JPH06303762A - サイリスタ変換装置の保護装置 - Google Patents
サイリスタ変換装置の保護装置Info
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- JPH06303762A JPH06303762A JP8768593A JP8768593A JPH06303762A JP H06303762 A JPH06303762 A JP H06303762A JP 8768593 A JP8768593 A JP 8768593A JP 8768593 A JP8768593 A JP 8768593A JP H06303762 A JPH06303762 A JP H06303762A
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- snubber resistor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、サイリスタ変換装置を構成するサ
イリスタバルブのスナバ抵抗器の焼損を防止する。 【構成】 直列又は直並列接続される複数のサイリスタ
にそれぞれスナバ抵抗器とスナバコンデンサの直列回路
から成るスナバ回路を並列に接続してなるサイリスタバ
ルブを所定のタイミングで発生する位相制御信号により
点弧制御するサイリスタ変換装置において、前記スナバ
抵抗器の表面温度を検出する手段と、該検出手段で検出
される前記スナバ抵抗器の表面温度が所定値を超えた
時、前記サイリスタ変換装置を停止させる手段を具備し
たサイリスタ変換装置の保護装置。
イリスタバルブのスナバ抵抗器の焼損を防止する。 【構成】 直列又は直並列接続される複数のサイリスタ
にそれぞれスナバ抵抗器とスナバコンデンサの直列回路
から成るスナバ回路を並列に接続してなるサイリスタバ
ルブを所定のタイミングで発生する位相制御信号により
点弧制御するサイリスタ変換装置において、前記スナバ
抵抗器の表面温度を検出する手段と、該検出手段で検出
される前記スナバ抵抗器の表面温度が所定値を超えた
時、前記サイリスタ変換装置を停止させる手段を具備し
たサイリスタ変換装置の保護装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は直流送電設備等に使用す
るサイリスタ変換装置の保護装置に関する。
るサイリスタ変換装置の保護装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のサイリスタ変換装置の全体構成を
図４を用いて説明する。サイリスタバルブ６―１〜６―
６が３相ブリッジ結線されており、変換器用トランス１
３により図示していない交流系統と接続されている。３
相ブリッジの直流出力は直流リアクトル１２を介して図
示していない直流系統と接続されている。点弧位相制御
装置１より出力される位相制御信号ａがゲ―トパルス発
生器２に入力され、ゲ―トパルスｂが前記サイリスタバ
ルブ６―１〜６―６に供給される。
図４を用いて説明する。サイリスタバルブ６―１〜６―
６が３相ブリッジ結線されており、変換器用トランス１
３により図示していない交流系統と接続されている。３
相ブリッジの直流出力は直流リアクトル１２を介して図
示していない直流系統と接続されている。点弧位相制御
装置１より出力される位相制御信号ａがゲ―トパルス発
生器２に入力され、ゲ―トパルスｂが前記サイリスタバ
ルブ６―１〜６―６に供給される。
【０００３】次に、サイリスタ変換装置の１バルブとそ
の制御系の構成を図５を用いて説明する。図５におい
て、点弧位相制御装置１より出力される位相制御信号ａ
によりゲ―トパルス発生器２からゲ―トパルスｂ―１〜
ｂ―Ｎがサイリスタ３―１〜３―Ｎに供給され、サイリ
スタバルブ６が点弧する。
の制御系の構成を図５を用いて説明する。図５におい
て、点弧位相制御装置１より出力される位相制御信号ａ
によりゲ―トパルス発生器２からゲ―トパルスｂ―１〜
ｂ―Ｎがサイリスタ３―１〜３―Ｎに供給され、サイリ
スタバルブ６が点弧する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
成の従来のサイリスタ変換装置では次のような問題点が
あった。即ち、サイリスタ変換装置が逆変換運転（以下
インバ―タ運転と称す）する場合、制御進み角（以下β
と称す）は、β＞ｕ＋γ0 （ただし、ｕは転流時の重な
り角，γ0 はサイリスタ素子が順方向の耐圧を取戻すの
に必要な最少逆電圧期間）を満す最小値で運転されてお
り、この時なんらかの原因で交流側の電圧波形に歪みが
生じると、γ0 より短い期間しか逆電圧が印加されない
場合が生じる。この時、再びサイリスタに順電圧が印加
されると、逆電圧不足により転流失敗を起すこととな
る。
成の従来のサイリスタ変換装置では次のような問題点が
あった。即ち、サイリスタ変換装置が逆変換運転（以下
インバ―タ運転と称す）する場合、制御進み角（以下β
と称す）は、β＞ｕ＋γ0 （ただし、ｕは転流時の重な
り角，γ0 はサイリスタ素子が順方向の耐圧を取戻すの
に必要な最少逆電圧期間）を満す最小値で運転されてお
り、この時なんらかの原因で交流側の電圧波形に歪みが
生じると、γ0 より短い期間しか逆電圧が印加されない
場合が生じる。この時、再びサイリスタに順電圧が印加
されると、逆電圧不足により転流失敗を起すこととな
る。
【０００５】こうした転流失敗を防止する為、波形歪み
が発生した場合や予め波形歪みが予想される調相用コン
デンサ投入時などの時、一時的にβを大きくする制御方
式をとり、これをβ進めと呼ぶ。
が発生した場合や予め波形歪みが予想される調相用コン
デンサ投入時などの時、一時的にβを大きくする制御方
式をとり、これをβ進めと呼ぶ。
【０００６】転流失敗防止の為にβ進め制御を行うと、
βの増加に伴ってγが大きくなり、（１）式よりスナバ
抵抗の損失も増加する。 ＲLOSS＝Ｋ・Ｃ・Ｅ2 ・ｆ・［ｓｉｎ2 γ＋ｓｉｎ2 （γ＋ｕ）］…（１） ただし、Ｋ：定数 Ｃ：スナバコンデンサ容量 Ｅ：交流線間電圧 ｆ：周波数 通常、スナバ抵抗は連続β進め運転時の損失に耐えられ
るだけの容量を持たない為に、スナバ抵抗が焼損する前
にβを小さくする必要がある。そこで従来のサイリスタ
変換装置では、スナバ抵抗の表面温度を直接測定する方
法が無いためにβ進め期間を時間（スナバ抵抗損失につ
いて通常考えられる最悪条件から、β進めを行った場合
に許容できる時間）にて管理していた。この為β進めを
行う前の運転条件によっては、所定期間β進めを行って
もスナバ抵抗の使用限界温度まで充分余裕が有るにも拘
らず波形歪みが治まる前にβを小さくする必要が有っ
た。
βの増加に伴ってγが大きくなり、（１）式よりスナバ
抵抗の損失も増加する。 ＲLOSS＝Ｋ・Ｃ・Ｅ2 ・ｆ・［ｓｉｎ2 γ＋ｓｉｎ2 （γ＋ｕ）］…（１） ただし、Ｋ：定数 Ｃ：スナバコンデンサ容量 Ｅ：交流線間電圧 ｆ：周波数 通常、スナバ抵抗は連続β進め運転時の損失に耐えられ
るだけの容量を持たない為に、スナバ抵抗が焼損する前
にβを小さくする必要がある。そこで従来のサイリスタ
変換装置では、スナバ抵抗の表面温度を直接測定する方
法が無いためにβ進め期間を時間（スナバ抵抗損失につ
いて通常考えられる最悪条件から、β進めを行った場合
に許容できる時間）にて管理していた。この為β進めを
行う前の運転条件によっては、所定期間β進めを行って
もスナバ抵抗の使用限界温度まで充分余裕が有るにも拘
らず波形歪みが治まる前にβを小さくする必要が有っ
た。
【０００７】又、従来のサイリスタ変換装置では、制御
系の異常等でαやβが通常運転許容値を大きく逸脱し、
スナバ抵抗の損失が急激に増加しても短時間に検出する
ことが出来ずに最悪の場合スナバ抵抗を焼損する可能性
があった。
系の異常等でαやβが通常運転許容値を大きく逸脱し、
スナバ抵抗の損失が急激に増加しても短時間に検出する
ことが出来ずに最悪の場合スナバ抵抗を焼損する可能性
があった。
【０００８】本発明の第１の目的は、スナバ抵抗の表面
温度を直接測定することにより、制御角異常時にサイリ
スタ変換装置を停止させることができるサイリスタ変換
装置の保護装置を提供することにある。
温度を直接測定することにより、制御角異常時にサイリ
スタ変換装置を停止させることができるサイリスタ変換
装置の保護装置を提供することにある。
【０００９】また、本発明の第２の目的は、スナバ抵抗
の表面温度を直接測定することにより、スナバ抵抗の定
格一杯のβ進め制御を行うことができるサイリスタ変換
装置の保護装置を提供することにある。
の表面温度を直接測定することにより、スナバ抵抗の定
格一杯のβ進め制御を行うことができるサイリスタ変換
装置の保護装置を提供することにある。
【００１０】更に、本発明の第３の目的は、スナバ抵抗
の表面温度を直接測定することにより、スナバ抵抗器の
表面温度が第１の所定値を超えた時、サイリスタ変換装
置が順変換運転の時は制御遅れ角αを小さくし、サイリ
スタ変換装置が逆変換運転の時は制御進み角βを小さく
し、スナバ抵抗器の表面温度が第２の所定値を超えた時
は直ちにサイリスタ変換装置を停止させることができる
サイリスタ変換装置の保護装置を提供することにある。
の表面温度を直接測定することにより、スナバ抵抗器の
表面温度が第１の所定値を超えた時、サイリスタ変換装
置が順変換運転の時は制御遅れ角αを小さくし、サイリ
スタ変換装置が逆変換運転の時は制御進み角βを小さく
し、スナバ抵抗器の表面温度が第２の所定値を超えた時
は直ちにサイリスタ変換装置を停止させることができる
サイリスタ変換装置の保護装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の目的は、
請求項１に記載のように、直列又は直並列接続される複
数のサイリスタにそれぞれスナバ抵抗器とスナバコンデ
ンサの直列回路から成るスナバ回路を並列に接続してな
るサイリスタバルブを所定のタイミングで発生する位相
制御信号により点弧制御するサイリスタ変換装置におい
て、前記スナバ抵抗器の表面温度を検出する手段と、該
検出手段で検出される前記スナバ抵抗器の表面温度が所
定値を超えた時、前記サイリスタ変換装置を停止させる
手段を具備することによって達成できる。
請求項１に記載のように、直列又は直並列接続される複
数のサイリスタにそれぞれスナバ抵抗器とスナバコンデ
ンサの直列回路から成るスナバ回路を並列に接続してな
るサイリスタバルブを所定のタイミングで発生する位相
制御信号により点弧制御するサイリスタ変換装置におい
て、前記スナバ抵抗器の表面温度を検出する手段と、該
検出手段で検出される前記スナバ抵抗器の表面温度が所
定値を超えた時、前記サイリスタ変換装置を停止させる
手段を具備することによって達成できる。
【００１２】本発明の第２の目的は、請求項２に記載の
ように、直列又は直並列接続される複数のサイリスタに
それぞれスナバ抵抗器とスナバコンデンサの直列回路か
ら成るスナバ回路を並列に接続してなるサイリスタバル
ブを所定のタイミングで発生する位相制御信号により点
弧制御するサイリスタ変換装置において、前記スナバ抵
抗器の表面温度を検出する手段と、該検出手段で検出さ
れる前記スナバ抵抗器の表面温度が第１の所定値を超え
た時、サイリスタ変換装置が順変換運転の時は制御遅れ
角αを小さくし、サイリスタ変換装置が逆変換運転の時
は制御進み角βを小さくする手段を具備することによっ
て達成される。
ように、直列又は直並列接続される複数のサイリスタに
それぞれスナバ抵抗器とスナバコンデンサの直列回路か
ら成るスナバ回路を並列に接続してなるサイリスタバル
ブを所定のタイミングで発生する位相制御信号により点
弧制御するサイリスタ変換装置において、前記スナバ抵
抗器の表面温度を検出する手段と、該検出手段で検出さ
れる前記スナバ抵抗器の表面温度が第１の所定値を超え
た時、サイリスタ変換装置が順変換運転の時は制御遅れ
角αを小さくし、サイリスタ変換装置が逆変換運転の時
は制御進み角βを小さくする手段を具備することによっ
て達成される。
【００１３】本発明の第３の目的は、請求項３に記載の
ように、直列又は直並列接続される複数のサイリスタに
それぞれスナバ抵抗器とスナバコンデンサの直列回路か
ら成るスナバ回路を並列に接続してなるサイリスタバル
ブを所定のタイミングで発生する位相制御信号により点
弧制御するサイリスタ変換装置において、前記スナバ抵
抗器の表面温度を検出する手段と、該検出手段で検出さ
れる前記スナバ抵抗器の表面温度が第１の所定値を超え
た時、サイリスタ変換装置が順変換運転の時は制御遅れ
角αを小さくし、サイリスタ変換装置が逆変換運転の時
は制御進み角βを小さくする手段と、前記スナバ抵抗器
の表面温度が第２の所定値を超えた時は直ちにサイリス
タ変換装置を停止させる手段を具備することによって達
成できる。
ように、直列又は直並列接続される複数のサイリスタに
それぞれスナバ抵抗器とスナバコンデンサの直列回路か
ら成るスナバ回路を並列に接続してなるサイリスタバル
ブを所定のタイミングで発生する位相制御信号により点
弧制御するサイリスタ変換装置において、前記スナバ抵
抗器の表面温度を検出する手段と、該検出手段で検出さ
れる前記スナバ抵抗器の表面温度が第１の所定値を超え
た時、サイリスタ変換装置が順変換運転の時は制御遅れ
角αを小さくし、サイリスタ変換装置が逆変換運転の時
は制御進み角βを小さくする手段と、前記スナバ抵抗器
の表面温度が第２の所定値を超えた時は直ちにサイリス
タ変換装置を停止させる手段を具備することによって達
成できる。
【００１４】
【作用】請求項１のサイリスタ変換装置の保護装置によ
れば、スナバ抵抗器の表面温度を常時監視し、スナバ抵
抗器の表面温度が所定値を超えたら、制御角異常と判定
し、サイリスタ変換装置を停止させることによってスナ
バ抵抗器の焼損を防止できる。
れば、スナバ抵抗器の表面温度を常時監視し、スナバ抵
抗器の表面温度が所定値を超えたら、制御角異常と判定
し、サイリスタ変換装置を停止させることによってスナ
バ抵抗器の焼損を防止できる。
【００１５】又、請求項２のサイリスタ変換装置の保護
装置によれば、スナバ抵抗器の表面温度を常時監視し、
スナバ抵抗器の表面温度が第１の所定値を超えたら、直
ちに制御角を変化させることにより、スナバ抵抗の定格
一杯の期間、β進め制御を行うことができる。
装置によれば、スナバ抵抗器の表面温度を常時監視し、
スナバ抵抗器の表面温度が第１の所定値を超えたら、直
ちに制御角を変化させることにより、スナバ抵抗の定格
一杯の期間、β進め制御を行うことができる。
【００１６】更に、請求項３のサイリスタ変換装置の保
護装置によれば、スナバ抵抗器の表面温度を常時監視
し、スナバ抵抗器の表面温度が第１の所定値を超えた
ら、直ちに制御角を変化させることにより、スナバ抵抗
の定格一杯の期間、β進め制御を行うことができ、又、
スナバ抵抗器の表面温度が第２の所定値を超えたらサイ
リスタ変換装置を停止させることによってスナバ抵抗器
の焼損を防止することができる。
護装置によれば、スナバ抵抗器の表面温度を常時監視
し、スナバ抵抗器の表面温度が第１の所定値を超えた
ら、直ちに制御角を変化させることにより、スナバ抵抗
の定格一杯の期間、β進め制御を行うことができ、又、
スナバ抵抗器の表面温度が第２の所定値を超えたらサイ
リスタ変換装置を停止させることによってスナバ抵抗器
の焼損を防止することができる。
【００１７】
【実施例】本発明の一実施例を図１を用いて説明する。
図１は本発明によるサイリスタ変換装置の構成例を示す
もので、図５と同一部分には同一符号を付して、その説
明を省略し、ここでは異る点についてのみ述べる。
図１は本発明によるサイリスタ変換装置の構成例を示す
もので、図５と同一部分には同一符号を付して、その説
明を省略し、ここでは異る点についてのみ述べる。
【００１８】図１において、スナバ抵抗器４―１にライ
トガイド８が接続され、その片端は赤外線温度計９に接
続される。赤外線温度計９の出力は、レベルデテイクタ
１１に入力され、出力は点弧位相制御装置１に入力され
る。
トガイド８が接続され、その片端は赤外線温度計９に接
続される。赤外線温度計９の出力は、レベルデテイクタ
１１に入力され、出力は点弧位相制御装置１に入力され
る。
【００１９】前述のように構成することにより、スナバ
抵抗器４―１より発せられる赤外線はライトガイド８に
導かれて赤外線温度計９に入力される。赤外線温度計か
らはスナバ抵抗器４―１の表面温度測定結果が信号Ｃと
してレベルデテクタ１１に出力される。信号Ｃが所定値
を超えるとレベルデテクタ１１が動作し、信号ｅが点弧
位相制御装置１に出力される。点弧位相制御装置１では
信号ｅを受け取ると直ちにサイリスタ変換装置を停止さ
せる。
抵抗器４―１より発せられる赤外線はライトガイド８に
導かれて赤外線温度計９に入力される。赤外線温度計か
らはスナバ抵抗器４―１の表面温度測定結果が信号Ｃと
してレベルデテクタ１１に出力される。信号Ｃが所定値
を超えるとレベルデテクタ１１が動作し、信号ｅが点弧
位相制御装置１に出力される。点弧位相制御装置１では
信号ｅを受け取ると直ちにサイリスタ変換装置を停止さ
せる。
【００２０】以上のことから制御系の異常で制御角が通
常運転許容値を大きく逸脱してもスナバ抵抗が焼損する
前にサイリスタ変換装置を停止することができる。前述
の実施例において、信号Ｃが所定値を超えた場合は、点
弧位相制御装置１で信号ｅを受け取ると直ちにサイリス
タ変換装置を停止させているが、サイリスタ変換装置が
順変換運転の時は制御遅れ角αを小さくし、サイリスタ
変換装置が逆変換運転の時は制御進み角βを小さくする
手段を設ければ、スナバ抵抗器４―１の定格容量の限界
までβ進め制御を行うことができる。
常運転許容値を大きく逸脱してもスナバ抵抗が焼損する
前にサイリスタ変換装置を停止することができる。前述
の実施例において、信号Ｃが所定値を超えた場合は、点
弧位相制御装置１で信号ｅを受け取ると直ちにサイリス
タ変換装置を停止させているが、サイリスタ変換装置が
順変換運転の時は制御遅れ角αを小さくし、サイリスタ
変換装置が逆変換運転の時は制御進み角βを小さくする
手段を設ければ、スナバ抵抗器４―１の定格容量の限界
までβ進め制御を行うことができる。
【００２１】図１と、同一部に同一符号を付して示す図
２は本発明の他の実施例の構成図である。図２の実施例
は、スナバ抵抗器４―１にライトガイド８を接続し、そ
の片端を赤外線温度計９に接続し、更に、外線温度計９
の出力をレベルデテクタ１０とレベルデテクタ１１に入
力して、それぞれの出力を点弧位相制御装置１に入力し
たものである。
２は本発明の他の実施例の構成図である。図２の実施例
は、スナバ抵抗器４―１にライトガイド８を接続し、そ
の片端を赤外線温度計９に接続し、更に、外線温度計９
の出力をレベルデテクタ１０とレベルデテクタ１１に入
力して、それぞれの出力を点弧位相制御装置１に入力し
たものである。
【００２２】前述のように構成することにより、スナバ
抵抗器４―１より発せられた赤外線はライトガイド８に
導かれて赤外線温度計９に入力される。赤外線温度計９
からはスナバ抵抗器４―１の表面温度測定結果が信号Ｃ
としてレベルデテクタ１０と１１に出力される。信号Ｃ
が第１の所定値を超えるとまずレベルデテクタ１０が動
作し、信号ｄが点弧位相制御装置１に出力される。点弧
位相制御装置１では、信号ｄを受け取ると、制御角α又
はβを小さくする。次に前記制御角α又はβを減少させ
る操作を行っても、スナバ抵抗器４―１の表面温度が上
昇する場合、信号Ｃが第２の所定値を超えると、レベル
デテクタ１１が動作し、信号ｅが点弧位相制御装置１に
出力される。点弧位相制御装置１では、信号ｅを受け取
ると直にサイリスタ変換装置を停止させる。
抵抗器４―１より発せられた赤外線はライトガイド８に
導かれて赤外線温度計９に入力される。赤外線温度計９
からはスナバ抵抗器４―１の表面温度測定結果が信号Ｃ
としてレベルデテクタ１０と１１に出力される。信号Ｃ
が第１の所定値を超えるとまずレベルデテクタ１０が動
作し、信号ｄが点弧位相制御装置１に出力される。点弧
位相制御装置１では、信号ｄを受け取ると、制御角α又
はβを小さくする。次に前記制御角α又はβを減少させ
る操作を行っても、スナバ抵抗器４―１の表面温度が上
昇する場合、信号Ｃが第２の所定値を超えると、レベル
デテクタ１１が動作し、信号ｅが点弧位相制御装置１に
出力される。点弧位相制御装置１では、信号ｅを受け取
ると直にサイリスタ変換装置を停止させる。
【００２３】これによって、スナバ抵抗器４―１の定格
容量の限界までβ進め制御を行うことができる。又、制
御系の異常で制御角が通常運転許容値を大きく逸脱して
もスナバ抵抗器４―１が焼損する前にサイリスタ変換装
置を停止することができる。
容量の限界までβ進め制御を行うことができる。又、制
御系の異常で制御角が通常運転許容値を大きく逸脱して
もスナバ抵抗器４―１が焼損する前にサイリスタ変換装
置を停止することができる。
【００２４】前述の説明においては、スナバ抵抗器４―
１の表面温度を直接検出する手段として、図１及び図２
に示すように、スナバ抵抗器４―１から放射される赤外
線をライトガイド８を介して赤外線温度計９に導入して
いるが、図３のようにしても良い。
１の表面温度を直接検出する手段として、図１及び図２
に示すように、スナバ抵抗器４―１から放射される赤外
線をライトガイド８を介して赤外線温度計９に導入して
いるが、図３のようにしても良い。
【００２５】図３において、スナバ抵抗器４―１の表面
がサイリスタバルブ外部より見える位置に配置し、サイ
リスタバルブの周囲がシ―ルドカバ―等で覆われている
場合は外部よりスナバ抵抗器４―１が見えるように窓を
開ける。このスナバ抵抗器４―１に対向して赤外線温度
計９を配置し、その出力をレベルデテクタ１１に出力す
る。
がサイリスタバルブ外部より見える位置に配置し、サイ
リスタバルブの周囲がシ―ルドカバ―等で覆われている
場合は外部よりスナバ抵抗器４―１が見えるように窓を
開ける。このスナバ抵抗器４―１に対向して赤外線温度
計９を配置し、その出力をレベルデテクタ１１に出力す
る。
【００２６】赤外線温度計９からはスナバ抵抗器４―１
の表面温度測定結果が信号Ｃとしてレベルデテクタ１１
に出力される。信号Ｃが所定値を超えるとレベルデテク
タ１１が動作し、信号ｅが点弧位相制御装置１に出力さ
れる。点弧位相制御装置１では信号ｅを受け取ると直ち
にサイリスタ変換装置を停止させるか、又、前述のよう
に、サイリスタ変換装置が順変換運転の時は制御遅れ角
αを小さくし、サイリスタ変換装置が逆変換運転の時は
制御進み角βを小さくすることもできる。
の表面温度測定結果が信号Ｃとしてレベルデテクタ１１
に出力される。信号Ｃが所定値を超えるとレベルデテク
タ１１が動作し、信号ｅが点弧位相制御装置１に出力さ
れる。点弧位相制御装置１では信号ｅを受け取ると直ち
にサイリスタ変換装置を停止させるか、又、前述のよう
に、サイリスタ変換装置が順変換運転の時は制御遅れ角
αを小さくし、サイリスタ変換装置が逆変換運転の時は
制御進み角βを小さくすることもできる。
【００２７】更に、図２の実施例のように、レベルデテ
クタを１０と１１の２組設け、信号Ｃが第１の所定値を
超えた場合は、制御角α又はβを小さくし、記制御角α
又はβを減少させる操作を行っても、スナバ抵抗器４―
１の表面温度が上昇し、信号Ｃが第２の所定値を超えた
時は、直にサイリスタ変換装置を停止させるようにして
も良い。
クタを１０と１１の２組設け、信号Ｃが第１の所定値を
超えた場合は、制御角α又はβを小さくし、記制御角α
又はβを減少させる操作を行っても、スナバ抵抗器４―
１の表面温度が上昇し、信号Ｃが第２の所定値を超えた
時は、直にサイリスタ変換装置を停止させるようにして
も良い。
【００２８】
【発明の効果】以上説明のように請求項１の発明によれ
ば、制御系の異常等で制御角が通常運転許容値を大きく
逸脱しスナバ抵抗器の表面温度が所定値を超えたとき、
サイリスタ変換装置を停止させることによってスナバ抵
抗器が焼損することを防止できる。
ば、制御系の異常等で制御角が通常運転許容値を大きく
逸脱しスナバ抵抗器の表面温度が所定値を超えたとき、
サイリスタ変換装置を停止させることによってスナバ抵
抗器が焼損することを防止できる。
【００２９】又、請求項２の発明によれば、スナバ抵抗
器の表面温度が第１の所定値を超えた時、サイリスタ変
換装置が順変換運転の時は制御遅れ角αを小さくし、サ
イリスタ変換装置が逆変換運転の時は制御進み角βを小
さくすることによって、スナバ抵抗器の定格容量の限界
までβ進め制御を行うことができる。
器の表面温度が第１の所定値を超えた時、サイリスタ変
換装置が順変換運転の時は制御遅れ角αを小さくし、サ
イリスタ変換装置が逆変換運転の時は制御進み角βを小
さくすることによって、スナバ抵抗器の定格容量の限界
までβ進め制御を行うことができる。
【００３０】更に、請求項３の発明によれば、スナバ抵
抗器の表面温度が第１の所定値を超えた時、サイリスタ
変換装置が順変換運転の時は制御遅れ角αを小さくし、
サイリスタ変換装置が逆変換運転の時は制御進み角βを
小さくすることによって、スナバ抵抗器の定格容量の限
界までβ進め制御を行うことができると共に、スナバ抵
抗器の表面温度が第２の所定値を超えた時は直ちにサイ
リスタ変換装置を停止させることによってスナバ抵抗器
が焼損することを防止できる。
抗器の表面温度が第１の所定値を超えた時、サイリスタ
変換装置が順変換運転の時は制御遅れ角αを小さくし、
サイリスタ変換装置が逆変換運転の時は制御進み角βを
小さくすることによって、スナバ抵抗器の定格容量の限
界までβ進め制御を行うことができると共に、スナバ抵
抗器の表面温度が第２の所定値を超えた時は直ちにサイ
リスタ変換装置を停止させることによってスナバ抵抗器
が焼損することを防止できる。
【図１】本発明の一実施例を示す構成図。
【図２】本発明の他の実施例を示す構成図。
【図３】本発明の更に別の実施例を示す構成図。
【図４】従来のサイリスタ変換装置の全体構成図。
【図５】従来のサイリスタ変換装置の１バルブとその制
御系の構成図。
御系の構成図。
１ …点弧位相制御装置 ２ …
ゲ―トパルス発生器 ３―１〜３―Ｎ…サイリスタ素子 ４―１〜４―Ｎ…
スナバ抵抗器 ５―１〜５―Ｎ…スナバコンデンサ ６ …
サイリスタバルブ ７ …制御装置 ８ …
ライトガイド ９ …赤外線温度計 １０，１１ …
レベルデテクタ １２ …直流リアクトル １３ …
変換器用トランス
ゲ―トパルス発生器 ３―１〜３―Ｎ…サイリスタ素子 ４―１〜４―Ｎ…
スナバ抵抗器 ５―１〜５―Ｎ…スナバコンデンサ ６ …
サイリスタバルブ ７ …制御装置 ８ …
ライトガイド ９ …赤外線温度計 １０，１１ …
レベルデテクタ １２ …直流リアクトル １３ …
変換器用トランス
Claims (5)
- 【請求項１】 直列又は直並列接続される複数のサ
イリスタにそれぞれスナバ抵抗器とスナバコンデンサの
直列回路から成るスナバ回路を並列に接続してなるサイ
リスタバルブを所定のタイミングで発生する位相制御信
号により点弧制御するサイリスタ変換装置において、前
記スナバ抵抗器の表面温度を検出する手段と、該検出手
段で検出される前記スナバ抵抗器の表面温度が所定値を
超えた時、前記サイリスタ変換装置を停止させる手段を
具備したサイリスタ変換装置の保護装置。 - 【請求項２】 直列又は直並列接続される複数のサ
イリスタにそれぞれスナバ抵抗器とスナバコンデンサの
直列回路から成るスナバ回路を並列に接続してなるサイ
リスタバルブを所定のタイミングで発生する位相制御信
号により点弧制御するサイリスタ変換装置において、前
記スナバ抵抗器の表面温度を検出する手段と、該検出手
段で検出される前記スナバ抵抗器の表面温度が第１の所
定値を超えた時、サイリスタ変換装置が順変換運転の時
は制御遅れ角αを小さくし、サイリスタ変換装置が逆変
換運転の時は制御進み角βを小さくする手段を具備した
サイリスタ変換装置の保護装置。 - 【請求項３】 直列又は直並列接続される複数のサ
イリスタにそれぞれスナバ抵抗器とスナバコンデンサの
直列回路から成るスナバ回路を並列に接続してなるサイ
リスタバルブを所定のタイミングで発生する位相制御信
号により点弧制御するサイリスタ変換装置において、前
記スナバ抵抗器の表面温度を検出する手段と、該検出手
段で検出される前記スナバ抵抗器の表面温度が第１の所
定値を超えた時、サイリスタ変換装置が順変換運転の時
は制御遅れ角αを小さくし、サイリスタ変換装置が逆変
換運転の時は制御進み角βを小さくする手段と、前記ス
ナバ抵抗器の表面温度が第２の所定値を超えた時は直ち
にサイリスタ変換装置を停止させる手段を具備したサイ
リスタ変換装置の保護装置。 - 【請求項４】 前記スナバ抵抗器の表面温度を検出
する手段は、前記スナバ抵抗器から放射される赤外線を
ライトガイドを介して赤外線温度計に導入するようにし
たことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに
記載のサイリスタ変換装置の保護装置。 - 【請求項５】 前記スナバ抵抗器の表面温度を検出
する手段は、前記スナバ抵抗器と対向して赤外線温度計
を配置したことを特徴とする請求項１乃至請求項３のい
ずれかに記載のサイリスタ変換装置の保護装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8768593A JPH06303762A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | サイリスタ変換装置の保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8768593A JPH06303762A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | サイリスタ変換装置の保護装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06303762A true JPH06303762A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=13921791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8768593A Pending JPH06303762A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | サイリスタ変換装置の保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06303762A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998043301A1 (en) * | 1997-03-26 | 1998-10-01 | Hitachi, Ltd. | Flat semiconductor device and power converter employing the same |
| KR20030019770A (ko) * | 2001-08-31 | 2003-03-07 | 태광실업 주식회사 | 신발제조라인의 온도 제어 시스템 |
| WO2019163205A1 (ja) * | 2018-02-20 | 2019-08-29 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置 |
-
1993
- 1993-04-15 JP JP8768593A patent/JPH06303762A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998043301A1 (en) * | 1997-03-26 | 1998-10-01 | Hitachi, Ltd. | Flat semiconductor device and power converter employing the same |
| KR20030019770A (ko) * | 2001-08-31 | 2003-03-07 | 태광실업 주식회사 | 신발제조라인의 온도 제어 시스템 |
| WO2019163205A1 (ja) * | 2018-02-20 | 2019-08-29 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置 |
| US11711025B2 (en) | 2018-02-20 | 2023-07-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor module and power conversion apparatus including the same |
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