JPH06295857A - 台形パターン描画方法 - Google Patents

台形パターン描画方法

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JPH06295857A
JPH06295857A JP8057593A JP8057593A JPH06295857A JP H06295857 A JPH06295857 A JP H06295857A JP 8057593 A JP8057593 A JP 8057593A JP 8057593 A JP8057593 A JP 8057593A JP H06295857 A JPH06295857 A JP H06295857A
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JP
Japan
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electron beam
trapezoidal pattern
point
height
aperture
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JP8057593A
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Osamu Wakimoto
治 脇本
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Jeol Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 どのような台形パターンであっても、高い精
度で高速に描画を行うことができる台形パターン描画方
法を実現する。 【構成】 台形ABCDの描画の場合、2つの斜辺の内
なだらかな斜辺を判別する。この例では斜辺BCがより
なだらかである。次にB点から斜辺に沿って横方向にp
だけ移動した点をNとする。図4(b)に示すよう
に、斜辺AD上でN と同じ高さにある点をMとす
る。また、Nから斜辺に沿って横方向にpだけ移動し
た点をNとし、反対側の斜辺上の点をMとする。こ
のようなステップを底辺CDに達するまで繰り返す。こ
のようなステップによって求まった線分AB,M
,M,……の長さの矩形断面の電子ビーム
をそれぞれの線分の真上に行う。このときの細長い矩形
断面の電子ビームの高さは、点BとNの高さに、重ね
合わせ露光の指定回数を乗じた高さとする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームやイオンビ
ームを用いて被描画材料上に所定の台形パターンを描画
する台形パターン描画方法に関する。
【0002】
【従来の技術】電子ビーム描画装置として、電子ビーム
の断面を可変して描画する方式の装置が広く利用されて
いる。この装置では、電子ビームを第1のアパーチャに
照射し、第1のアパーチャの開口像を第2のアパーチャ
上に結像するようにしている。そして、第1のアパーチ
ャの開口像の第2のアパーチャ上の投射位置を第1と第
2のアパーチャの間に配置された偏向器で変化させるこ
とにより、任意の面積の矩形断面を有した電子ビームが
成形される。
【0003】このような電子ビーム描画方式において、
台形パターンを描画する場合には、電子ビームの断面を
細長く成形し、細長い矩形断面の電子ビームを台形の高
さ方向に移動させ、更に、電子ビームの長さを台形の斜
辺の角度に応じて変化させ、所望の台形パターンの描画
を行うようにしている。
【0004】図1は台形パターンの描画の様子を説明す
るための図であり、図1(a)中の太線で示されたパタ
ーンQが描画すべき台形パターンである。この台形パタ
ーンQを描画するため、細長い矩形断面の電子ビームが
成形される。先ず台形パターンQの底辺部分に対して、
高さHで長さがLの電子ビームEBが成形され、材
料に投射される。次に高さはHと等しいが、長さがL
より短いLに電子ビームEBが成形され、最初の電
子ビームEBよりピッチがPずらされて投射される。
次に長さがLの電子ビームEBが成形され、ピッチ
Pだけずらされて投射される。
【0005】このように徐々に長さを変えながら細長い
電子ビームをピッチPだけずらしながら投射することに
より、台形パターンQに近似した図形が描画できる。な
お、細長い矩形電子ビームの投射の際には、ドーズ量は
1回の描画でレジストを露光できる基準のドーズ量から
少なくされており、数回重なって電子ビームが照射され
た部分がレジストが完全に露光さる。この電子ビームの
重ね合わせ照射の様子を図1(b)に示したが、この図
で厚み方向は電子ビームの照射回数を表している。
【0006】図2は台形パターンQの他の描画方式を説
明するための図である。この方式では、台形パターンを
描画するための細長い矩形断面の電子ビームの基準高さ
は、図1の方式と同様にHである。ただし、台形の底辺
部分と上辺部分では、より正確な台形を描画するため
に、細長い矩形の高さを低くしている。すなわち、図2
(a)に示すように、底辺部分の最初の矩形電子ビーム
EBの高さは、基準の高さHの1/4とされている。
そして、次の電子ビームEBは、その高さが基準高さ
Hの1/2とされ、更にその次の電子ビームEBは基
準高さHの3/4とされ、電子ビームEBから基準高
さHに成形される。
【0007】上記した細長い電子ビームの高さを変化さ
せて描画を行う方式は、台形パターンの上辺部分でも行
われている。なお、図2(b)も電子ビームの重ね合わ
せ照射の様子を示している。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記した台形パターン
の描画方式では、台形の斜辺を正確に描画するために
は、細長い矩形断面の電子ビームを移動させる間隔、す
なわちピッチを細かくしなければならない。しかしなが
ら、ピッチを細かくすると、必然的に1つの台形パター
ンを描画するために、細長い矩形断面の電子ビームの照
射回数が増大し、全体の描画時間が長くなる欠点を有す
る。
【0009】図3はこのような欠点を説明するための台
形パターン描画の概念図であり、実線が描画すべき台形
パターンQ、点線が分割してショットされる細長い電子
ビームを示している。図3(a)は、台形パターンQの
斜辺Cが比較的急峻な場合で、このような場合には、照
射される電子ビームの高さHが比較的高くても、斜辺の
精度は高く維持される。しかしながら、図3(b)のよ
うに、台形パターンQの斜辺Cが比較的なだらかな場合
には、斜辺の精度は低くなる。このなだらかな斜辺に対
して、図3(c)に示すように、細長い電子ビームの高
さHを低くすれば、斜辺の精度は高くなるものの、低い
高さの細長い電子ビームを用いると、斜辺が比較的急俊
なケースでは、前記したように、電子ビームの照射回数
が著しく多くなり、描画時間が長くなる。
【0010】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、どのような台形パターンであって
も、高い精度で高速に描画を行うことができる台形パタ
ーン描画方法を実現するにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく台形パタ
ーン描画方法は、第1のアパーチャの開口像を第2のア
パーチャ上に結像し、第2のアパーチャの開口を透過し
た細長い矩形断面の荷電粒子ビームを被描画材料上に投
射すると共に、細長い矩形断面の荷電粒子ビームの長さ
を変えながら荷電粒子ビームの投射位置を移動させ、台
形パターンの描画を行う台形パターン描画方法におい
て、台形の2つの斜辺の内、よりなだらかな斜辺の、台
形の平行な辺に対する角度に応じて、細長い矩形断面の
高さを決めるようにしたことを特徴としている。
【0012】
【作用】本発明に基づく台形パターン描画方法において
は、台形の斜辺のうち、なだらかな斜辺で描画精度が悪
くなる点に着目し、斜辺の角度に応じて細長い矩形電子
ビームの高さを変化させるようにした。
【0013】例えば、図4(a)のような台形ABCD
の描画の場合、2つの斜辺の内なだらかな斜辺を判別す
る。この例では斜辺BCがよりなだらかである。次にB
点から斜辺に沿って横方向にpだけ移動した点をN
する。図4(b)に示すように、斜辺AD上でNと同
じ高さにある点をMとする。また、Nから斜辺に沿
って横方向にpだけ移動した点をNとし、反対側の斜
辺上の点をMとする。このようなステップを底辺CD
に達するまで繰り返す。なお、台形の高さによっては、
点N,Mと底辺CDとが重ならない場合もあるが、その
時はCDを通り過ぎる一歩手前で終了する。
【0014】上記したステップによって求まった線分A
B,M,M,……の長さの矩形断面の電子
ビームをそれぞれの線分の真上に行う。このときの細長
い矩形断面の電子ビームの高さは、点BとNの高さ
に、重ね合わせ露光の指定回数を乗じた高さとする。
【0015】このような本発明により、従来の方法で
は、ピッチpで展開するとh÷p個の長方形を描画する
必要があったのに対して、横方向にピッチをとるように
したので、 tanθ×h÷p個の長方形を描画すれば良い
ことになる。つまり、θは0〜45度であるから、 tan
θは0〜1の値を取り、最悪の場合、θ=45度で従来
の方法と同じ数の長方形を描画する必要があるものの、
それ以外の場合は、少ない数の電子ビームの描画で良い
ことになる。例えば、θ=30度では、従来20個の長
方形を描画していたところがその1/√(3)の約12
個となる。
【0016】なお、本発明の台形パターンの描画の前提
となっている条件は、台形の底辺が描画装置が描画可能
な長方形の辺に平行であること、また、底辺に垂直な線
と斜辺との成す角度が45度以下の台形パターンである
ことである。また、台形パターンの近似の条件として
は、描画結果の斜辺と理想的な斜辺のずれがパラメータ
として指定されるピッチ以下になるように描画すること
であり、更に、微小な幅の長方形を指定回数(パラメー
タ)重ねて露光し、数回以上重なった部分が描画結果と
なるようにすることである。
【0017】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図5は本発明を実施するための可変面積型
電子ビーム描画装置の一例を示している。1は電子ビー
ムEBを発生する電子銃であり、該電子銃1から発生し
た電子ビームEBは、照明レンズ2を介して第1成形ア
パーチャ3上に照射される。第1成形アパーチャの開口
像は、成形レンズ4により、第2成形アパーチャ6上に
結像されるが、その結像の位置は、成形偏向器5により
変えることができる。第2成形アパーチャ6により成形
された像は、縮小レンズ7、対物レンズ8を経て描画材
料10上に照射される。描画材料10への照射位置は、
位置決め偏向器9により変えることができる。
【0018】11はコンピュータであり、コンピュータ
11はパターンデータメモリー12からのパターンデー
タをデータ転送回路13に転送する。データ転送回路1
3からのパターンデータは、ショット分割器14に供給
されてショット分割される。ショット分割器14からの
描画データに応じた信号は、成形偏向器5を制御する偏
向制御回路15、位置決め偏向器9を制御する制御回路
16、電子銃1から発生した電子ビームのブランキング
を行うブランキング電極17を制御するブランキングコ
ントロール回路18に供給される。更に、コンピュータ
11は、材料のフィールド毎の移動のために、材料が載
せられたステージ19の駆動機構20を制御する。この
ような構成の動作を次に説明する。
【0019】パターンデータメモリ12に格納されたパ
ターンデータは、逐次読み出され、データ転送回路13
を経てショット分割器14に供給される。ショット分割
器14で分割されたデータに基づき、偏向制御回路15
は成形偏向器5を制御し、また、制御回路16は位置決
め偏向器9を制御する。
【0020】この結果、各分割されたパターンデータに
基づき、成形偏向器5により電子ビームの断面が単位パ
ターン形状に成形され、その単位パターンが順々に材料
上にショットされ、所望の形状のパターン描画が行われ
る。なお、この時、ブランキングコントロール回路18
からブランキング電極17へのブランキング信号によ
り、材料10への電子ビームのショットに同期して電子
ビームのブランキングが実行される。
【0021】ここで、パターンデータの内、台形パター
ンが読み出された場合、ショット分割器14は、パター
ンデータが台形であることを認識し、前記作用の項で説
明したショット分割を行う。すなわち、2つの斜辺の内
よりなだらかな斜辺を判断し、その斜辺に対してピッチ
pによる高さ方向の分割を行う。
【0022】この結果、各分割されたパターンデータに
基づき、成形偏向器5により電子ビームの断面が細長い
矩形状に成形され、成形された電子ビームが順々に材料
上にショットされ、所望の台形のパターン描画が行われ
る。なお、この時、ブランキングコントロール回路18
からブランキング電極17へのブランキング信号によ
り、材料10への電子ビームのショットに同期して電子
ビームのブランキングが実行される。この場合、重ね合
わせの回数が2であるならば、ショットされる電子ビー
ムのショット時間は材料10上に塗布されたレジストを
露光するに必要な時間の1/2となるよう、電子ビーム
のブランキングが行われる。すなわち、規定のドーズ量
の1/2の電子ビームにより描画が行われる。
【0023】上記した実施例で台形パターン描画のため
のショット分割は、ショット分割器14において実行さ
れた。このショット分割器14としてマイクロプロセッ
サを用い、ソフトウェアによりショット分割を行った。
図6は台形パターン描画のためのショット分割をハード
ウェアによって実行する実施例を示している。各端子a
〜hには、描画すべき台形パターンのデータが供給され
る。25,26は除算器であり、除算器25は端子cか
らのデータと、スイッチ27によって切り換えられる端
子dかeのデータとの除算を行い、除算器26は、スイ
ッチ28によって切り換えられる端子eとd、あるい
は、dとeからのデータの除算を行う。
【0024】29は比較器であり、端子dとeとのデー
タの比較を行い、その比較結果に基づいてスイッチ2
7,28,30の切り換えを行う。31と32は乗算器
であり、乗算器31は除算器25の出力と端子fのデー
タとの乗算を行い、乗算器32は乗算器26と端子fの
データとの乗算を行う。33も乗算器であり、乗算器3
3は端子bからのデータと乗算器31の出力との乗算を
行う。34は減算器であり、端子aからのデータと乗算
器33の出力との減算を行う。35は加算器、36は加
算器35の出力を積算する積算器であり、加算器35は
積算器36の出力と乗算器31の出力との加算を行う。
37は加算器、38は加算器37の出力を積算する積算
器であり、加算器37は積算器38の出力と乗算器32
の出力との加算を行う。
【0025】39は加算器であり、減算器34の出力と
積算器36の出力との加算を行い、その出力を端子oに
供給する。40は乗算器であり、乗算器33の出力を2
倍し、その出力を端子pに供給する。41は加減算器で
あり、スイッチ30で切り換えられる端子fか積算器3
8のいずれかの信号と端子gからの信号との加減算を行
い、その出力を端子qに供給する。42は加減算器であ
り、積算器38の出力と端子hからの信号との加減算を
行う。43も加減算器であり、端子fの出力と加減算器
42の出力との加減算を行い、その出力を端子rに供給
する。このような構成の動作を次に説明する。
【0026】端子a〜hには、描画すべき台形パターン
の各データが供給される。図7(a)は描画すべき台形
パターンQを示しており、X,Yは台形パターンPの座
標位置、Lは上辺の長さ、Hは台形の高さ、Dは斜辺
側の上辺と下辺(底辺)との差分であり、Dは斜
辺C側の上辺と下辺との差分を示している。また、図
7(b)は、図7(a)の描画すべき台形パターンQ
(実線)に対して、図6の実施例によりショット分割さ
れた細長い矩形の電子ビーム(点線)を示している。
【0027】まず、端子cには台形の高さHのデータが
供給され、端子dとeにはそれぞれDとDのデータ
が供給される。比較器29は端子dとeからのDとD
との大きさを比較し、その比較結果に基づいてスイッ
チ27,28,30を制御する。例えば、図6のケース
のように、D>Dの場合、スイッチ27により端子
eからのDの信号が除算器25に供給され、c端子か
らのHの信号との除算(H/D)が行われる。また、
スイッチ28は端子dからのDの信号を選択し、除算
器26に供給する。除算器26は、D/Dを演算す
る。除算器25の出力は、乗算器31で端子fからのp
の信号との乗算を行う。この乗算結果は、(H/D
・pであるが、この値はショット分割される細長い電子
ビームの高さKの値となる。また、除算器26の出力は
乗算器32で端子fからのpの信号との乗算が行われ
る。この乗算結果は(D/D)・pである。
【0028】乗算器31の出力は乗算器33において端
子bからの重ね回数/2の信号と乗算される。乗算器3
3の出力は、更に乗算器40において2倍され、端子p
に供給される。この端子pに供給された信号が材料に投
射される細長い電子ビームの高さの値Kである。乗算器
31の出力信号は、加算器35を介して除算器36に供
給される。加算器35は乗算器31の出力と積算器36
の出力との加算を行う。積算器36の出力は加算器39
に供給され、減算器34の減算結果との加算が行われ
る。
【0029】減算器34は、端子aからの台形パターン
のY座標値と、ピッチpの高さ方向の値Kと重ね回数/
2の減算を行う。この減算結果は台形パターンのY座標
値を細長い電子ビームの高さの半分だけずらした値とな
る。最初の細長い電子ビームのY座標値Y(1)はこの
値が用いられる。その後、2番目以降の電子ビームのY
座標値は、減算器34の出力と積算器36からの電子ビ
ームの高さを積算した出力とを加算器39によって加算
することによって得られる。加算器39の出力は端子o
に供給され、各細長い電子ビームのY座標値として用い
られる。
【0030】端子qには、ショット分割された細長い電
子ビームのX座標値X(n)が得られる。すなわち、端
子gからの台形パターンQのX座標値Xは、加減算器4
1で、スイッチ30によって切り換えられる端子fから
の信号か積算器38の出力との加減算が行われる。加減
算器41の出力がX座標値X(n)として端子qに供給
される。図7(a)の台形パターンQは、上辺に対して
下辺が長いので、加減算器41では、加算が行われる。
【0031】また、端子rには、ショット分割される電
子ビームの長さW(n)が得られる。すなわち、図7
(a)の台形パターンQの場合、加減算器42では、上
辺の長さLと積算器38の出力との加算が行われ、加減
算器43では、端子fからの信号と加減算器42の出力
との加算が行われる。すなわち、台形パターンQの上辺
の長さLに対して、pの長さと、斜辺C,Cの傾き
角に応じて加算処理が行われ、ショットされる電子ビー
ムの長さW(n)が計算されて端子rに出力される。
【0032】なお、描画すべき台形パターンの上辺が下
辺に対して長い場合には、加減算器41,42,43で
は減算が行われる。また、D>Dの場合には、スイ
ッチ27により除算器25は端子cと端子eのデータの
除算を行い、除算器26は、端子dと端子eのデータの
除算を行い、加減算器41は、積算器38の出力と端子
gからのデータとの加減算を実行する。
【0033】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
はこの実施例に限定されない。例えば、可変面積型の電
子ビーム描画装置を例に説明したが、イオンビーム描画
装置にも本発明を用いることができる。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく台
形パターン描画方法は、台形の斜辺のうち、なだらかな
斜辺で描画精度が悪くなる点に着目し、斜辺の角度に応
じて細長い矩形電子ビームの高さを変化させるようにし
たので、どのような台形パターンであっても、高い精度
で高速に描画を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】台形パターンの描画の様子を示す図である。
【図2】台形パターンの描画の様子を示す図である。
【図3】従来の台形パターン描画の欠点を説明するため
の図である。
【図4】本発明の作用を説明するための図である。
【図5】本発明に基づく方法を実施するための電子ビー
ム描画システムの一例を示す図である。
【図6】台形パターン描画のためのショット分割をハー
ドウェアを用いて行う実施例を示す図である。
【図7】図6の実施例の動作を説明するために用いる図
である。
【符号の説明】
1 電子銃 2 照明レンズ 3,6 成形アパーチャ 4 成形レンズ 5,9 偏向器 7 縮小レンズ 8 対物レンズ 10 材料 11 コンピュータ 12 メモリ 13 データ転送回路 14 ショット分割器 15 成形偏向器制御回路 16 位置決め偏向器制御回路 17 ブランキング電極 18 ブランキングコントロール回路 19 ステージ 20 駆動機構

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1のアパーチャの開口像を第2のアパ
    ーチャ上に結像し、第2のアパーチャの開口を透過した
    細長い矩形断面の荷電粒子ビームを被描画材料上に投射
    すると共に、細長い矩形断面の荷電粒子ビームの長さを
    変えながら荷電粒子ビームの投射位置を移動させ、台形
    パターンの描画を行う台形パターン描画方法において、
    台形の2つの斜辺の内、よりなだらかな斜辺の、台形の
    平行な辺に対する角度に応じて、細長い矩形断面の高さ
    を決めるようにした台形パターン描画方法。
JP8057593A 1993-04-07 1993-04-07 台形パターン描画方法 Withdrawn JPH06295857A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012089693A (ja) * 2010-10-20 2012-05-10 Nuflare Technology Inc 描画データの製造方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012089693A (ja) * 2010-10-20 2012-05-10 Nuflare Technology Inc 描画データの製造方法

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