JPH06296059A - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子の製造方法Info
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- JPH06296059A JPH06296059A JP8094093A JP8094093A JPH06296059A JP H06296059 A JPH06296059 A JP H06296059A JP 8094093 A JP8094093 A JP 8094093A JP 8094093 A JP8094093 A JP 8094093A JP H06296059 A JPH06296059 A JP H06296059A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 信頼性が高い高出力半導体レーザ素子を歩留
まり良く得る。 【構成】 基板１１上に発光用積層体を形成し、発光用
積層体が形成された基板を劈開してバー状にする。そし
て、複数のバー状基板を劈開面のみが露出するように積
み重ねて治具に固定し、半導体レーザ素子の端面となる
劈開面に活性層１４よりも禁制帯幅の大きい半導体層５
３を形成する。劈開面のみが露出するようにして成長を
行っているので、劈開面以外の余分な部分に上記半導体
層が形成されることがなく、エッチング工程などの余分
な工程を必要としない。また、レーザバーを積み重ねて
成長を行っているので、１度に多数のレーザバーの劈開
面に半導体層を成長させることができ、大面積の治具を
必要としない。
まり良く得る。 【構成】 基板１１上に発光用積層体を形成し、発光用
積層体が形成された基板を劈開してバー状にする。そし
て、複数のバー状基板を劈開面のみが露出するように積
み重ねて治具に固定し、半導体レーザ素子の端面となる
劈開面に活性層１４よりも禁制帯幅の大きい半導体層５
３を形成する。劈開面のみが露出するようにして成長を
行っているので、劈開面以外の余分な部分に上記半導体
層が形成されることがなく、エッチング工程などの余分
な工程を必要としない。また、レーザバーを積み重ねて
成長を行っているので、１度に多数のレーザバーの劈開
面に半導体層を成長させることができ、大面積の治具を
必要としない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク、固体
レーザ励起光源、高速レーザビームプリンタ等に用いら
れる高出力半導体レーザ素子の製造方法に関する。
レーザ励起光源、高速レーザビームプリンタ等に用いら
れる高出力半導体レーザ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、消去および書き込みが可能な光磁
気ディスク用の光源として、高出力半導体レーザ素子が
使用されている。この用途の半導体レーザ素子は、４０
〜５０ｍＷ程度の高出力状態においても高い信頼性を有
していることが要求され、光磁気ディスク装置を含むシ
ステム全体の動作速度を速めるために、さらに、高出力
であることが要望されている。また、高精細のレーザビ
ームプリンター装置の光源やＹＡＧレーザ等の固体レー
ザ装置の励起光源としては、光出力が１００ｍＷの高出
力半導体レーザ素子が必要とされる。
気ディスク用の光源として、高出力半導体レーザ素子が
使用されている。この用途の半導体レーザ素子は、４０
〜５０ｍＷ程度の高出力状態においても高い信頼性を有
していることが要求され、光磁気ディスク装置を含むシ
ステム全体の動作速度を速めるために、さらに、高出力
であることが要望されている。また、高精細のレーザビ
ームプリンター装置の光源やＹＡＧレーザ等の固体レー
ザ装置の励起光源としては、光出力が１００ｍＷの高出
力半導体レーザ素子が必要とされる。
【０００３】しかし、上記のような半導体レーザ素子を
高出力で駆動させた場合には、その端面が強い光密度の
ために劣化して、ついには破壊されてしまうという問題
点を有しており、高出力状態で高い信頼性を得るための
阻害要因となっている。
高出力で駆動させた場合には、その端面が強い光密度の
ために劣化して、ついには破壊されてしまうという問題
点を有しており、高出力状態で高い信頼性を得るための
阻害要因となっている。
【０００４】この端面劣化を抑制するための手段とし
て、端面に活性層よりも禁制帯幅の広い半導体層を設け
て、端面での光吸収を抑制することが考えられる。
て、端面に活性層よりも禁制帯幅の広い半導体層を設け
て、端面での光吸収を抑制することが考えられる。
【０００５】上記半導体層の形成は、例えば、端面をウ
ェハの劈開あるいはエッチングによって形成し、その端
面上に上記半導体層を気相成長することにより行われ
る。上記半導体層の材料としては、ＧａＡｌＡｓ系半導
体レーザ素子の場合には、ＧａＡｌＡｓ活性層よりもＡ
ｌ混晶比の大きな半導体層とすることができる。
ェハの劈開あるいはエッチングによって形成し、その端
面上に上記半導体層を気相成長することにより行われ
る。上記半導体層の材料としては、ＧａＡｌＡｓ系半導
体レーザ素子の場合には、ＧａＡｌＡｓ活性層よりもＡ
ｌ混晶比の大きな半導体層とすることができる。
【０００６】図４および図５に、従来の半導体レーザ素
子の製造方法を示す。これは、光磁気ディスク用レーザ
として代表的な構造であるＶＳＩＳ（V-channel substr
ateinner stripe）レーザに適用した例である。
子の製造方法を示す。これは、光磁気ディスク用レーザ
として代表的な構造であるＶＳＩＳ（V-channel substr
ateinner stripe）レーザに適用した例である。
【０００７】まず、ｐ−ＧａＡｓ基板１１上に、ＬＰＥ
法（Liquid Phase Epitaxy 液相成長法）によりｎ型Ｇ
ａＡｓ層１２を１μｍ程度積層し、基板１１に至るまで
フォトリソグラフィーとエッチングとによりＶ溝を形成
する。次に、２回目の液相成長工程により厚み０．２μ
ｍ（Ｖ溝以外の部分）のｐ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａｓクラ
ッド層１３、厚み０．０６μｍのｐ−Ｇａ0.86Ａｌ0.14
Ａｓ活性層１４、厚み１μｍのｎ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａ
ｓクラッド層１５および厚み１μｍのｎ−ＧａＡｓキャ
ップ層１６を順次積層する。以上により、図４（ａ）に
示すようなＶＳＩＳ構造を備えたウェハが形成される。
法（Liquid Phase Epitaxy 液相成長法）によりｎ型Ｇ
ａＡｓ層１２を１μｍ程度積層し、基板１１に至るまで
フォトリソグラフィーとエッチングとによりＶ溝を形成
する。次に、２回目の液相成長工程により厚み０．２μ
ｍ（Ｖ溝以外の部分）のｐ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａｓクラ
ッド層１３、厚み０．０６μｍのｐ−Ｇａ0.86Ａｌ0.14
Ａｓ活性層１４、厚み１μｍのｎ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａ
ｓクラッド層１５および厚み１μｍのｎ−ＧａＡｓキャ
ップ層１６を順次積層する。以上により、図４（ａ）に
示すようなＶＳＩＳ構造を備えたウェハが形成される。
【０００８】次に、基板１１側をラッピングして、ウェ
ハ全体の厚みを１００μｍ程度にする。その後、図４
（ｂ）に示すように、劈開により端面５２を露出させ
て、共振器長４００μｍ程度のバー状ウェハ５１（以下
レーザバーと称する）に分割し、図４（ｃ）に示すカー
ボン製治具１１１に挿入して固定する。この治具１１１
は、レーザバー５１の端部３１をはめ込むくぼみ１１２
が多数設けられており、各レーザバー５１は、活性層１
４を含む積層構造成長面を上にし、適当な間隔を開けて
並べられる。
ハ全体の厚みを１００μｍ程度にする。その後、図４
（ｂ）に示すように、劈開により端面５２を露出させ
て、共振器長４００μｍ程度のバー状ウェハ５１（以下
レーザバーと称する）に分割し、図４（ｃ）に示すカー
ボン製治具１１１に挿入して固定する。この治具１１１
は、レーザバー５１の端部３１をはめ込むくぼみ１１２
が多数設けられており、各レーザバー５１は、活性層１
４を含む積層構造成長面を上にし、適当な間隔を開けて
並べられる。
【０００９】その後、図５（ａ）に示すように、このよ
うなレーザバー５１が多数固定された治具１１１を、Ｍ
ＯＣＶＤ（Metal organic Chemical Vapour Deposition
有機金属気層成長）装置内に置く。この状態で、図５
（ｂ）に示すように、バーの劈開面に、それぞれ活性層
よりも禁制帯幅の大きな半導体層（ＧａＡｌＡｓ層）５
３を形成する。この際、キャップ層１６の上にも半導体
層５３が同様に形成されるが、基板１１側は治具１１１
に接しているので、半導体層５３が形成されない。
うなレーザバー５１が多数固定された治具１１１を、Ｍ
ＯＣＶＤ（Metal organic Chemical Vapour Deposition
有機金属気層成長）装置内に置く。この状態で、図５
（ｂ）に示すように、バーの劈開面に、それぞれ活性層
よりも禁制帯幅の大きな半導体層（ＧａＡｌＡｓ層）５
３を形成する。この際、キャップ層１６の上にも半導体
層５３が同様に形成されるが、基板１１側は治具１１１
に接しているので、半導体層５３が形成されない。
【００１０】その後、キャップ層１６の上に形成された
半導体層５３を、エッチングにより除去し、図５（ｃ）
に示すように、基板１１側およびキャップ層１６の上
に、電極５４、５５をそれぞれ蒸着する。また、劈開面
５２上に形成された半導体層５３上には、端面保護膜５
７を形成する。以上により、図５（ｄ）に示すようなレ
ーザバーが得られる。このレーザバーを各チップに分割
し、パッケージングすることによりＶＳＩＳ構造の半導
体レーザ素子が得られる。
半導体層５３を、エッチングにより除去し、図５（ｃ）
に示すように、基板１１側およびキャップ層１６の上
に、電極５４、５５をそれぞれ蒸着する。また、劈開面
５２上に形成された半導体層５３上には、端面保護膜５
７を形成する。以上により、図５（ｄ）に示すようなレ
ーザバーが得られる。このレーザバーを各チップに分割
し、パッケージングすることによりＶＳＩＳ構造の半導
体レーザ素子が得られる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の製造方法で
は、レーザバー５１の劈開面上に活性層より禁制帯幅の
広い半導体層５３を形成する際に、キャップ層１６の上
にも上記半導体層５３が形成される。このキャップ層１
６の上には、レーザチップに通電するための電極５５が
設けられるが、キャップ層１６の上に絶縁性が高い上記
半導体層５３が形成されているので、半導体レーザ素子
の素子抵抗が増大されてしまう。特に、高出力動作時に
は、この素子抵抗増大のため、効率劣化、短寿命化など
の問題が生じる。尚、バー５１を治具１１１に固定する
際に、基板の積層構造成長面が下になるように設置した
場合には、上記半導体層５３は基板側に形成され、やは
り、半導体レーザ素子の素子抵抗を増大させる。
は、レーザバー５１の劈開面上に活性層より禁制帯幅の
広い半導体層５３を形成する際に、キャップ層１６の上
にも上記半導体層５３が形成される。このキャップ層１
６の上には、レーザチップに通電するための電極５５が
設けられるが、キャップ層１６の上に絶縁性が高い上記
半導体層５３が形成されているので、半導体レーザ素子
の素子抵抗が増大されてしまう。特に、高出力動作時に
は、この素子抵抗増大のため、効率劣化、短寿命化など
の問題が生じる。尚、バー５１を治具１１１に固定する
際に、基板の積層構造成長面が下になるように設置した
場合には、上記半導体層５３は基板側に形成され、やは
り、半導体レーザ素子の素子抵抗を増大させる。
【００１２】これを防ぐためには、電極５４、５５の形
成前にキャップ層１６上の半導体層５３を完全に除去す
る必要がある。
成前にキャップ層１６上の半導体層５３を完全に除去す
る必要がある。
【００１３】この半導体層５３を除去するためには、 （１）劈開面上の半導体層５３上がエッチングにより除
去されないように、保護膜を設ける工程： （２）キャップ層１６上の半導体層５３をエッチングに
より除去する工程：の２工程を必要とするので、製造工
程が増大して歩留り低下の原因となっている。また、上
記保護膜を除去する工程を必要とすることもある。
去されないように、保護膜を設ける工程： （２）キャップ層１６上の半導体層５３をエッチングに
より除去する工程：の２工程を必要とするので、製造工
程が増大して歩留り低下の原因となっている。また、上
記保護膜を除去する工程を必要とすることもある。
【００１４】さらに、図５（ａ）に示したような治具１
１１にレーザバー５１を平面的に並べる方法では、多数
のレーザバー５１に半導体層５３を形成するために大面
積の治具１１１が必要となる。しかし、気相成長装置の
大きさが決まっているので、治具を大面積にすることに
は限界があり、半導体レーザ素子の量産性を向上させる
上で問題となっている。
１１にレーザバー５１を平面的に並べる方法では、多数
のレーザバー５１に半導体層５３を形成するために大面
積の治具１１１が必要となる。しかし、気相成長装置の
大きさが決まっているので、治具を大面積にすることに
は限界があり、半導体レーザ素子の量産性を向上させる
上で問題となっている。
【００１５】本発明は上記問題点を解決しようとするも
のであり、信頼性が高い高出力半導体レーザ素子を、歩
留まり良く製造することのできる半導体レーザ素子の製
造方法を提供することを目的とする。
のであり、信頼性が高い高出力半導体レーザ素子を、歩
留まり良く製造することのできる半導体レーザ素子の製
造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ素
子の製造方法は、活性層を含む発光用積層体が形成され
た基板の端面に、該活性層よりも禁制帯幅の大きい半導
体層が形成された半導体レーザ素子の製造方法におい
て、該基板よりも大きい基板の上に発光用積層体が形成
されてなるウェハを劈開して共振器長幅の複数のバー状
ウェハを形成する工程と、該バー状ウェハの劈開面以外
の面を覆った状態でバー状ウェハを積み重ねるための治
具を用い、該治具に複数のバー状ウェハをその厚み方向
に揃えて積み重ねて固定する工程と、治具に固定され、
治具から露出しているバー状ウェハの劈開面に該半導体
層を形成する工程と、該半導体層が形成された各バー状
ウェハをチップに分割する工程とを含み、そのことによ
り上記目的が達成される。
子の製造方法は、活性層を含む発光用積層体が形成され
た基板の端面に、該活性層よりも禁制帯幅の大きい半導
体層が形成された半導体レーザ素子の製造方法におい
て、該基板よりも大きい基板の上に発光用積層体が形成
されてなるウェハを劈開して共振器長幅の複数のバー状
ウェハを形成する工程と、該バー状ウェハの劈開面以外
の面を覆った状態でバー状ウェハを積み重ねるための治
具を用い、該治具に複数のバー状ウェハをその厚み方向
に揃えて積み重ねて固定する工程と、治具に固定され、
治具から露出しているバー状ウェハの劈開面に該半導体
層を形成する工程と、該半導体層が形成された各バー状
ウェハをチップに分割する工程とを含み、そのことによ
り上記目的が達成される。
【００１７】
【作用】本発明においては、半導体レーザ素子の端面と
なるレーザバーの劈開面に活性層よりも禁制帯幅の大き
い半導体層を形成する際に、レーザバーの劈開面以外の
面を覆った状態で、複数のレーザバーを厚み方向に揃え
て積み重ねて治具に固定している。
なるレーザバーの劈開面に活性層よりも禁制帯幅の大き
い半導体層を形成する際に、レーザバーの劈開面以外の
面を覆った状態で、複数のレーザバーを厚み方向に揃え
て積み重ねて治具に固定している。
【００１８】このようにして半導体層の成長を行うと、
劈開面のみが露出しているので、劈開面以外の余分な部
分に上記半導体層が形成されることがない。また、レー
ザバーを積み重ねて成長を行っているので、１度に多数
のレーザバーの劈開面に半導体層を成長させることがで
きる。
劈開面のみが露出しているので、劈開面以外の余分な部
分に上記半導体層が形成されることがない。また、レー
ザバーを積み重ねて成長を行っているので、１度に多数
のレーザバーの劈開面に半導体層を成長させることがで
きる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。
説明する。
【００２０】図１に、本発明により得られる半導体レー
ザ素子の斜視図を示す。この半導体レーザ素子はＶＳＩ
Ｓ（V-channel substrate inner stripe）構造の半導体
レーザ素子であり、ｐ−ＧａＡｓ基板１１上に形成され
たｎ−ＧａＡｓ層１２に基板１１まで達するＶ溝が形成
され、その上にｐ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａｓクラッド層１
３、ｐ−Ｇａ0.86Ａｌ0.14Ａｓ活性層１４、ｎ−Ｇａ
0.55Ａｌ0.45Ａｓクラッド層１５が形成され、その上に
ｎ−ＧａＡｓキャップ層１６が形成されている。光出射
端面には、活性層１４よりも禁制帯幅の大きいＧａ0.5
Ａｌ0.5Ａｓ半導体層５３が形成されている。半導体層
５３のレーザ光照射側表面には低反射率の端面保護膜５
７が形成され、他方の表面には高反射率の端面保護膜５
７が形成されている。また、基板１１側およびキャップ
層１６側の広面上には、電極５４、５５が形成されてい
る。
ザ素子の斜視図を示す。この半導体レーザ素子はＶＳＩ
Ｓ（V-channel substrate inner stripe）構造の半導体
レーザ素子であり、ｐ−ＧａＡｓ基板１１上に形成され
たｎ−ＧａＡｓ層１２に基板１１まで達するＶ溝が形成
され、その上にｐ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａｓクラッド層１
３、ｐ−Ｇａ0.86Ａｌ0.14Ａｓ活性層１４、ｎ−Ｇａ
0.55Ａｌ0.45Ａｓクラッド層１５が形成され、その上に
ｎ−ＧａＡｓキャップ層１６が形成されている。光出射
端面には、活性層１４よりも禁制帯幅の大きいＧａ0.5
Ａｌ0.5Ａｓ半導体層５３が形成されている。半導体層
５３のレーザ光照射側表面には低反射率の端面保護膜５
７が形成され、他方の表面には高反射率の端面保護膜５
７が形成されている。また、基板１１側およびキャップ
層１６側の広面上には、電極５４、５５が形成されてい
る。
【００２１】この半導体レーザ素子の製造は、以下のよ
うにして行うことができる。
うにして行うことができる。
【００２２】まず、活性層を含む積層構造を形成する。
ｐ−ＧａＡｓ基板１１上に、ＬＰＥ法（Liquid Phase E
pitaxy 液相成長法）によりｎ型ＧａＡｓ層１２を１μ
ｍ程度積層し、基板１１に至るまでフォトリソグラフィ
ーとエッチングとによりＶ溝を形成する。次に、２回目
の液相成長工程により厚み０．２μｍ（Ｖ溝以外の部
分）のｐ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａｓクラッド層１３、厚み
０．０６μｍのｐ−Ｇａ0.86Ａｌ0.14Ａｓ活性層１４、
厚み１μｍのｎ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａｓクラッド層１５
および厚み１μｍのｎ−ＧａＡｓキャップ層１６を順次
積層する。
ｐ−ＧａＡｓ基板１１上に、ＬＰＥ法（Liquid Phase E
pitaxy 液相成長法）によりｎ型ＧａＡｓ層１２を１μ
ｍ程度積層し、基板１１に至るまでフォトリソグラフィ
ーとエッチングとによりＶ溝を形成する。次に、２回目
の液相成長工程により厚み０．２μｍ（Ｖ溝以外の部
分）のｐ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａｓクラッド層１３、厚み
０．０６μｍのｐ−Ｇａ0.86Ａｌ0.14Ａｓ活性層１４、
厚み１μｍのｎ−Ｇａ0.55Ａｌ0.45Ａｓクラッド層１５
および厚み１μｍのｎ−ＧａＡｓキャップ層１６を順次
積層する。
【００２３】その後、上記のように積層構造を形成した
ウェハを、厚み１００μｍにラッピングし、このウェハ
を端面５２が露出するように共振器長に劈開して、図２
（ａ）に示すようなレーザバー５１に分割する。
ウェハを、厚み１００μｍにラッピングし、このウェハ
を端面５２が露出するように共振器長に劈開して、図２
（ａ）に示すようなレーザバー５１に分割する。
【００２４】次に、図２（ｂ）に示すように、レーザバ
ー５１とカーボン製のバー治具１０３とを、レーザバー
５１を交互に積み重ねて、劈開面５２以外の側面を覆う
ように溝１０２が形成されたカーボン製の整列用治具１
０１にセットし、バー押え用治具１０４を上に載せて固
定用ねじ１０５で固定する。
ー５１とカーボン製のバー治具１０３とを、レーザバー
５１を交互に積み重ねて、劈開面５２以外の側面を覆う
ように溝１０２が形成されたカーボン製の整列用治具１
０１にセットし、バー押え用治具１０４を上に載せて固
定用ねじ１０５で固定する。
【００２５】その後、図３（ｃ）に示すように、レーザ
バー５１が固定されたバー整列用治具１０１をカーボン
製治具本体１０６にセットする。
バー５１が固定されたバー整列用治具１０１をカーボン
製治具本体１０６にセットする。
【００２６】このようにレーザバー５１が多数セットさ
れた治具本体１０６をＭＯＣＶＤ装置の準備室内に導入
し、治具本体１０６ごとロボットアームで搬送してＭＯ
ＣＶＤ装置の成長室内のサセプタ上に載せる。そして、
ＭＯＣＶＤ法により、劈開面５２に厚み０．１μｍのノ
ンドープＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層５３を成長させる。半導
体層５３の成長後、治具本体１０６ごとロボットアーム
でＭＯＣＶＤ装置の準備室まで搬送して装置から取り出
す。
れた治具本体１０６をＭＯＣＶＤ装置の準備室内に導入
し、治具本体１０６ごとロボットアームで搬送してＭＯ
ＣＶＤ装置の成長室内のサセプタ上に載せる。そして、
ＭＯＣＶＤ法により、劈開面５２に厚み０．１μｍのノ
ンドープＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層５３を成長させる。半導
体層５３の成長後、治具本体１０６ごとロボットアーム
でＭＯＣＶＤ装置の準備室まで搬送して装置から取り出
す。
【００２７】その後、基板１１側およびキャップ層１６
の上に、電極５４、５５をそれぞれ蒸着し、劈開面５２
上に形成された半導体層５３上に、端面保護膜５７を形
成する。その後、バー状基板をチップに分割して、図１
に示すような半導体レーザ素子が得られる。
の上に、電極５４、５５をそれぞれ蒸着し、劈開面５２
上に形成された半導体層５３上に、端面保護膜５７を形
成する。その後、バー状基板をチップに分割して、図１
に示すような半導体レーザ素子が得られる。
【００２８】上記実施例においては、治具１０１の溝１
０２はレーザバー５１の寸法（長さ・幅）に合わせて設
けられているので、劈開面以外の側面を覆うことができ
る。また、治具１０１はテーパ状に加工してあるので、
気相成長室内で半導体層を成長させる際にレーザバーの
劈開面に成長ガスをスムーズに導入させることができ
る。
０２はレーザバー５１の寸法（長さ・幅）に合わせて設
けられているので、劈開面以外の側面を覆うことができ
る。また、治具１０１はテーパ状に加工してあるので、
気相成長室内で半導体層を成長させる際にレーザバーの
劈開面に成長ガスをスムーズに導入させることができ
る。
【００２９】治具１０３は、レーザバー５１の寸法と同
じ長さ・幅に形成されており、厚みは１ｍｍ程度であ
る。この治具１０３がレーザバー５１間に挿入されてい
るので、気相成長室内で半導体層を成長させる際に、治
具１０３が治具全体と共に誘導加熱されて、各レーザバ
ー５１を均一に加熱することができる。治具１０１の底
部と治具１０５とによって、積み重ねられたレーザバー
５１の上下面を覆うことができる。
じ長さ・幅に形成されており、厚みは１ｍｍ程度であ
る。この治具１０３がレーザバー５１間に挿入されてい
るので、気相成長室内で半導体層を成長させる際に、治
具１０３が治具全体と共に誘導加熱されて、各レーザバ
ー５１を均一に加熱することができる。治具１０１の底
部と治具１０５とによって、積み重ねられたレーザバー
５１の上下面を覆うことができる。
【００３０】上記実施例において、複数のレーザバー５
１を劈開面のみが露出するように治具に固定しているの
で、半導体レーザ素子の端面となる劈開面のみに活性層
よりも禁制帯幅の大きい半導体層５３が形成され得る。
よって、従来の製造方法のように電極形成前にキャップ
層１６上の半導体層５３を除去する必要が無い。このた
め、製造工程が簡素化でき、歩留りを向上させることが
できる。
１を劈開面のみが露出するように治具に固定しているの
で、半導体レーザ素子の端面となる劈開面のみに活性層
よりも禁制帯幅の大きい半導体層５３が形成され得る。
よって、従来の製造方法のように電極形成前にキャップ
層１６上の半導体層５３を除去する必要が無い。このた
め、製造工程が簡素化でき、歩留りを向上させることが
できる。
【００３１】また、レーザバー５１を積み重ねて成長を
行っているので、１度に多数のレーザバー５１の劈開面
に半導体層５３を成長させることができ、大面積の治具
を必要としない。同一面積の治具を用いた場合には、従
来の製造方法に比べて生産性が約４倍向上できる。
行っているので、１度に多数のレーザバー５１の劈開面
に半導体層５３を成長させることができ、大面積の治具
を必要としない。同一面積の治具を用いた場合には、従
来の製造方法に比べて生産性が約４倍向上できる。
【００３２】レーザバー５１がセットされた治具１０１
を治具１０６にセットすることにより、さらに多数のレ
ーザバー５１を処理することができる。
を治具１０６にセットすることにより、さらに多数のレ
ーザバー５１を処理することができる。
【００３３】上記実施例においては、ＶＳＩＳ構造の半
導体レーザ素子について説明したが、本発明はこれに限
られず、その他の構造の半導体レーザ素子に適用するこ
ともでき、例えば、ＣＳＰ（channeled substrate plan
er）構造、Ｉ2ＳＰＢ（inverted inner stripe laser w
ith a p-GaAs buffer layer）構造、ＳＡＭ（self alig
nment narrow stripe by MBE）構造等が挙げられる。
導体レーザ素子について説明したが、本発明はこれに限
られず、その他の構造の半導体レーザ素子に適用するこ
ともでき、例えば、ＣＳＰ（channeled substrate plan
er）構造、Ｉ2ＳＰＢ（inverted inner stripe laser w
ith a p-GaAs buffer layer）構造、ＳＡＭ（self alig
nment narrow stripe by MBE）構造等が挙げられる。
【００３４】また、治具の材料としては、高周波誘導に
よる加熱が可能で、半導体層成長中に不純物の脱離が少
なく、レーザバーを固定するに足る強度を有しているも
のであれば特に限定せず用いることができる。例えば、
ＰＢＮ等の誘電体を用いることができる。また、これら
の材料からなる治具の表面がガラス状カーボンやＳｉＣ
等でコーティングされていてもよい。
よる加熱が可能で、半導体層成長中に不純物の脱離が少
なく、レーザバーを固定するに足る強度を有しているも
のであれば特に限定せず用いることができる。例えば、
ＰＢＮ等の誘電体を用いることができる。また、これら
の材料からなる治具の表面がガラス状カーボンやＳｉＣ
等でコーティングされていてもよい。
【００３５】半導体層を形成する材料は、ＡｌＧａＡｓ
系、ＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｓＰ系など種々の材
料を用いることができる。
系、ＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｓＰ系など種々の材
料を用いることができる。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、複数のレーザバーを積み重ねて、劈開面のみ
が露出するように治具に固定しているので、半導体レー
ザ素子の端面となる劈開面のみに活性層よりも禁制帯幅
の大きい半導体層が形成される。このため電極形成前に
半導体層を除去する必要が無く、製造工程を簡素化する
ことができる。よって、半導体レーザ素子の製造におけ
る歩留りを向上させることができる。
によれば、複数のレーザバーを積み重ねて、劈開面のみ
が露出するように治具に固定しているので、半導体レー
ザ素子の端面となる劈開面のみに活性層よりも禁制帯幅
の大きい半導体層が形成される。このため電極形成前に
半導体層を除去する必要が無く、製造工程を簡素化する
ことができる。よって、半導体レーザ素子の製造におけ
る歩留りを向上させることができる。
【００３７】また、レーザバーを積み重ねて成長を行っ
ているので、１度に多数のレーザバーの劈開面に半導体
層を成長させることができる。よって、大面積の治具を
必要とせず、生産性を向上させることができる。
ているので、１度に多数のレーザバーの劈開面に半導体
層を成長させることができる。よって、大面積の治具を
必要とせず、生産性を向上させることができる。
【図１】本発明により得られる半導体レーザ素子の例を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】本発明の半導体レーザ素子の製造工程を示す図
である。
である。
【図３】本発明の半導体レーザ素子の製造工程を示す図
である。
である。
【図４】従来の半導体レーザ素子の製造工程を示す図で
ある。
ある。
【図５】従来の半導体レーザ素子の製造工程を示す図で
ある。
ある。
１１ 基板 １３ クラッド層 １４ 活性層 １５ クラッド層 １６ キャップ層 ５１ バー状ウェハ（レーザバー） ５３ 活性層よりも禁制帯幅の大きい半導体層 ５４、５５ 電極 ５７ 端面保護膜 １０１、１０３、１０４、１０６ 治具
Claims (1)
- 【請求項１】 活性層を含む発光用積層体が形成された
基板の端面に、該活性層よりも禁制帯幅の大きい半導体
層が形成された半導体レーザ素子の製造方法において、 該基板よりも大きい基板の上に発光用積層体が形成され
てなるウェハを劈開して、共振器長幅の複数のバー状ウ
ェハを形成する工程と、 該バー状ウェハの劈開面以外の面を覆った状態でバー状
ウェハを積み重ねるための治具を用い、該治具に複数の
バー状ウェハをその厚み方向に揃えて積み重ねて固定す
る工程と、 治具に固定され、治具から露出しているバー状ウェハの
劈開面に該半導体層を形成する工程と、 該半導体層が形成された各バー状ウェハをチップに分割
する工程と、 を含む半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05080940A JP3113443B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05080940A JP3113443B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06296059A true JPH06296059A (ja) | 1994-10-21 |
| JP3113443B2 JP3113443B2 (ja) | 2000-11-27 |
Family
ID=13732480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05080940A Expired - Fee Related JP3113443B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3113443B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5872020A (en) * | 1995-09-08 | 1999-02-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing semiconductor laser device |
| CN1322642C (zh) * | 2002-12-10 | 2007-06-20 | 夏普株式会社 | 半导体激光器件、其制造方法和该制造方法中使用的夹具 |
-
1993
- 1993-04-07 JP JP05080940A patent/JP3113443B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5872020A (en) * | 1995-09-08 | 1999-02-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing semiconductor laser device |
| US6176968B1 (en) * | 1995-09-08 | 2001-01-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for producing semiconductor laser device |
| CN1322642C (zh) * | 2002-12-10 | 2007-06-20 | 夏普株式会社 | 半导体激光器件、其制造方法和该制造方法中使用的夹具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3113443B2 (ja) | 2000-11-27 |
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