JPH0629325A

JPH0629325A - 電荷結合装置

Info

Publication number: JPH0629325A
Application number: JP18241892A
Authority: JP
Inventors: Ryohei Miyagawa; 良平宮川
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1992-07-09
Filing date: 1992-07-09
Publication date: 1994-02-04

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体基板に形成した溝をＣＣＤの転送チャ
ンネルとして用い、転送チャンネルの面積を従来の平面
型ＣＣＤよりも大きくし、かつ転送電極の加工も簡単な
構造の電荷転送装置を提供すること。【構成】トレンチ型ＣＣＤにおいて、ｐ型Ｓｉ基板１
１上に平行に複数本の溝１２を形成し、これらの溝１２
と直交する方向にｎ型拡散層からなる電荷転送チャンネ
ル１３を形成し、転送チャネル１３上の転送電極１５，
１７の分離部分を溝１２の外部としたことを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電荷結合装置（ＣＣ
Ｄ）に係わり、特に溝内に転送チャネルを形成した電荷
結合装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＣＣＤを用いた固体撮像装置の縮
小化，多画素化には、目覚ましいものがある。２次元Ｃ
ＣＤ撮像装置は通常、光電変換して信号電荷を蓄積する
フォトダイオード・アレイと、このフォトダイオード・
アレイの信号電荷を転送する垂直ＣＣＤ及び水平ＣＣＤ
とにより構成される。この固体撮像装置の縮小化，微細
化のため、固体撮像装置の単位セルは益々微細化する必
要があり、そのため信号電荷を転送する垂直ＣＣＤ及び
水平ＣＣＤのさらなる微細化は必須である。

【０００３】この問題を解決するために、Ｓｉ基板に溝
（トレンチ）を形成し、その溝内にＣＣＤを形成する技
術が報告されている（IEEE Transactions on Consumer
Electronics, Vol.35, No.3, AUGUST 1989）。このトレ
ンチ型ＣＣＤの構造について図１３及び図１４を参照し
て説明する。なお、図１３は全体構成を示す斜視図、図
１４は溝方向に切った断面図である。

【０００４】ｐ型Ｓｉ基板１の主面にエッチングにより
溝（トレンチ）２が形成され、トレンチ２の側面と底面
にＣＣＤ転送チャンネルとなるｎ型拡散層３が形成され
ている。ｎ型拡散層３の上部には、第１絶縁膜４を介し
て転送電極となる第１ポリＳｉ膜５が形成され、さらに
第２絶縁膜６を介して第２ポリＳｉ膜７が形成されてい
る。このトレンチ型ＣＣＤでは、平面型のＣＣＤと異な
りトレンチ２の側面及び底面を転送チャンネルとしてい
るので、平面型と比較して電荷の転送容量が大きくな
り、従ってＣＣＤを微細化することが可能となる。

【０００５】しかしながら、この種のＣＣＤにあっては
次のような問題があった。即ち、トレンチ型ＣＣＤでは
転送チャンネルであるｎ型拡散層３を溝方向に沿って形
成しており、従って電荷の転送方向は溝方向と平行にな
っている。このため、転送電極である第１ポリＳｉ膜５
と第２ポリＳｉ膜７とを、トレンチ２内でそれぞれ分離
加工する必要がある。この転送電極であるポリＳｉ膜
５，７の加工には通常、エッチング変換差の小さい異方
性エッチングを用いるが、トレンチ側面での転送電極の
加工は非常に難しい。

【０００６】図１５にトレンチ側面の転送電極であるポ
リＳｉ膜５の加工の様子を示した。図１５（ａ）では、
ｐ型Ｓｉ基板１上にトレンチ２，ｎ型拡散層３及び絶縁
膜４を形成した後、ポリＳｉ膜５′を全面に被着し、リ
ソグラフィー技術によりレジストパターンを形成してい
る。なお、図ではトレンチ２でポリＳｉ膜５′が除去さ
れる部分の断面を示しており、従ってこの図ではレジス
トはない。次いで、ポリＳｉ膜５′をエッチングするこ
とにより、第１ポリＳｉ膜５が所望のパターンに形成さ
れる。

【０００７】ここで、ポリＳｉ膜５′のエッチングはエ
ッチング変換差の少ないＲＩＥ（Reactive Ion Etchin
g) 等の異方性エッチングで行う必要がある。図１５
（ｂ）には異方性エッチングにより、ポリＳｉ膜５′を
エッチングした後の形状を示す。図から判るように、異
方性エッチングではＳｉ基板に垂直にエッチングが進む
ため、トレンチ２の側面ではポリＳｉ残渣８が残ってし
まう。このようにポリＳｉ残渣８がトレンチ２の側面に
残ると第１ポリＳｉ膜５の隣合うパターンがショートす
る。また、ポリＳｉの残渣８があるトレンチ２の側面に
は、後にｎ型拡散層３の電位を制御するための第２ポリ
Ｓｉ膜７が形成される。ところが、ポリＳｉ残渣８があ
ると第２ポリＳｉ膜７で電位を制御できなくなり、ＣＣ
Ｄの電荷電送の不良を起こすことになる。

【０００８】また、トレンチのように段差の大きな形状
の部分に微細なレジストパターンを形成することも非常
に難しいという問題がある。さらに、第２ポリＳｉ膜７
を加工する場合にも第１ポリＳｉ膜５の加工の時と同様
な問題が起こる。従って、このようなトレンチ型ＣＣＤ
では転送電極パターンを形成することが非常に難しいの
である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】このように従来のトレ
ンチ型ＣＣＤでは、平面型ＣＣＤに比べ転送チャンネル
の面積を大きくでき微細化がはかれるが、トレンチ内で
転送電極を加工形成することが難しいという問題があっ
た。

【００１０】本発明は、上記の事情を考慮してなされた
もので、その目的とするところは、半導体基板に形成し
た溝をＣＣＤの転送チャンネルとして用い、転送チャン
ネルの面積を従来の平面型ＣＣＤよりも大きくし、かつ
転送電極の加工も簡単な構造の電荷結合装置を提供する
ことにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
に本発明では、トレンチ型ＣＣＤにおいて、半導体基板
上に平行に並ぶ複数本の溝を形成し、これらの溝を横切
る方向に電荷転送チャンネルを形成し、転送電極の分離
部分を溝外部にしたことを特徴とする。また本発明は、
転送チャネルに形成する転送電極のうち、少なくとも１
層の転送電極として溝内に導電体を埋込み分離形成した
ことを特徴とする。

【００１２】

【作用】本発明によれば、半導体基板上に平行に並ぶ複
数本の溝を形成し、これらの溝を横切る方向にＣＣＤチ
ャネルを形成しているので、ＣＣＤチャネル方向に配列
する転送電極が溝方向と直交する方向に沿って配列され
ることになる。転送電極は全面に導体膜を形成した後エ
ッチングにより分離して形成するが、本発明では転送電
極が溝方向と直交する方向に沿って配列されることか
ら、転送電極のエッチングを溝内でなく、溝の外の平坦
部で行うことができる。また、溝内に導電体を埋め込め
ば、その導電体を転送電極とすることができる。従っ
て、溝内でのエッチング残渣を発生させることなく、転
送電極の加工を容易に行うことが可能となる。

【００１３】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。

【００１４】図１は本発明の第１の実施例に係わるトレ
ンチ型ＣＣＤの概略構成を示す斜視図、図２は図１の矢
視Ａ−Ａ′断面図である。ｐ型Ｓｉ基板１１の主面にｎ
型拡散層１３を形成し、基板１１上には第１絶縁膜１４
を介して第１ポリＳｉ膜１５を所望のパターンに形成す
る。この第１ポリＳｉ膜１５のパターンに自己整合的に
Ｓｉエッチングでトレンチ１２を形成する。その後、熱
拡散或いはイオン注入法によりトレンチ１２の側面及び
底面にｎ型拡散層１３を形成する。次いで、全面に第２
絶縁膜１６を形成し、その上にポリＳｉ膜１７′を被着
する。そして、このポリＳｉ膜１７′の不要な部分を異
方性エッチングにより除去し、第２ポリＳｉ膜１７を所
望のパターンに形成する。

【００１５】ここで、先に述べたポリＳｉ膜１７′の不
要な部分とは図２から明らかなようにトレンチ１２の外
の平坦な部分であり、ポリＳｉ膜１７′のエッチングは
簡単にできる。従来のトレンチ型ＣＣＤとは異なり、転
送電極である第１ポリＳｉ膜１５及び第２ポリＳｉ膜１
７の加工が簡単に可能であることが判る。図１から判る
ようにＣＣＤの転送チャンネルであるｎ型拡散層１３は
トレンチ１２と直交する方向に形成されており、このた
め転送電極である第１ポリＳｉ膜１５と第２ポリＳｉ膜
１７がトレンチ１２と平行なパターンとなっており、そ
のために、ポリＳｉ膜１５，１７の加工が簡単に可能と
なったのである。

【００１６】このトレンチ型ＣＣＤにおいても従来のト
レンチ型ＣＣＤと同様に、トレンチ１２の側面を電荷の
転送チャンネルとしているので、平面型のＣＣＤに比べ
て大きな転送容量が取れる。従って、本実施例のトレン
チ型ＣＣＤによって、微細なＣＣＤが簡単に実現できる
のである。また、このようにして形成した本実施例のト
レンチ型ＣＣＤは、図２に示したようにφ１〜φ４の位
相の異なる４つのパルス電圧を加える４相駆動によっ
て、電荷を転送するものである。

【００１７】なお、本実施例では第１ポリＳｉ膜１５の
パターンに対し自己整合的にトレンチ１２を形成した
が、トレンチ１２を加工する時にレジストパターンを形
成し、このレジストパターンをマスクにＳｉエッチング
を行うなどして、第１ポリＳｉ膜１５とは非自己整合的
にトレンチ１２を形成してもよい。しかし、その場合に
は、先に説明したようにｎ型拡散層１３を２回に分けて
形成しているため、ｎ型拡散層１３の不純物が不均一に
なるという問題がある。従って、トレンチ１２は第１ポ
リＳｉ膜１５に自己整合的に形成することが望ましい。

【００１８】図３は、本発明の第２の実施例の概略構成
を示す断面図である。なお、図２と同一部分には同一符
号を付して、その詳しい説明は省略する。この実施例が
第１の実施例と異なる点は、トレンチ１２の側面がＳｉ
基板１１に対し垂直に形成されていないことである。

【００１９】このようにトレンチ１２の側面がＳｉ基板
１１に対して、垂直でなく傾いている場合でも、トレン
チ１２内での転送電極となるポリＳｉの加工は難しい。
従って、本実施例のように転送チャンネルであるｎ型拡
散層１３をトレンチ１２と直交する方向に形成すること
で、転送電極であるポリＳｉのエッチングをトレンチ１
２の外で行えるため、ポリＳｉの加工が容易に行える。

【００２０】図４は、本発明の第３の実施例の概略構成
を示す断面図である。なお、図２と同一部分には同一符
号を付して、その詳しい説明は省略する。この実施例が
第１の実施例と異なる点は、隣合う転送電極の下の転送
チャンネルの電位を不純物の種類や濃度を変えて、変化
させていることである。

【００２１】図４から判るように、ｎ型拡散層１３とは
別に第１ポリＳｉ膜１５の下の転送チャンネルにｐ型の
拡散層１９が形成されている。このｐ型拡散層１９は、
第１ポリＳｉ膜１５やトレンチ１２を形成する前のＳｉ
基板１１の表面にｎ型拡散層１３と重なるように形成す
ればよい。このようにすれば、図４に示したようにφ
１，φ２の２つの位相の異なるパルス電圧を加える２層
駆動のＣＣＤを構成できる。

【００２２】なお、この実施例ではｐ型の拡散層１９を
形成したが、第１ポリＳｉ膜１５の下と第２ポリＳｉ膜
１７の下の転送チャンネルの電位を変化させるべく、第
１ポリＳｉ膜１５に対し自己整合的に不純物の濃度或い
は種類を変えるようにすればよい。第１の実施例で述べ
たように、ｎ型拡散層１３は第ポリＳｉ膜１５の下の部
分と第２ポリＳｉ膜１７の下の部分で２回に分けて形成
されている。そこで、ｐ型拡散層１９はこの第１ポリＳ
ｉ膜１５の下のｎ型拡散層と同じ位置に形成してもよ
い。また、積極的にｐ型拡散層１９を形成するのではな
く、第１ポリＳｉ膜１５下のｎ型拡散層１３と第２ポリ
Ｓｉ膜１７下のｎ型拡散層１３の不純物濃度を変えても
よい。さらに、第２ポリＳｉ膜１７の下のｎ型拡散層１
３を形成すると同時にｐ型拡散層を形成してもよい。い
ずれにしても、２相駆動による転送が可能となる。

【００２３】図５は、本発明の第４の実施例の概略構成
を示す断面図である。なお、図２と同一部分には同一符
号を付して、その詳しい説明は省略する。この実施例
が、第１の実施例と異なる点は、トレンチ１２を覆う転
送電極を第１ポリＳｉ膜２５で形成していることであ
る。

【００２４】本実施例では、まずＳｉ基板１１にＳｉエ
ッチングを行いトレンチ１２を形成し、この後イオン注
入法や熱拡散によりｎ型拡散層１３を形成する。その
後、第１絶縁膜２４を介して全面にポリＳｉを被着す
る。そして、このポリＳｉの不要な部分を異方性エッチ
ングにより除去し、第１ポリＳｉ膜２５を所望のパター
ンに形成する。先に述べたポリＳｉの不要な部分とは、
図５から明らかなようにトレンチ１２の外の平坦な部分
であり、ポリＳｉのエッチングは簡単にできる。次い
で、第２絶縁膜２５を形成し、その上にポリＳｉを全面
に被着する。このポリＳｉの不要な部分を異方性エッチ
ングにより除去し、第２ポリＳｉ膜２７を所望のパター
ンに形成する。

【００２５】この第２ポリＳｉ膜２７のエッチングは第
１ポリＳｉの場合と異なり、トレンチ１２内でのポリＳ
ｉエッチングを行うことになる。従って、図６のように
ポリＳｉがトレンチ１２内で第１ポリＳｉ膜２５上に残
り、残渣２８となることがある。しかし、この残渣２８
は第１のポリＳｉ膜２５上にあり、転送チャンネルであ
るｎ型拡散層１３に影響を与えるものではない。また、
図６から明らかなように第２ポリＳｉ膜２７と残渣２８
は分離しており、残渣２８は第２ポリＳｉ膜２７のショ
ートの原因にはならない。従って、残渣２８があっても
何等問題とはならず、本実施例においても転送電極の加
工が容易であることが判る。

【００２６】結局、本発明の重要な点はトレンチ１２を
覆う転送電極の加工のためのエッチングをトレンチ１２
の外で行う点である。また、トレンチ１２を覆う転送電
極が同層の材料からなることが必要である。トレンチ１
２を覆う転送電極が複数の層の材料で構成されると先に
加工する転送電極が残渣として、トレンチ内に残ってし
まうからである。

【００２７】図７は、本発明の第５の実施例の概略構成
を示す断面図である。なお、図５と同一部分には同一符
号を付して、その詳しい説明は省略する。この実施例で
は、単層のポリＳｉで転送電極を構成している。

【００２８】第４の実施例と同様に第１ポリＳｉ膜１５
でトレンチ１２を覆う転送電極を構成している。第４の
実施例と異なるところは、第２ポリＳｉ膜２７を用いず
に第１ポリＳｉ膜２５のみで転送電極を構成している点
である。この実施例の場合には電荷の転送不良を起こさ
ないためには第１ポリＳｉ膜２５の電極間のギャップを
十分に小さくする必要がある。

【００２９】図８は、本発明の第６の実施例の概略構成
を示す断面図である。なお、図５と同一部分には同一符
号を付して、その詳しい説明は省略する。この実施例
は、転送電極の一方をトレンチ１２内に埋込み形成した
ものである。

【００３０】この実施例では、まずｐ型Ｓｉ基板１１に
Ｓｉエッチングを行いトレンチ１２を形成し、この後イ
オン注入法や熱拡散によりｎ型拡散層１３を形成し、さ
らに第１絶縁膜２４を形成する。次いで、全面にポリＳ
ｉを被着する。このとき、ポリＳｉの膜厚はトレンチ１
２を埋め込むのに十分な膜厚とする。そして、このポリ
Ｓｉを異方性エッチングにより全面エッチングする。こ
のエッチングでトレンチ１２上の余分なポリＳｉとトレ
ンチ１２の外の余分なポリＳｉを除去し、第１ポリＳｉ
膜２５がトレンチ１２内に埋め込まれた形状に形成され
る。従って、第１ポリＳｉ膜２５を形成した後はトレン
チ１２が埋め込まれているので、表面が平坦化されてい
る。

【００３１】次いで、第２絶縁膜２６を形成し、その上
にポリＳｉを全面に被着する。このポリＳｉの不要な部
分を異方性エッチングにより除去し、第２ポリＳｉ膜２
７を所望のパターンに形成する。この第２ポリＳｉ膜２
７のエッチングは、下地が平坦化されているため、残渣
が発生することもなく極めて簡単である。

【００３２】この実施例の場合も、転送電極である第１
ポリＳｉ膜２５と第２ポリＳｉ膜２７がトレンチ１２と
平行なパターンとなっている。そのために、第１ポリＳ
ｉ膜２５をトレンチ１２に埋め込んで転送電極とするこ
とができ、また第２ポリＳｉ膜２７は第１ポリＳｉ膜２
５をトレンチ１２に埋め込んで平坦になった面を下地と
しているので、レジスト形成とエッチングが容易に行
え、第２ポリＳｉ膜２７の加工は簡単に可能となったの
である。

【００３３】このトレンチ型ＣＣＤにおいても従来のト
レンチＣＣＤと同様に、トレンチ１２の側面を電荷の転
送チャンネルとしているので、平面型のＣＣＤに比べて
大きな転送容量が取れる。従って、本実施例のトレンチ
型ＣＣＤによって、微細なＣＣＤが簡単に実現できるの
である。

【００３４】図９は、本発明の第７の実施例の概略構成
を示す断面図である。なお、図８と同一部分には同一符
号を付して、その詳しい説明は省略する。この実施例が
第６の実施例と異なる点は、トレンチ１２がＳｉ基板１
１に対し垂直に形成されていないことである。

【００３５】このようにトレンチ１２の側面がＳｉ基板
１１に対して、垂直でなく傾いている場合でも、トレン
チ１２内での転送電極となるポリＳｉの加工は難しい。
従って本実施例のように、転送チャンネルであるｎ型拡
散層１３をトレンチ１２と直交する方向に形成し、さら
にポリＳｉをトレンチ１２に埋め込み転送電極とするこ
とで、転送電極の加工が容易に行える。

【００３６】図１０は、本発明の第８の実施例の概略構
成を示す断面図である。なお、図２と同一部分には同一
符号を付して、その詳しい説明は省略する。この実施例
が第６の実施例と異なる点は、トレンチ１２に埋め込む
転送電極を第２ポリＳｉ膜１７で形成している点であ
る。

【００３７】本実施例では、まずｐ型Ｓｉ基板１１の主
面にｎ型拡散層１３を形成し、基板１１上に第１絶縁膜
１４を介してポリＳｉを被着する。そして、このポリＳ
ｉを選択エッチングすることにより、第１ポリＳｉ膜１
５を所望の形状に形成する。この第１ポリＳｉ膜１５の
パターンに自己整合的にＳｉエッチングでトレンチ１２
を形成する。その後、熱拡散或いはイオン注入法により
トレンチ１２の側面及び底面にｎ型拡散層１３を形成す
る。その後、全面に絶縁膜１６を形成し、その上にポリ
Ｓｉを被着する。この時のポリＳｉの膜厚は、トレンチ
１２を埋め込むのに十分な膜厚とする。

【００３８】次いで、このポリＳｉを異方性エッチング
により全面エッチングする。このエッチングでトレンチ
１２上の余分なポリＳｉとトレンチ１２の外の余分なポ
リＳｉを除去し、第２ポリＳｉ膜１７がトレンチ１２内
に埋め込まれた形状に形成される。本実施例では第１ポ
リＳｉ膜１５は平坦なＳｉ基板１１上で加工されるた
め、加工が簡単である。また、第２ポリＳｉ膜１７はト
レンチ１２を埋め込むように形成されるため、加工が簡
単である。従って、本実施例でも転送容量が大きく取れ
るトレンチ型ＣＣＤが実現できる。

【００３９】なお、本実施例では、第１ポリＳｉ膜１５
のパターンに自己整合的にトレンチ１２を形成する方法
を述べたが、非自己整合的に形成してもよい。自己整合
的に形成する場合は、第１ポリＳｉ膜１５，第２ポリＳ
ｉ膜１７及びトレンチ１２のパターンは第１ポリＳｉ膜
１５のデザインでのみ決まる。非自己整合的に形成する
場合は、第１ポリＳｉ膜１５のスペースのパターンより
トレンチ１２は狭いパターンに形成する必要がある。こ
れにより、第１ポリＳｉ膜１５のデザインが制約され
る。これに対し、自己整合的に形成する場合はこういっ
た制約がなく第１ポリＳｉ膜１５を最小のデザインルー
ルで設計することができ、微細化に有利である。

【００４０】図１１は、本発明の第９の実施例の概略構
成を示す断面図である。なお、図２と同一部分には同一
符号を付して、その詳しい説明は省略する。この実施例
では単層のポリＳｉで転送電極を構成し、第７の実施例
と同様に第１ポリＳｉ膜２５でトレンチ１２に埋め込ん
だ転送電極を構成している。

【００４１】第７の実施例と異なるところは、第２ポリ
Ｓｉ膜２７を用いずに第１ポリＳｉ膜２５のみで転送電
極を構成している点である。この実施例の場合には電荷
の転送不良を起こさないためには第１ポリＳｉ膜２５の
電極間のギャップを十分に小さくする必要がある。

【００４２】図１２は、本発明の第１０の実施例の概略
構成を示す断面図である。なお、図２と同一部分には同
一符号を付して、その詳しい説明は省略する。この実施
例では、トレンチ１２内のＣＣＤチャネルの濃度を変え
て、トレンチ内のＣＣＤチャネルの電位を変化させてい
る。この理由は、トレンチ１２内でのＣＣＤチャネルに
おける転送不良を防止するものである。

【００４３】前記図２に示す第１の実施例の構造におい
て、第２ポリＳｉ膜１７のない状態でトレンチ１２の側
壁の一方をｎ^- 型不純物層２３とする。このｎ^- 型不純
物層２３の形成には、斜めからのｐ型の不純物イオン注
入等を利用すればよい。この場合、第１ポリＳｉ膜１５
下のｎ型不純物層１３，それ以外のｎ型不純物層１３，
ｎ^- 型不純物層２３でポテンシャル差を形成することに
なる。

【００４４】トレンチ１２内のＣＣＤチャネルは長く曲
がっているので、転送不良を起こす可能性がある。これ
を防ぐには、トレンチ１２内のＣＣＤチャネル１３に電
位差を付けておくことが有効である。つまり、電荷の転
送方向，電位が深くなるように電位差を付けておけばよ
い。従って第１０の実施例では転送方向は左となる。こ
の第１０の実施例ではトレンチ１２の片側の側面のＣＣ
Ｄチャネルの電位を変化させたが、反対側のトレンチ１
２の側面の電位を深くするべく、不純物濃度の濃いｎ⁺
型の拡散層にしてもよい。いずれにしてもトレンチ１２
内のＣＣＤチャネルの転送不良を防止する効果がある。

【００４５】なお、本発明は上述した各実施例に限定さ
れるものではない。実施例では、転送電極として１層又
は２層のポリＳｉ膜を用いたが、導体膜であれば用いる
ことができる。また、転送電極の形態は実施例で説明し
たもの以外にも適宜変更可能である。さらに、溝の幅や
深さ等は仕様に応じて適宜定めればよい。また、実施例
では溝方向と直交する方向に転送チャネルを形成した
が、転送チャネルは必ずしも溝に完全に直交する方向で
はなく、溝を横切る方向であればよい。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施すること
ができる。

【００４６】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、Ｓｉ
基板上に平行に並ぶ複数本の溝を形成し、これらの溝を
横切る方向にＣＣＤチャンネルを形成しているので、転
送電極形成のためのエッチングを溝内でなく、溝の外の
平坦部で行うことができる。従って、溝内でのエッチン
グ残渣がなく転送電極の加工が可能となり、転送容量を
大きく取れ、微細化が可能なトレンチ型ＣＣＤを実現す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係わるトレンチ型ＣＣ
Ｄの概略構成を示す斜視図、

【図２】図１の矢視Ａ−Ａ′断面図、

【図３】本発明の第２の実施例の概略構成を示す断面
図、

【図４】本発明の第３の実施例の概略構成を示す断面
図、

【図５】本発明の第４の実施例の概略構成を示す断面
図、

【図６】第４の実施例において残渣が残る様子を示す断
面図、

【図７】本発明の第５の実施例の概略構成を示す断面
図、

【図８】本発明の第６の実施例の概略構成を示す断面
図、

【図９】本発明の第７の実施例の概略構成を示す断面
図、

【図１０】本発明の第８の実施例の概略構成を示す断面
図、

【図１１】本発明の第９の実施例の概略構成を示す断面
図、

【図１２】本発明の第１０の実施例の概略構成を示す断
面図、

【図１３】従来のトレンチ型ＣＣＤの全体構成を示す斜
視図、

【図１４】従来のトレンチ型ＣＣＤ装置の溝方向断面
図、

【図１５】従来のトレンチ型ＣＣＤの製造工程を示す断
面図。

【符号の説明】

１１…Ｓｉ基板（半導体基板）、１２…溝（トレンチ）、１３…ｎ型拡散層（転送チャンネル）、１４，２４…第１絶縁膜、１５，２５…第１ポリＳｉ膜（転送電極）、１６，２６…第２絶縁膜、１７，２７…第２ポリＳｉ膜（転送電極）、１９…ｐ型拡散層、２８…ポリＳｉ残渣、２３…ｎ^- 型拡散層。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に平行に並ぶ複数本の溝を形
成し、これらの溝を横切る方向に電荷転送チャンネルを
形成してなることを特徴とする電荷結合装置。
【請求項２】前記転送チャネル上に形成する転送電極の
うち、少なくとも１層の転送電極として前記溝内に導電
体を埋込み分離形成したことを特徴とする請求項１記載
の電荷結合装置。