JPH06295959A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH06295959A JPH06295959A JP8064693A JP8064693A JPH06295959A JP H06295959 A JPH06295959 A JP H06295959A JP 8064693 A JP8064693 A JP 8064693A JP 8064693 A JP8064693 A JP 8064693A JP H06295959 A JPH06295959 A JP H06295959A
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- Japan
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- film
- insulating film
- semiconductor device
- hydrogen
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Abstract
(57)【要約】
【目的】トランジスタ特性に支障を来すことなく、平坦
化を達成することが可能な半導体装置の製造方法を提供
する。 【構成】半導体基板上に形成した所望素子上に、第１の
層間絶縁膜１を形成し、当該第１の層間絶縁膜１上に、
水分及び水素の透過を阻止することが可能なＰ−ＳｉＯ
膜２を形成し、次いで、この上に上層配線４を形成した
後、当該上層配線４上に、水及び／又は水素を含有した
第２の層間絶縁膜９を形成する。
化を達成することが可能な半導体装置の製造方法を提供
する。 【構成】半導体基板上に形成した所望素子上に、第１の
層間絶縁膜１を形成し、当該第１の層間絶縁膜１上に、
水分及び水素の透過を阻止することが可能なＰ−ＳｉＯ
膜２を形成し、次いで、この上に上層配線４を形成した
後、当該上層配線４上に、水及び／又は水素を含有した
第２の層間絶縁膜９を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、特に、配線上に、水分及び／又は水素を含有し
た層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法に関す
る。
に係り、特に、配線上に、水分及び／又は水素を含有し
た層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体装置の微細化及び高集
積化に伴い、素子の平坦化が益々重要となり、様々な平
坦化方法が紹介されている。そして、その一つとして、
下地の段差を緩和するため、優れた平坦化特性を有する
種々の層間絶縁膜や保護絶縁膜が使用されている。
積化に伴い、素子の平坦化が益々重要となり、様々な平
坦化方法が紹介されている。そして、その一つとして、
下地の段差を緩和するため、優れた平坦化特性を有する
種々の層間絶縁膜や保護絶縁膜が使用されている。
【０００３】前記優れた平坦化特性を有する膜として
は、例えば、有機溶剤に溶けたガラス溶液をウエハ上に
回転塗布して形成するＳＯＧ（Spin 0n Glass ）膜や、
有機シランを含むガスを用いた気相成長法により成膜さ
れるオゾンＴＥＯＳ−ＣＶＤ膜（以下、『Ｏ3 −ＴＥＯ
Ｓ膜』という）が、一般的に使用されている。しかしな
がら、前記ＳＯＧ膜及びＯ3 −ＴＥＯＳ膜は、優れた平
坦化特性を有する反面、耐クラック性が弱いという欠点
を有している。さらに、両者とも膜中に、水分や水素を
含有しているため、トランジスタ特性の劣化を引き起こ
し易いという問題があった。
は、例えば、有機溶剤に溶けたガラス溶液をウエハ上に
回転塗布して形成するＳＯＧ（Spin 0n Glass ）膜や、
有機シランを含むガスを用いた気相成長法により成膜さ
れるオゾンＴＥＯＳ−ＣＶＤ膜（以下、『Ｏ3 −ＴＥＯ
Ｓ膜』という）が、一般的に使用されている。しかしな
がら、前記ＳＯＧ膜及びＯ3 −ＴＥＯＳ膜は、優れた平
坦化特性を有する反面、耐クラック性が弱いという欠点
を有している。さらに、両者とも膜中に、水分や水素を
含有しているため、トランジスタ特性の劣化を引き起こ
し易いという問題があった。
【０００４】そこで、近年では、前記ＳＯＧ膜やＯ3 −
ＴＥＯＳ膜の長所を生かし、欠点をカバーした層間絶縁
膜や保護絶縁膜として、当該ＳＯＧ膜やＯ3 −ＴＥＯＳ
膜の上下を、緻密な構造を有するＣＶＤ膜で挟んだ構造
の膜が紹介されている。そして、一般的に、このＣＶＤ
膜としては、ＳｉＨ4 ガスを使用したプラズマＣＶＤ法
により形成されたプラズマ酸化膜（以下、『Ｐ−ＳｉＯ
膜』という）が使用されている。このＰ−ＳｉＯ膜は、
ダングリングボンドを多く含む条件で成膜すると、この
ダングリングボンドに、水（Ｈ2 Ｏ）や水素（Ｈ2 ）を
トラップし、水分や水素の透過を阻止することができ
る。このため、前記ＳＯＧ膜やＯ3 −ＴＥＯＳ膜の上下
を、Ｐ−ＳｉＯ膜で挟むことにより、当該ＳＯＧ膜やＯ
3 −ＴＥＯＳ膜に含まれている水分や水素に対するバリ
ア効果を付与し、当該水分や水素がトランジスタ特性に
悪影響を与えることを防止している。
ＴＥＯＳ膜の長所を生かし、欠点をカバーした層間絶縁
膜や保護絶縁膜として、当該ＳＯＧ膜やＯ3 −ＴＥＯＳ
膜の上下を、緻密な構造を有するＣＶＤ膜で挟んだ構造
の膜が紹介されている。そして、一般的に、このＣＶＤ
膜としては、ＳｉＨ4 ガスを使用したプラズマＣＶＤ法
により形成されたプラズマ酸化膜（以下、『Ｐ−ＳｉＯ
膜』という）が使用されている。このＰ−ＳｉＯ膜は、
ダングリングボンドを多く含む条件で成膜すると、この
ダングリングボンドに、水（Ｈ2 Ｏ）や水素（Ｈ2 ）を
トラップし、水分や水素の透過を阻止することができ
る。このため、前記ＳＯＧ膜やＯ3 −ＴＥＯＳ膜の上下
を、Ｐ−ＳｉＯ膜で挟むことにより、当該ＳＯＧ膜やＯ
3 −ＴＥＯＳ膜に含まれている水分や水素に対するバリ
ア効果を付与し、当該水分や水素がトランジスタ特性に
悪影響を与えることを防止している。
【０００５】また、近年では、前記ダングリングボンド
を多く含む膜として、電子サイクロトロン共鳴を用いた
気相成長法（以下、『ＥＣＲ−ＣＶＤ法』という；ＥＣ
Ｒ（Electron Cycrotron Resonance））により形成され
た膜が注目されている。
を多く含む膜として、電子サイクロトロン共鳴を用いた
気相成長法（以下、『ＥＣＲ−ＣＶＤ法』という；ＥＣ
Ｒ（Electron Cycrotron Resonance））により形成され
た膜が注目されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記Ｐ
−ＳｉＯ膜は、水分や水素の透過を阻止することができ
る反面、平坦性が悪いため、段差を有する下地上に形成
すると、オーバーハング形状になるという問題があっ
た。そして、特に、近年では、素子の微細化に伴って、
配線等による段差が益々厳しくなってきているため、前
記のようなＰ−ＳｉＯ膜の成膜形状の悪化は、層間絶縁
膜や保護絶縁膜にボイドの発生を引き起こす等、平坦化
プロセスの設計上、種々の問題が発生していた。
−ＳｉＯ膜は、水分や水素の透過を阻止することができ
る反面、平坦性が悪いため、段差を有する下地上に形成
すると、オーバーハング形状になるという問題があっ
た。そして、特に、近年では、素子の微細化に伴って、
配線等による段差が益々厳しくなってきているため、前
記のようなＰ−ＳｉＯ膜の成膜形状の悪化は、層間絶縁
膜や保護絶縁膜にボイドの発生を引き起こす等、平坦化
プロセスの設計上、種々の問題が発生していた。
【０００７】そこで、前記Ｐ−ＳｉＯ膜に代えて、ＴＥ
ＯＳ（テトラエトキシシラン）系のガスを使用したプラ
ズマＣＶＤ法により得られるＰ−ＴＥＯＳ膜を使用する
例が紹介されている。しかしながら、前記Ｐ−ＴＥＯＳ
膜は、Ｐ−ＳｉＯ膜に比べ、ダングリングボンドの量が
少なく、水分や水素の透過を阻止する効果が劣るため、
層間絶縁膜や保護絶縁膜中に、存在させるＳＯＧ膜やＯ
3 −ＴＥＯＳ膜の量に限界が生じ、平坦化が困難となる
という問題があった。
ＯＳ（テトラエトキシシラン）系のガスを使用したプラ
ズマＣＶＤ法により得られるＰ−ＴＥＯＳ膜を使用する
例が紹介されている。しかしながら、前記Ｐ−ＴＥＯＳ
膜は、Ｐ−ＳｉＯ膜に比べ、ダングリングボンドの量が
少なく、水分や水素の透過を阻止する効果が劣るため、
層間絶縁膜や保護絶縁膜中に、存在させるＳＯＧ膜やＯ
3 −ＴＥＯＳ膜の量に限界が生じ、平坦化が困難となる
という問題があった。
【０００８】本発明は、このような問題を解決すること
を課題とするものであり、トランジスタ特性に支障を来
すことなく、平坦化を達成することが可能な半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
を課題とするものであり、トランジスタ特性に支障を来
すことなく、平坦化を達成することが可能な半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、半導体基板上または所望素子上に形成さ
れた絶縁膜を介して上層配線を形成し、当該上層配線上
に水分及び／又は水素を含有した層間絶縁膜または保護
絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記
上層配線は、水分及び水素の透過を阻止することが可能
な絶縁膜を介して形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法を提供するものである。
に、本発明は、半導体基板上または所望素子上に形成さ
れた絶縁膜を介して上層配線を形成し、当該上層配線上
に水分及び／又は水素を含有した層間絶縁膜または保護
絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記
上層配線は、水分及び水素の透過を阻止することが可能
な絶縁膜を介して形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法を提供するものである。
【００１０】そしてまた、前記絶縁膜は、ＳｉＨ4 を含
有するガスを使用したプラズマ気相成長法により形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するも
のである。さらにまた、前記絶縁膜は、電子サイクロト
ロン共鳴を用いたプラズマ気相成長法により形成するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するもので
ある。
有するガスを使用したプラズマ気相成長法により形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するも
のである。さらにまた、前記絶縁膜は、電子サイクロト
ロン共鳴を用いたプラズマ気相成長法により形成するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するもので
ある。
【００１１】
【作用】本発明によれば、水分及び水素の透過を阻止す
ることが可能な絶縁膜を介して上層配線を形成するた
め、段差が少ない下地上に当該絶縁膜を形成することが
できる。従って、前記絶縁膜の平坦化特性にかかわら
ず、当該絶縁膜を平坦に形成することができる。また、
前記上層配線上に、ＳＯＧ膜、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜等の水
分や水素を含有した膜を形成しても、前記絶縁膜が、水
分及び水素の透過を阻止することができる。従って、前
記上層配線上には、平坦化特性に優れた膜のみを使用し
た層間絶縁膜または保護絶縁膜を形成することができる
ため、当該層間絶縁膜または保護絶縁膜にボイドが発生
することがない。このため、トランジスタ特性や配線特
性に支障を来すことなく、半導体装置の平坦化を達成す
ることができる。
ることが可能な絶縁膜を介して上層配線を形成するた
め、段差が少ない下地上に当該絶縁膜を形成することが
できる。従って、前記絶縁膜の平坦化特性にかかわら
ず、当該絶縁膜を平坦に形成することができる。また、
前記上層配線上に、ＳＯＧ膜、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜等の水
分や水素を含有した膜を形成しても、前記絶縁膜が、水
分及び水素の透過を阻止することができる。従って、前
記上層配線上には、平坦化特性に優れた膜のみを使用し
た層間絶縁膜または保護絶縁膜を形成することができる
ため、当該層間絶縁膜または保護絶縁膜にボイドが発生
することがない。このため、トランジスタ特性や配線特
性に支障を来すことなく、半導体装置の平坦化を達成す
ることができる。
【００１２】そしてまた、前記絶縁膜を、ＳｉＨ4 を含
有するガスを使用したプラズマＣＶＤ法により形成する
ことで、ダングリングボンドの量が多い絶縁膜を得るこ
とができる。従って、前記水分及び水素の透過を阻止す
る作用をさらに向上することができる。さらにまた、前
記絶縁膜を、ＥＣＲ−ＣＶＤ法により形成することで、
ダングリングボンドをより多く含む絶縁膜を得ることが
できる。従って、前記水分及び水素の透過を阻止する作
用をさらに向上することができる。
有するガスを使用したプラズマＣＶＤ法により形成する
ことで、ダングリングボンドの量が多い絶縁膜を得るこ
とができる。従って、前記水分及び水素の透過を阻止す
る作用をさらに向上することができる。さらにまた、前
記絶縁膜を、ＥＣＲ−ＣＶＤ法により形成することで、
ダングリングボンドをより多く含む絶縁膜を得ることが
できる。従って、前記水分及び水素の透過を阻止する作
用をさらに向上することができる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明に係る一実施例について、図面
を参照して説明する。図１ないし図４は、本発明の実施
例に係る半導体装置の製造工程の一部を示す部分断面図
である。図１に示す工程では、半導体基板に所望の処理
を行い、所望のトランジスタや下層配線等の所望素子を
形成した後、第１の層間絶縁膜１を形成する。次に、Ｓ
ｉＨ4 を含有するガスを用いたプラズマＣＶＤ法を行
い、前記第１の層間絶縁膜１上に、膜厚が２０００Å程
度のＰ−ＳｉＯ膜２を形成する。このＰ−ＳｉＯ膜２
は、水分及び水素の透過を阻止する性能を有し、後の工
程で形成する、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜やＳＯＧ膜中に存在す
る水分や水素からトランジスタ等の素子を保護する役割
を果たすことができる。次いで、前記Ｐ−ＳｉＯ膜２上
に、膜厚が１μｍ程度の配線膜３を形成する。なお、本
実施例では、配線膜３としてアルミニウム膜を使用し
た。
を参照して説明する。図１ないし図４は、本発明の実施
例に係る半導体装置の製造工程の一部を示す部分断面図
である。図１に示す工程では、半導体基板に所望の処理
を行い、所望のトランジスタや下層配線等の所望素子を
形成した後、第１の層間絶縁膜１を形成する。次に、Ｓ
ｉＨ4 を含有するガスを用いたプラズマＣＶＤ法を行
い、前記第１の層間絶縁膜１上に、膜厚が２０００Å程
度のＰ−ＳｉＯ膜２を形成する。このＰ−ＳｉＯ膜２
は、水分及び水素の透過を阻止する性能を有し、後の工
程で形成する、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜やＳＯＧ膜中に存在す
る水分や水素からトランジスタ等の素子を保護する役割
を果たすことができる。次いで、前記Ｐ−ＳｉＯ膜２上
に、膜厚が１μｍ程度の配線膜３を形成する。なお、本
実施例では、配線膜３としてアルミニウム膜を使用し
た。
【００１４】次に、図２に示す工程では、図１に示す工
程で得た配線膜３にパターニングを行い、上層配線４を
形成する。なお、前記上層配線４の配線間隔は、１μｍ
とした。次いで、図３に示す工程では、図２に示す工程
で得たウエハの全面に、ＴＥＯＳ系のガスを使用したプ
ラズマＣＶＤ法を行い、膜厚が３０００Å程度のＰ−Ｔ
ＥＯＳ膜５を形成する。このＰ−ＴＥＯＳ膜５は、ステ
ップカバレッジ性に優れ、均一な膜厚で形成されるた
め、配線間距離が小さく、急峻な段差を有する配線上に
形成しても、ボイドの発生を防止することができる。さ
らに、前記Ｐ−ＴＥＯＳ膜５は、緻密な構造を有し、ク
ラックが入り難く、絶縁特性に優れ、リーク電流の低減
化を達成することができ、且つ、ホットキャリア耐性を
向上することができる。
程で得た配線膜３にパターニングを行い、上層配線４を
形成する。なお、前記上層配線４の配線間隔は、１μｍ
とした。次いで、図３に示す工程では、図２に示す工程
で得たウエハの全面に、ＴＥＯＳ系のガスを使用したプ
ラズマＣＶＤ法を行い、膜厚が３０００Å程度のＰ−Ｔ
ＥＯＳ膜５を形成する。このＰ−ＴＥＯＳ膜５は、ステ
ップカバレッジ性に優れ、均一な膜厚で形成されるた
め、配線間距離が小さく、急峻な段差を有する配線上に
形成しても、ボイドの発生を防止することができる。さ
らに、前記Ｐ−ＴＥＯＳ膜５は、緻密な構造を有し、ク
ラックが入り難く、絶縁特性に優れ、リーク電流の低減
化を達成することができ、且つ、ホットキャリア耐性を
向上することができる。
【００１５】次に、図４に示す工程では、図３に示す工
程で得たＰ−ＴＥＯＳ膜５上に、ＴＥＯＳ系のガスを使
用したオゾンＣＶＤ法を行い、平坦化特性に優れたＯ3
−ＴＥＯＳ膜６を形成する。次に、前記Ｏ3 −ＴＥＯＳ
膜６上に、平坦化特性に優れたＳＯＧ膜７を形成する。
このようにして、素子の平坦化を達成した。次いで、前
記ＳＯＧ膜７が形成されたウエハの全面に、ＳｉＨ4 を
含有するガスを用いたプラズマＣＶＤ法を行い、膜厚が
４０００Å程度のＰ−ＳｉＯ膜８を形成する。このよう
にして、上層配線４上に、Ｐ−ＴＥＯＳ膜５、Ｏ3 −Ｔ
ＥＯＳ膜６、ＳＯＧ膜７及びＰ−ＳｉＯ膜８からなる第
２の層間絶縁膜９を形成した。
程で得たＰ−ＴＥＯＳ膜５上に、ＴＥＯＳ系のガスを使
用したオゾンＣＶＤ法を行い、平坦化特性に優れたＯ3
−ＴＥＯＳ膜６を形成する。次に、前記Ｏ3 −ＴＥＯＳ
膜６上に、平坦化特性に優れたＳＯＧ膜７を形成する。
このようにして、素子の平坦化を達成した。次いで、前
記ＳＯＧ膜７が形成されたウエハの全面に、ＳｉＨ4 を
含有するガスを用いたプラズマＣＶＤ法を行い、膜厚が
４０００Å程度のＰ−ＳｉＯ膜８を形成する。このよう
にして、上層配線４上に、Ｐ−ＴＥＯＳ膜５、Ｏ3 −Ｔ
ＥＯＳ膜６、ＳＯＧ膜７及びＰ−ＳｉＯ膜８からなる第
２の層間絶縁膜９を形成した。
【００１６】その後、所望の工程を行い、半導体装置を
完成する。なお、本実施例では、ＳｉＨ4 を含有するガ
スを用いたプラズマＣＶＤ法により形成したＰ−ＳｉＯ
膜２を上層配線４の下地としたが、これに限らず、前記
Ｐ−ＳｉＯ膜２は、ＥＣＲ−ＣＶＤ法により形成しても
よい。また、前記上層配線４の下地として形成する絶縁
膜は、水分及び水素の透過を阻止することが可能な絶縁
膜であれば、他の方法により形成した絶縁膜を用いても
よい。
完成する。なお、本実施例では、ＳｉＨ4 を含有するガ
スを用いたプラズマＣＶＤ法により形成したＰ−ＳｉＯ
膜２を上層配線４の下地としたが、これに限らず、前記
Ｐ−ＳｉＯ膜２は、ＥＣＲ−ＣＶＤ法により形成しても
よい。また、前記上層配線４の下地として形成する絶縁
膜は、水分及び水素の透過を阻止することが可能な絶縁
膜であれば、他の方法により形成した絶縁膜を用いても
よい。
【００１７】また、本実施例では、上層配線４上に、第
２の層間絶縁膜９を形成する方法について説明したが、
これに限らず、保護絶縁膜（最終保護膜）を形成する際
に応用してもよいことは勿論である。そして、本実施例
では、上層配線４上にＰ−ＴＥＯＳ膜５、Ｏ3 −ＴＥＯ
Ｓ膜６、ＳＯＧ膜７及びＰ−ＳｉＯ膜８からなる第２の
層間絶縁膜９を形成したが、これに限らず、第２の層間
絶縁膜９は、平坦化を達成することが可能であれば、他
の構造を有してもよい。
２の層間絶縁膜９を形成する方法について説明したが、
これに限らず、保護絶縁膜（最終保護膜）を形成する際
に応用してもよいことは勿論である。そして、本実施例
では、上層配線４上にＰ−ＴＥＯＳ膜５、Ｏ3 −ＴＥＯ
Ｓ膜６、ＳＯＧ膜７及びＰ−ＳｉＯ膜８からなる第２の
層間絶縁膜９を形成したが、これに限らず、第２の層間
絶縁膜９は、平坦化を達成することが可能であれば、他
の構造を有してもよい。
【００１８】そしてまた、本実施例で形成した素子のサ
イズは、一例であり、これに限るものではない。
イズは、一例であり、これに限るものではない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置の製造方法は、水分及び水素の透過を阻止するこ
とが可能な絶縁膜を介して、上層配線を形成するため、
段差が少ない下地上に当該絶縁膜を形成することができ
る。従って、前記絶縁膜の平坦化特性にかかわらず、当
該絶縁膜を平坦に形成することができる。また、前記上
層配線上に、ＳＯＧ膜、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜等の水分や水
素を含有した膜を形成しても、前記絶縁膜が、前記水分
及び水素の透過を阻止することができる。このため、前
記上層配線上には、平坦化特性に優れた膜のみで構成し
た層間絶縁膜または保護絶縁膜を形成することができる
ため、当該層間絶縁膜または保護絶縁膜にボイドが発生
することがない。この結果、トランジスタ特性や配線特
性に支障を来すことなく、半導体装置の平坦化を達成す
ることができ、高精度で信頼性の高い半導体装置を提供
することができる。
体装置の製造方法は、水分及び水素の透過を阻止するこ
とが可能な絶縁膜を介して、上層配線を形成するため、
段差が少ない下地上に当該絶縁膜を形成することができ
る。従って、前記絶縁膜の平坦化特性にかかわらず、当
該絶縁膜を平坦に形成することができる。また、前記上
層配線上に、ＳＯＧ膜、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜等の水分や水
素を含有した膜を形成しても、前記絶縁膜が、前記水分
及び水素の透過を阻止することができる。このため、前
記上層配線上には、平坦化特性に優れた膜のみで構成し
た層間絶縁膜または保護絶縁膜を形成することができる
ため、当該層間絶縁膜または保護絶縁膜にボイドが発生
することがない。この結果、トランジスタ特性や配線特
性に支障を来すことなく、半導体装置の平坦化を達成す
ることができ、高精度で信頼性の高い半導体装置を提供
することができる。
【００２０】そしてまた、前記絶縁膜を、ＳｉＨ4 を含
有するガスを使用したプラズマＣＶＤ法により形成する
ことで、ダングリングボンドの量が多い絶縁膜を得るこ
とができる結果、前記水分及び水素の透過を阻止する効
果をさらに向上することができる。さらにまた、前記絶
縁膜を、ＥＣＲ−ＣＶＤ法により形成することで、ダン
グリングボンドをより多く含む絶縁膜を得ることができ
る結果、前記水分及び水素の透過を阻止する効果をさら
に向上することができる。
有するガスを使用したプラズマＣＶＤ法により形成する
ことで、ダングリングボンドの量が多い絶縁膜を得るこ
とができる結果、前記水分及び水素の透過を阻止する効
果をさらに向上することができる。さらにまた、前記絶
縁膜を、ＥＣＲ−ＣＶＤ法により形成することで、ダン
グリングボンドをより多く含む絶縁膜を得ることができ
る結果、前記水分及び水素の透過を阻止する効果をさら
に向上することができる。
【図１】本発明の一実施例にかかる半導体装置の製造工
程の一部を示す部分断面図である。
程の一部を示す部分断面図である。
【図２】本発明の一実施例にかかる半導体装置の製造工
程の一部を示す部分断面図である。
程の一部を示す部分断面図である。
【図３】本発明の一実施例にかかる半導体装置の製造工
程の一部を示す部分断面図である。
程の一部を示す部分断面図である。
【図４】本発明の一実施例にかかる半導体装置の製造工
程の一部を示す部分断面図である。
程の一部を示す部分断面図である。
１ 第１の層間絶縁膜 ２ Ｐ−ＳｉＯ膜 ３ 配線膜 ４ 上層配線 ５ Ｐ−ＴＥＯＳ膜 ６ Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜 ７ ＳＯＧ膜 ８ Ｐ−ＳｉＯ膜 ９ 第２の層間絶縁膜
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上または所望素子上に形成さ
れた絶縁膜を介して上層配線を形成し、当該上層配線上
に水分及び／又は水素を含有した層間絶縁膜または保護
絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、 前記上層配線は、水分及び水素の透過を阻止することが
可能な絶縁膜を介して形成することを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記絶縁膜は、ＳｉＨ4 を含有するガス
を使用したプラズマ気相成長法により形成することを特
徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記絶縁膜は、電子サイクロトロン共鳴
を用いたプラズマ気相成長法により形成することを特徴
とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8064693A JPH06295959A (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8064693A JPH06295959A (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295959A true JPH06295959A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=13724138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8064693A Pending JPH06295959A (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06295959A (ja) |
-
1993
- 1993-04-07 JP JP8064693A patent/JPH06295959A/ja active Pending
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