JPH06314764A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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Publication number
JPH06314764A
JPH06314764A JP10425793A JP10425793A JPH06314764A JP H06314764 A JPH06314764 A JP H06314764A JP 10425793 A JP10425793 A JP 10425793A JP 10425793 A JP10425793 A JP 10425793A JP H06314764 A JPH06314764 A JP H06314764A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
leads
semiconductor device
same direction
sealed semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10425793A
Other languages
English (en)
Inventor
Naonori Matsuoka
尚典 松岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 間隔が極めて狭く設定されて多数本のリード
を有するリードフレームを用いても、樹脂にボイドを生
じることなく成形でき、外観不良がなく、耐湿性が良好
で長寿命の樹脂封止型半導体装置を実現できる。 【構成】 互いに近接して平行に延びる多数本のリード
18の遊端部と半導体ペレット2上に形成された多数の
電極3とをそれぞれ電気的に接続し半導体ペレット2を
含む主要部を樹脂7にてモールド被覆した樹脂封止型半
導体装置において、上記多数本のリード18のうち、少
なくとも一部のリードの互いに対向する壁面18a、1
8aを略同一方向に傾斜させたことを特徴とする。多数
本のリード18のうち、少なくとも樹脂注入部近傍に位
置するリードの対向壁面を略同一方向に傾斜させること
ができる。略同一方向に傾斜させた対向壁面18a、1
8bを有するリード18を肉薄の金属板の表裏のエッチ
ング位置をずらせて形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は樹脂封止型半導体装置
に関し、特に外装樹脂の側壁から互いに近接させた状態
で多数本のリードを導出した半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】樹脂封止形半導体装置1の一例を図5及
び図6から説明する。図において、2は半導体ペレット
で、上面の周縁部に多数のバンプ電極3を形成してい
る。4は一端が半導体ペレット2に接続され他端が外方
に延びる多数本の中間リード、5は一端が中間リード4
に接続され、さらに外方に延びる多数本のリードを示
す。6は半導体ペレット2を支持するアイランド、7は
半導体ペレット2を含む主要部分をモールド成形により
被覆した樹脂を示す。
【0003】図7はこの半導体装置の製造に用いられる
リードフレーム8の一例を示す。このリードフレーム8
は100μm程度の薄い金属平板をエッチングして形成
されたもので、矩形枠状のフレーム9の中央部に吊りピ
ン10を介してアイランド6を配置し、フレーム9の内
壁からアイランド6に向かって多数本のリード5を導出
し、各リード5の中間部をタイバ11にて一体化したも
ので、吊りピン10の中間部を屈曲させて、アイランド
6とフレーム9やリード5との間に段差を設けている。
【0004】このリードフレーム8のアイランド6に、
予め中間リード4を接続した半導体ペレット2をマウン
トし、中間リード4の他端部をリード5の他端部に重合
させ熱圧着などの手段により接続した後、リードフレー
ム8を図8に示す樹脂モールド装置の金型12、13衝
合面に形成したキャビティ14、15間にセットし、キ
ャビティ14、15に連通するゲート16から樹脂7を
注入し、ゲート16に対して反対側の金型12、13間
に形成したエアベント17からキャビティ14、15内
の空気を追い出しつつ半導体ペレット2を含む主要部分
を樹脂被覆する。
【0005】この後、樹脂7から露出したリードフレー
ム8のタイバ11などの不要部分を切断除去し、図5に
示す半導体装置を得る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図5に示す
半導体装置のリード5は、従来数10本程度だったもの
が、高機能・高集積化の要請により数100本に増加さ
せる必要に迫られ、リードの幅、間隔ともに微細化する
ことにより対応している。
【0007】一方、樹脂モールドの際に、キャビティ1
4、15内に注入された樹脂7は、キャビティの内壁に
沿って流動するが、リード5の間隔が微細化すると、樹
脂7の粘度からみてキャビティ14、15内がリードフ
レーム8によって上下二分された状態となり、図9に示
すようにゲート16からキャビティ14、15内に注入
された樹脂7は図示実線矢印に示すように移動し、リー
ド5、5間で図示点線方向に上向きの流れを生じようと
するが、リード間隔が極めて小さく、しかもリード表裏
面が面一で樹脂の流動方向を変えるような力が作用しに
くいこと、リード側壁が樹脂流動方向に対して直交し樹
脂の流動方向を変えるのに大きな力が必要であることな
どからリード間を樹脂が通りにくく、キャビティ内の上
下で樹脂7の移動速度が異なり、先行した樹脂がエアベ
ントを塞ぐと空気がキャビティ内に取り残され、ボイド
となり、このボイドが樹脂7の外面に露呈すると外観不
良となり、樹脂外面に露呈しなくても局部的に樹脂の厚
みを薄くし、耐湿性を低下させ、寿命を短くし、機械的
強度を低下させるなどの問題があった。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題の解決
を目的として提案されたもので、互いに近接して平行に
延びる多数本のリードの遊端部と半導体ペレット上に形
成された多数の電極とをそれぞれ電気的に接続し半導体
ペレットを含む主要部を樹脂にてモールド被覆した樹脂
封止形半導体装置において、上記多数本のリードのう
ち、少なくとも一部のリードの互いに対向する壁面を略
同一方向に傾斜させたことを特徴とする半導体装置を提
供する。
【0009】
【作用】本発明によれば、リードの本数が極めて多くか
つリード間隔が狭く設定されたリードフレームを用いて
製造する際に、樹脂封止時に、リード間を通りにくい粘
度の樹脂からみて、成形金型のキャビティ内がリードフ
レームによって実質的に上下二分されていても、リード
の対向壁面が略同一方向に傾斜しているためリード間の
樹脂の通過性が良好で、キャビティ内における樹脂の充
填状態が改善されボイドの発生を抑制できる。
【0010】
【実施例】以下に本発明の実施例を図5リードフレーム
を用いた半導体装置に適用し、図1及び図2から説明す
る。図において図5と同一符号は同一物を示し説明を省
略する。図中相違するのは、リード18のみで、図5の
半導体装置のリード5と同様に互いに近接して多数形成
され内端部が半導体ペレット2の電極3に電気的に接続
されている。このリード18の対向壁面18a、18b
は略同一方向に傾斜させた点でリード5とは相違する。
この対向壁面18a、18bの傾斜方向は樹脂7にて被
覆する際にキャビティ内に注入される樹脂7が通過し易
い方向に設定される。
【0011】また、この対向壁面18a、18bの傾斜
加工は、キャビティの樹脂注入部近傍のリードにのみす
ればよい。
【0012】図3はこのリードの加工方法の一例を示
す。即ち、金属平板(符号なし)の両面に表裏面で位置
をずらせてレジスト膜19a、19bを形成し、エッチ
ング溝A、Bを両面から形成し連通させリード18を形
成する。これによりリード18の対向壁面18a、18
bは傾斜形成される。
【0013】図4からこの半導体装置の樹脂封止状態を
説明する。図中、図8と同一符号は同一物を示し説明を
省略する。キャビティ14、15位置にリードフレーム
を配置し、上下金型12、13を閉じ、ゲート16から
樹脂7をキャビティ14、15内に注入する。樹脂7は
キャビティ内壁に沿って充填されるが図示矢印方向に移
動する樹脂は粘性が大きいが、リードエッジは樹脂を切
り込む形状であるため樹脂に対する抵抗が小さく、リー
ド18の対向壁18a、18bの傾斜面に沿ってリード
フレームの上面側にも速やかに回り込み未充填を生じる
ことなく充填されてゆく。
【0014】このように、本発明によれば、リード間隔
が極めて小さくしかも多数ある半導体装置でも樹脂の未
充填が防止でき、外観不良がなく、耐湿性が良好で長寿
命の半導体装置を実現できる。
【0015】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、外観が良
好で、耐湿性がよく、長寿命の樹脂封止型半導体装置を
実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置
の一例を示す一部断面平面図
【図2】 図1のX−X断面図
【図3】 本発明のリードフレームの製造方法を説明す
る要部断面図
【図4】 本発明の半導体装置の樹脂成形状態を説明す
る要部側断面図
【図5】 樹脂封止型半導体装置の一例を示す一部断面
平面図
【図6】 図5半導体装置の側断面図
【図7】 図5半導体装置の製造に用いられるリードフ
レームの要部平面図
【図8】 図5半導体装置の樹脂成形状態を説明する要
部側断面図
【図9】 図5半導体装置の樹脂成形時の問題点を説明
する要部側断面図
【符号の説明】
2 半導体ペレット 3 電極 7 樹脂 18 リード 18a リードの側壁 18b リードの側壁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/56 H 8617−4M 23/28 A 8617−4M

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 互いに近接して平行に延びる多数本のリ
    ードの遊端部と半導体ペレット上に形成された多数の電
    極とをそれぞれ電気的に接続し半導体ペレットを含む主
    要部を樹脂にてモールド被覆した樹脂封止型半導体装置
    において、上記多数本のリードのうち、少なくとも一部
    のリードの互いに対向する壁面を略同一方向に傾斜させ
    たことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項2】 多数本のリードのうち、樹脂注入部近傍
    のリードの対向壁面を略同一方向に傾斜させたことを特
    徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。
  3. 【請求項3】 略同一方向に傾斜させた対向壁面を有す
    るリードを、肉薄の金属板の表裏面のエッチング位置を
    ずらせて形成したことを特徴とする請求項1及び請求項
    2に記載の樹脂封止型半導体装置。
JP10425793A 1993-04-30 1993-04-30 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH06314764A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10425793A JPH06314764A (ja) 1993-04-30 1993-04-30 樹脂封止型半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP10425793A JPH06314764A (ja) 1993-04-30 1993-04-30 樹脂封止型半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06314764A true JPH06314764A (ja) 1994-11-08

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ID=14375882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10425793A Pending JPH06314764A (ja) 1993-04-30 1993-04-30 樹脂封止型半導体装置

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JP (1) JPH06314764A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018152503A (ja) * 2017-03-14 2018-09-27 エイブリック株式会社 半導体装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2018152503A (ja) * 2017-03-14 2018-09-27 エイブリック株式会社 半導体装置

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Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20020116