JPH0632294B2 - 高周波加熱装置 - Google Patents

高周波加熱装置

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JPH0632294B2
JPH0632294B2 JP30658487A JP30658487A JPH0632294B2 JP H0632294 B2 JPH0632294 B2 JP H0632294B2 JP 30658487 A JP30658487 A JP 30658487A JP 30658487 A JP30658487 A JP 30658487A JP H0632294 B2 JPH0632294 B2 JP H0632294B2
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  • Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、電源装置に高周波インバータ回路を用いた高
周波加熱装置の改良に関するものである。
<従来の技術> 従来の上記高周波加熱装置を第5図に基づいて説明す
る。商用周波電源1はダイオードブリッジ11,チョー
クコイル12,平滑コンデンサ13からなる整流回路1
0により整流される。インバータ回路20は高周波トラ
ンス21,該高周波トランスの1次コイル211と並列
に接続された共振コンデンサ22,スイッチング素子2
3,ダイオード24等にて構成され、制御回路30の出
力によりスイッチング素子23をON,OFFして高周
波トランス21に高周波電力を発生する。高周波トラン
ス21の2次巻線212にて昇圧された高周波出力はコ
ンデンサ2とダイオード3により整流されマグネトロン
4を駆動する。また3次巻線213はマグネトロン4の
フィラメントに接続されている。このような構成により
マグネトロン4を発振させ高周波電波にて被加熱物を加
熱するのが電源回路に高周波インバータ回路を用いた高
周波加熱装置である。
<発明が解決しようとする問題点> 一般に平滑コンデンサ13の容量は低コスト化のため小
さく選ばれ、整流回路10の出力電圧VDCは第6図
(a)のように脈流となる。従来の制御回路30は出力設
定手段40の設定に基づきON時間が一定の出力信号に
よりスイッチング素子23をON,OFFしているた
め、高周波トランス21に発生する電圧は第6図(b)の
ようになる。またマグネトロン4の電流波形は第6図
(c)のようになりピーク値が大きいものとなり、マグネ
トロン電流のピーク値が大きいとマグネトロン4がモー
ディング現象を起すという不都合があった。また高周波
トランス21の発生電圧も大きくなり高周波トランス,
スイッチング素子共に耐電圧の大きいものを使用せねば
ならず、高価なものとなっていた。
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであり、
マグネトロンの電流を所定値以下に押え、安定したマグ
ネトロンの動作状態を得ることにより、低コストで信頼
性の高い高周波加熱装置を提供することを目的とするも
のである。
<問題点を解決するための手段> 本発明の構成を第1図に示す。
50は基準クロック91をカウントしてスイッチング素
子23のON時間を制御するON時間カウンタである。
60は出力設定手段40の設定に基づいてON時間に相
当するカウント数をカウンタ50に設定するカウント数
設定手段である。70は高周波トランス21の発生電圧
を検出検知巻線214で基準値と比較して大,小の程度
を判定する発生電圧判定手段である。80は該発生電圧
判定手段の判定結果に基きON時間カウンタ50のカウ
ント数を増減するカウント数増減手段である。
<作用> 発生電圧判定手段70により判定した結果、高周波トラ
ンス21の発生電圧が規準値よりも大きければ、カウン
ト数増減手段80にてON時間カウンタ50のカウント
数を減少する。即ちON時間を少くすることにより高周
波トランス21の発生電圧を低くする。逆に発生電圧が
規準値よりも小さければON時間カウンタ50のカウン
ト数を増加する。即ちON時間を多くすることにより高
周波トランスの発生電圧を高くする。更に検出電圧と規
準値との差が大きいときには増減するカウント数を多く
して高周波トランスの発生電圧が急速に規準値に近づく
よう制御する。
このようにして高周波トランス21に発生する電圧を所
定値以下に制御することができ、スイッチング素子23
や高周波トランス21の耐電圧を低くすることができ、
コストダウンが計れる。更にマグネトロン電流も最大値
が低くなってもモーディング現象が発生しにくくなり信
頼性が向上する。
<実施例> 以下、本発明の一実施例について説明する。
第1図は本発明の実施例を示すブロック図であり、第5
図に示す従来回路と同一箇所には同一符号を付し、その
説明は省略する。第2図は制御回路部分の詳細を示す電
気的構成図であり、第3図は第1図における主要部の動
作波形図である。
スイッチング素子23をON信号フリップフロップ92
の出力によりドライバ25を通じて第3図(a)のように
ON,OFFさせると高周波トランス21の1次コイル
211と共振コンデンサ22との共振により高周波トラ
ンス21の検知巻線214には第3図(b)のような電圧
を発生する。この電圧を高周波トランス21の検知巻線
214により検出する。93は同期検出回路で第3図
(b)の波形の立下りエッジを検出して第3図(c)に示す同
期パルスを発生する。
92はその同期パルスによりセットされON信号を出力
するON信号フリップフロップである。50はON時間
をカウントするON時間カウンタであり、ダウンカウン
タで構成され、カウント数増減手段80内蔵のタイミン
グ回路81から出されたロード信号によりレジスタ(A)
61の値をセットしてクロック発振回路91の規準クロ
ックをダウンカウントしセットした値が0になるとカウ
ント終了信号を出力し、ON信号フリップフロップ92
をリセットしてON信号の出力を停止させる。そして、
同期パルスの発生に基づき以上の動作を繰り返してON
信号の出力,停止を繰り返す。尚、レジスタ(B)62に
は、出力設定手段40にて設定される設定出力に応じた
スイッチング素子23のON時間に相当するカウント値
がセットされる。レジスタ(A)61はアップダウンカウ
ンタで構成され上記レジスタ(B)62の値をセットする
と共にカウント数増減手段80によってカウント値が増
減される。但しレジスタ(A)61の値はレジスタ(B)62
の値を最大値としそれ以上に増加することを禁止されて
いる。電圧検出手段70は4つのコンパレータ71〜7
4によって構成され、高周波トランス21の検知巻線2
14の検知電圧と規準電圧V1,V2,V3,V4(V1
2>V3>V4)を比較しフリップフロップ75〜78
によって保持される。
検知電圧がV以上のときフリップフロップ76のH出
力によりレジスタ(A)61をダウンカウンタに切換えて
検知電圧がV〜Vのときは1パルス発生回路82に
よりカウントパルスを1つ出力しレジスタ(A)を1ステ
ップ減少させる。更に検出電圧がV以上になったとき
はフリップフロップ75の出力により3パルス発生回路
83を動作させてレジスタ(A)を3ステップ減少させ
る。次に検知電圧がV以下になるとフリップフロップ
76のL出力によりレジスタ(A)はアップカウンタに切
り換わる。検知電圧がV〜Vのときは1パルス発生
回路82によりレジスタ(A)は1ステップ増加し、V
以下のときは3パルス発生回路83により3ステップ増
加する。
なおV〜Vではカウント数の増減は行わず高周波ト
ランス21の発生電圧が頻繁に変化しないようにして、
高周波トランス21の振動音の発生を防止している。
このようにして整流回路20の出力電圧VDC(脈流)
の瞬時値が大きくなると高周波トランス21の発生電圧
も大きくなるのでON時間を短くして発生電圧を所定値
以下になるようにフィードバック制御する。第4図に本
発明の制御による動作波形を示す。第4図(a)は整流回
路20の出力電圧VDC波形、第4図(b)はトランス2
1の発生電圧波形、第4図(c)はマグネトロン電流波
形、第4図(d)はスイッチング素子23のON時間の変
化を示す。
以上の実施例では高周波トランス21の発生電圧を検知
して制御する場合について説明したが、マグネトロン電
流または高周波トランスの1次電流を検知し同様に制御
しても同じ効果を得ることができる。
<発明の効果> 以上述べたように本発明によれば、高周波トランスの発
生電圧、マグネトロン電流の最大値を所定値以下に押え
ることができるのでマグネトロンの動作が安定すると共
に、トランスやスイッチング素子の耐電圧を低くするこ
とができ、コストを低下させることができる。
特に検知電圧と規準値との差が大きいときには制御量を
多くしているので、応答が速く精度良く制御することが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す電気的ブロック構成
図、第2図は制御回路部分の詳細を示す電気的ブロック
構成図、第3図,第4図は第1図における主要部の動作
波形図、第5図は従来の電気的ブロック構成図、第6図
は第5図における主要部の動作波形図である。 21:高周波トランス、23:スイッチング素子 50:ON時間カウンタ、60:カウント数設定手段 70:発生電圧判定手段、80:カウント数増減手段 91:基準クロック、214:発生電圧検知巻線。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】商用電源を整流・平滑して直流電源を作る
    整流・平滑回路と、マグネトロン駆動用高周波トラン
    ス,共振コンデンサ,スイッチング素子等にて構成され
    たインバータ回路と、該インバータ回路の出力にて駆動
    するマグネトロンとを具備した高周波加熱装置であっ
    て、 基準クロックをカウントして上記スイッチング素子のO
    N時間を制御するON時間カウンタと、出力設定手段の
    設定に基づき上記ON時間カウンタの制御用カウント数
    を設定するカウント数設定手段と、上記高周波トランス
    の発生電圧を検知する電圧検知手段と、発生電圧検知値
    を規準値と比較判定する判定手段と、発生電圧検知値が
    基準値よりも小さいときには上記カウント数設定手段の
    カウント数を増加させ規準値よりも大きいときには減少
    させると共に、規準値との差が大きいときには大きく増
    減させるカウント数増減手段とを備えた高周波加熱装
    置。
  2. 【請求項2】規準値との差が小さいときにはカウント数
    設定手段のカウント数を増減させないカウント数増減手
    段を備えた特許請求の範囲第1項記載の高周波加熱装
    置。
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