JPH06295793A - 高比抵抗液体の静電気除去方法及び装置 - Google Patents
高比抵抗液体の静電気除去方法及び装置Info
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- JPH06295793A JPH06295793A JP5107642A JP10764293A JPH06295793A JP H06295793 A JPH06295793 A JP H06295793A JP 5107642 A JP5107642 A JP 5107642A JP 10764293 A JP10764293 A JP 10764293A JP H06295793 A JPH06295793 A JP H06295793A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高純度化した高比抵抗液体が酸性を呈した
り、汚染すること無く、被処理部材に静電気が乗らない
高比抵抗液体の静電気除去方法および静電気除去装置を
提供する。 【構成】 高比抵抗液体に接液している導電体からなる
部材の表面に、トンネル電流が通過する膜厚の絶縁層を
有している。
り、汚染すること無く、被処理部材に静電気が乗らない
高比抵抗液体の静電気除去方法および静電気除去装置を
提供する。 【構成】 高比抵抗液体に接液している導電体からなる
部材の表面に、トンネル電流が通過する膜厚の絶縁層を
有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置や液晶装置
等の、静電気に対する耐性が弱い素子の製造工程等で用
いられる純水をはじめとした高比抵抗液体の静電気除去
方法および、それを効果的に実施するための静電気除去
装置に関する。
等の、静電気に対する耐性が弱い素子の製造工程等で用
いられる純水をはじめとした高比抵抗液体の静電気除去
方法および、それを効果的に実施するための静電気除去
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置や液晶装置等を製造す
る際に使用されている、純水をはじめとした高比抵抗液
体の純度は非常に向上しており、純水では理論限界であ
る１８．２５ＭΩ- ｃｍ（２５℃）に近い比抵抗が得ら
れている。これは試薬等の純度が向上しているととも
に、純水製造供給装置の性能が向上し、配管等の構成材
料からの不純物の溶出が非常に減少しているためであ
る。この結果、純水をはじめとした高比抵抗液体は静電
気を帯び易くなっている。例えば、比抵抗が１８．２４
ＭΩ- ｃｍ（２５℃）程度の高純度の純水は、通常テフ
ロン系の配管から流れ出る際には、１０００Ｖ程度に帯
電している。このように高い電位の純水は半導体装置や
液晶装置の一部であるトランジスターの特性に悪影響を
及ぼすことがある。
る際に使用されている、純水をはじめとした高比抵抗液
体の純度は非常に向上しており、純水では理論限界であ
る１８．２５ＭΩ- ｃｍ（２５℃）に近い比抵抗が得ら
れている。これは試薬等の純度が向上しているととも
に、純水製造供給装置の性能が向上し、配管等の構成材
料からの不純物の溶出が非常に減少しているためであ
る。この結果、純水をはじめとした高比抵抗液体は静電
気を帯び易くなっている。例えば、比抵抗が１８．２４
ＭΩ- ｃｍ（２５℃）程度の高純度の純水は、通常テフ
ロン系の配管から流れ出る際には、１０００Ｖ程度に帯
電している。このように高い電位の純水は半導体装置や
液晶装置の一部であるトランジスターの特性に悪影響を
及ぼすことがある。
【０００３】このため、従来は、図８または図９に示し
たように、高純度化した高比抵抗液体中に炭酸ガスを溶
解し、比抵抗を低下させる方法及び装置が用いられてい
た。図８は従来より用いられている、気体透過膜１１を
介して高比抵抗液体中に、炭酸ガスを溶解するための装
置の断面略図であり、図９は高比抵抗液体中に炭酸ガス
をバブリングするための装置の断面略図である。
たように、高純度化した高比抵抗液体中に炭酸ガスを溶
解し、比抵抗を低下させる方法及び装置が用いられてい
た。図８は従来より用いられている、気体透過膜１１を
介して高比抵抗液体中に、炭酸ガスを溶解するための装
置の断面略図であり、図９は高比抵抗液体中に炭酸ガス
をバブリングするための装置の断面略図である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の方法及び装置にあっては、炭酸ガスの溶解時
に不純物が混入し、せっかく高純度化した高比抵抗液体
を汚染することがあった。また、炭酸塩が残留したり、
溶解した炭酸ガスのために高比抵抗液体が酸性を呈する
ため、半導体装置や液晶装置に悪影響を与えることがあ
った。また、高比抵抗液体に溶解した炭酸ガスが温度変
化・圧力変化により、配管中でガス化し送液できなくな
るという問題があった。また、高比抵抗液体として純水
を用いた場合には、バクテリアが繁殖しやすく、さら
に、温度・圧力により、溶解する炭酸ガス量が変化し、
制御性が悪いという問題があった。本発明は、従来技術
の上記問題点に解決を与える為になされたものである。
うな従来の方法及び装置にあっては、炭酸ガスの溶解時
に不純物が混入し、せっかく高純度化した高比抵抗液体
を汚染することがあった。また、炭酸塩が残留したり、
溶解した炭酸ガスのために高比抵抗液体が酸性を呈する
ため、半導体装置や液晶装置に悪影響を与えることがあ
った。また、高比抵抗液体に溶解した炭酸ガスが温度変
化・圧力変化により、配管中でガス化し送液できなくな
るという問題があった。また、高比抵抗液体として純水
を用いた場合には、バクテリアが繁殖しやすく、さら
に、温度・圧力により、溶解する炭酸ガス量が変化し、
制御性が悪いという問題があった。本発明は、従来技術
の上記問題点に解決を与える為になされたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の高比抵抗
液体の静電気除去方法は、高比抵抗液体に接液している
導電体からなる部材が、特定電位に保持されていること
を特徴とするものである。請求項２記載の高比抵抗液体
の静電気除去方法は、請求項１記載の前記部材の表面
に、トンネル電流が通過する膜厚の絶縁層を有している
ことを特徴とするものである。請求項３記載の高比抵抗
液体の静電気除去方法は、請求項２記載の前記絶縁層が
クロム酸化物からなる不動態であり、導電体はステンレ
ス鋼であることを特徴とするものである。請求項４記載
の高比抵抗液体の静電気除去方法は、請求項１ないし請
求項３記載の前記高比抵抗液体が純水であることを特徴
とするものである。
液体の静電気除去方法は、高比抵抗液体に接液している
導電体からなる部材が、特定電位に保持されていること
を特徴とするものである。請求項２記載の高比抵抗液体
の静電気除去方法は、請求項１記載の前記部材の表面
に、トンネル電流が通過する膜厚の絶縁層を有している
ことを特徴とするものである。請求項３記載の高比抵抗
液体の静電気除去方法は、請求項２記載の前記絶縁層が
クロム酸化物からなる不動態であり、導電体はステンレ
ス鋼であることを特徴とするものである。請求項４記載
の高比抵抗液体の静電気除去方法は、請求項１ないし請
求項３記載の前記高比抵抗液体が純水であることを特徴
とするものである。
【０００６】請求項５記載の高比抵抗液体の静電気除去
装置は、導電体からなる部材と、前記部材を特定電位に
保持する手段と、前記部材が高比抵抗液体に接液するよ
う配置する手段とを有することを特徴とするものであ
る。請求項６記載の高比抵抗液体の静電気除去装置は、
請求項５記載の前記導電体からなる部材の表面に、トン
ネル電流が通過する膜厚の絶縁層を有していることを特
徴とするものである。請求項７記載の高比抵抗液体の静
電気除去装置は、請求項６記載の前記絶縁層がクロム酸
化物からなる不動態であり、導電体はステンレス鋼であ
ることを特徴とするものである。請求項８記載の高比抵
抗液体の静電気除去装置は、請求項５ないし請求項７記
載の前記高比抵抗液体が純水であることを特徴とするも
のである。
装置は、導電体からなる部材と、前記部材を特定電位に
保持する手段と、前記部材が高比抵抗液体に接液するよ
う配置する手段とを有することを特徴とするものであ
る。請求項６記載の高比抵抗液体の静電気除去装置は、
請求項５記載の前記導電体からなる部材の表面に、トン
ネル電流が通過する膜厚の絶縁層を有していることを特
徴とするものである。請求項７記載の高比抵抗液体の静
電気除去装置は、請求項６記載の前記絶縁層がクロム酸
化物からなる不動態であり、導電体はステンレス鋼であ
ることを特徴とするものである。請求項８記載の高比抵
抗液体の静電気除去装置は、請求項５ないし請求項７記
載の前記高比抵抗液体が純水であることを特徴とするも
のである。
【０００７】
【作用】上記技術的手段は次のように作用する。請求項
１記載の高比抵抗液体の静電気除去方法では、高比抵抗
液体に接液している導電体からなる部材が、特定電位に
保持されているため、高比抵抗液体に生じる静電気は、
前記導電体からなる部材を通して、前記特定電位に制限
される。この結果、実際に使用する時点では、高比抵抗
液体は静電荷を持たなくなり、半導体装置や液晶装置等
の、静電気に対する耐性が弱い素子の製造工程等で、こ
の高比抵抗液体を用いても、これらに悪影響を与えるこ
とがなくなる。
１記載の高比抵抗液体の静電気除去方法では、高比抵抗
液体に接液している導電体からなる部材が、特定電位に
保持されているため、高比抵抗液体に生じる静電気は、
前記導電体からなる部材を通して、前記特定電位に制限
される。この結果、実際に使用する時点では、高比抵抗
液体は静電荷を持たなくなり、半導体装置や液晶装置等
の、静電気に対する耐性が弱い素子の製造工程等で、こ
の高比抵抗液体を用いても、これらに悪影響を与えるこ
とがなくなる。
【０００８】請求項２記載の高比抵抗液体の静電気除去
方法では、請求項１記載の前記部材の表面に、トンネル
電流が通過する膜厚の絶縁層を有しているため、高比抵
抗液体を特定電位に保持できるとともに、高比抵抗液体
中に金属イオンが溶出する可能性がなくなる。
方法では、請求項１記載の前記部材の表面に、トンネル
電流が通過する膜厚の絶縁層を有しているため、高比抵
抗液体を特定電位に保持できるとともに、高比抵抗液体
中に金属イオンが溶出する可能性がなくなる。
【０００９】請求項３記載の高比抵抗液体の静電気除去
方法では、請求項２記載の前記絶縁層がクロム酸化物か
らなる不動態であり、導電体はステンレス鋼であるため
に、このステンレス鋼製の部材の表面には、トンネル電
流が通過する膜厚の絶縁層を確実に形成することができ
る。この結果、本請求項３記載の発明では、前記請求項
２記載の発明により得られる作用が、確実に得られる。
方法では、請求項２記載の前記絶縁層がクロム酸化物か
らなる不動態であり、導電体はステンレス鋼であるため
に、このステンレス鋼製の部材の表面には、トンネル電
流が通過する膜厚の絶縁層を確実に形成することができ
る。この結果、本請求項３記載の発明では、前記請求項
２記載の発明により得られる作用が、確実に得られる。
【００１０】請求項４記載の高比抵抗液体の静電気除去
方法では、請求項１ないし請求項３記載の前記高比抵抗
液体が純水であるために、半導体装置や液晶装置等の素
子の製造工程で頻繁に行われる、純水洗浄工程に本発明
を適用でき、前記請求項１ないし請求項３記載の発明に
より得られる作用が同様に得られる。
方法では、請求項１ないし請求項３記載の前記高比抵抗
液体が純水であるために、半導体装置や液晶装置等の素
子の製造工程で頻繁に行われる、純水洗浄工程に本発明
を適用でき、前記請求項１ないし請求項３記載の発明に
より得られる作用が同様に得られる。
【００１１】請求項５記載の高比抵抗液体の静電気除去
装置を用いることにより、請求項１記載の静電気除去方
法を確実に実施することが可能となる。請求項６記載の
高比抵抗液体の静電気除去装置を用いることにより、請
求項２記載の静電気除去方法を確実に実施することが可
能となる。請求項７記載の高比抵抗液体の静電気除去装
置を用いることにより、請求項３記載の静電気除去方法
を確実に実施することが可能となる。請求項８記載の高
比抵抗液体の静電気除去装置を用いることにより、請求
項４記載の静電気除去方法を確実に実施することが可能
となる。
装置を用いることにより、請求項１記載の静電気除去方
法を確実に実施することが可能となる。請求項６記載の
高比抵抗液体の静電気除去装置を用いることにより、請
求項２記載の静電気除去方法を確実に実施することが可
能となる。請求項７記載の高比抵抗液体の静電気除去装
置を用いることにより、請求項３記載の静電気除去方法
を確実に実施することが可能となる。請求項８記載の高
比抵抗液体の静電気除去装置を用いることにより、請求
項４記載の静電気除去方法を確実に実施することが可能
となる。
【００１２】
【実施例】以下図面を用いて、本発明の実施例を説明す
る。 （実施例１）比抵抗が１８．２４ＭΩ- ｃｍ（２５℃）
の純水を、テフロン製で管の呼び径１／８”の配管を通
して毎秒２０ｃｃで送水し、図１に示す静電気除去装置
の端部から、半導体装置を構成する被処理部材１１に振
りかけた。ここで、図１中符号１は高比抵抗液体である
純水、符号３は導電体であるＳＵＳ３１６製の呼び径１
／８”の管状の部材、符号４は絶縁物である上記テフロ
ン製の樹脂配管であり、符号１０は導電線５を介して導
電体からなる部材３を特定電位に保持するための電源で
ある。
る。 （実施例１）比抵抗が１８．２４ＭΩ- ｃｍ（２５℃）
の純水を、テフロン製で管の呼び径１／８”の配管を通
して毎秒２０ｃｃで送水し、図１に示す静電気除去装置
の端部から、半導体装置を構成する被処理部材１１に振
りかけた。ここで、図１中符号１は高比抵抗液体である
純水、符号３は導電体であるＳＵＳ３１６製の呼び径１
／８”の管状の部材、符号４は絶縁物である上記テフロ
ン製の樹脂配管であり、符号１０は導電線５を介して導
電体からなる部材３を特定電位に保持するための電源で
ある。
【００１３】このときに、電源１０を用いて、導電体か
らなる部材３に印加する配管印加電位と、純水１が振り
かけられた被処理部材１１に発生する静電気に起因する
表面電位との関係を図１０に示した。この図から、被処
理部材１１の表面電位をほぼ０ボルトとするためには、
導電体からなる部材３に、特定電位として約１００ボル
トを印加するのが適当であることが分かる。この、被処
理部材１１の表面電位を０ボルトとするための、導電体
からなる部材３の特定電位は、使用する液体・流速等の
条件で変化する。また、極性も逆転することがある。こ
の特定電位は、被処理部材１１の表面電位を測定するこ
とにより、容易に最適化が可能であり、本実施例の構成
は、広い範囲の高比抵抗液体の、各種送液条件に於て適
用可能である。例えば、純水を用いて流量を１０倍にす
ると、被処理部材１１の表面電位をほぼ０ボルトとする
ための導電体からなる部材３の特定電位は、約９０ボル
トであった。
らなる部材３に印加する配管印加電位と、純水１が振り
かけられた被処理部材１１に発生する静電気に起因する
表面電位との関係を図１０に示した。この図から、被処
理部材１１の表面電位をほぼ０ボルトとするためには、
導電体からなる部材３に、特定電位として約１００ボル
トを印加するのが適当であることが分かる。この、被処
理部材１１の表面電位を０ボルトとするための、導電体
からなる部材３の特定電位は、使用する液体・流速等の
条件で変化する。また、極性も逆転することがある。こ
の特定電位は、被処理部材１１の表面電位を測定するこ
とにより、容易に最適化が可能であり、本実施例の構成
は、広い範囲の高比抵抗液体の、各種送液条件に於て適
用可能である。例えば、純水を用いて流量を１０倍にす
ると、被処理部材１１の表面電位をほぼ０ボルトとする
ための導電体からなる部材３の特定電位は、約９０ボル
トであった。
【００１４】また、高比抵抗液体として、比抵抗が１７
ＭΩ- ｃｍのＤＭＦ（ヂメチルホルムアミド）を用いた
場合の特定電位は、−２００ボルトから２００ボルトが
適していた。このように、本構成の静電気除去装置を用
いると、純水は勿論各種の高比抵抗液体の静電気除去を
効果的に実施することが可能となる。
ＭΩ- ｃｍのＤＭＦ（ヂメチルホルムアミド）を用いた
場合の特定電位は、−２００ボルトから２００ボルトが
適していた。このように、本構成の静電気除去装置を用
いると、純水は勿論各種の高比抵抗液体の静電気除去を
効果的に実施することが可能となる。
【００１５】（実施例２）本実施例が前記実施例１と異
なる点は、導電体からなる部材３の材質が鉄の表面にニ
ッケルメッキを施したものであることである。本実施例
でも、被洗浄物１１の表面電位をほぼ０ボルトとするこ
とができ、そのための導電体からなる部材３の特定電位
は、前記実施例１と同様であった。
なる点は、導電体からなる部材３の材質が鉄の表面にニ
ッケルメッキを施したものであることである。本実施例
でも、被洗浄物１１の表面電位をほぼ０ボルトとするこ
とができ、そのための導電体からなる部材３の特定電位
は、前記実施例１と同様であった。
【００１６】（実施例３）本実施例が前記実施例１と異
なる点は、図２に示したように、導電体からなる部材３
が、クロムの含有量１６．０％〜１９．０％のステンレ
ス鋼を用いたものであり、その表面に酸化クロムの不動
態からなる絶縁層２を有することである。
なる点は、図２に示したように、導電体からなる部材３
が、クロムの含有量１６．０％〜１９．０％のステンレ
ス鋼を用いたものであり、その表面に酸化クロムの不動
態からなる絶縁層２を有することである。
【００１７】本実施例で、酸化クロム不動態層は、以下
の手順で形成した。クロムの含有量１６．０％〜１９．
０％のステンレス鋼を用い、まず管内部表面を研磨法に
よりスモールグレーン（数ｎｍ）を形成した。この表面
を弱酸性雰囲気（アルゴン＋Ｈ2 Ｏ１０ｐｐｍ＋Ｈ2 １
０％）にて、５００℃で熱処理した。酸化クロムの膜厚
は図１１に示すように熱処理の時間でコントロールで
き、図１１より、３０分の熱処理で１０ｎｍのＣｒＯ2
を形成出来る。また、Ｈ2 Ｏ濃度と酸化クロムの膜厚と
の関係を図１４に示した。なお、この時のＨ2 添加量は
１０％，処理温度は５００℃，処理時間は６０分間であ
る。この図より、Ｈ2 Ｏ濃度は約１０ｐｐｍ以上で有れ
ば良いことが分かる。さらに、処理温度と酸化クロムの
膜厚との関係を図１５に示した。なお、この時のＨ2 添
加量は１０％，Ｈ2 Ｏ濃度は約１０ｐｐｍ，処理時間は
６０分間である。この図より、処理温度を上げると酸化
クロムの膜厚が厚くなることが分かり、酸化クロムの膜
厚を任意に制御可能であることが分かる。本実施例で用
いる絶縁層の酸化クロムの厚さは、２ｎｍ〜２０ｎｍが
適しており、さらにで好ましくは２ｎｍ〜１０ｎｍであ
り、導電体のステンレス鋼のクロムの含有量は１６％以
上が適しており、さらに好ましくは１８％以上であり、
これにより、導電体からなる部材３の表面に、トンネル
電流が通過する膜厚の絶縁層を確実に形成することが可
能となる。
の手順で形成した。クロムの含有量１６．０％〜１９．
０％のステンレス鋼を用い、まず管内部表面を研磨法に
よりスモールグレーン（数ｎｍ）を形成した。この表面
を弱酸性雰囲気（アルゴン＋Ｈ2 Ｏ１０ｐｐｍ＋Ｈ2 １
０％）にて、５００℃で熱処理した。酸化クロムの膜厚
は図１１に示すように熱処理の時間でコントロールで
き、図１１より、３０分の熱処理で１０ｎｍのＣｒＯ2
を形成出来る。また、Ｈ2 Ｏ濃度と酸化クロムの膜厚と
の関係を図１４に示した。なお、この時のＨ2 添加量は
１０％，処理温度は５００℃，処理時間は６０分間であ
る。この図より、Ｈ2 Ｏ濃度は約１０ｐｐｍ以上で有れ
ば良いことが分かる。さらに、処理温度と酸化クロムの
膜厚との関係を図１５に示した。なお、この時のＨ2 添
加量は１０％，Ｈ2 Ｏ濃度は約１０ｐｐｍ，処理時間は
６０分間である。この図より、処理温度を上げると酸化
クロムの膜厚が厚くなることが分かり、酸化クロムの膜
厚を任意に制御可能であることが分かる。本実施例で用
いる絶縁層の酸化クロムの厚さは、２ｎｍ〜２０ｎｍが
適しており、さらにで好ましくは２ｎｍ〜１０ｎｍであ
り、導電体のステンレス鋼のクロムの含有量は１６％以
上が適しており、さらに好ましくは１８％以上であり、
これにより、導電体からなる部材３の表面に、トンネル
電流が通過する膜厚の絶縁層を確実に形成することが可
能となる。
【００１８】本実施例でも、被洗浄物１１の表面電位を
ほぼ０ボルトとすることができ、そのための導電体から
なる部材３の特定電位は、前記実施例１と同様であっ
た。さらに、本実施例によれば、高比抵抗液体を特定電
位に保持できるとともに、高比抵抗液体中に金属イオン
が溶出する可能性がなくなる。この結果、高純度化した
高比抵抗液体を汚染する可能性がなくなる。
ほぼ０ボルトとすることができ、そのための導電体から
なる部材３の特定電位は、前記実施例１と同様であっ
た。さらに、本実施例によれば、高比抵抗液体を特定電
位に保持できるとともに、高比抵抗液体中に金属イオン
が溶出する可能性がなくなる。この結果、高純度化した
高比抵抗液体を汚染する可能性がなくなる。
【００１９】（実施例４）本実施例が前記実施例１と異
なる点は、図３に示したように導電体からなる部材３と
電源１０との間に電位制御部９１を配しているものであ
ることである。この電位制御部９１では、高比抵抗液体
１の送液条件に関わらず導電体からなる部材３の電位を
特定電位に保持するように電源１０の発生電位を制御す
る働きをする。このため、本実施例の構成によれば、高
比抵抗液体１の送液条件が変化しても、適宜導電体から
なる部材３の電位を制御することが可能となり、常に被
処理部材の表面電位を、ほぼ０ボルトに保持することが
可能となる。
なる点は、図３に示したように導電体からなる部材３と
電源１０との間に電位制御部９１を配しているものであ
ることである。この電位制御部９１では、高比抵抗液体
１の送液条件に関わらず導電体からなる部材３の電位を
特定電位に保持するように電源１０の発生電位を制御す
る働きをする。このため、本実施例の構成によれば、高
比抵抗液体１の送液条件が変化しても、適宜導電体から
なる部材３の電位を制御することが可能となり、常に被
処理部材の表面電位を、ほぼ０ボルトに保持することが
可能となる。
【００２０】（実施例５）本実施例が前記実施例１と異
なる点は、図４に示したように高比抵抗液体１を被処理
部材１１に、噴流状に振りかけたものであることであ
る。噴流圧は１．７ｋｇｆ／ｃｍ2 とした。このとき
の、ノズル９に印加する印加電位と被処理部材１１の表
面電位との関係を図１１に示した。この図から、被処理
部材１１の表面電位をほぼ０ボルトとするためには、導
電体からなる部材３に、特定電位として約−３０００ボ
ルトを印加するのが適当であることが分かる。この、被
処理部材１１の表面電位を０ボルトとするための、導電
体からなる部材３の特定電位は、前記実施例１と同様、
被処理部材１１の表面電位を測定することにより、容易
に最適化が可能であり、本実施例の構成は、広い範囲の
高比抵抗液体の、各種送液条件に於て適用可能である。
なる点は、図４に示したように高比抵抗液体１を被処理
部材１１に、噴流状に振りかけたものであることであ
る。噴流圧は１．７ｋｇｆ／ｃｍ2 とした。このとき
の、ノズル９に印加する印加電位と被処理部材１１の表
面電位との関係を図１１に示した。この図から、被処理
部材１１の表面電位をほぼ０ボルトとするためには、導
電体からなる部材３に、特定電位として約−３０００ボ
ルトを印加するのが適当であることが分かる。この、被
処理部材１１の表面電位を０ボルトとするための、導電
体からなる部材３の特定電位は、前記実施例１と同様、
被処理部材１１の表面電位を測定することにより、容易
に最適化が可能であり、本実施例の構成は、広い範囲の
高比抵抗液体の、各種送液条件に於て適用可能である。
【００２１】（実施例６）比抵抗が１８．２４ＭΩ- ｃ
ｍ（２５℃）の純水を用いて、被処理部材を洗浄する場
合の実施例を図５を用いて説明する。図５で符号１は高
比抵抗液体である純水、符号３は導電体であるＳＵＳ３
１６製の部材、符号６は絶縁物であるテフロン製の処理
容器であり、符号７は高比抵抗液体供給配管、符号１０
は導電線５を介して導電体からなる部材３を特定電位に
保持するための電源である。また、符号１１は被処理部
材である。
ｍ（２５℃）の純水を用いて、被処理部材を洗浄する場
合の実施例を図５を用いて説明する。図５で符号１は高
比抵抗液体である純水、符号３は導電体であるＳＵＳ３
１６製の部材、符号６は絶縁物であるテフロン製の処理
容器であり、符号７は高比抵抗液体供給配管、符号１０
は導電線５を介して導電体からなる部材３を特定電位に
保持するための電源である。また、符号１１は被処理部
材である。
【００２２】本実施例でも、被洗浄物１１の表面電位を
ほぼ０ボルトとすることができ、そのための導電体から
なる部材３の特定電位は、前記実施例１と同様であっ
た。本実施例でも、前記実施例３と同様に、導電体から
なる部材３としてステンレス鋼を用い、その表面に酸化
クロムの不動態からなる絶縁層を形成すれば、前記実施
例３と同様に、高比抵抗液体を特定電位に保持できると
ともに、高比抵抗液体中に金属イオンが溶出する可能性
がなくなる。この結果、高純度化した高比抵抗液体を汚
染する可能性がなくなる。
ほぼ０ボルトとすることができ、そのための導電体から
なる部材３の特定電位は、前記実施例１と同様であっ
た。本実施例でも、前記実施例３と同様に、導電体から
なる部材３としてステンレス鋼を用い、その表面に酸化
クロムの不動態からなる絶縁層を形成すれば、前記実施
例３と同様に、高比抵抗液体を特定電位に保持できると
ともに、高比抵抗液体中に金属イオンが溶出する可能性
がなくなる。この結果、高純度化した高比抵抗液体を汚
染する可能性がなくなる。
【００２３】（実施例７）本実施例が前記実施例６と異
なる点は、図６に示したように高比抵抗液体１を流しな
がら被処理部材１１を浸漬洗浄し、導電体からなる部材
３を液流のオーバーフロー部に配置した点と、この導電
体からなる部材３を銅製とした点である。本実施例で
も、被洗浄物１１の表面電位をほぼ０ボルトとすること
ができ、そのための導電体からなる部材３の特定電位
は、前記実施例１と同様であった。また、本実施例の構
成によれば、導電体からなる部材３を、被処理部材１１
よりも液流の下流側に配置したため、導電体からなる部
材３から金属イオンが高比抵抗液体１中に溶出したとし
ても、被処理部材１１を汚染することが無い。
なる点は、図６に示したように高比抵抗液体１を流しな
がら被処理部材１１を浸漬洗浄し、導電体からなる部材
３を液流のオーバーフロー部に配置した点と、この導電
体からなる部材３を銅製とした点である。本実施例で
も、被洗浄物１１の表面電位をほぼ０ボルトとすること
ができ、そのための導電体からなる部材３の特定電位
は、前記実施例１と同様であった。また、本実施例の構
成によれば、導電体からなる部材３を、被処理部材１１
よりも液流の下流側に配置したため、導電体からなる部
材３から金属イオンが高比抵抗液体１中に溶出したとし
ても、被処理部材１１を汚染することが無い。
【００２４】（実施例８）本実施例が前記実施例５と異
なる点は、図７に示したように高比抵抗液体１を送液す
るに際し、樹脂配管４の付け根の導電体からなる部材６
１を電気的に接地し、高比抵抗液体１を振りかける端部
の導電体からなる部材３には直接電荷を印加する事なく
フローティング状態としながら、この端部の導電体から
なる部材３を特定電位に保持している点である。本構成
によると、高比抵抗液体１が通過する樹脂配管４の長さ
（図７中のＬ１＋Ｌ２）を最適化する事により、前記端
部の導電体からなる部材３を特定電位とする事が可能と
なり、被処理部材１１の表面電位をほぼ０ボルトとする
事が可能となる。この構成で、樹脂配管４の長さと被処
理部材１１の表面電位との関係を図１３に示した。
なる点は、図７に示したように高比抵抗液体１を送液す
るに際し、樹脂配管４の付け根の導電体からなる部材６
１を電気的に接地し、高比抵抗液体１を振りかける端部
の導電体からなる部材３には直接電荷を印加する事なく
フローティング状態としながら、この端部の導電体から
なる部材３を特定電位に保持している点である。本構成
によると、高比抵抗液体１が通過する樹脂配管４の長さ
（図７中のＬ１＋Ｌ２）を最適化する事により、前記端
部の導電体からなる部材３を特定電位とする事が可能と
なり、被処理部材１１の表面電位をほぼ０ボルトとする
事が可能となる。この構成で、樹脂配管４の長さと被処
理部材１１の表面電位との関係を図１３に示した。
【００２５】この結果、高比抵抗液体１として比抵抗が
１８．２４ＭΩ- ｃｍ（２５℃）の純水を用いて、樹脂
配管４の内径を１／８インチとした場合には、樹脂配管
４の長さ（Ｌ１＋Ｌ２）を約２５ｃｍとすると、端部の
導電体からなる部材３が最適な特定電位となり、被洗浄
物１１の表面電位をほぼ０ボルトとすることができるこ
とがわかる。この最適な樹脂配管４の長さは、前記実施
例１と同様種々の送液条件により異なる。このため、本
実施例では樹脂配管４の付け根の導電体からなる部材６
１を電気的に接地したが、この部分の電位を特別に設定
し、結果として端部の導電体からなる部材３を最適な特
定電位としてもかまわない。
１８．２４ＭΩ- ｃｍ（２５℃）の純水を用いて、樹脂
配管４の内径を１／８インチとした場合には、樹脂配管
４の長さ（Ｌ１＋Ｌ２）を約２５ｃｍとすると、端部の
導電体からなる部材３が最適な特定電位となり、被洗浄
物１１の表面電位をほぼ０ボルトとすることができるこ
とがわかる。この最適な樹脂配管４の長さは、前記実施
例１と同様種々の送液条件により異なる。このため、本
実施例では樹脂配管４の付け根の導電体からなる部材６
１を電気的に接地したが、この部分の電位を特別に設定
し、結果として端部の導電体からなる部材３を最適な特
定電位としてもかまわない。
【００２６】
【発明の効果】以上説明してきたように、請求項１記載
の発明によれば、被処理部材は静電気に起因する表面電
荷を持たなくなり、せっかく高純度化した高比抵抗液体
に不純物を混入することなく、安全に半導体装置や液晶
装置等の、静電気に対する耐性が弱い素子の製造工程等
で使用することが可能となる。さらに、炭酸塩が残留し
たり、溶解した炭酸ガスのために高比抵抗液体が酸性を
呈することもないため、半導体装置や液晶装置に悪影響
を与えることがない。また、高比抵抗液体に溶解した炭
酸ガスが温度変化・圧力変化により、配管中でガス化し
送液できなくなるという問題も根絶できる。
の発明によれば、被処理部材は静電気に起因する表面電
荷を持たなくなり、せっかく高純度化した高比抵抗液体
に不純物を混入することなく、安全に半導体装置や液晶
装置等の、静電気に対する耐性が弱い素子の製造工程等
で使用することが可能となる。さらに、炭酸塩が残留し
たり、溶解した炭酸ガスのために高比抵抗液体が酸性を
呈することもないため、半導体装置や液晶装置に悪影響
を与えることがない。また、高比抵抗液体に溶解した炭
酸ガスが温度変化・圧力変化により、配管中でガス化し
送液できなくなるという問題も根絶できる。
【００２７】請求項２記載の高比抵抗液体の静電気除去
方法では、請求項１記載の前記部材の表面に、トンネル
電流が通過する膜厚の絶縁層を有しているため、請求項
１記載の発明にて得られる効果が得られるとともに、高
比抵抗液体中に金属イオンが溶出する可能性がなくな
る。この結果、高純度化した高比抵抗液体を汚染する可
能性がなくなる。
方法では、請求項１記載の前記部材の表面に、トンネル
電流が通過する膜厚の絶縁層を有しているため、請求項
１記載の発明にて得られる効果が得られるとともに、高
比抵抗液体中に金属イオンが溶出する可能性がなくな
る。この結果、高純度化した高比抵抗液体を汚染する可
能性がなくなる。
【００２８】請求項３記載の高比抵抗液体の静電気除去
方法では、請求項２記載の前記絶縁層がクロム酸化物か
らなる不動態であり、導電体はステンレス鋼であるため
に、このステンレス鋼製の部材の表面には、トンネル電
流が通過する膜厚の絶縁層を確実に形成することができ
る。この結果、本請求項３記載の発明では、前記請求項
２記載の発明により得られる効果が、容易にしかも確実
に得られる。
方法では、請求項２記載の前記絶縁層がクロム酸化物か
らなる不動態であり、導電体はステンレス鋼であるため
に、このステンレス鋼製の部材の表面には、トンネル電
流が通過する膜厚の絶縁層を確実に形成することができ
る。この結果、本請求項３記載の発明では、前記請求項
２記載の発明により得られる効果が、容易にしかも確実
に得られる。
【００２９】請求項４記載の高比抵抗液体の静電気除去
方法では、請求項１ないし請求項３記載の前記高比抵抗
液体が純水であるために、半導体装置や液晶装置等の素
子の製造工程で頻繁に行われる、純水洗浄工程に本発明
を適用でき、前記請求項１ないし請求項３記載の発明に
より得られる効果が同様に得られると同時に、純水中で
バクテリアが繁殖する事もなくなる。
方法では、請求項１ないし請求項３記載の前記高比抵抗
液体が純水であるために、半導体装置や液晶装置等の素
子の製造工程で頻繁に行われる、純水洗浄工程に本発明
を適用でき、前記請求項１ないし請求項３記載の発明に
より得られる効果が同様に得られると同時に、純水中で
バクテリアが繁殖する事もなくなる。
【００３０】請求項５ないし請求項８記載の高比抵抗液
体の静電気除去装置を用いることにより、請求項１ない
し請求項４記載の発明を確実に実施することが可能とな
る。
体の静電気除去装置を用いることにより、請求項１ない
し請求項４記載の発明を確実に実施することが可能とな
る。
【図１】実施例１の構成を説明するための断面略図
【図２】実施例３の構成を説明するための断面略図
【図３】実施例４の構成を説明するための断面略図
【図４】実施例５の構成を説明するための断面略図
【図５】実施例６の構成を説明するための断面略図
【図６】実施例７の構成を説明するための断面略図
【図７】実施例８の構成を説明するための断面略図
【図８】従来技術を説明するための断面略図
【図９】従来技術を説明するための断面略図
【図１０】配管印加電位と表面電位との関係を示す図
【図１１】熱処理時間と酸化クロム膜厚との関係を示す
図
図
【図１２】ノズル印加電位と表面電位との関係を示す図
【図１３】樹脂配管長さと表面電位との関係を示す図
【図１４】Ｈ2 Ｏ濃度と酸化クロムの膜厚との関係を示
す図
す図
【図１５】処理温度と酸化クロムの膜厚との関係を示す
図
図
１ 高比抵抗液体 ２ 絶縁層 ３ 導電体からなる部材 ４ 樹脂配管 ５ 電導線 ６ 処理容器 ７ 高比抵抗液体供給配管 ９ ノズル １０ 電源 １１ 被処理部材 ７１ ガス透過膜 ７４ 炭酸ガス導入口 ７５ 炭酸ガス排出口 ７６ 炭酸ガス気泡 ９１ 電位制御部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 章 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ヶ袋２−１−17 301号
Claims (8)
- 【請求項１】 高比抵抗液体に接液している導電体から
なる部材が、特定電位に保持されていることを特徴とす
る高比抵抗液体の静電気除去方法 - 【請求項２】 前記部材の表面には、トンネル電流が通
過する膜厚の絶縁層を有していることを特徴とする請求
項１記載の高比抵抗液体の静電気除去方法 - 【請求項３】 前記絶縁層はクロム酸化物からなる不動
態であり、導電体はステンレス鋼であることを特徴とす
る請求項２記載の高比抵抗液体の静電気除去方法 - 【請求項４】 前記高比抵抗液体が純水であることを特
徴とする請求項１ないし請求項３記載の高比抵抗液体の
静電気除去方法 - 【請求項５】 導電体からなる部材と、前記部材を特定
電位に保持する手段と、前記部材が高比抵抗液体に接液
するよう配置する手段とを有することを特徴とする高比
抵抗液体の静電気除去装置 - 【請求項６】 前記導電体からなる部材の表面には、ト
ンネル電流が通過する膜厚の絶縁層を有していることを
特徴とする請求項５記載の高比抵抗液体の静電気除去装
置 - 【請求項７】 前記絶縁層はクロム酸化物からなる不動
態であり、導電体はステンレス鋼であることを特徴とす
る請求項６記載の高比抵抗液体の静電気除去装置 - 【請求項８】 前記高比抵抗液体が純水であることを特
徴とする請求項５ないし請求項７記載の高比抵抗液体の
静電気除去装置
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5107642A JP2662925B2 (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 高比抵抗液体の静電気除去方法及び装置 |
| US08/219,154 US5480563A (en) | 1993-04-09 | 1994-03-29 | Method for removing electrostatic charge from high resistivity liquid |
| TW083102776A TW335592B (en) | 1993-04-09 | 1994-03-30 | Method and apparatus for removal of high-impedance liquid static electricity |
| KR1019940007454A KR0143944B1 (ko) | 1993-04-09 | 1994-04-09 | 고 비저항액체의 정전기 제거방법 및 장치 |
| US08/811,800 US6274040B1 (en) | 1993-04-09 | 1997-03-06 | Apparatus for removing electrostatic charge from high resistivity liquid |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5107642A JP2662925B2 (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 高比抵抗液体の静電気除去方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295793A true JPH06295793A (ja) | 1994-10-21 |
| JP2662925B2 JP2662925B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=14464375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5107642A Expired - Fee Related JP2662925B2 (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 高比抵抗液体の静電気除去方法及び装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5480563A (ja) |
| JP (1) | JP2662925B2 (ja) |
| KR (1) | KR0143944B1 (ja) |
| TW (1) | TW335592B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US5837064A (en) * | 1996-10-04 | 1998-11-17 | Eco-Snow Systems, Inc. | Electrostatic discharge protection of static sensitive devices cleaned with carbon dioxide spray |
| US6146466A (en) * | 1997-02-14 | 2000-11-14 | Eco-Snow Systems, Inc. | Use of electrostatic bias to clean non-electrostatically sensitive components with a carbon dioxide spray |
| NO309625B1 (no) * | 1997-10-10 | 2001-02-26 | V Telemark Bedriftsraa Waskaas | Fremgangsmåte for reduksjon av strömningsmotstand i rör- og kanalströmning |
| JP4438748B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2010-03-24 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、投影露光方法およびデバイス製造方法 |
| AU2005325043B2 (en) * | 2005-01-17 | 2009-11-12 | Jenchieh Wang | A magnet |
| US7566506B2 (en) * | 2005-01-19 | 2009-07-28 | Jen-Chieh Wang | Magnetic body |
| EP1876635A4 (en) * | 2005-04-25 | 2010-06-30 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
| US8552719B2 (en) * | 2009-08-03 | 2013-10-08 | Microfier, Inc. | Method and apparatus for the purification and analytical evaluation of highly purified liquids |
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| JPS62128498A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | 積水化学工業株式会社 | 合成樹脂配管の静電気除去方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4399020A (en) * | 1981-07-24 | 1983-08-16 | Diamond Shamrock Corporation | Device for waste water treatment |
| JPS60876A (ja) * | 1983-05-27 | 1985-01-05 | Nomura Micro Sci Kk | ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置 |
| US4861345A (en) * | 1988-05-13 | 1989-08-29 | Westinghouse Electric Corp. | Method of bonding a conductive layer on an electrode of an electrochemical cell |
| JPH022694A (ja) | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Toshiba Corp | ガスレーザー装置 |
| US5128043A (en) * | 1991-02-13 | 1992-07-07 | Wildermuth Glen W | Method and apparatus for purifying liquids |
-
1993
- 1993-04-09 JP JP5107642A patent/JP2662925B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-03-29 US US08/219,154 patent/US5480563A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-30 TW TW083102776A patent/TW335592B/zh not_active IP Right Cessation
- 1994-04-09 KR KR1019940007454A patent/KR0143944B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-03-06 US US08/811,800 patent/US6274040B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62128498A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | 積水化学工業株式会社 | 合成樹脂配管の静電気除去方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5480563A (en) | 1996-01-02 |
| JP2662925B2 (ja) | 1997-10-15 |
| TW335592B (en) | 1998-07-01 |
| US6274040B1 (en) | 2001-08-14 |
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