JP2000354729A5

JP2000354729A5 -

Info

Publication number: JP2000354729A5
Application number: JP1999213547A
Authority: JP
Filing date: 1999-07-28
Publication date: 2006-07-27

Description

【請求項９】
前記比抵抗調整手段が、炭酸水素イオン形を含む強塩基性陰イオン交換樹脂又はアンモニウム形を含む強酸性陽イオン交換樹脂を内包したものであることを特徴とする請求項６記載の洗浄用機能水製造装置。

また、本発明（６）は、超純水製造手段と、超純水中に水素ガスを溶解させるための水素溶解手段と、比抵抗を０．０３〜５．０ＭΩ・cmに調整する比抵抗調整手段と、を有する洗浄用機能水製造装置を提供するものである。また、本発明（７）は、更に、前記比抵抗調整手段の下流に比抵抗計を設け、水素ガス溶解水中の比抵抗を監視し、該比抵抗が一定となるように制御する制御系を設けてなる（６）記載の洗浄用機能水製造装置を提供するものである。また、本発明（８）は、前記比抵抗調整手段が、炭酸ガス又はアンモニアガスボンベと、炭酸ガス又はアンモニアガス溶解槽と、該ボンベと該溶解槽を接続する途中に微粒子除去フィルターを備えるガス供給管とを有する（６）記載の洗浄用機能水製造装置を提供するものである。また、本発明（９）は、前記比抵抗調整手段が、炭酸水素イオン形を含む強塩基性陰イオン交換樹脂又はアンモニウム形を含む強酸性陽イオン交換樹脂を内包したものである（６）記載の洗浄用機能水製造装置を提供するものである。また、本発明（１０）は、前記水素ガス溶解手段が、水素ガスを溶解する手段と、白金族金属触媒接触による脱酸素手段とを有するものである（６）〜（９）のいずれかの洗浄用機能水製造装置を提供するものである。

超純水製造装置１は、図では省略する原水を凝集沈澱装置、砂濾過装置、活性炭濾過装置で処理する前処理装置と、この前処理装置の処理水を逆浸透膜装置、２床３塔式イオン交換装置、混床式イオン交換装置、精密フィルターで処理して一次純水を得る一次純水製造装置と、一次純水に紫外線照射、混床式ポリッシャー、限外濾過膜処理を施して、一次純水中に残留する微粒子、コロイド物質、有機物、金属イオン、陰イオン等を除去する二次純水製造装置とを備えている。

【００３６】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、洗浄槽から半導体ウエハを引き上げる際、微粒子の再付着を防止できるため、還元性水の性能を損なうことなく維持できる。また、洗浄に伴う静電気の帯電を防止できるため半導体素子を破壊することがない。また、請求項２記載の発明によれば、炭酸ガス等の供給設備が不要となり、且つ電気比抵抗計を用いた制御系を形成しなくともよい。また、請求項３記載の発明によれば、水素ガス溶解水の製造と同時に溶存酸素除去も達成できるため、より高性能な洗浄効果が期待できると共に、コストが削減できる。また、請求項４記載の発明によれば、ガスボンベから供給されるガス中の汚染粒子が除去され、実質的に汚染粒子の無い清浄ガスを供給することができ、簡易な方法で還元性機能水の性能を損なうことなく維持できる。また、請求項５記載の発明によれば、炭酸ガス等の溶解水が気泡を噛むことがなく、被洗浄物に気泡が付着して、この付着部分の洗浄効果が低下するという問題を回避できる。また、請求項６〜１０記載の発明によれば、前記発明と同様の効果を奏する。

【符号の説明】
１超純水製造装置
２水素ガス溶解槽
３炭酸ガス溶解槽
３ａ中空糸膜ユニット
４洗浄槽
５脱ガス槽
１０、１０ａ、１０ｂ機能水製造装置
１１比抵抗計
１２酸化還元電位計
１３溶存水素濃度計
３５炭酸ガスボンベ
３９水素ガスボンベ
４３白金族金属触媒