JPH06314747A - 光半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
光半導体素子収納用パッケージInfo
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- JPH06314747A JPH06314747A JP5103114A JP10311493A JPH06314747A JP H06314747 A JPH06314747 A JP H06314747A JP 5103114 A JP5103114 A JP 5103114A JP 10311493 A JP10311493 A JP 10311493A JP H06314747 A JPH06314747 A JP H06314747A
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- semiconductor element
- optical semiconductor
- metal
- metal base
- optical fiber
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Abstract
(57)【要約】
【目的】光半導体素子収納用パッケージの内部に収容さ
れる光半導体素子と光ファイバーとの整合を正確とし、
光半導体素子の励起した光を光ファイバーを介し外部に
良好に伝達することができる光半導体素子収納用パッケ
ージを提供することにある。 【構成】上面の中央領域に光半導体素子６が載置される
載置部１ａを、両端領域Ｂにネジ止め部８を有する金属
基体１と、前記光半導体素子載置部１ａを囲繞するよう
にして金属基体１上に取着され、側部に光ファイバー９
を固定するための固定部を有する金属枠体２と、前記金
属枠体２の上面に取着され光半導体素子６を気密に封止
する金属蓋体５とから成る光半導体素子収納用パッケー
ジであって、前記金属基体１はその中央領域Ａの厚みを
Ｘ、両端領域Ｂの厚みをＴとしたとき、下記式を満足す
る厚みであることを特徴とする光半導体素子収納用パッ
ケージ。 １．０≧Ｔ≧０．３（ｍｍ）、Ｘ≧２Ｔ
れる光半導体素子と光ファイバーとの整合を正確とし、
光半導体素子の励起した光を光ファイバーを介し外部に
良好に伝達することができる光半導体素子収納用パッケ
ージを提供することにある。 【構成】上面の中央領域に光半導体素子６が載置される
載置部１ａを、両端領域Ｂにネジ止め部８を有する金属
基体１と、前記光半導体素子載置部１ａを囲繞するよう
にして金属基体１上に取着され、側部に光ファイバー９
を固定するための固定部を有する金属枠体２と、前記金
属枠体２の上面に取着され光半導体素子６を気密に封止
する金属蓋体５とから成る光半導体素子収納用パッケー
ジであって、前記金属基体１はその中央領域Ａの厚みを
Ｘ、両端領域Ｂの厚みをＴとしたとき、下記式を満足す
る厚みであることを特徴とする光半導体素子収納用パッ
ケージ。 １．０≧Ｔ≧０．３（ｍｍ）、Ｘ≧２Ｔ
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光半導体素子を収容する
ための光半導体素子収納用パッケージに関するものであ
る。
ための光半導体素子収納用パッケージに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、光半導体素子を収容するための光
半導体素子収納用パッケージは、銅タングステン合金か
ら成り、上面中央領域に光半導体素子が載置される載置
部を有する金属基体と、コバール金属から成り、前記光
半導体素子載置部を囲繞するようにして金属基体上に銀
ロウ等のロウ材を介し取着され、側部に光ファイバーを
固定するための固定部材と、外部リード端子がロウ付け
されたメタライズ配線層を有するアルミナセラミックス
等から成る絶縁端子部材とが取着された金属枠体と、前
記金属枠体の上部に取着され、光半導体素子を気密に封
止する金属蓋体とから構成されており、金属基体の光半
導体素子載置部に光半導体素子を接着固定するとともに
光半導体素子の各電極をボンディングワイヤを介して外
部リード端子が取着されているメタライズ配線層に接続
し、次に金属枠体の上部に金属蓋体を取着させ、金属基
体、金属枠体、及び金属蓋体等とから成る容器内部に光
半導体素子を収容し、最後に金属枠体の光ファイバー固
定部材に光ファイバーをレーザー光線の照射による溶接
によって接合させ、光ファイバーを金属枠体に固定する
ことによって製品としての光半導体装置となる。
半導体素子収納用パッケージは、銅タングステン合金か
ら成り、上面中央領域に光半導体素子が載置される載置
部を有する金属基体と、コバール金属から成り、前記光
半導体素子載置部を囲繞するようにして金属基体上に銀
ロウ等のロウ材を介し取着され、側部に光ファイバーを
固定するための固定部材と、外部リード端子がロウ付け
されたメタライズ配線層を有するアルミナセラミックス
等から成る絶縁端子部材とが取着された金属枠体と、前
記金属枠体の上部に取着され、光半導体素子を気密に封
止する金属蓋体とから構成されており、金属基体の光半
導体素子載置部に光半導体素子を接着固定するとともに
光半導体素子の各電極をボンディングワイヤを介して外
部リード端子が取着されているメタライズ配線層に接続
し、次に金属枠体の上部に金属蓋体を取着させ、金属基
体、金属枠体、及び金属蓋体等とから成る容器内部に光
半導体素子を収容し、最後に金属枠体の光ファイバー固
定部材に光ファイバーをレーザー光線の照射による溶接
によって接合させ、光ファイバーを金属枠体に固定する
ことによって製品としての光半導体装置となる。
【０００３】かかる光半導体装置は外部電気回路から供
給される駆動信号によって光半導体素子に光を励起さ
せ、該励起された光を光ファイバーを介して外部に伝達
することによって高速光通信等に使用される光半導体装
置として機能する。
給される駆動信号によって光半導体素子に光を励起さ
せ、該励起された光を光ファイバーを介して外部に伝達
することによって高速光通信等に使用される光半導体装
置として機能する。
【０００４】また前記光半導体装置は金属基体の両端領
域に形成されているネジ止め部を外部部材にネジ止めす
ることによって外部部材に取着固定されることとなる。
域に形成されているネジ止め部を外部部材にネジ止めす
ることによって外部部材に取着固定されることとなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の光半導体素子収納用パッケージは金属基体を構成す
る銅 タングステン合金の熱膨張係数が７．０×１０-6
／℃（室温〜８００℃）であり、金属枠体を構成するコ
バール金属の熱膨張係数（１０．０×１０-6／℃：室温
〜８００℃）と相違することから金属基体に金属枠体を
銀ロウ等のロウ材を介してロウ付けすると両者の熱膨張
係数の相違に起因する熱応力によって金属基体に１０乃
至２０μm 程度の反りが発生したものとなっている。そ
のため、この光半導体素子収納用パッケージに光半導体
素子を収容し、光半導体装置となした後、金属基体の両
端領域に形成したネジ止め部を外部部材にネジ止めし、
光半導体装置を外部部材に取着固定した場合、金属基体
を外部部材にネジ止めする際に金属基体の反りが矯正さ
れ、その矯正に伴う応力が金属基体の中央領域に凹凸を
発生させるとともに該金属基体の中央領域に固定されて
いる光半導体素子の固定位置にズレを生じさせ、その結
果、光半導体素子と光ファイバーとの整合が破れ、光半
導体素子が励起した光を光ファイバーを介し外部に良好
に伝達することができないという欠点を有していた。
来の光半導体素子収納用パッケージは金属基体を構成す
る銅 タングステン合金の熱膨張係数が７．０×１０-6
／℃（室温〜８００℃）であり、金属枠体を構成するコ
バール金属の熱膨張係数（１０．０×１０-6／℃：室温
〜８００℃）と相違することから金属基体に金属枠体を
銀ロウ等のロウ材を介してロウ付けすると両者の熱膨張
係数の相違に起因する熱応力によって金属基体に１０乃
至２０μm 程度の反りが発生したものとなっている。そ
のため、この光半導体素子収納用パッケージに光半導体
素子を収容し、光半導体装置となした後、金属基体の両
端領域に形成したネジ止め部を外部部材にネジ止めし、
光半導体装置を外部部材に取着固定した場合、金属基体
を外部部材にネジ止めする際に金属基体の反りが矯正さ
れ、その矯正に伴う応力が金属基体の中央領域に凹凸を
発生させるとともに該金属基体の中央領域に固定されて
いる光半導体素子の固定位置にズレを生じさせ、その結
果、光半導体素子と光ファイバーとの整合が破れ、光半
導体素子が励起した光を光ファイバーを介し外部に良好
に伝達することができないという欠点を有していた。
【０００６】
【発明の目的】本発明は上述の欠点に鑑み案出されたも
ので、その目的は光半導体素子収納用パッケージの内部
に収容される光半導体素子と光ファイバーとの整合を正
確とし、光半導体素子の励起した光を光ファイバーを介
し外部に良好に伝達することができる光半導体素子収納
用パッケージを提供することにある。
ので、その目的は光半導体素子収納用パッケージの内部
に収容される光半導体素子と光ファイバーとの整合を正
確とし、光半導体素子の励起した光を光ファイバーを介
し外部に良好に伝達することができる光半導体素子収納
用パッケージを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上面の中央領域
に光半導体素子が載置される載置部を、両端領域にネジ
止め部を有する金属基体と、前記光半導体素子載置部を
囲繞するようにして金属基体上に取着され、側部に光フ
ァイバーを固定するための固定部を有する金属枠体と、
前記金属枠体の上面に取着され光半導体素子を気密に封
止する金属蓋体とから成る光半導体素子収納用パッケー
ジであって、前記金属基体はその中央領域の厚みをＸ、
両端領域の厚みをＴとしたとき、下記式を満足する厚み
であることを特徴とする。
に光半導体素子が載置される載置部を、両端領域にネジ
止め部を有する金属基体と、前記光半導体素子載置部を
囲繞するようにして金属基体上に取着され、側部に光フ
ァイバーを固定するための固定部を有する金属枠体と、
前記金属枠体の上面に取着され光半導体素子を気密に封
止する金属蓋体とから成る光半導体素子収納用パッケー
ジであって、前記金属基体はその中央領域の厚みをＸ、
両端領域の厚みをＴとしたとき、下記式を満足する厚み
であることを特徴とする。
【０００８】１．０≧Ｔ≧０．３（ｍｍ）、Ｘ≧２Ｔ
【０００９】
【作用】本発明の光半導体素子収納用パッケージは金属
基体の両端領域の厚み（Ｔ）を１．０≧Ｔ≧０．３（ｍ
ｍ）とし、中央領域の厚み（Ｘ）をＸ≧２Ｔとして段差
を設けたことから、金属基体の中央領域に光半導体素子
を接着固定するとともに両端領域のネジ止め部を外部部
材に固定した場合、金属基体の反り矯正に伴う応力は金
属基体の両端領域を変形させることによって吸収され、
中央領域には一切伝達されず、その結果、金属基体の中
央領域に接着固定されている光半導体素子はその固定位
置が常に一定となり、光半導体素子と光ファイバーとの
整合を正確として光半導体素子が励起した光を光ファイ
バーを介し外部に良好に伝達することが可能となる。
基体の両端領域の厚み（Ｔ）を１．０≧Ｔ≧０．３（ｍ
ｍ）とし、中央領域の厚み（Ｘ）をＸ≧２Ｔとして段差
を設けたことから、金属基体の中央領域に光半導体素子
を接着固定するとともに両端領域のネジ止め部を外部部
材に固定した場合、金属基体の反り矯正に伴う応力は金
属基体の両端領域を変形させることによって吸収され、
中央領域には一切伝達されず、その結果、金属基体の中
央領域に接着固定されている光半導体素子はその固定位
置が常に一定となり、光半導体素子と光ファイバーとの
整合を正確として光半導体素子が励起した光を光ファイ
バーを介し外部に良好に伝達することが可能となる。
【００１０】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。
る。
【００１１】図１及び図２は本発明の光半導体素子収納
用パッケージの一実施例を示し、１は金属基体、２は金
属枠体、３は絶縁端子部材、４は金属環体、５は金属蓋
体である。
用パッケージの一実施例を示し、１は金属基体、２は金
属枠体、３は絶縁端子部材、４は金属環体、５は金属蓋
体である。
【００１２】前記金属基体１はその上面中央領域Ａに光
半導体素子６を載置するための載置部１ａを有し、該載
置部１ａ上には光半導体素子６が接着剤を介して接着固
定される。
半導体素子６を載置するための載置部１ａを有し、該載
置部１ａ上には光半導体素子６が接着剤を介して接着固
定される。
【００１３】また前記金属基体１はその上面の中央領域
Ａを囲繞するように側面に一対の絶縁端子部材３及び光
ファイバーを固定する固定部材７が取着された金属枠体
２が銀ロウ等のロウ材を介して取着されている。
Ａを囲繞するように側面に一対の絶縁端子部材３及び光
ファイバーを固定する固定部材７が取着された金属枠体
２が銀ロウ等のロウ材を介して取着されている。
【００１４】前記金属基体１は銅 タングステン合金か
ら成り、例えば、タングステン粉末（約１０μｍ）を１
０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧成形するとともにこれ
を還元雰囲気中、約２３００℃の温度で焼成して多孔質
のタングステン焼結体を得、次に１１００℃の温度で加
熱溶融させた銅を前記タングステン焼結体の多孔部分に
毛管現象を利用して含浸させることによって製作され
る。
ら成り、例えば、タングステン粉末（約１０μｍ）を１
０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧成形するとともにこれ
を還元雰囲気中、約２３００℃の温度で焼成して多孔質
のタングステン焼結体を得、次に１１００℃の温度で加
熱溶融させた銅を前記タングステン焼結体の多孔部分に
毛管現象を利用して含浸させることによって製作され
る。
【００１５】前記金属基体１はまたその両端領域Ｂにネ
ジ止め部８が設けられており、該ネジ止め部８を外部部
材（不図示）にネジ止めすることによって光半導体素子
６が接着固定された金属基体１は外部部材に取着固定さ
れることになる。
ジ止め部８が設けられており、該ネジ止め部８を外部部
材（不図示）にネジ止めすることによって光半導体素子
６が接着固定された金属基体１は外部部材に取着固定さ
れることになる。
【００１６】尚、前記金属基体１の両端領域Ｂに形成さ
れたネジ止め部８は金属基体１に従来周知の金属穴あけ
加工を施すことによって金属基体１の両端領域Ｂに形成
される。
れたネジ止め部８は金属基体１に従来周知の金属穴あけ
加工を施すことによって金属基体１の両端領域Ｂに形成
される。
【００１７】更に前記金属基体１はその両端領域Ｂの厚
さ（Ｔ）が１．０≧Ｔ≧０．３（ｍｍ）、中央領域Ａの
厚さ（Ｘ）がＸ≧２Ｔとなっており、中央領域Ａと両端
領域Ｂとの境に段差が形成されている。
さ（Ｔ）が１．０≧Ｔ≧０．３（ｍｍ）、中央領域Ａの
厚さ（Ｘ）がＸ≧２Ｔとなっており、中央領域Ａと両端
領域Ｂとの境に段差が形成されている。
【００１８】前記金属基体１に段差を形成するのは金属
基体１のネジ止め部８を外部部材にネジ止めする際、金
属基体１に金属枠体２との熱膨張係数の相違によって発
生している反りが矯正され、金属基体１の反り矯正に伴
う応力が光半導体素子６の固定されている中央領域Ａに
伝達されるのを防止するためであり、これによって金属
基体１の中央領域Ａに接着固定されている光半導体素子
６はその固定位置が常に一定となり、光半導体素子６と
金属枠体２の側面に設けた光ファイバー固定部材７に固
定される光ファイバー９とを整合させ、光半導体素子６
が励起した光を光ファイバー９を介し外部に良好に伝達
させることが可能となる。
基体１のネジ止め部８を外部部材にネジ止めする際、金
属基体１に金属枠体２との熱膨張係数の相違によって発
生している反りが矯正され、金属基体１の反り矯正に伴
う応力が光半導体素子６の固定されている中央領域Ａに
伝達されるのを防止するためであり、これによって金属
基体１の中央領域Ａに接着固定されている光半導体素子
６はその固定位置が常に一定となり、光半導体素子６と
金属枠体２の側面に設けた光ファイバー固定部材７に固
定される光ファイバー９とを整合させ、光半導体素子６
が励起した光を光ファイバー９を介し外部に良好に伝達
させることが可能となる。
【００１９】尚、前記金属基体１はその両端領域Ｂの厚
さ（Ｔ）が０．３ｍｍ未満となると金属基体１の機械的
強度が低下して光半導体素子収納用パッケージを外部部
材に強固に取着固定することができなくなり、また１．
０ｍｍを越えると光半導体素子収納用パッケージの全体
の厚みが厚くなり、近時の薄形化が進む電子機器には搭
載が困難となる。従って、前記金属基体１はその両端領
域Ｂの厚さ（Ｔ）が０．３乃至１．０ｍｍの範囲に特定
される。
さ（Ｔ）が０．３ｍｍ未満となると金属基体１の機械的
強度が低下して光半導体素子収納用パッケージを外部部
材に強固に取着固定することができなくなり、また１．
０ｍｍを越えると光半導体素子収納用パッケージの全体
の厚みが厚くなり、近時の薄形化が進む電子機器には搭
載が困難となる。従って、前記金属基体１はその両端領
域Ｂの厚さ（Ｔ）が０．３乃至１．０ｍｍの範囲に特定
される。
【００２０】また前記金属基体１はその中央領域Ａの厚
さ（Ｘ）が両端領域のＢの厚さ（Ｔ）に対し、Ｘ＜２Ｔ
となると中央領域Ａと両端領域Ｂの境に形成される段差
が低くなって金属基体１の両端領域Ｂをネジ止めする時
の応力が中央領域Ａにも伝わり光半導体素子６と光ファ
イバー９との整合がとれなくなってしまう。従って、前
記金属基体１の中央領域Ａの厚さ（Ｘ）は両端領域Ｂの
厚さ（Ｔ）に対し、Ｘ≧２Ｔの範囲に特定される。
さ（Ｘ）が両端領域のＢの厚さ（Ｔ）に対し、Ｘ＜２Ｔ
となると中央領域Ａと両端領域Ｂの境に形成される段差
が低くなって金属基体１の両端領域Ｂをネジ止めする時
の応力が中央領域Ａにも伝わり光半導体素子６と光ファ
イバー９との整合がとれなくなってしまう。従って、前
記金属基体１の中央領域Ａの厚さ（Ｘ）は両端領域Ｂの
厚さ（Ｔ）に対し、Ｘ≧２Ｔの範囲に特定される。
【００２１】更に前記金属基体１はその上面で中央領域
Ａを囲繞するようにして金属枠体２が銀ロウ等のロウ材
を介して取着されている。
Ａを囲繞するようにして金属枠体２が銀ロウ等のロウ材
を介して取着されている。
【００２２】前記金属枠体２は内部に光半導体素子６を
収容する空間を形成するとともに外部リード端子を備え
た絶縁端子部材３と光ファイバー９を固定する固定部材
７を支持する作用を為す。
収容する空間を形成するとともに外部リード端子を備え
た絶縁端子部材３と光ファイバー９を固定する固定部材
７を支持する作用を為す。
【００２３】前記金属枠体２はコバール金属から成り、
コバール金属のインゴット（塊）を従来周知の金属加工
法を採用することによって所定の枠状となっている。
コバール金属のインゴット（塊）を従来周知の金属加工
法を採用することによって所定の枠状となっている。
【００２４】また前記金属枠体２はその相対向する側面
に一対の絶縁端子部材３が取着されており、該絶縁端子
部材３は内部に収容する光半導体素子６の各電極を外部
電気回路に接続する作用を為す。
に一対の絶縁端子部材３が取着されており、該絶縁端子
部材３は内部に収容する光半導体素子６の各電極を外部
電気回路に接続する作用を為す。
【００２５】前記金属枠体２の側面に取着された絶縁端
子部材３はアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から
成り、その上部に金属枠体２の内側から外側にかけて導
出する複数個のメタライズ配線層１０が設けられてい
る。
子部材３はアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から
成り、その上部に金属枠体２の内側から外側にかけて導
出する複数個のメタライズ配線層１０が設けられてい
る。
【００２６】前記絶縁端子部材３は、例えば、アルミナ
セラミックスから成る場合、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、
シリカ（ＳｉＯ2 ）、カルシア（ＣａＯ）、マグネシア
（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当なバインダー、有機溶媒
を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知の
ドクタブレード法を採用することによってセラミックグ
リーンシート（セラミック生シート）を得、しかる後、
前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を
施すとともにこれを複数枚積層し、高温（約１６００
℃）の温度で焼成することによって製作される。
セラミックスから成る場合、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、
シリカ（ＳｉＯ2 ）、カルシア（ＣａＯ）、マグネシア
（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当なバインダー、有機溶媒
を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知の
ドクタブレード法を採用することによってセラミックグ
リーンシート（セラミック生シート）を得、しかる後、
前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を
施すとともにこれを複数枚積層し、高温（約１６００
℃）の温度で焼成することによって製作される。
【００２７】また前記絶縁端子部材３に設けられている
メタライズ配線層１０は一端に光半導体素子６の電極が
ボンディングワイヤ１１を介して接続され、また他端側
には外部リード端子１２が銀ロウ等のロウ材を介して取
着されており、外部リード端子１２を外部電気回路に接
続することによって、内部に収容される光半導体素子６
はメタライズ配線層１０及び外部リード端子１２を介し
外部電気回路と接続されることとなる。
メタライズ配線層１０は一端に光半導体素子６の電極が
ボンディングワイヤ１１を介して接続され、また他端側
には外部リード端子１２が銀ロウ等のロウ材を介して取
着されており、外部リード端子１２を外部電気回路に接
続することによって、内部に収容される光半導体素子６
はメタライズ配線層１０及び外部リード端子１２を介し
外部電気回路と接続されることとなる。
【００２８】尚、前記メタライズ配線層１０はタングス
テン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成
り、該高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して得た金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法
を採用し、絶縁端子部材６となるセラミックグリーンシ
ートに予め被着させておくことによって、絶縁端子部材
６の所定位置に所定パターンに被着形成される。
テン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成
り、該高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して得た金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法
を採用し、絶縁端子部材６となるセラミックグリーンシ
ートに予め被着させておくことによって、絶縁端子部材
６の所定位置に所定パターンに被着形成される。
【００２９】また前記メタライズ配線層１０にロウ付け
取着される外部リード端子１２は光半導体素子５の電極
を外部電気回路に電気的に接続する作用を為し、コバー
ル金属や４２アロイ等の金属材料で形成され、例えば、
コバール金属のインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜
き加工法等の従来周知の金属加工法を施すことによって
製作される。
取着される外部リード端子１２は光半導体素子５の電極
を外部電気回路に電気的に接続する作用を為し、コバー
ル金属や４２アロイ等の金属材料で形成され、例えば、
コバール金属のインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜
き加工法等の従来周知の金属加工法を施すことによって
製作される。
【００３０】更に前記金属枠体２の側面には光ファイバ
ー９を固定するための固定部材７が取着されており、該
固定部材７に光ファイバー９を固定することによって光
半導体素子６が励起した光を外部に伝達する光ファイバ
ー９が金属枠体２に固定されることとなる。
ー９を固定するための固定部材７が取着されており、該
固定部材７に光ファイバー９を固定することによって光
半導体素子６が励起した光を外部に伝達する光ファイバ
ー９が金属枠体２に固定されることとなる。
【００３１】前記固定部材７はコバール金属等から成
り、銀ロウ等のロウ材を介して金属枠体２の側面に取着
される。
り、銀ロウ等のロウ材を介して金属枠体２の側面に取着
される。
【００３２】前記側面に絶縁端子部材３及び光ファイバ
ー９を固定する固定部材７が取着された金属枠体２はそ
の上面に金属環体４及び金属蓋体５が順次取着され、こ
れによって内部に収容する光半導体素子６が気密に封止
され、製品としての光半導体装置となる。
ー９を固定する固定部材７が取着された金属枠体２はそ
の上面に金属環体４及び金属蓋体５が順次取着され、こ
れによって内部に収容する光半導体素子６が気密に封止
され、製品としての光半導体装置となる。
【００３３】前記金属環体４は金属枠体２の上面に金属
蓋体５を取着する際の下地金属部材として作用し、コバ
ール金属等により形成されている。
蓋体５を取着する際の下地金属部材として作用し、コバ
ール金属等により形成されている。
【００３４】尚、前記金属環体４は銀ロウ等のロウ材を
介して金属枠体２の上面に取着されている。
介して金属枠体２の上面に取着されている。
【００３５】また前記金属環体４の上面に取着される金
属蓋体５は光半導体素子６を気密に封止する作用を為
し、コバール金属から成り、ロウ材を介して、或いはシ
ームウエルド法等の溶接により金属環体４の上面に取着
される。
属蓋体５は光半導体素子６を気密に封止する作用を為
し、コバール金属から成り、ロウ材を介して、或いはシ
ームウエルド法等の溶接により金属環体４の上面に取着
される。
【００３６】かくして本発明の光半導体素子収納用パッ
ケージによれば、金属基体１の光半導体素子載置部１ａ
に光半導体素子６を接着固定するとともに光半導体素子
６の各電極をボンディングワイヤ１１を介して外部リー
ド端子１２が取着されているメタライズ配線層１０に接
続し、次に金属環体４の上面に金属蓋体５を取着させ、
金属基体１、金属枠体２及び金属蓋体５等から成る容器
内部に光半導体素子６を収容し、最後に金属枠体２の固
定部材７に、光ファイバー９を固定させることによって
製品としての光半導体装置となり、外部電気回路から供
給される駆動信号によって光半導体素子６に光を励起さ
せ、該励起された光を光ファイバー９を介して外部に伝
達することによって高速通信等に使用される光半導体装
置として機能する。
ケージによれば、金属基体１の光半導体素子載置部１ａ
に光半導体素子６を接着固定するとともに光半導体素子
６の各電極をボンディングワイヤ１１を介して外部リー
ド端子１２が取着されているメタライズ配線層１０に接
続し、次に金属環体４の上面に金属蓋体５を取着させ、
金属基体１、金属枠体２及び金属蓋体５等から成る容器
内部に光半導体素子６を収容し、最後に金属枠体２の固
定部材７に、光ファイバー９を固定させることによって
製品としての光半導体装置となり、外部電気回路から供
給される駆動信号によって光半導体素子６に光を励起さ
せ、該励起された光を光ファイバー９を介して外部に伝
達することによって高速通信等に使用される光半導体装
置として機能する。
【００３７】尚、本発明は前記実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々
の変更は可能であり、例えば金属基体１の中央領域Ａと
両端領域Ｂの境に形成される段差に半径０．１乃至１．
０ｍｍのＲ面、もしくは幅０．１乃至１．０ｍｍのＣ面
を設けておけば金属基体１の機械的強度を強いものとす
ると同時に金属基体２の両端領域Ｂを外部部材に取着す
る際に発する応力が中央領域Ａに伝わるのをより有効に
防止することができ、これによって光半導体素子６と光
ファイバー９との整合をより正確となすことができる。
従って、前記金属基体１は中央領域Ａと両端領域Ｂの境
に形成される段差に半径０．１乃至１．０ｍｍのＲ面、
もしくは幅０．１乃至１．０ｍｍのＣ面を設けておくこ
とが好ましい。
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々
の変更は可能であり、例えば金属基体１の中央領域Ａと
両端領域Ｂの境に形成される段差に半径０．１乃至１．
０ｍｍのＲ面、もしくは幅０．１乃至１．０ｍｍのＣ面
を設けておけば金属基体１の機械的強度を強いものとす
ると同時に金属基体２の両端領域Ｂを外部部材に取着す
る際に発する応力が中央領域Ａに伝わるのをより有効に
防止することができ、これによって光半導体素子６と光
ファイバー９との整合をより正確となすことができる。
従って、前記金属基体１は中央領域Ａと両端領域Ｂの境
に形成される段差に半径０．１乃至１．０ｍｍのＲ面、
もしくは幅０．１乃至１．０ｍｍのＣ面を設けておくこ
とが好ましい。
【００３８】
【発明の効果】本発明の光半導体素子収納用パッケージ
によれば、金属基体の両端領域の厚み（Ｔ）を１．０≧
Ｔ≧０．３（ｍｍ）とし、中央領域の厚み（Ｘ）をＸ≧
２Ｔとして段差を設けたことから、金属基体の中央領域
に光半導体素子を接着固定するとともに両端領域のネジ
止め部を外部部材に固定した場合、金属基体の反り矯正
に伴う応力は金属基体の両端領域を変形させることによ
って吸収され、中央領域には一切伝達されず、その結
果、金属基体の中央領域に接着固定されている光半導体
素子はその固定位置が常に一定となり、光半導体素子と
光ファイバーとの整合を正確として光半導体素子が励起
した光を光ファイバーを介し外部に良好に伝達すること
が可能となる。
によれば、金属基体の両端領域の厚み（Ｔ）を１．０≧
Ｔ≧０．３（ｍｍ）とし、中央領域の厚み（Ｘ）をＸ≧
２Ｔとして段差を設けたことから、金属基体の中央領域
に光半導体素子を接着固定するとともに両端領域のネジ
止め部を外部部材に固定した場合、金属基体の反り矯正
に伴う応力は金属基体の両端領域を変形させることによ
って吸収され、中央領域には一切伝達されず、その結
果、金属基体の中央領域に接着固定されている光半導体
素子はその固定位置が常に一定となり、光半導体素子と
光ファイバーとの整合を正確として光半導体素子が励起
した光を光ファイバーを介し外部に良好に伝達すること
が可能となる。
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す分解斜視図である。
例を示す分解斜視図である。
【図２】図１に示すパッケージの断面図である。
１・・・・金属基体 ２・・・・金属枠体 ３・・・・絶縁端子部材 ４・・・・金属環体 ５・・・・金属蓋体 ６・・・・光半導体素子 ７・・・・光ファイバー固定部材
Claims (1)
- 【請求項１】上面の中央領域に光半導体素子が載置され
る載置部を、両端領域にネジ止め部を有する金属基体
と、前記光半導体素子載置部を囲繞するようにして金属
基体上に取着され、側部に光ファイバーを固定するため
の固定部を有する金属枠体と、前記金属枠体の上面に取
着され光半導体素子を気密に封止する金属蓋体とから成
る光半導体素子収納用パッケージであって、前記金属基
体はその中央領域の厚みをＸ、両端領域の厚みをＴとし
たとき、下記式を満足する厚みであることを特徴とする
光半導体素子収納用パッケージ。 １．０≧Ｔ≧０．３（ｍｍ）、Ｘ≧２Ｔ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5103114A JP2784131B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5103114A JP2784131B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314747A true JPH06314747A (ja) | 1994-11-08 |
| JP2784131B2 JP2784131B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=14345578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5103114A Expired - Lifetime JP2784131B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2784131B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0899795A2 (en) * | 1997-08-27 | 1999-03-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical-semiconductor container or module |
| JP2002151725A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの設置方法 |
| US6464409B1 (en) | 1999-10-08 | 2002-10-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Package for optical communications modules |
| US6614590B2 (en) | 2000-11-22 | 2003-09-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical semiconductor hermetic sealing package, optical semiconductor module and optical fiber amplifier |
| JP2009176809A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Nec Lighting Ltd | 発光モジュール |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03229444A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-11 | Fujitsu Ltd | 実装金具付き半導体装置 |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP5103114A patent/JP2784131B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03229444A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-11 | Fujitsu Ltd | 実装金具付き半導体装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0899795A2 (en) * | 1997-08-27 | 1999-03-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical-semiconductor container or module |
| EP0899795A3 (en) * | 1997-08-27 | 1999-05-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical-semiconductor container or module |
| US6220765B1 (en) | 1997-08-27 | 2001-04-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Hermetically sealed optical-semiconductor container and optical-semiconductor module |
| US6345917B2 (en) | 1997-08-27 | 2002-02-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Hermetically sealed optical-semiconductor container and optical-semiconductor module |
| US6464409B1 (en) | 1999-10-08 | 2002-10-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Package for optical communications modules |
| JP2002151725A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの設置方法 |
| US6614590B2 (en) | 2000-11-22 | 2003-09-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical semiconductor hermetic sealing package, optical semiconductor module and optical fiber amplifier |
| JP2009176809A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Nec Lighting Ltd | 発光モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2784131B2 (ja) | 1998-08-06 |
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