JPH06322587A - 複合酸化物薄膜及びその製造方法 - Google Patents
複合酸化物薄膜及びその製造方法Info
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- JPH06322587A JPH06322587A JP13292393A JP13292393A JPH06322587A JP H06322587 A JPH06322587 A JP H06322587A JP 13292393 A JP13292393 A JP 13292393A JP 13292393 A JP13292393 A JP 13292393A JP H06322587 A JPH06322587 A JP H06322587A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 均一性、結晶性に優れた複合酸化物薄膜を合
成することが可能で、制御可能な膜厚範囲が広く、かつ
制御精度の高い複合酸化物薄膜の製造方法を提供する。 【構成】 複合酸化物を構成する金属を含有する電極７
と任意の電極８を、複合酸化物を構成する他の元素を含
有するｐＨ１３以上のアルカリ性水溶液（処理溶液）２
中に浸漬し、このアルカリ性水溶液２を８０℃〜水の臨
界温度（３７４．２℃）の範囲内の所定の温度にまで昇
温する処理（水熱処理）と、この水熱処理工程におけ
る、アルカリ性水溶液２の温度が１００℃以下の温度か
ら前記範囲内の所定の温度に至るまでの間、前記電極
７，８間に通電する処理（電解処理）を施す。
成することが可能で、制御可能な膜厚範囲が広く、かつ
制御精度の高い複合酸化物薄膜の製造方法を提供する。 【構成】 複合酸化物を構成する金属を含有する電極７
と任意の電極８を、複合酸化物を構成する他の元素を含
有するｐＨ１３以上のアルカリ性水溶液（処理溶液）２
中に浸漬し、このアルカリ性水溶液２を８０℃〜水の臨
界温度（３７４．２℃）の範囲内の所定の温度にまで昇
温する処理（水熱処理）と、この水熱処理工程におけ
る、アルカリ性水溶液２の温度が１００℃以下の温度か
ら前記範囲内の所定の温度に至るまでの間、前記電極
７，８間に通電する処理（電解処理）を施す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複合酸化物薄膜に関
し、詳しくは、誘電体、センサー、光電子、磁気材料、
超伝導材料などの用途に用いられる複合酸化物薄膜及び
その製造方法に関する。
し、詳しくは、誘電体、センサー、光電子、磁気材料、
超伝導材料などの用途に用いられる複合酸化物薄膜及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】チタン
酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）やチタン酸ストロンチウム
（ＳｒＴｉＯ3）などの複合酸化物は、強誘電体材料、
圧電体材料、焦電体材料などとして優れた性質を有し、
超音波センサ、コンデンサ、アクチュエータ、焦電型赤
外線センサ、不揮発性メモリーその他の種々のデバイス
に幅広く利用されており、さらには超伝導材料などの分
野への応用が試みられている。
酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）やチタン酸ストロンチウム
（ＳｒＴｉＯ3）などの複合酸化物は、強誘電体材料、
圧電体材料、焦電体材料などとして優れた性質を有し、
超音波センサ、コンデンサ、アクチュエータ、焦電型赤
外線センサ、不揮発性メモリーその他の種々のデバイス
に幅広く利用されており、さらには超伝導材料などの分
野への応用が試みられている。
【０００３】従来、このような複合酸化物薄膜の製造方
法としては、 スパッタリング法やイオンプレーティング法などの物
理蒸着法（ＰＶＤ法）、及び 薄膜材料である有機金属気体の熱分解，酸化，還元，
重合などにより、薄膜組成を基材上に沈着させて薄膜を
形成する化学蒸着法（ＣＶＤ法）などの気相法がよく知
られている。
法としては、 スパッタリング法やイオンプレーティング法などの物
理蒸着法（ＰＶＤ法）、及び 薄膜材料である有機金属気体の熱分解，酸化，還元，
重合などにより、薄膜組成を基材上に沈着させて薄膜を
形成する化学蒸着法（ＣＶＤ法）などの気相法がよく知
られている。
【０００４】しかし、上記気相法には、以下のような改
善すべき問題点がある。上記の物理蒸着法（ＰＶＤ
法）においては、一般に、結晶質の膜を得るために、基
板などの基材の温度を約５００℃以上にすることが必要
であり、基材を冷却する工程で熱歪が蓄積され、形成さ
れたチタン酸鉛膜にクラックや剥離が生じやすいという
問題点がある。また、蒸着物質の蒸発は低酸素分圧下で
行われるため、生成した複合酸化物薄膜は酸素欠陥を有
することが多く、特性の劣化やばらつきが生じるという
問題点がある。
善すべき問題点がある。上記の物理蒸着法（ＰＶＤ
法）においては、一般に、結晶質の膜を得るために、基
板などの基材の温度を約５００℃以上にすることが必要
であり、基材を冷却する工程で熱歪が蓄積され、形成さ
れたチタン酸鉛膜にクラックや剥離が生じやすいという
問題点がある。また、蒸着物質の蒸発は低酸素分圧下で
行われるため、生成した複合酸化物薄膜は酸素欠陥を有
することが多く、特性の劣化やばらつきが生じるという
問題点がある。
【０００５】さらに、例えば、チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯ3）のような複合酸化物の薄膜を形成する場合に
は、元素によって蒸発速度が異なるため、膜の組成を制
御して目標とする組成の複合酸化物を得ることが困難で
あるという問題点がある。また、膜の成長が遅いという
問題点がある。
ＴｉＯ3）のような複合酸化物の薄膜を形成する場合に
は、元素によって蒸発速度が異なるため、膜の組成を制
御して目標とする組成の複合酸化物を得ることが困難で
あるという問題点がある。また、膜の成長が遅いという
問題点がある。
【０００６】また、上記の化学蒸着法（ＣＶＤ法）に
おいては、有機金属の蒸発温度が比較的高く、大掛かり
な設備が必要になること、上記の物理蒸着法の場合と同
様に膜の組成を制御することが困難で、目標とする組成
の膜を形成することが容易ではないこと、さらには原料
が極めて高価であることなどの問題点がある。
おいては、有機金属の蒸発温度が比較的高く、大掛かり
な設備が必要になること、上記の物理蒸着法の場合と同
様に膜の組成を制御することが困難で、目標とする組成
の膜を形成することが容易ではないこと、さらには原料
が極めて高価であることなどの問題点がある。
【０００７】また、上記の気相法とともに、液相法によ
る薄膜形成法もいくつか知られており、その主なものと
しては、 有機金属を基板上に塗布し、これを焼成して酸化物薄
膜を形成する、いわゆる、ゾル・ゲル法などの有機金属
塗布法、 バリウム塩またはストロンチウム塩を溶融させた溶融
塩中にチタン金属またはジルコニウム金属を浸漬して誘
電体膜を生成させる方法（特公昭４３−２６５０号公
報）、溶融塩中にチタン金属を浸漬する方法（特公昭４
４−１３４５５号公報）、 バリウムの強アルカリ性水溶液中で化成処理してチタ
ン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）薄膜（皮膜）を生成させ
る方法（特開昭６０−１１６１１９号公報）などが知ら
れている。
る薄膜形成法もいくつか知られており、その主なものと
しては、 有機金属を基板上に塗布し、これを焼成して酸化物薄
膜を形成する、いわゆる、ゾル・ゲル法などの有機金属
塗布法、 バリウム塩またはストロンチウム塩を溶融させた溶融
塩中にチタン金属またはジルコニウム金属を浸漬して誘
電体膜を生成させる方法（特公昭４３−２６５０号公
報）、溶融塩中にチタン金属を浸漬する方法（特公昭４
４−１３４５５号公報）、 バリウムの強アルカリ性水溶液中で化成処理してチタ
ン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）薄膜（皮膜）を生成させ
る方法（特開昭６０−１１６１１９号公報）などが知ら
れている。
【０００８】しかし、これらの液相法には次のような問
題点がある。
題点がある。
【０００９】まず、上記の有機金属塗布法において
は、基板に塗布した有機金属を酸化物膜にするために、
一般に約５００℃以上の高温で焼成する必要があるこ
と、乾燥及び焼成行程中に大きな収縮が生じ、膜にクラ
ックや剥離が生じやすいこと、焼成行程中の有機分の蒸
発や燃焼により、緻密な膜を得ることが困難であること
などの問題点がある。さらに、焼成行程において、基板
と複合酸化物薄膜の意図しない反応が進行する場合があ
り、目標とする組成の複合酸化物薄膜を得ることができ
ない場合があるというような問題点がある。
は、基板に塗布した有機金属を酸化物膜にするために、
一般に約５００℃以上の高温で焼成する必要があるこ
と、乾燥及び焼成行程中に大きな収縮が生じ、膜にクラ
ックや剥離が生じやすいこと、焼成行程中の有機分の蒸
発や燃焼により、緻密な膜を得ることが困難であること
などの問題点がある。さらに、焼成行程において、基板
と複合酸化物薄膜の意図しない反応が進行する場合があ
り、目標とする組成の複合酸化物薄膜を得ることができ
ない場合があるというような問題点がある。
【００１０】また、上記の溶融塩を使用する方法にお
いては、通常約７００℃以上の高温で無機塩を溶融する
必要があるため、無機塩と反応容器との反応を抑制する
ために、反応性の低い高価な材料からなる反応容器を用
いなければならず、コストが上昇するという問題点があ
り、また、そのような反応容器を用いても、反応を完全
に防止することは困難で、コンタミネーションを避ける
ことができないという問題点がある。
いては、通常約７００℃以上の高温で無機塩を溶融する
必要があるため、無機塩と反応容器との反応を抑制する
ために、反応性の低い高価な材料からなる反応容器を用
いなければならず、コストが上昇するという問題点があ
り、また、そのような反応容器を用いても、反応を完全
に防止することは困難で、コンタミネーションを避ける
ことができないという問題点がある。
【００１１】そして、上記の化成処理法においては、
被膜の成長速度が遅く、また、膜厚制御が困難であると
いう問題点がある。
被膜の成長速度が遅く、また、膜厚制御が困難であると
いう問題点がある。
【００１２】さらに、上記従来の方法が有する問題点を
解消し、均一性、結晶性に優れた複合酸化物薄膜を製造
する方法として、水熱反応と電気化学反応の両方を積極
的に利用した方法（水熱電気化学法）が提案されている
（特願平１−１７７４９１，特願平２−１８２３３
８）。この方法によると、特別な後処理を必要とせず
に、２００℃以下の温度でチタン酸バリウム、チタン酸
ストロンチウムなどの複合酸化物の薄膜を合成すること
ができる。
解消し、均一性、結晶性に優れた複合酸化物薄膜を製造
する方法として、水熱反応と電気化学反応の両方を積極
的に利用した方法（水熱電気化学法）が提案されている
（特願平１−１７７４９１，特願平２−１８２３３
８）。この方法によると、特別な後処理を必要とせず
に、２００℃以下の温度でチタン酸バリウム、チタン酸
ストロンチウムなどの複合酸化物の薄膜を合成すること
ができる。
【００１３】しかし、上記の方法においては、チタン酸
バリウム、チタン酸ストロンチウムなどの複合酸化物薄
膜の膜厚を約０．３μm以上に成長させることができな
いという問題点がある。そして、このこと（すなわち、
膜厚をある程度以上に成長させることができないこと）
が、水熱電気化学法による複合酸化物薄膜の物理的、化
学的性質の基礎研究の進展を阻害する要因ともなってい
る。
バリウム、チタン酸ストロンチウムなどの複合酸化物薄
膜の膜厚を約０．３μm以上に成長させることができな
いという問題点がある。そして、このこと（すなわち、
膜厚をある程度以上に成長させることができないこと）
が、水熱電気化学法による複合酸化物薄膜の物理的、化
学的性質の基礎研究の進展を阻害する要因ともなってい
る。
【００１４】したがって、均一性、結晶性に優れた複合
酸化物薄膜の合成方法である水熱電気化学法を種々のデ
バイス用の薄膜の製造に適用するには、膜厚を数μmま
で成長させることが可能で、かつ、膜厚を精度よく制御
できるようにすることが必要である。
酸化物薄膜の合成方法である水熱電気化学法を種々のデ
バイス用の薄膜の製造に適用するには、膜厚を数μmま
で成長させることが可能で、かつ、膜厚を精度よく制御
できるようにすることが必要である。
【００１５】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
のであり、均一性、結晶性に優れた複合酸化物薄膜、及
び該複合酸化物薄膜の製造方法であって、制御可能な膜
厚範囲が広く、かつ制御精度の高い複合酸化物薄膜の製
造方法を提供することを目的とする。
のであり、均一性、結晶性に優れた複合酸化物薄膜、及
び該複合酸化物薄膜の製造方法であって、制御可能な膜
厚範囲が広く、かつ制御精度の高い複合酸化物薄膜の製
造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、発明者等は、種々の実験検討を行い、水熱電気化学
法における電解処理方法を改良することにより、制御可
能な膜厚範囲及びその制御精度が大幅に向上することを
知り、さらに実験検討を重ねて発明を完成した。
に、発明者等は、種々の実験検討を行い、水熱電気化学
法における電解処理方法を改良することにより、制御可
能な膜厚範囲及びその制御精度が大幅に向上することを
知り、さらに実験検討を重ねて発明を完成した。
【００１７】すなわち、本発明の複合酸化物薄膜の製造
方法は、複合酸化物を構成する金属を含有する電極と任
意の電極を、複合酸化物を構成する他の元素を含有する
ｐＨ１３以上のアルカリ性水溶液（処理溶液）中に浸漬
し、このアルカリ性水溶液を８０℃〜水の臨界温度（３
７４．２℃）の範囲内の所定の温度にまで昇温する処理
（水熱処理）と、この水熱処理工程における、アルカリ
性水溶液の温度が１００℃以下の温度から前記範囲内の
所定の温度に至るまでの間、前記電極間に通電する処理
（電解処理）を施すことを特徴としている。
方法は、複合酸化物を構成する金属を含有する電極と任
意の電極を、複合酸化物を構成する他の元素を含有する
ｐＨ１３以上のアルカリ性水溶液（処理溶液）中に浸漬
し、このアルカリ性水溶液を８０℃〜水の臨界温度（３
７４．２℃）の範囲内の所定の温度にまで昇温する処理
（水熱処理）と、この水熱処理工程における、アルカリ
性水溶液の温度が１００℃以下の温度から前記範囲内の
所定の温度に至るまでの間、前記電極間に通電する処理
（電解処理）を施すことを特徴としている。
【００１８】また、前記電解処理工程において電解系に
供給された電気量を指標とすることで複合酸化物薄膜の
膜厚を制御することを特徴としている。
供給された電気量を指標とすることで複合酸化物薄膜の
膜厚を制御することを特徴としている。
【００１９】さらに、前記複合酸化物を構成する金属が
チタン（Ｔｉ）であり、前記複合酸化物を構成する他の
元素がバリウム（Ｂａ）、及びストロンチウム（Ｓｒ）
の少なくとも１種であり、かつ、複合酸化物が、一般式
ＡＴｉＯ3（Ａ＝Ｂａ，Ｓｒ）で表されるペロブスカイ
ト型複合酸化物であることを特徴としている。
チタン（Ｔｉ）であり、前記複合酸化物を構成する他の
元素がバリウム（Ｂａ）、及びストロンチウム（Ｓｒ）
の少なくとも１種であり、かつ、複合酸化物が、一般式
ＡＴｉＯ3（Ａ＝Ｂａ，Ｓｒ）で表されるペロブスカイ
ト型複合酸化物であることを特徴としている。
【００２０】また、本発明の複合酸化物薄膜は、上記の
複合酸化物薄膜の製造方法により製造された一般式ＡＴ
ｉＯ3（Ａ＝Ｂａ，Ｓｒ）で表されるペロブスカイト型
複合酸化物薄膜である。
複合酸化物薄膜の製造方法により製造された一般式ＡＴ
ｉＯ3（Ａ＝Ｂａ，Ｓｒ）で表されるペロブスカイト型
複合酸化物薄膜である。
【００２１】
【作用】本発明の複合酸化物薄膜の製造方法において
は、反応成分を含有する溶液中に作用電極と対向電極と
を浸漬させた状態で昇温し、その昇温過程中から、作用
電極と対向電極との間に通電を開始することにより、溶
液中の反応成分と作用電極とが持続的に反応して、作用
電極上に複合酸化物薄膜を成長させることが可能にな
る。さらに、電極間への通電量（電解系に供給された電
気量）を制御することにより、膜厚を精度よく制御する
ことが可能になる。
は、反応成分を含有する溶液中に作用電極と対向電極と
を浸漬させた状態で昇温し、その昇温過程中から、作用
電極と対向電極との間に通電を開始することにより、溶
液中の反応成分と作用電極とが持続的に反応して、作用
電極上に複合酸化物薄膜を成長させることが可能にな
る。さらに、電極間への通電量（電解系に供給された電
気量）を制御することにより、膜厚を精度よく制御する
ことが可能になる。
【００２２】
【実施例】まず、２０mm×５０mm×０．５mmの寸法のチ
タン（Ｔｉ）と白金（Ｐｔ）の金属板を用意し、Ｔｉ板
は表面を鏡面に研磨した。さらに、これらの金属板をア
セトン及びクロム混硝酸で十分に洗浄して、チタン電極
（陽極）及び白金電極（陰極）とした。そして、これら
の電極と図１に示す薄膜合成装置を用いて、本発明にか
かる複合酸化物薄膜の製造方法を以下の通り実施した。
タン（Ｔｉ）と白金（Ｐｔ）の金属板を用意し、Ｔｉ板
は表面を鏡面に研磨した。さらに、これらの金属板をア
セトン及びクロム混硝酸で十分に洗浄して、チタン電極
（陽極）及び白金電極（陰極）とした。そして、これら
の電極と図１に示す薄膜合成装置を用いて、本発明にか
かる複合酸化物薄膜の製造方法を以下の通り実施した。
【００２３】１．チタン酸ストロンチウム薄膜の製造
（実施例１） まず、処理溶液として、ストロンチウム濃度０．５mol
／l ，ｐＨ１４．０の水酸化ストロンチウム（Ｓｒ(Ｏ
Ｈ)2）水溶液５００mlを調製して、これを、図１に示す
薄膜合成装置の、テフロン製のビーカ１に入れた。それ
から、処理溶液２が入ったビーカ１をオートクレーブ３
内に設置した。さらに、オートクレーブ３の外部の電極
４から内部のビーカ１内へ、オートクレーブ３を密閉し
たときでも電力を供給することができるようにあらかじ
め配線しておいた一対のチタン線５と白金線６にチタン
電極７と白金電極８を接続し、テフロン製ビーカ１内の
処理液２中に、これらの電極を浸漬してオートクレーブ
３を密閉した。この状態で合成温度１５０℃まで１．５
℃／minの速度で昇温し、その後所定の時間が経過する
まで、この温度で保持した後、炉冷した。また、この処
理を行うと同時に、昇温過程の５０℃（電解処理開始温
度）から前記の合成温度における所定の時間が経過する
まで、チタン電極７を陽極、白金電極８を陰極として、
これらの電極間に＋１２Ｖの直流電圧を印加して定電圧
電解処理を施し、表１の試料番号#１〜#８のＳｒＴｉＯ
3薄膜を合成した。
（実施例１） まず、処理溶液として、ストロンチウム濃度０．５mol
／l ，ｐＨ１４．０の水酸化ストロンチウム（Ｓｒ(Ｏ
Ｈ)2）水溶液５００mlを調製して、これを、図１に示す
薄膜合成装置の、テフロン製のビーカ１に入れた。それ
から、処理溶液２が入ったビーカ１をオートクレーブ３
内に設置した。さらに、オートクレーブ３の外部の電極
４から内部のビーカ１内へ、オートクレーブ３を密閉し
たときでも電力を供給することができるようにあらかじ
め配線しておいた一対のチタン線５と白金線６にチタン
電極７と白金電極８を接続し、テフロン製ビーカ１内の
処理液２中に、これらの電極を浸漬してオートクレーブ
３を密閉した。この状態で合成温度１５０℃まで１．５
℃／minの速度で昇温し、その後所定の時間が経過する
まで、この温度で保持した後、炉冷した。また、この処
理を行うと同時に、昇温過程の５０℃（電解処理開始温
度）から前記の合成温度における所定の時間が経過する
まで、チタン電極７を陽極、白金電極８を陰極として、
これらの電極間に＋１２Ｖの直流電圧を印加して定電圧
電解処理を施し、表１の試料番号#１〜#８のＳｒＴｉＯ
3薄膜を合成した。
【００２４】
【表１】
【００２５】この実施例の製造方法における水熱温度プ
ロファイルと電解処理領域の関係を図２に示す。
ロファイルと電解処理領域の関係を図２に示す。
【００２６】また、表１の各試料の膜厚を表２に示す
【００２７】
【表２】
【００２８】なお、表２に示した膜厚は、次の式(1)に
より計算して求めたものである。 Ｔ＝δＷ／｛Ｓρ（ＷM1／ＷM2）｝ (1) 但し、 Ｔ ：膜厚 δＷ：チタン電極の重量増加 Ｓ ：チタン電極の表面積 ρ ：生成膜の密度 ＷM1：（Ｓｒ＋３０）の分子量 ＷM2：ＳｒＴｉＯ3の分子量 である。
より計算して求めたものである。 Ｔ＝δＷ／｛Ｓρ（ＷM1／ＷM2）｝ (1) 但し、 Ｔ ：膜厚 δＷ：チタン電極の重量増加 Ｓ ：チタン電極の表面積 ρ ：生成膜の密度 ＷM1：（Ｓｒ＋３０）の分子量 ＷM2：ＳｒＴｉＯ3の分子量 である。
【００２９】なお、上記の式(1)により求めた値は、走
査型電子顕微鏡によって膜断面の多くの観測点における
膜厚の測定値の平均値と一致する。したがって、式(1)
により求めた膜厚により生成膜の平均膜厚を高精度で見
積もることが可能である。
査型電子顕微鏡によって膜断面の多くの観測点における
膜厚の測定値の平均値と一致する。したがって、式(1)
により求めた膜厚により生成膜の平均膜厚を高精度で見
積もることが可能である。
【００３０】また、保持時間とＳｒＴｉＯ3薄膜の膜厚
の関係を図３に示す。なお、図３には、比較例として、
１５０℃の合成温度においてのみ電解処理を施すという
従来法における複合酸化物薄膜の膜厚変化を併せて示し
ている（表１，２の試料番号#１６〜#２０）。
の関係を図３に示す。なお、図３には、比較例として、
１５０℃の合成温度においてのみ電解処理を施すという
従来法における複合酸化物薄膜の膜厚変化を併せて示し
ている（表１，２の試料番号#１６〜#２０）。
【００３１】図３に示すように、従来法（比較例）の場
合、初期の段階においては、保持時間の増加とともに膜
厚は増加するが、保持時間が約６０min以上になると膜
厚の増加が認められなくなり、膜厚を約０．３μm以上
に大きくすることができない。
合、初期の段階においては、保持時間の増加とともに膜
厚は増加するが、保持時間が約６０min以上になると膜
厚の増加が認められなくなり、膜厚を約０．３μm以上
に大きくすることができない。
【００３２】これに対して、本発明（実施例）の製造方
法の場合、２４０min（４時間）という短時間で膜厚を
１．９６μmにまで増加させることが可能であり、か
つ、保持時間に比例して膜厚を直線的に増加させること
ができる。
法の場合、２４０min（４時間）という短時間で膜厚を
１．９６μmにまで増加させることが可能であり、か
つ、保持時間に比例して膜厚を直線的に増加させること
ができる。
【００３３】この比較から明らかなように、上記実施例
のように、電解処理を保持時間の開始時点より早い時点
（すなわち、保持温度より低い温度）から開始すること
により、制御可能な膜厚範囲を２μm以上にまで大幅に
拡大することができるとともに、このような大きな膜厚
を有する複合酸化物薄膜を短時間で形成することができ
る。さらに、膜厚の変化は、保持時間に比例して直線的
であるため、膜厚制御も容易に行うことができる。
のように、電解処理を保持時間の開始時点より早い時点
（すなわち、保持温度より低い温度）から開始すること
により、制御可能な膜厚範囲を２μm以上にまで大幅に
拡大することができるとともに、このような大きな膜厚
を有する複合酸化物薄膜を短時間で形成することができ
る。さらに、膜厚の変化は、保持時間に比例して直線的
であるため、膜厚制御も容易に行うことができる。
【００３４】図４は、この実施例により合成した種々の
膜厚を有するＳｒＴｉＯ3薄膜の結晶性をＣｕＫαＸ線
源を用いたＸ線回折により確認した例を示す。図４に示
すように、ＳｒＴｉＯ3以外で認められる回折ピークは
基板である金属Ｔｉのピークのみであり、非晶質相の混
在を示すバックグラウンドも観測されていないことか
ら、数μmの膜厚を有する膜においてもＳｒＴｉＯ3単一
相の膜が合成されていることは明らかである。
膜厚を有するＳｒＴｉＯ3薄膜の結晶性をＣｕＫαＸ線
源を用いたＸ線回折により確認した例を示す。図４に示
すように、ＳｒＴｉＯ3以外で認められる回折ピークは
基板である金属Ｔｉのピークのみであり、非晶質相の混
在を示すバックグラウンドも観測されていないことか
ら、数μmの膜厚を有する膜においてもＳｒＴｉＯ3単一
相の膜が合成されていることは明らかである。
【００３５】また、図５に、オージェ電子分光装置を用
いて、膜厚が約２μmのＳｒＴｉＯ3薄膜の膜厚方向にお
ける組成の変化を調べた例を示す。図５より、ＳｒＴｉ
Ｏ3薄膜の膜厚を２μmまで厚くしたにもかかわらず、Ｓ
ｒＴｉＯ3薄膜の構成元素、すなわち、Ｓｒ，Ｔｉ，Ｏ
の分布は極めて均一であることがわかる。
いて、膜厚が約２μmのＳｒＴｉＯ3薄膜の膜厚方向にお
ける組成の変化を調べた例を示す。図５より、ＳｒＴｉ
Ｏ3薄膜の膜厚を２μmまで厚くしたにもかかわらず、Ｓ
ｒＴｉＯ3薄膜の構成元素、すなわち、Ｓｒ，Ｔｉ，Ｏ
の分布は極めて均一であることがわかる。
【００３６】なお、本発明の複合酸化物薄膜の製造方法
は、所望の複合酸化物を構成する元素の一部を電極とす
る金属から、また、その他の元素を処理溶液から供給す
ることをその本質的な特徴としているため、膜厚が大き
くなるほど膜内部におけるこれらの元素の組成勾配が著
しくなることも懸念されたが、上記オージェ電子分光装
置を用いた膜厚方向における組成分析の結果より、本発
明の複合酸化物薄膜の製造方法においては構成元素の組
成勾配が著しくなるというような問題が生じないことが
わかる。
は、所望の複合酸化物を構成する元素の一部を電極とす
る金属から、また、その他の元素を処理溶液から供給す
ることをその本質的な特徴としているため、膜厚が大き
くなるほど膜内部におけるこれらの元素の組成勾配が著
しくなることも懸念されたが、上記オージェ電子分光装
置を用いた膜厚方向における組成分析の結果より、本発
明の複合酸化物薄膜の製造方法においては構成元素の組
成勾配が著しくなるというような問題が生じないことが
わかる。
【００３７】なお、上記実施例では、処理溶液に含有さ
せるＳｒ源として、Ｓｒ(ＯＨ)2を用いた場合について
説明したが、Ｓｒ源として用いることが可能な物質はこ
れに限られるものではなく、その他の物質、例えばＳｒ
(ＮＯ3)2などを用いてもなんら差し支えはない。
せるＳｒ源として、Ｓｒ(ＯＨ)2を用いた場合について
説明したが、Ｓｒ源として用いることが可能な物質はこ
れに限られるものではなく、その他の物質、例えばＳｒ
(ＮＯ3)2などを用いてもなんら差し支えはない。
【００３８】また、処理溶液を本発明の範囲のアルカリ
性（ｐＨ１３．０以上）にするための物質としては、一
般に使用される塩基、例えば、水酸化ナトリウム（Ｎａ
ＯＨ）や水酸化カリウム（ＫＯＨ）などを用いることが
可能であり、これらを添加することにより処理溶液をｐ
Ｈ１３．０以上のアルカリ性に容易に調整することがで
きる。
性（ｐＨ１３．０以上）にするための物質としては、一
般に使用される塩基、例えば、水酸化ナトリウム（Ｎａ
ＯＨ）や水酸化カリウム（ＫＯＨ）などを用いることが
可能であり、これらを添加することにより処理溶液をｐ
Ｈ１３．０以上のアルカリ性に容易に調整することがで
きる。
【００３９】また、上記実施例では陽極にチタン金属電
極を用いた場合について説明したが、陽極は純粋のチタ
ン金属である必要はなく、チタンと他の金属、例えば、
ジルコニウムやアルミニウムとの合金を用いることも可
能である。
極を用いた場合について説明したが、陽極は純粋のチタ
ン金属である必要はなく、チタンと他の金属、例えば、
ジルコニウムやアルミニウムとの合金を用いることも可
能である。
【００４０】なお、このような金属とチタンとの合金化
は、それらの金属（元素）を生成膜中にドーピングする
技術としても利用することが可能である。
は、それらの金属（元素）を生成膜中にドーピングする
技術としても利用することが可能である。
【００４１】２．チタン酸バリウム薄膜の製造（実施例
２） 処理溶液として、バリウム濃度０．５mol／l ，ｐＨ１
４．０の水酸化バリウム（Ｂａ(ＯＨ)2）水溶液を調製
し、上記実施例１と同様のチタン電極と白金電極を用い
て、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）薄膜を合成した
（表１，２の試料番号#９〜#１２）。なお、この実施例
で使用した薄膜合成装置は図１に示した上記実施例１の
薄膜合成装置と同じであり、成膜条件も、上記実施例１
の成膜条件（電解処理開始温度：５０℃，合成温度１５
０℃，電解電圧１２Ｖ）と同じである。
２） 処理溶液として、バリウム濃度０．５mol／l ，ｐＨ１
４．０の水酸化バリウム（Ｂａ(ＯＨ)2）水溶液を調製
し、上記実施例１と同様のチタン電極と白金電極を用い
て、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）薄膜を合成した
（表１，２の試料番号#９〜#１２）。なお、この実施例
で使用した薄膜合成装置は図１に示した上記実施例１の
薄膜合成装置と同じであり、成膜条件も、上記実施例１
の成膜条件（電解処理開始温度：５０℃，合成温度１５
０℃，電解電圧１２Ｖ）と同じである。
【００４２】この実施例にかかるＢａＴｉＯ3薄膜（試
料番号#９〜#１２）の膜厚と１５０℃保持時間との関係
を図６に示す。
料番号#９〜#１２）の膜厚と１５０℃保持時間との関係
を図６に示す。
【００４３】なお、図６には、従来法（比較例）とし
て、１５０℃の合成温度においてのみ電解処理を施すと
いう従来の方法における複合酸化物薄膜の膜厚変化を併
せて示している（表１，２の試料番号#２１〜#２５）。
て、１５０℃の合成温度においてのみ電解処理を施すと
いう従来の方法における複合酸化物薄膜の膜厚変化を併
せて示している（表１，２の試料番号#２１〜#２５）。
【００４４】図６に示すように、従来法（比較例）の場
合、初期の段階においては、保持時間の増加とともに膜
厚は増加するが、保持時間が約６０min以上になると膜
厚の増加が認められなくなり、膜厚を約０．３μm以上
に大きくすることができない。これは、上記実施例１の
従来法（比較例）のＳｒＴｉＯ3薄膜の場合と同様であ
る。
合、初期の段階においては、保持時間の増加とともに膜
厚は増加するが、保持時間が約６０min以上になると膜
厚の増加が認められなくなり、膜厚を約０．３μm以上
に大きくすることができない。これは、上記実施例１の
従来法（比較例）のＳｒＴｉＯ3薄膜の場合と同様であ
る。
【００４５】これに対して、本発明の実施例にかかる製
造方法の場合、ＢａＴｉＯ3薄膜の膜厚を、保持時間に
比例して直線的に増加させることが可能である。なお、
ＢａＴｉＯ3薄膜の成長速度は、実施例１のＳｒＴｉＯ3
薄膜のそれの約８４％であり、１．６４μmの膜厚を４
時間で形成することができた。
造方法の場合、ＢａＴｉＯ3薄膜の膜厚を、保持時間に
比例して直線的に増加させることが可能である。なお、
ＢａＴｉＯ3薄膜の成長速度は、実施例１のＳｒＴｉＯ3
薄膜のそれの約８４％であり、１．６４μmの膜厚を４
時間で形成することができた。
【００４６】図７には、これらのＢａＴｉＯ3薄膜のＣ
ｕＫαＸ線源によるＸ線回折図を示す。図７より、Ｂａ
ＴｉＯ3以外で認められる回折ピークは基板である金属
Ｔｉのピークのみであり、ＢａＴｉＯ3単一相の膜が合
成されていることがわかる。
ｕＫαＸ線源によるＸ線回折図を示す。図７より、Ｂａ
ＴｉＯ3以外で認められる回折ピークは基板である金属
Ｔｉのピークのみであり、ＢａＴｉＯ3単一相の膜が合
成されていることがわかる。
【００４７】３．チタン酸バリウムストロンチウム薄膜
の製造（実施例３） 処理溶液として、水酸化バリウム−水酸化ストロンチウ
ム（(ＢａXＳｒ1-X)(ＯＨ)2）混合溶液を調製し、バリ
ウムとストロンチウムの合計の濃度が０．５mol／l ，
ｐＨ１４．２で、その組成Ｘが０．２５０，０．５０
０，及び０．７５０の処理溶液を用意した。そして、こ
れらの処理溶液、及び上記実施例１と同様のチタン電極
と白金電極を用いて、チタン酸バリウムストロンチウム
（（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3）固溶体薄膜を合成した（表
１，２の試料番号#１３〜#１５）。
の製造（実施例３） 処理溶液として、水酸化バリウム−水酸化ストロンチウ
ム（(ＢａXＳｒ1-X)(ＯＨ)2）混合溶液を調製し、バリ
ウムとストロンチウムの合計の濃度が０．５mol／l ，
ｐＨ１４．２で、その組成Ｘが０．２５０，０．５０
０，及び０．７５０の処理溶液を用意した。そして、こ
れらの処理溶液、及び上記実施例１と同様のチタン電極
と白金電極を用いて、チタン酸バリウムストロンチウム
（（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3）固溶体薄膜を合成した（表
１，２の試料番号#１３〜#１５）。
【００４８】上記実施例１の成膜条件（電解処理開始温
度：５０℃，合成温度１５０℃，電解電圧１２Ｖ）と同
じ成膜条件で、保持時間を２４０minとして複合酸化物
薄膜を合成した場合、上記実施例１及び２のＳｒＴｉＯ
3薄膜及びＢａＴｉＯ3薄膜と同様に、膜厚が１μm以上
の（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3薄膜を形成することができ
た。
度：５０℃，合成温度１５０℃，電解電圧１２Ｖ）と同
じ成膜条件で、保持時間を２４０minとして複合酸化物
薄膜を合成した場合、上記実施例１及び２のＳｒＴｉＯ
3薄膜及びＢａＴｉＯ3薄膜と同様に、膜厚が１μm以上
の（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3薄膜を形成することができ
た。
【００４９】図８には、これらの（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ
3薄膜のＣｕＫαＸ線源によるＸ線回折図を示す。な
お、図８には、回折パターンの組成依存性を明確にする
ために、上記実施例１，２のＳｒＴｉＯ3及びＢａＴｉ
Ｏ3端成分薄膜のデータも示している。図８より、いず
れの固溶体薄膜も、単相の立方晶ペロブスカイト構造の
回折パターンを示していることがわかる。
3薄膜のＣｕＫαＸ線源によるＸ線回折図を示す。な
お、図８には、回折パターンの組成依存性を明確にする
ために、上記実施例１，２のＳｒＴｉＯ3及びＢａＴｉ
Ｏ3端成分薄膜のデータも示している。図８より、いず
れの固溶体薄膜も、単相の立方晶ペロブスカイト構造の
回折パターンを示していることがわかる。
【００５０】また、固溶体の場合、(ＢａXＳｒ1-X)(Ｏ
Ｈ)2溶液の組成Ｘと（ＢａYＳｒ1-Y）ＴｉＯ3薄膜の組
成Ｙを明らかにすることが実用上重要であることから、
ＳｒＴｉＯ3及びＢａＴｉＯ3端成分及び固溶体薄膜につ
いて、これらの薄膜が立方晶であると仮定して、最小自
乗法により格子定数を求めた。このようにして求めた格
子定数を表２に示す。
Ｈ)2溶液の組成Ｘと（ＢａYＳｒ1-Y）ＴｉＯ3薄膜の組
成Ｙを明らかにすることが実用上重要であることから、
ＳｒＴｉＯ3及びＢａＴｉＯ3端成分及び固溶体薄膜につ
いて、これらの薄膜が立方晶であると仮定して、最小自
乗法により格子定数を求めた。このようにして求めた格
子定数を表２に示す。
【００５１】また、表２の格子定数から、本固溶体系に
Ｖｅｇａｒｄ則を適用して求めた溶液組成Ｘと薄膜組成
Ｙの関係を図９に示す。図９より、ＳｒＴｉＯ3端成分
からＢａＴｉＯ3端成分にいたる全組成の固溶体膜を合
成することが可能であることがわかる。
Ｖｅｇａｒｄ則を適用して求めた溶液組成Ｘと薄膜組成
Ｙの関係を図９に示す。図９より、ＳｒＴｉＯ3端成分
からＢａＴｉＯ3端成分にいたる全組成の固溶体膜を合
成することが可能であることがわかる。
【００５２】４．水熱温度プロファイル及び電解処理領
域に関する例 上記各実施例においては、図２に示す水熱温度プロファ
イルと電解処理領域を採用した場合について説明した
が、本発明は、請求項１で規定される条件に適合する他
の水熱温度プロファイルと電解処理領域を採用しても実
施することが可能である。
域に関する例 上記各実施例においては、図２に示す水熱温度プロファ
イルと電解処理領域を採用した場合について説明した
が、本発明は、請求項１で規定される条件に適合する他
の水熱温度プロファイルと電解処理領域を採用しても実
施することが可能である。
【００５３】ここでは、そのような処理方法の例を、図
１０，図１１，図１２に示すとともに、それらの処理方
法によって合成したＳｒＴｉＯ3薄膜を表１，２の試料
番号#２６，#２７，#２８として示す。
１０，図１１，図１２に示すとともに、それらの処理方
法によって合成したＳｒＴｉＯ3薄膜を表１，２の試料
番号#２６，#２７，#２８として示す。
【００５４】図１０は、電解処理開始温度：７５℃，合
成温度：２００℃（保持時間１．５時間（９０min））
の場合の水熱温度プロファイルと電解処理領域の関係を
示している。この処理方法で合成したＳｒＴｉＯ3薄膜
の膜厚は１．２９μmであった。
成温度：２００℃（保持時間１．５時間（９０min））
の場合の水熱温度プロファイルと電解処理領域の関係を
示している。この処理方法で合成したＳｒＴｉＯ3薄膜
の膜厚は１．２９μmであった。
【００５５】また、図１１は、電解処理開始温度：７５
℃，合成温度：３００℃（保持時間０時間）の場合の水
熱温度プロファイルと電解処理領域の関係を示してい
る。この処理方法で合成したＳｒＴｉＯ3薄膜の膜厚は
１．４４μmであった。
℃，合成温度：３００℃（保持時間０時間）の場合の水
熱温度プロファイルと電解処理領域の関係を示してい
る。この処理方法で合成したＳｒＴｉＯ3薄膜の膜厚は
１．４４μmであった。
【００５６】図１０，図１１に示すような条件でも上記
膜厚のＳｒＴｉＯ3薄膜が形成されていることから、膜
を成長させるという目的を達成するために、特に保持時
間を設定する必要がないことがわかる。
膜厚のＳｒＴｉＯ3薄膜が形成されていることから、膜
を成長させるという目的を達成するために、特に保持時
間を設定する必要がないことがわかる。
【００５７】また、図１２は、電解処理開始温度：１０
０℃，合成温度：３５０℃（保持時間０時間）の場合の
水熱温度プロファイルと電解処理領域の関係を示してい
る。この処理方法で合成したＳｒＴｉＯ3薄膜の膜厚は
１．６３μmであった。
０℃，合成温度：３５０℃（保持時間０時間）の場合の
水熱温度プロファイルと電解処理領域の関係を示してい
る。この処理方法で合成したＳｒＴｉＯ3薄膜の膜厚は
１．６３μmであった。
【００５８】この例から、電解処理は降温過程中まで継
続してもよいことがわかる。また、合成温度は、水の臨
界温度（３７４．２℃）の直前まで上昇させることがで
きる。
続してもよいことがわかる。また、合成温度は、水の臨
界温度（３７４．２℃）の直前まで上昇させることがで
きる。
【００５９】５．精密な膜厚制御の例 さらに、本発明の複合酸化物薄膜の製造方法において
は、以下のような方法により、生成膜の膜厚を極めて高
精度に制御することができる。すなわち、生成膜の膜厚
と電解系に供給した総電気量との間の関係は、単純な関
数関係で近似することができる。
は、以下のような方法により、生成膜の膜厚を極めて高
精度に制御することができる。すなわち、生成膜の膜厚
と電解系に供給した総電気量との間の関係は、単純な関
数関係で近似することができる。
【００６０】その例として、表１，２の試料番号#１〜#
８のＳｒＴｉＯ3薄膜についての膜厚と電気量の関係を
図１３に示す。なお、膜厚と電解時間（１５０℃保持時
間）との関係はすでに第３図に示している。
８のＳｒＴｉＯ3薄膜についての膜厚と電気量の関係を
図１３に示す。なお、膜厚と電解時間（１５０℃保持時
間）との関係はすでに第３図に示している。
【００６１】図１３より、膜厚と電解時間との関係と同
様に、電気量に対しても膜厚は直線的に変化するが、膜
厚とそれらの変量間の相関係数を計算すると、電解時間
に対しては０．９９５にとどまるが、電気量に対しては
０．９９９という値が得られる。したがって、電解電気
量を指標とすることにより、相関係数０．９９９という
極めて高い精度で生成膜の膜厚を制御することができ
る。
様に、電気量に対しても膜厚は直線的に変化するが、膜
厚とそれらの変量間の相関係数を計算すると、電解時間
に対しては０．９９５にとどまるが、電気量に対しては
０．９９９という値が得られる。したがって、電解電気
量を指標とすることにより、相関係数０．９９９という
極めて高い精度で生成膜の膜厚を制御することができ
る。
【００６２】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、複合酸化物を構成する金属の種類、及び
複合酸化物を構成する他の元素の種類、処理溶液のｐ
Ｈ、水熱処理温度及び処理時間、電解処理温度及び処理
時間などに関し、本発明の要旨の範囲内において、種々
の応用、変形を加えることが可能である。
ものではなく、複合酸化物を構成する金属の種類、及び
複合酸化物を構成する他の元素の種類、処理溶液のｐ
Ｈ、水熱処理温度及び処理時間、電解処理温度及び処理
時間などに関し、本発明の要旨の範囲内において、種々
の応用、変形を加えることが可能である。
【００６３】
【発明の効果】上述のように、本発明の複合酸化物薄膜
の製造方法は、複合酸化物を構成する金属を含有する電
極と任意の電極を、複合酸化物を構成する他の元素を含
有する処理溶液に浸漬し、処理溶液を所定の温度にまで
昇温する処理（水熱処理）と、その昇温過程中から電極
間に通電する処理（電解処理）を施すようにしているの
で、均一性、結晶性に優れた複合酸化物薄膜を、２００
℃以下の低温で確実に合成することができるとともに、
複合酸化物薄膜の膜厚を、工業的利用に十分な範囲
（０．１〜２．０μmの範囲）で制御することができ
る。
の製造方法は、複合酸化物を構成する金属を含有する電
極と任意の電極を、複合酸化物を構成する他の元素を含
有する処理溶液に浸漬し、処理溶液を所定の温度にまで
昇温する処理（水熱処理）と、その昇温過程中から電極
間に通電する処理（電解処理）を施すようにしているの
で、均一性、結晶性に優れた複合酸化物薄膜を、２００
℃以下の低温で確実に合成することができるとともに、
複合酸化物薄膜の膜厚を、工業的利用に十分な範囲
（０．１〜２．０μmの範囲）で制御することができ
る。
【００６４】また、電解処理において、電解系に供給さ
れた総電気量を指標とすることにより、極めて高い精度
でその膜厚を制御することができる。
れた総電気量を指標とすることにより、極めて高い精度
でその膜厚を制御することができる。
【図１】本発明の実施例において用いた水熱処理と電解
処理を併用する薄膜合成装置の構成図である。
処理を併用する薄膜合成装置の構成図である。
【図２】電解処理開始温度：５０℃，合成温度：１５０
℃の場合の水熱温度プロファイルと電解処理領域の関係
を示す図である。
℃の場合の水熱温度プロファイルと電解処理領域の関係
を示す図である。
【図３】電解処理開始温度：５０℃，合成温度：１５０
℃，電解電圧：直流１２Ｖの場合のＳｒＴｉＯ3薄膜と
１５０℃保持時間の関係を示す図である（但し、従来法
は、１５０℃の合成温度においてのみ直流１２Ｖの電解
処理を施した場合の膜厚変化を示す）。
℃，電解電圧：直流１２Ｖの場合のＳｒＴｉＯ3薄膜と
１５０℃保持時間の関係を示す図である（但し、従来法
は、１５０℃の合成温度においてのみ直流１２Ｖの電解
処理を施した場合の膜厚変化を示す）。
【図４】種々の膜厚を有するＳｒＴｉＯ3薄膜のＸ線回
折図である。
折図である。
【図５】オージェ電子分光装置で分析したＳｒＴｉＯ3
薄膜内部におけるＳｒ，Ｔｉ，Ｏの各元素の相対濃度を
示す図である。
薄膜内部におけるＳｒ，Ｔｉ，Ｏの各元素の相対濃度を
示す図である。
【図６】電解処理開始温度：５０℃，合成温度：１５０
℃，電解電圧：直流１２Ｖの場合のＢａＴｉＯ3薄膜と
１５０℃保持時間の関係を示す図である（但し、従来法
は、１５０℃の合成温度においてのみ直流１２Ｖの電解
処理を施した場合の膜厚変化を示す）。
℃，電解電圧：直流１２Ｖの場合のＢａＴｉＯ3薄膜と
１５０℃保持時間の関係を示す図である（但し、従来法
は、１５０℃の合成温度においてのみ直流１２Ｖの電解
処理を施した場合の膜厚変化を示す）。
【図７】種々の膜厚を有するＢａＴｉＯ3薄膜のＸ線回
折図である。
折図である。
【図８】ＳｒＴｉＯ3薄膜，ＢａＴｉＯ3薄膜，及び種々
の組成を有する（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3固溶体薄膜のＸ
線回折図である。
の組成を有する（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3固溶体薄膜のＸ
線回折図である。
【図９】(ＢａXＳｒ1-X)(ＯＨ)2溶液の組成Ｘと(ＢａY
Ｓｒ1-Y)ＴｉＯ3固溶体薄膜の組成Ｙの関係を示す図で
ある。
Ｓｒ1-Y)ＴｉＯ3固溶体薄膜の組成Ｙの関係を示す図で
ある。
【図１０】電解処理開始温度：７５℃，合成温度：２０
０℃の場合の水熱温度プロファイルと電解処理領域の関
係を示す図である。
０℃の場合の水熱温度プロファイルと電解処理領域の関
係を示す図である。
【図１１】電解処理開始温度：７５℃，合成温度：３０
０℃（保持時間：０時間）の場合の水熱温度プロファイ
ルと電解処理領域の関係を示す図である。
０℃（保持時間：０時間）の場合の水熱温度プロファイ
ルと電解処理領域の関係を示す図である。
【図１２】電解処理開始温度：１００℃，合成温度：３
５０℃（保持時間：０時間）の場合の水熱温度プロファ
イルと電解処理領域の関係を示す図である。
５０℃（保持時間：０時間）の場合の水熱温度プロファ
イルと電解処理領域の関係を示す図である。
【図１３】電解処理開始温度：５０℃，合成温度：１５
０℃，電解電圧：直流１２Ｖの場合のＳｒＴｉＯ3薄膜
の膜厚と電解電気量との関係を示す図である。
０℃，電解電圧：直流１２Ｖの場合のＳｒＴｉＯ3薄膜
の膜厚と電解電気量との関係を示す図である。
１ テフロン製ビーカ ２ 処理溶液（アルカリ性水溶液） ３ オートクレーブ ４ 電源 ５ チタン線 ６ 白金線 ７ チタン電極 ８ 白金電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉村 昌弘 神奈川県綾瀬市寺尾中一丁目６番12
Claims (4)
- 【請求項１】 複合酸化物を構成する金属を含有する電
極と任意の電極を、複合酸化物を構成する他の元素を含
有するｐＨ１３以上のアルカリ性水溶液（処理溶液）中
に浸漬し、このアルカリ性水溶液を８０℃〜水の臨界温
度（３７４．２℃）の範囲内の所定の温度にまで昇温す
る処理（水熱処理）と、この水熱処理工程における、ア
ルカリ性水溶液の温度が１００℃以下の温度から前記範
囲内の所定の温度に至るまでの間、前記電極間に通電す
る処理（電解処理）を施すことを特徴とする複合酸化物
薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 前記電解処理工程において電解系に供給
された電気量を指標とすることで複合酸化物薄膜の膜厚
を制御することを特徴とする請求項１記載の複合酸化物
薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 前記複合酸化物を構成する金属がチタン
（Ｔｉ）であり、前記複合酸化物を構成する他の元素が
バリウム（Ｂａ）、及びストロンチウム（Ｓｒ）の少な
くとも１種であり、かつ、複合酸化物が、一般式ＡＴｉ
Ｏ3（Ａ＝Ｂａ，Ｓｒ）で表されるペロブスカイト型複
合酸化物であることを特徴とする請求項１または２記載
の複合酸化物薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の複合酸化物薄膜の製造方
法により製造されたペロブスカイト型複合酸化物薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13292393A JP3224905B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 複合酸化物薄膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13292393A JP3224905B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 複合酸化物薄膜及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06322587A true JPH06322587A (ja) | 1994-11-22 |
| JP3224905B2 JP3224905B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=15092673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13292393A Expired - Lifetime JP3224905B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 複合酸化物薄膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3224905B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005306728A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-11-04 | Showa Denko Kk | チタン含有ペロブスカイト型化合物およびその製造方法 |
| CN100414001C (zh) * | 2005-09-29 | 2008-08-27 | 陕西科技大学 | 一种微波水热电沉积制备涂层或薄膜的方法及装置 |
| US9508320B2 (en) | 2000-01-05 | 2016-11-29 | Apple Inc. | Method of transition between window states |
| CN106521597A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-03-22 | 青岛科技大学 | 一种电化学法制备钛酸锶薄膜的方法 |
-
1993
- 1993-05-10 JP JP13292393A patent/JP3224905B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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