JPH06324339A - 強誘電性液晶素子 - Google Patents
強誘電性液晶素子Info
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- JPH06324339A JPH06324339A JP13103893A JP13103893A JPH06324339A JP H06324339 A JPH06324339 A JP H06324339A JP 13103893 A JP13103893 A JP 13103893A JP 13103893 A JP13103893 A JP 13103893A JP H06324339 A JPH06324339 A JP H06324339A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶分子の移動による表示品質の低下を防止
した強誘電性液晶素子を提供する。 【構成】 基板を複数の領域に分割し、領域毎に方向を
逆転してラビング処理し、上下基板において各領域のラ
ビング方向が同一方向に交差するように対向させること
により、領域毎にプレティルト角の立ち上り方向のみを
逆転させてなる強誘電性液晶素子。
した強誘電性液晶素子を提供する。 【構成】 基板を複数の領域に分割し、領域毎に方向を
逆転してラビング処理し、上下基板において各領域のラ
ビング方向が同一方向に交差するように対向させること
により、領域毎にプレティルト角の立ち上り方向のみを
逆転させてなる強誘電性液晶素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電性液晶（以下Ｆ
ＬＣと記す）のスイッチング特性を利用して画像などを
表示する表示装置等を構成する液晶素子に関する発明で
ある。
ＬＣと記す）のスイッチング特性を利用して画像などを
表示する表示装置等を構成する液晶素子に関する発明で
ある。
【０００２】
【従来の技術】ＦＬＣを用いた表示素子に関しては特開
昭６１−９４０２３号公報などに示されているように１
〜３μｍ程度のセルギャップを保って２枚の内面に透明
電極を形成し配向処理を施したガラス基板を向かい合わ
せて構成した液晶セルに、ＦＬＣを注入したものが知ら
れている。
昭６１−９４０２３号公報などに示されているように１
〜３μｍ程度のセルギャップを保って２枚の内面に透明
電極を形成し配向処理を施したガラス基板を向かい合わ
せて構成した液晶セルに、ＦＬＣを注入したものが知ら
れている。
【０００３】ＦＬＣ素子の特徴はＦＬＣが自発分極を持
つことにより、外部電界と自発分極の結合力をスイッチ
ングに使えることと、ＦＬＣ分子の長軸方向が自発分極
の分極方向と１対１に対応しているため外部電界の極性
によってスイッチングできることである。
つことにより、外部電界と自発分極の結合力をスイッチ
ングに使えることと、ＦＬＣ分子の長軸方向が自発分極
の分極方向と１対１に対応しているため外部電界の極性
によってスイッチングできることである。
【０００４】ＦＬＣは一般にカイラルスメクティック液
晶（ＳｍＣ* ，ＳｍＨ* ）を用いるので、バルク状態で
は液晶分子長軸がねじれた配向を示すが上述の１〜３μ
ｍ程度のセルギャップのセルに入れることによって液晶
分子長軸のねじれを解消することができる（Ｐ２１３−
Ｐ２３４ Ｎ．Ａ．ＬＬＡＲＫ ｅｔ ａｌ，ＭＣＬＣ
１９８３，Ｖｏｌ．９４）。
晶（ＳｍＣ* ，ＳｍＨ* ）を用いるので、バルク状態で
は液晶分子長軸がねじれた配向を示すが上述の１〜３μ
ｍ程度のセルギャップのセルに入れることによって液晶
分子長軸のねじれを解消することができる（Ｐ２１３−
Ｐ２３４ Ｎ．Ａ．ＬＬＡＲＫ ｅｔ ａｌ，ＭＣＬＣ
１９８３，Ｖｏｌ．９４）。
【０００５】実際のＦＬＣセルの構成は図６に示すよう
に単純マトリクス基板を用いていた。
に単純マトリクス基板を用いていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のセル構成を用い
た場合には、液晶セルの耐久性に次のような問題点があ
った。
た場合には、液晶セルの耐久性に次のような問題点があ
った。
【０００７】ＦＬＣ分子はマトリクス駆動時の非選択信
号によってもある程度動くことが知られている。これは
非選択信号を印加した画素の光学応答を取ると、印加パ
ルスと同期して光量に変動を生じていることなどからも
明らかである。いわゆる、スプレイ配向（上下基板間で
分子長軸の角度に大きくねじれのある配向）ではこのよ
うな分子のゆらぎは、それによって分子の安定位置が変
化（スイッチング）することがなければ表示内容を保持
できるので若干のコントラストの低下以外には問題とは
ならなかった。ところが、上下基板間での分子長軸方向
の角度の変化の比較的少ない配向（以下ユニホーム配
向）のセルにおいては、液晶分子が電圧（例えば非選択
信号）の印加によって層内を移動するという現象が見ら
れる。この現象を図４を用いて詳しく説明する。
号によってもある程度動くことが知られている。これは
非選択信号を印加した画素の光学応答を取ると、印加パ
ルスと同期して光量に変動を生じていることなどからも
明らかである。いわゆる、スプレイ配向（上下基板間で
分子長軸の角度に大きくねじれのある配向）ではこのよ
うな分子のゆらぎは、それによって分子の安定位置が変
化（スイッチング）することがなければ表示内容を保持
できるので若干のコントラストの低下以外には問題とは
ならなかった。ところが、上下基板間での分子長軸方向
の角度の変化の比較的少ない配向（以下ユニホーム配
向）のセルにおいては、液晶分子が電圧（例えば非選択
信号）の印加によって層内を移動するという現象が見ら
れる。この現象を図４を用いて詳しく説明する。
【０００８】図４（ａ）は電圧印加前のセル状態、
（ｂ）は電圧印加後のセル状態である。ＦＬＣ４６はシ
ール部材４５内に封入されている。配向層としてはポリ
イミド薄膜を用いてラビング方向は（ａ）、（ｂ）共に
下から上に向かって上下基板共平行に行なっている。こ
のような処理を行なうと、図４（ｃ）に示すようにスメ
クティック層はラビング方向と直交した方向に生成され
る。
（ｂ）は電圧印加後のセル状態である。ＦＬＣ４６はシ
ール部材４５内に封入されている。配向層としてはポリ
イミド薄膜を用いてラビング方向は（ａ）、（ｂ）共に
下から上に向かって上下基板共平行に行なっている。こ
のような処理を行なうと、図４（ｃ）に示すようにスメ
クティック層はラビング方向と直交した方向に生成され
る。
【０００９】セル厚をらせんピッチを解除できる位に十
分に薄くした場合においてＦＬＣ分子は２つの安定状態
を取り得るが、その内の１つの状態にセル内の全分子の
方向を揃えておく。
分に薄くした場合においてＦＬＣ分子は２つの安定状態
を取り得るが、その内の１つの状態にセル内の全分子の
方向を揃えておく。
【００１０】この状態を＋θの状態（図４（ｄ））とす
ると、層法線に対してほぼ対称に−θの位置に他の安定
状態が存在する。
ると、層法線に対してほぼ対称に−θの位置に他の安定
状態が存在する。
【００１１】この状態（＋θ）下でセル全面に電界（例
えば、１０Ｈｚ、±８Ｖの矩形波）を印加すると液晶分
子は＋θの層法線に対する傾きを保ったまま図４（ａ）
中の点Ａから点Ｂの方向へ層内を移動し始める。
えば、１０Ｈｚ、±８Ｖの矩形波）を印加すると液晶分
子は＋θの層法線に対する傾きを保ったまま図４（ａ）
中の点Ａから点Ｂの方向へ層内を移動し始める。
【００１２】その結果電圧印加を長時間続けると図４
（ｂ）に示すようにＡ端には液晶のない部分Ｅを生じセ
ル厚はＢ部の方がＡ部より厚くなる。このような現象
は、液晶分子が−θの状態にある場合にはＢ端からＡ端
へ向って層内を液晶が移動してＥ部のような液晶のない
空隙部がＢ端に生じる。
（ｂ）に示すようにＡ端には液晶のない部分Ｅを生じセ
ル厚はＢ部の方がＡ部より厚くなる。このような現象
は、液晶分子が−θの状態にある場合にはＢ端からＡ端
へ向って層内を液晶が移動してＥ部のような液晶のない
空隙部がＢ端に生じる。
【００１３】また、このような現象は２０時間〜５０時
間という比較的短い時間に生じる。Ｅ部のような電気光
学的にコントロールのできない部分の存在が表示品質上
望ましくないのはもちろんのこと、Ａ部とＢ部のセル厚
が時間によって変化するのでは液晶パネル全体の駆動制
御が難しくＦＬＣを用いた光学素子としては大きな問題
となっていた。
間という比較的短い時間に生じる。Ｅ部のような電気光
学的にコントロールのできない部分の存在が表示品質上
望ましくないのはもちろんのこと、Ａ部とＢ部のセル厚
が時間によって変化するのでは液晶パネル全体の駆動制
御が難しくＦＬＣを用いた光学素子としては大きな問題
となっていた。
【００１４】このような問題点に対し特開平４−２４７
４２９号公報などに示されているように、隣り合う領域
においてラビングの方向が交互に逆方向になるような複
数の領域を設定する手段が知られているが、いずれも十
分に解決されてはいない。
４２９号公報などに示されているように、隣り合う領域
においてラビングの方向が交互に逆方向になるような複
数の領域を設定する手段が知られているが、いずれも十
分に解決されてはいない。
【００１５】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
って、液晶駆動時のセル内での液晶分子の移動を抑え表
示品質を向上させたＦＬＣ素子の提供を目的とする。
って、液晶駆動時のセル内での液晶分子の移動を抑え表
示品質を向上させたＦＬＣ素子の提供を目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明によれば液晶セルを構成する際に、プレティルト
角αの立ち上り方向が異なり且つ液晶層の法線の基板投
影方向が平行な複数の領域を設け、上記プレティルト角
αがα＞Θ−δ（Θはコーン角、δは液晶層の傾き角）
及びα＞δを満足するように設定してなるＦＬＣ素子で
あり、好ましくは、上下基板でラビング方向が交差し、
液晶層の法線の基板投影方向とラビング方向とのなす角
度が±１５°以内である。
本発明によれば液晶セルを構成する際に、プレティルト
角αの立ち上り方向が異なり且つ液晶層の法線の基板投
影方向が平行な複数の領域を設け、上記プレティルト角
αがα＞Θ−δ（Θはコーン角、δは液晶層の傾き角）
及びα＞δを満足するように設定してなるＦＬＣ素子で
あり、好ましくは、上下基板でラビング方向が交差し、
液晶層の法線の基板投影方向とラビング方向とのなす角
度が±１５°以内である。
【００１７】
【作用】前述の分子の移動は基板面に対する液晶分子長
軸のなす角度（プレティルト角）に深く依存している。
上下基板のラビング方向は、ある角度交叉していてもス
メクティック層法線は２つのラビング方向の中間に生成
する。従って液晶移動の方向はスメクティック層内でプ
レティルト角が基板に対してどちらの向きに発生してい
る（立ち上がっている）かで決定される。
軸のなす角度（プレティルト角）に深く依存している。
上下基板のラビング方向は、ある角度交叉していてもス
メクティック層法線は２つのラビング方向の中間に生成
する。従って液晶移動の方向はスメクティック層内でプ
レティルト角が基板に対してどちらの向きに発生してい
る（立ち上がっている）かで決定される。
【００１８】再び図４を例にとって説明すると（ａ）の
ようにラビングをした場合には、上下基板界面共に液晶
分子のプレティルトは、ラビング方向に対して浮き上が
るように生じる（図５（ａ））。このような場合に＋θ
の位置に液晶分子を置いて電界を印加した場合に液晶が
Ａ点の方角からＢ点の方角に向って流れるとは概に述べ
たが、プレティルト角が逆方向に生じていた場合（図５
（ｂ））には、液晶分子は逆方向（Ｂ点からＡ点への方
角）に流れる。図５は、ガラス基板５０上に配向膜５１
を設け、ラビングを施した場合の液晶分子５２のプレテ
ィルト５３の方向を説明する図である。
ようにラビングをした場合には、上下基板界面共に液晶
分子のプレティルトは、ラビング方向に対して浮き上が
るように生じる（図５（ａ））。このような場合に＋θ
の位置に液晶分子を置いて電界を印加した場合に液晶が
Ａ点の方角からＢ点の方角に向って流れるとは概に述べ
たが、プレティルト角が逆方向に生じていた場合（図５
（ｂ））には、液晶分子は逆方向（Ｂ点からＡ点への方
角）に流れる。図５は、ガラス基板５０上に配向膜５１
を設け、ラビングを施した場合の液晶分子５２のプレテ
ィルト５３の方向を説明する図である。
【００１９】また本発明者らはプレティルトの発生の方
向が隣り合う領域において逆方向となるように設定した
場合、その境界においてディフェクト（ｄｅｆｅｃｔ）
が発生すること、そしてそれは液晶のシェブロン構造が
影響しており、層の傾き角δの値が大きくなると、より
強いディフェクトが生じることを見い出した。また、こ
のディフェクトは液晶分子の流れに対し抵抗となり液晶
の移動量を抑えることができることがわかった。このこ
とから、ディフェクトの数についてはプレティルトの立
ち上り方向により区別される領域の数を設定すること
で、またディフェクトの強さについてはδの大きさを設
定すること、つまりプレティルトの大きさを設定するこ
とで液晶の移動量をコントロールすることができること
がわかる。
向が隣り合う領域において逆方向となるように設定した
場合、その境界においてディフェクト（ｄｅｆｅｃｔ）
が発生すること、そしてそれは液晶のシェブロン構造が
影響しており、層の傾き角δの値が大きくなると、より
強いディフェクトが生じることを見い出した。また、こ
のディフェクトは液晶分子の流れに対し抵抗となり液晶
の移動量を抑えることができることがわかった。このこ
とから、ディフェクトの数についてはプレティルトの立
ち上り方向により区別される領域の数を設定すること
で、またディフェクトの強さについてはδの大きさを設
定すること、つまりプレティルトの大きさを設定するこ
とで液晶の移動量をコントロールすることができること
がわかる。
【００２０】プレティルトの立ち上り方向が逆であって
も液晶分子長軸の基板面への投影角は等しいので表示内
容には影響がなくむしろ視野特性を平均化させて向上さ
せることができる。
も液晶分子長軸の基板面への投影角は等しいので表示内
容には影響がなくむしろ視野特性を平均化させて向上さ
せることができる。
【００２１】
（実施例１）図１に本発明の実施例のセル構成を示す。
図１（ａ）及び（ｂ）は対向して配置される電極基板１
１，１２のラビング方向の処理を示したもので、基板を
５つの領域に分け、領域毎に方向が逆転するようにラビ
ング処理を施してある。また上下基板を重ね合わせた時
に対応する領域でラビング方向が上下で同一方向に交叉
するように構成してある。
図１（ａ）及び（ｂ）は対向して配置される電極基板１
１，１２のラビング方向の処理を示したもので、基板を
５つの領域に分け、領域毎に方向が逆転するようにラビ
ング処理を施してある。また上下基板を重ね合わせた時
に対応する領域でラビング方向が上下で同一方向に交叉
するように構成してある。
【００２２】交叉ラビングにおいては図２に示すように
層の法線方向に対して左に傾くもの（＋クロス）と右に
傾くもの（−クロス）とがある。また従来のように上下
対応する領域で平行となる場合（図３）もある。
層の法線方向に対して左に傾くもの（＋クロス）と右に
傾くもの（−クロス）とがある。また従来のように上下
対応する領域で平行となる場合（図３）もある。
【００２３】具体的な選択的ラビング処理の手法として
は、ラビング時にガラス基板側に厚さ１００μｍのステ
ンレス板で構成されたハード・マスクをかぶせる方法で
行なうことができる。このステンレス板には選択的に穴
が開けられているため、穴の開いた部分のみがラビング
処理される。また他の方法としては、全面ラビング処理
した基板上にレジスト層を形成しＵＶ露光によって選択
的に窓を開け配向膜表面に対し逆方向にラビングを行な
う。その後全てのレジストを取り除く。
は、ラビング時にガラス基板側に厚さ１００μｍのステ
ンレス板で構成されたハード・マスクをかぶせる方法で
行なうことができる。このステンレス板には選択的に穴
が開けられているため、穴の開いた部分のみがラビング
処理される。また他の方法としては、全面ラビング処理
した基板上にレジスト層を形成しＵＶ露光によって選択
的に窓を開け配向膜表面に対し逆方向にラビングを行な
う。その後全てのレジストを取り除く。
【００２４】本実施例では基板１１，１２は、一辺が７
５ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ膜を約１０００Å形成
し、その上にＴａ2 Ｏ5 膜を約５００Åスパッタ形成し
た電極基板であり、配向膜としては、フッ素系ポリイミ
ド配向膜を約３００Å塗布、焼成して形成したものであ
る。使用したＦＬＣは次に示す特性を有するものであ
る。
５ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ膜を約１０００Å形成
し、その上にＴａ2 Ｏ5 膜を約５００Åスパッタ形成し
た電極基板であり、配向膜としては、フッ素系ポリイミ
ド配向膜を約３００Å塗布、焼成して形成したものであ
る。使用したＦＬＣは次に示す特性を有するものであ
る。
【００２５】Ｔｅｍｐ ３０℃ この時のプレテ
ィルト角α＝２０° Ｐｓ ５．８ｎＣ／ｃｍ2 Θティルト角 １４．３° δ １０．７°
ィルト角α＝２０° Ｐｓ ５．８ｎＣ／ｃｍ2 Θティルト角 １４．３° δ １０．７°
【００２６】
【数１】
【００２７】図１（ｃ）は、交互に逆方向にラビング処
理したガラス基板（ａ），（ｂ）をセル状態に重ね合わ
せたものを示す。この時ラビング処理の異なる領域の境
界（例えば図１（ｃ）のＡ）において層の法線の基板投
影方向に沿って幅約１〜３μｍでディフェクトがセルの
端から端まで生じた。
理したガラス基板（ａ），（ｂ）をセル状態に重ね合わ
せたものを示す。この時ラビング処理の異なる領域の境
界（例えば図１（ｃ）のＡ）において層の法線の基板投
影方向に沿って幅約１〜３μｍでディフェクトがセルの
端から端まで生じた。
【００２８】図１（ｃ）に示したセルはセル厚が約１．
１μｍにコントロールされていて同様のセルに全面均一
に上下基板共に同一方向にラビング処理を行なったもの
との液晶移動の差異を次のように調べた。
１μｍにコントロールされていて同様のセルに全面均一
に上下基板共に同一方向にラビング処理を行なったもの
との液晶移動の差異を次のように調べた。
【００２９】セル内に図４に示すような層方向に離れた
２点Ａ，Ｂを取り±１５Ｖ，１０Ｈｚの矩形波を２５時
間室温で印加し、その前後のセル厚の差を測定して、合
わせて図４（ｂ）のＥ部の存在の有無を調べた。
２点Ａ，Ｂを取り±１５Ｖ，１０Ｈｚの矩形波を２５時
間室温で印加し、その前後のセル厚の差を測定して、合
わせて図４（ｂ）のＥ部の存在の有無を調べた。
【００３０】
【表１】
【００３１】表１によってわかるように従来例ではＡ点
からＢ点へ液晶が移動しかつＥ部のような空隙部が発生
しているのに対し、本実施例においては、ほとんど液晶
の流れは発生せず、またＥ部のような空隙部も発生して
いなかった。
からＢ点へ液晶が移動しかつＥ部のような空隙部が発生
しているのに対し、本実施例においては、ほとんど液晶
の流れは発生せず、またＥ部のような空隙部も発生して
いなかった。
【００３２】（実施例２）プレティルト角の値をα＝１
３°とした以外は実施例１と同様にしてセルを作成し評
価を行なった。結果は上下基板同一方向にラビングした
ものよりは良かった。但し、実施例１に比べディフェク
トの大きさがやや小さくなっていたが、液晶の流れは生
じていなかった。Ｅ部のような空隙部は発生していなか
った。
３°とした以外は実施例１と同様にしてセルを作成し評
価を行なった。結果は上下基板同一方向にラビングした
ものよりは良かった。但し、実施例１に比べディフェク
トの大きさがやや小さくなっていたが、液晶の流れは生
じていなかった。Ｅ部のような空隙部は発生していなか
った。
【００３３】（実施例３）ラビング方向と層の法線の基
板投影方向とのなす角度を０°（図３）とする以外は実
施例１と同様にしてセルを作成し評価を行なった。
板投影方向とのなす角度を０°（図３）とする以外は実
施例１と同様にしてセルを作成し評価を行なった。
【００３４】結果は実施例１と同様に液晶の流れはほと
んど生じず、またＥ部のような空隙部も発生していなか
った。但し図７に示すような駆動波形を用いて駆動を行
なったところ全面書ける駆動範囲が実施例１に比べてや
や狭くなっていた。
んど生じず、またＥ部のような空隙部も発生していなか
った。但し図７に示すような駆動波形を用いて駆動を行
なったところ全面書ける駆動範囲が実施例１に比べてや
や狭くなっていた。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように液晶セル内での基板
面と液晶分子とのなす角度の方向（プレティルト角の方
向）とその大きさを制御することによって液晶分子の流
れによる耐久不良の問題を解決し、表示品質の向上が図
られる。
面と液晶分子とのなす角度の方向（プレティルト角の方
向）とその大きさを制御することによって液晶分子の流
れによる耐久不良の問題を解決し、表示品質の向上が図
られる。
【図１】本発明の実施例におけるラビング方向を示す図
である。
である。
【図２】ラビング方向の交叉方向の説明図である。
【図３】本発明の実施例３の説明図である。
【図４】従来技術の説明図である。
【図５】ＦＬＣのプレティルトの説明図である。
【図６】液晶素子の断面図である。
【図７】本発明の実施例で用いた駆動電圧の波形図であ
る。
る。
４５ シール部材 ４６ ＦＬＣ ５０ ガラス基板 ５１ 配向膜 ５２ 液晶分子 ５３ プレティルト角 ６１ａ，６１ｂ ガラス基板 ６２ａ，６２ｂ ＩＴＯストライプ状電極 ６３ａ，６３ｂ 絶縁膜 ６４ａ，６４ｂ 配向制御膜 ６５ シーリング部材 ６６ 液晶
Claims (2)
- 【請求項１】 それぞれに透明電極とラビング処理した
配向膜を有する１対の基板間に強誘電性液晶を挟持して
なる液晶素子であって、プレティルト角αの立ち上り方
向が異なり且つ液晶層の法線の基板投影方向が平行な複
数の領域を有し、上記プレティルト角αがα＞Θ−δ
（Θはコーン角、δは液晶層の傾き角）及びα＞δを満
足することを特徴とする強誘電性液晶素子。 - 【請求項２】 上下基板でラビング方向が交差し、液晶
層の法線の基板投影方向とラビング方向とのなす角度が
±１５°以内であることを特徴とする請求項１記載の強
誘電性液晶素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13103893A JP3086992B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 強誘電性液晶素子 |
| US08/240,476 US5633740A (en) | 1993-05-10 | 1994-05-10 | Chiral smectic liquid crystal device having at least one orientation film divided into regions with different uniaxial aligning treatment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13103893A JP3086992B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 強誘電性液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06324339A true JPH06324339A (ja) | 1994-11-25 |
| JP3086992B2 JP3086992B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
ID=15048573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13103893A Expired - Fee Related JP3086992B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 強誘電性液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3086992B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990004825A1 (en) * | 1988-10-26 | 1990-05-03 | Hitachi Maxell Ltd. | Method and apparatus for controlling recording medium and recording medium produced under the control thereof |
| US6013335A (en) * | 1993-07-30 | 2000-01-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus and method for processing the same |
| US6133974A (en) * | 1996-08-16 | 2000-10-17 | Nec Corporation | Liquid crystal display with two areas of liquid crystal with orthogonal initial orientations |
| KR100524840B1 (ko) * | 2001-11-28 | 2005-10-28 | 엔이씨 인프론티아 가부시키가이샤 | 액정 디스플레이 장치 및 단말 장치 |
-
1993
- 1993-05-10 JP JP13103893A patent/JP3086992B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990004825A1 (en) * | 1988-10-26 | 1990-05-03 | Hitachi Maxell Ltd. | Method and apparatus for controlling recording medium and recording medium produced under the control thereof |
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