二
層以上からなる低温焼成セラミック材料の焼成におい
て、前記焼成温度で軟化せず、かつ気孔率が５％以上の
セラミックからなる焼成用セッターを該表面導体ペース
ト面側に使用して焼成することを特徴とする低温焼成セ
ラミック基板の焼成方法である。
【０００６】
【作用】本発明は、例えば、ＣａＯ・Ａｌ２Ｏ３・Ｓｉ
Ｏ２・Ｂ２Ｏ３系のガラスとアルミナからなるガラス・
アルミナセラミック系の低温焼成材料または、ＺｎＯ・
ＭｇＯ・Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２系等の結晶化ガラス系等
の８００〜１０００℃で焼成可能な多層回路を含む低温
焼成基板の焼成で、少なくとも１表面すなわち、上下の
両表面または、何れか一方のグリーンシート表面の導体
が焼成用セッター面と接する場合、表面導体ペーストと
セッター表面の接着を防ぐことを可能にするものであ
る。発明者等は、種々のセッターを試験した結果、導体
ペーストとセッター面の接着が焼結過程で起きることか
ら前記セッターを使用した場合、セッター内の空気の影
響によりその接着を防止できることが分かった。この焼
成用セッターを使用することにより、外表面に導体ペー
ストで回路を形成し、同時焼成でセラミック回路基板を
得ることが可能となった。なお、本発明に使用する焼成
用セッターは、８００〜１０００℃で軟化する材質はセ
ッターとして機能を果せなくなるので使用できない。ま
た、本発明のＡｇ系の導体ペーストは、低温同時焼成の
温度で溶融せず、融点が９６０℃以上のＡｇ単体、また
はＡｇとＰｔ，Ａｕ、Ｐｄ等の何れか一種または二種以
上の混合物あるいは、これら金属の合金粉末を主成分と
するものであって低温焼成セラミックと同時焼成を可能
とするものである。
Ｏ２・Ｂ２Ｏ３系のガラスとアルミナからなるガラス・
アルミナセラミック系の低温焼成材料または、ＺｎＯ・
ＭｇＯ・Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２系等の結晶化ガラス系等
の８００〜１０００℃で焼成可能な多層回路を含む低温
焼成基板の焼成で、少なくとも１表面すなわち、上下の
両表面または、何れか一方のグリーンシート表面の導体
が焼成用セッター面と接する場合、表面導体ペーストと
セッター表面の接着を防ぐことを可能にするものであ
る。発明者等は、種々のセッターを試験した結果、導体
ペーストとセッター面の接着が焼結過程で起きることか
ら前記セッターを使用した場合、セッター内の空気の影
響によりその接着を防止できることが分かった。この焼
成用セッターを使用することにより、外表面に導体ペー
ストで回路を形成し、同時焼成でセラミック回路基板を
得ることが可能となった。なお、本発明に使用する焼成
用セッターは、８００〜１０００℃で軟化する材質はセ
ッターとして機能を果せなくなるので使用できない。ま
た、本発明のＡｇ系の導体ペーストは、低温同時焼成の
温度で溶融せず、融点が９６０℃以上のＡｇ単体、また
はＡｇとＰｔ，Ａｕ、Ｐｄ等の何れか一種または二種以
上の混合物あるいは、これら金属の合金粉末を主成分と
するものであって低温焼成セラミックと同時焼成を可能
とするものである。
【０００７】
【実施例】以下実施例により説明する。重量％でＣａＯ
（３０％）−Ａｌ２Ｏ３（５％）−ＳｉＯ２（６５％）
−Ｂ２Ｏ３（１０％）のガラス６０％とアルミナ４０％
からなる低温焼成セラミックス基板材料の混合粉末に溶
剤、バインダー、可塑剤を加えてスラリーを作成し、常
法のドクターブレード法を用いて厚み０．２ｍｍのグリ
ーンシートを作成した。このグリーンシートを１５０ｍ
ｍ口に切断し６層、８層の各試料を熱圧着して一体化し
た。それぞれの外表面には、導体としてＡｇ・Ｐｄペー
スト（Ａｇ９０：Ｐｄ１０の混合物、この合金の融点
は、１０６０℃）またはＡｇペースト（融点９６０℃）
を印刷した。これらの試料の導体面をセッター面側にし
てアルミナ及びアルミナ／シリカ（８０／２０）の材質
で表１に示す気孔率を有する焼成用セッターを用いて９
００℃で焼成した。その結果を表１に示す。表１の結果
から明らかのように、低温焼成温度で軟化しないＡｌ２
Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２の何れの焼成用セッター
も、気孔率が５％以上の場合に、ペーストとセッター
は、接着せず良好な試験結果が得られた。
（３０％）−Ａｌ２Ｏ３（５％）−ＳｉＯ２（６５％）
−Ｂ２Ｏ３（１０％）のガラス６０％とアルミナ４０％
からなる低温焼成セラミックス基板材料の混合粉末に溶
剤、バインダー、可塑剤を加えてスラリーを作成し、常
法のドクターブレード法を用いて厚み０．２ｍｍのグリ
ーンシートを作成した。このグリーンシートを１５０ｍ
ｍ口に切断し６層、８層の各試料を熱圧着して一体化し
た。それぞれの外表面には、導体としてＡｇ・Ｐｄペー
スト（Ａｇ９０：Ｐｄ１０の混合物、この合金の融点
は、１０６０℃）またはＡｇペースト（融点９６０℃）
を印刷した。これらの試料の導体面をセッター面側にし
てアルミナ及びアルミナ／シリカ（８０／２０）の材質
で表１に示す気孔率を有する焼成用セッターを用いて９
００℃で焼成した。その結果を表１に示す。表１の結果
から明らかのように、低温焼成温度で軟化しないＡｌ２
Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２の何れの焼成用セッター
も、気孔率が５％以上の場合に、ペーストとセッター
は、接着せず良好な試験結果が得られた。
【０００８】さらに、重量基準で１０％までの不純物を
含むことのあるＭＯ（但しＭ：ＣａまたはＭｇの一種以
上）１０〜５５％、ＳｉＯ２４５〜７０％、Ａｌ２Ｏ３
０〜３０％、Ｂ２Ｏ３０〜３０％であるガラスを用い、
かつガラス／アルミナ比で４０〜６５％／６０〜３５％
の低温焼成セラミック材料でＡｇ・Ｐｄ等の導体ペース
ト面に本発明の方法の焼成用セッターを用いて８００〜
１０００℃で焼成した場合も同様の効果が得られた。
含むことのあるＭＯ（但しＭ：ＣａまたはＭｇの一種以
上）１０〜５５％、ＳｉＯ２４５〜７０％、Ａｌ２Ｏ３
０〜３０％、Ｂ２Ｏ３０〜３０％であるガラスを用い、
かつガラス／アルミナ比で４０〜６５％／６０〜３５％
の低温焼成セラミック材料でＡｇ・Ｐｄ等の導体ペース
ト面に本発明の方法の焼成用セッターを用いて８００〜
１０００℃で焼成した場合も同様の効果が得られた。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る焼成
用セッターを使用することにより、低温焼成セラミック
回路基板の焼成の際、その表面のＡｇ系導体ペーストと
セッター面との接触により生じる導体材料の剥がれ、セ
ッター材料の導体への付着等を容易に防止できる。さら
に、外表面に形成された導体ペーストと共に同時焼成で
８００〜１０００℃で低温焼成セラミック基板の製造を
可能とするものである。
用セッターを使用することにより、低温焼成セラミック
回路基板の焼成の際、その表面のＡｇ系導体ペーストと
セッター面との接触により生じる導体材料の剥がれ、セ
ッター材料の導体への付着等を容易に防止できる。さら
に、外表面に形成された導体ペーストと共に同時焼成で
８００〜１０００℃で低温焼成セラミック基板の製造を
可能とするものである。
【００１０】
【表１】
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも一表面に、融点が９６０℃以
上のＡｇ系導体ペーストを印刷した、８００〜１０００
℃で焼成可能な一層または二層以上からなる低温焼成セ
ラミック材料の焼成において、前記焼成温度で軟化せ
ず、かつ気孔率が５％以上のセラミックからなる焼成用
セッターを該表面導体ペースト面側に使用して焼成する
ことを特徴とする低温焼成セラミック基板の焼成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4234036A JP3025925B2 (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 低温焼成セラミック回路基板の焼成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4234036A JP3025925B2 (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 低温焼成セラミック回路基板の焼成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0632662A true JPH0632662A (ja) | 1994-02-08 |
| JP3025925B2 JP3025925B2 (ja) | 2000-03-27 |
Family
ID=16964561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4234036A Expired - Lifetime JP3025925B2 (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 低温焼成セラミック回路基板の焼成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3025925B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0474768A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-03-10 | Nec Corp | 焼成方法および焼成治具 |
-
1992
- 1992-07-16 JP JP4234036A patent/JP3025925B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0474768A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-03-10 | Nec Corp | 焼成方法および焼成治具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3025925B2 (ja) | 2000-03-27 |
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