JPH06288633A - 給湯器の制御方法 - Google Patents
給湯器の制御方法Info
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- JPH06288633A JPH06288633A JP9606692A JP9606692A JPH06288633A JP H06288633 A JPH06288633 A JP H06288633A JP 9606692 A JP9606692 A JP 9606692A JP 9606692 A JP9606692 A JP 9606692A JP H06288633 A JPH06288633 A JP H06288633A
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- Japan
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- solenoid valve
- bypass
- gas
- hot water
- set temperature
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- Instantaneous Water Boilers, Portable Hot-Water Supply Apparatuses, And Control Of Portable Hot-Water Supply Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 定常出湯運転中に設定温度を変更した場合に
出湯温度を安定させて出湯し、出湯特性を向上させる。 【構成】 バイパスミキシング方式の給湯器において、
定常燃焼制御が行われ、定常出湯運転中に設定温度ＴS
が変更されると、設定温度に対応して必要ガス量を算出
し、設定温度ＴS が所定値ＴSO（50℃）を越えて変更さ
れた場合には、遅延時間の間算出された必要ガス量より
も少ないガスを供給し、遅延時間経過後にバイパス電磁
弁を動作させると共にガス量を必要ガス量に修正するオ
ーバーシュート防止処理操作を行い、一方、所定値ＴSO
以上から所定値ＴSO未満に変更された場合には遅延時間
の間必要ガス量よりも多いガス量を供給し、遅延時間経
過後にバイパス電磁弁を動作させると共にガス量を必要
ガス量に修正するアンダーシュート防止処理（ＵＳ処
理）を行う。
出湯温度を安定させて出湯し、出湯特性を向上させる。 【構成】 バイパスミキシング方式の給湯器において、
定常燃焼制御が行われ、定常出湯運転中に設定温度ＴS
が変更されると、設定温度に対応して必要ガス量を算出
し、設定温度ＴS が所定値ＴSO（50℃）を越えて変更さ
れた場合には、遅延時間の間算出された必要ガス量より
も少ないガスを供給し、遅延時間経過後にバイパス電磁
弁を動作させると共にガス量を必要ガス量に修正するオ
ーバーシュート防止処理操作を行い、一方、所定値ＴSO
以上から所定値ＴSO未満に変更された場合には遅延時間
の間必要ガス量よりも多いガス量を供給し、遅延時間経
過後にバイパス電磁弁を動作させると共にガス量を必要
ガス量に修正するアンダーシュート防止処理（ＵＳ処
理）を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱交換器をバイパスす
るバイパス路を備えたバイパスミキシング方式の給湯器
において、出頭特性を向上させた給湯器の制御方法に関
する。
るバイパス路を備えたバイパスミキシング方式の給湯器
において、出頭特性を向上させた給湯器の制御方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、瞬間式の給湯器においては、熱交
換器の低温腐食を防止するために、熱交換器をバイパス
するバイパス路を設け、熱交換器出口部の出湯温度を高
く保つことが行われており、このようなバイパス路を備
えた給湯器で、熱交換器への入水路に缶体入水電磁弁を
設けて着火時に通水をオン、消火時にオフさせることに
より、運転最小通水量（ＭＯＱ）以下で通水された場合
に熱交換器への通水を確実に遮断する一方、バイパス路
にバイパス電磁弁を設けて設定温度に応じてバイパス通
水量を調節し（缶体通水量に対するバイパス比を固定し
た固定バイパスミキシング方式においては、設定温度が
高いときはバイパス電磁弁を閉、低いときは開となるも
のであり、バイパス比が変化する可変バイパスミキシン
グ方式においては、設定温度に応じてバイパス電磁弁の
開度を調節する）、給湯器からの出湯温度を調節すると
ともに消火時に開放状態を保持してＭＯＱ以下の通水
時、或いは運転スイッチをオフ状態にして通水した場合
に熱交換器をバイパスさせることにより、熱交換器のド
レン発生を防止し、低温腐食の発生を防止するものが知
られている。
換器の低温腐食を防止するために、熱交換器をバイパス
するバイパス路を設け、熱交換器出口部の出湯温度を高
く保つことが行われており、このようなバイパス路を備
えた給湯器で、熱交換器への入水路に缶体入水電磁弁を
設けて着火時に通水をオン、消火時にオフさせることに
より、運転最小通水量（ＭＯＱ）以下で通水された場合
に熱交換器への通水を確実に遮断する一方、バイパス路
にバイパス電磁弁を設けて設定温度に応じてバイパス通
水量を調節し（缶体通水量に対するバイパス比を固定し
た固定バイパスミキシング方式においては、設定温度が
高いときはバイパス電磁弁を閉、低いときは開となるも
のであり、バイパス比が変化する可変バイパスミキシン
グ方式においては、設定温度に応じてバイパス電磁弁の
開度を調節する）、給湯器からの出湯温度を調節すると
ともに消火時に開放状態を保持してＭＯＱ以下の通水
時、或いは運転スイッチをオフ状態にして通水した場合
に熱交換器をバイパスさせることにより、熱交換器のド
レン発生を防止し、低温腐食の発生を防止するものが知
られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のバイパス路を備えた給湯器においては、設定温度に
対応させてバイパス電磁弁の開閉状態を一元的に定めて
おり、定常出湯運転中に設定温度を変更してバイパス電
磁弁が開から閉に切り換わった、或いは開度が小さくな
った場合に過渡的に高温湯が流出し、また閉から開に切
り換わった、或いは開度が大きくなった場合に過渡的に
冷水が流出することになり、使用者に不快感を与えると
ともに、出湯温度が不安定になり、出湯特性が悪化する
という問題があった。
来のバイパス路を備えた給湯器においては、設定温度に
対応させてバイパス電磁弁の開閉状態を一元的に定めて
おり、定常出湯運転中に設定温度を変更してバイパス電
磁弁が開から閉に切り換わった、或いは開度が小さくな
った場合に過渡的に高温湯が流出し、また閉から開に切
り換わった、或いは開度が大きくなった場合に過渡的に
冷水が流出することになり、使用者に不快感を与えると
ともに、出湯温度が不安定になり、出湯特性が悪化する
という問題があった。
【０００４】本発明の目的は、定常出湯運転中に設定温
度を変更した場合に出湯温度を安定させて出湯すること
ができ、出湯特性を向上させた給湯器の制御方法を提供
することである。
度を変更した場合に出湯温度を安定させて出湯すること
ができ、出湯特性を向上させた給湯器の制御方法を提供
することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の給湯器の制御方法は、熱交換器と、熱交換器
をバイパスするバイパス路と、バイパス路に設けられて
設定温度が高い時には閉または開度が小さくなり、低い
時には開または開度が大きくなるバイパス電磁弁と、バ
ーナへのガス量を制御するガス比例弁とを備えて成るバ
イパスミキシング方式の給湯器において、定常出湯運転
中に設定温度を変更した場合にバイパス電磁弁を所定の
遅延時間をもって開方向または閉方向に動作させるとと
もに、設定温度に対応して必要ガス量を算出し、設定温
度を高くしてバイパス電磁弁を閉方向に動作させる場合
には上記遅延時間の間上記算出された必要ガス量よりも
少ないガスを供給し、遅延時間経過後にバイパス電磁弁
を動作させるとともにガス量を上記必要ガス量に修正す
るオーバーシュート防止処理操作を行うとともに、設定
温度を低くしてバイパス電磁弁を開方向に動作させる場
合には上記遅延時間の間上記必要ガス量よりも多いガス
量を供給し、遅延時間経過後にバイパス電磁弁を動作さ
せるとともにガス量を上記必要ガス量に修正するアンダ
ーシュート防止処理操作を行うものであり、定常出湯運
転中に設定温度を変更した場合に安定した出湯温度で運
転を行うことができ、出湯特性を向上させることができ
る。
に本発明の給湯器の制御方法は、熱交換器と、熱交換器
をバイパスするバイパス路と、バイパス路に設けられて
設定温度が高い時には閉または開度が小さくなり、低い
時には開または開度が大きくなるバイパス電磁弁と、バ
ーナへのガス量を制御するガス比例弁とを備えて成るバ
イパスミキシング方式の給湯器において、定常出湯運転
中に設定温度を変更した場合にバイパス電磁弁を所定の
遅延時間をもって開方向または閉方向に動作させるとと
もに、設定温度に対応して必要ガス量を算出し、設定温
度を高くしてバイパス電磁弁を閉方向に動作させる場合
には上記遅延時間の間上記算出された必要ガス量よりも
少ないガスを供給し、遅延時間経過後にバイパス電磁弁
を動作させるとともにガス量を上記必要ガス量に修正す
るオーバーシュート防止処理操作を行うとともに、設定
温度を低くしてバイパス電磁弁を開方向に動作させる場
合には上記遅延時間の間上記必要ガス量よりも多いガス
量を供給し、遅延時間経過後にバイパス電磁弁を動作さ
せるとともにガス量を上記必要ガス量に修正するアンダ
ーシュート防止処理操作を行うものであり、定常出湯運
転中に設定温度を変更した場合に安定した出湯温度で運
転を行うことができ、出湯特性を向上させることができ
る。
【０００６】
【実施例】本発明の実施例を図に基づいて説明すると、
図１において、熱交換器１の入口側に入水路２が、出口
側に出湯路３が接続され、熱交換器１をバイパスして入
水路２と出湯路３とを連通させるバイパス路４が設けら
れ、入水路２のバイパス路４分岐部と熱交換器１との間
に設けられた缶体入水電磁弁５と、バイパス路４にバイ
パス電磁弁６と、バイパス路４の合流部よりも下流側の
出湯路３に設けられた水量サーボ弁７と、入水路２のバ
イパス路４分岐部よりも上流側に設けられた全通水量Ｑ
T を検出する水量センサ８及び入水温度ＴC を検出する
入水温度センサ９と、入水路２のバイパス路４分岐部と
熱交換器１との間に設けられた缶体通水量ＱH を検出す
る水量センサ１０と、バイパス路４の合流部よりも下流
側の出湯路３に設けられ、熱交換器１からの高温湯とバ
イパス路４からの冷水とが混合された後の出湯温度ＴO
を検出する出湯温度センサ１１と、熱交換器１を加熱す
るバーナ１３と、バーナ１３へのガス量を調節するガス
比例弁１４とを備えており、上記全通水量ＱT 、入水温
度ＴC 、缶体通水量ＱH 、出湯温度ＴO の各検出信号が
入力され、入力された設定温度ＴS に基づいて缶体入水
電磁弁５、バイパス電磁弁６、水量サーボ弁７及びガス
比例弁１４に制御信号を出力するコントローラ１２が設
けられている。
図１において、熱交換器１の入口側に入水路２が、出口
側に出湯路３が接続され、熱交換器１をバイパスして入
水路２と出湯路３とを連通させるバイパス路４が設けら
れ、入水路２のバイパス路４分岐部と熱交換器１との間
に設けられた缶体入水電磁弁５と、バイパス路４にバイ
パス電磁弁６と、バイパス路４の合流部よりも下流側の
出湯路３に設けられた水量サーボ弁７と、入水路２のバ
イパス路４分岐部よりも上流側に設けられた全通水量Ｑ
T を検出する水量センサ８及び入水温度ＴC を検出する
入水温度センサ９と、入水路２のバイパス路４分岐部と
熱交換器１との間に設けられた缶体通水量ＱH を検出す
る水量センサ１０と、バイパス路４の合流部よりも下流
側の出湯路３に設けられ、熱交換器１からの高温湯とバ
イパス路４からの冷水とが混合された後の出湯温度ＴO
を検出する出湯温度センサ１１と、熱交換器１を加熱す
るバーナ１３と、バーナ１３へのガス量を調節するガス
比例弁１４とを備えており、上記全通水量ＱT 、入水温
度ＴC 、缶体通水量ＱH 、出湯温度ＴO の各検出信号が
入力され、入力された設定温度ＴS に基づいて缶体入水
電磁弁５、バイパス電磁弁６、水量サーボ弁７及びガス
比例弁１４に制御信号を出力するコントローラ１２が設
けられている。
【０００７】図２のフローチャートを参照して給湯器の
運転動作を説明すると、使用開始前の初期状態において
は、缶体入水電磁弁５は閉状態、バイパス電磁弁６は開
状態にあり、出湯路３に接続された給湯栓を開いて出湯
を開始すると、水量センサ８が検出する全通水量ＱT が
最小必要全通水量ＭＯＱT に達した（ＭＯＱT ＯＮ）こ
とを確認してから缶体入水電磁弁５を開き、設定温度Ｔ
S が所定値ＴSO（例えば、50℃）以上の高温出湯時には
バイパス電磁弁６が閉じられ、設定温度ＴS が所定値Ｔ
SO（50℃）未満の低温出湯時にはバイパス電磁弁６が開
かれる。
運転動作を説明すると、使用開始前の初期状態において
は、缶体入水電磁弁５は閉状態、バイパス電磁弁６は開
状態にあり、出湯路３に接続された給湯栓を開いて出湯
を開始すると、水量センサ８が検出する全通水量ＱT が
最小必要全通水量ＭＯＱT に達した（ＭＯＱT ＯＮ）こ
とを確認してから缶体入水電磁弁５を開き、設定温度Ｔ
S が所定値ＴSO（例えば、50℃）以上の高温出湯時には
バイパス電磁弁６が閉じられ、設定温度ＴS が所定値Ｔ
SO（50℃）未満の低温出湯時にはバイパス電磁弁６が開
かれる。
【０００８】ここで、最小必要全通水量ＭＯＱT は、設
定温度ＴS によって異なるＭＯＱTＯＮ（運転開始必要
通水量以上）とＭＯＱT ＯＦＦ（運転継続下限通水量未
満）とが設定されるものであり、例えば、設定温度ＴS
が所定値ＴSO（50℃）以上の高温出湯時には全通水量Ｑ
T が3.5 l/min.以上となった時にＭＯＱT ＯＮとして缶
体入水電磁弁５を開き、3.0 l/min.未満になるとＭＯＱ
T ＯＦＦとして缶体入水電磁弁５を閉じるものであり、
また、設定温度ＴS が所定値ＴSO（50℃）未満の低温出
湯時には全通水量ＱT が2.5 l/min.以上となった時にＭ
ＯＱT ＯＮとして缶体入水電磁弁５を開き、2.0 l/min.
未満になるとＭＯＱT ＯＦＦとして缶体入水電磁弁５を
閉じるものである。
定温度ＴS によって異なるＭＯＱTＯＮ（運転開始必要
通水量以上）とＭＯＱT ＯＦＦ（運転継続下限通水量未
満）とが設定されるものであり、例えば、設定温度ＴS
が所定値ＴSO（50℃）以上の高温出湯時には全通水量Ｑ
T が3.5 l/min.以上となった時にＭＯＱT ＯＮとして缶
体入水電磁弁５を開き、3.0 l/min.未満になるとＭＯＱ
T ＯＦＦとして缶体入水電磁弁５を閉じるものであり、
また、設定温度ＴS が所定値ＴSO（50℃）未満の低温出
湯時には全通水量ＱT が2.5 l/min.以上となった時にＭ
ＯＱT ＯＮとして缶体入水電磁弁５を開き、2.0 l/min.
未満になるとＭＯＱT ＯＦＦとして缶体入水電磁弁５を
閉じるものである。
【０００９】次に水量センサ１０が検出する缶体通水量
ＱH が最小必要缶体通水量ＭＯＱHに達した（ＭＯＱH
ＯＮ）ことを確認すると、バーナ１３が点火されて定常
燃焼制御が行われ、定常出湯運転が開始される。缶体通
水量ＱH が最小必要缶体通水量ＭＯＱH を下回る（ＭＯ
ＱH ＯＦＦ）場合には、設定温度ＴS に関係なく、缶体
入水電磁弁５を閉じてバイパス電磁弁６を開き、バーナ
１３の燃焼を開始せず、冷水を供給して制御を終了す
る。ここで、最小必要缶体通水量ＭＯＱH は、ＭＯＱH
ＯＮ（運転開始必要通水量以上）とＭＯＱH ＯＦＦ（運
転継続下限通水量未満）とが設定されており、例えば、
缶体通水量ＱH が1.6 l/min.以上となった時にＭＯＱH
ＯＮとして燃焼運転を開始し、1.3 l/min.未満になると
ＭＯＱH ＯＦＦとして缶体入水電磁弁５を閉じてバイパ
ス電磁弁６を開いて制御を終了する。
ＱH が最小必要缶体通水量ＭＯＱHに達した（ＭＯＱH
ＯＮ）ことを確認すると、バーナ１３が点火されて定常
燃焼制御が行われ、定常出湯運転が開始される。缶体通
水量ＱH が最小必要缶体通水量ＭＯＱH を下回る（ＭＯ
ＱH ＯＦＦ）場合には、設定温度ＴS に関係なく、缶体
入水電磁弁５を閉じてバイパス電磁弁６を開き、バーナ
１３の燃焼を開始せず、冷水を供給して制御を終了す
る。ここで、最小必要缶体通水量ＭＯＱH は、ＭＯＱH
ＯＮ（運転開始必要通水量以上）とＭＯＱH ＯＦＦ（運
転継続下限通水量未満）とが設定されており、例えば、
缶体通水量ＱH が1.6 l/min.以上となった時にＭＯＱH
ＯＮとして燃焼運転を開始し、1.3 l/min.未満になると
ＭＯＱH ＯＦＦとして缶体入水電磁弁５を閉じてバイパ
ス電磁弁６を開いて制御を終了する。
【００１０】定常燃焼制御が行われ、定常出湯運転中に
設定温度ＴS が変更されると、設定温度ＴS が所定値Ｔ
SO（50℃）を越えて（所定値ＴSOを含む）変更された場
合、即ち所定値ＴSO（50℃）未満から所定値ＴSO（50
℃）以上に変更された場合には後述するオーバーシュー
ト防止処理（ＯＳ処理）を行い、一方、所定値ＴSO（50
℃）以上から所定値ＴSO（50℃）未満に変更された場合
には後述するアンダーシュート防止処理（ＵＳ処理）を
行うものであり、設定温度ＴS が所定値ＴSO（50℃）を
越えて変更されない場合、即ち所定値ＴSO（50℃）以上
の範囲内、或いは所定値ＴSO（50℃）未満の範囲内で設
定温度ＴS が変更された場合には、バイパス電磁弁６の
開閉操作が行われないから、オーバーシュート防止処理
或いはアンダーシュート防止処理を行う必要が無く、定
常燃焼制御が継続される。
設定温度ＴS が変更されると、設定温度ＴS が所定値Ｔ
SO（50℃）を越えて（所定値ＴSOを含む）変更された場
合、即ち所定値ＴSO（50℃）未満から所定値ＴSO（50
℃）以上に変更された場合には後述するオーバーシュー
ト防止処理（ＯＳ処理）を行い、一方、所定値ＴSO（50
℃）以上から所定値ＴSO（50℃）未満に変更された場合
には後述するアンダーシュート防止処理（ＵＳ処理）を
行うものであり、設定温度ＴS が所定値ＴSO（50℃）を
越えて変更されない場合、即ち所定値ＴSO（50℃）以上
の範囲内、或いは所定値ＴSO（50℃）未満の範囲内で設
定温度ＴS が変更された場合には、バイパス電磁弁６の
開閉操作が行われないから、オーバーシュート防止処理
或いはアンダーシュート防止処理を行う必要が無く、定
常燃焼制御が継続される。
【００１１】先ず設定温度ＴS が所定値ＴSO（50℃）未
満から所定値ＴSO（50℃）以上に変更された（ＴO ≧Ｔ
SO＞ＴU ）場合に行われるオーバーシュート防止処理
（ＯＳ処理）について説明する。設定温度ＴS における
必要ガス量ＧTSは式ＧTS＝ＱT （ＴS −ＴC ）で算出さ
れるものであるから、所定値ＴSO（50℃）未満の設定温
度ＴU （例えば、46℃）における必要ガス量ＧTUは、Ｇ
TU＝ＱT （ＴU −ＴC ）であり、また所定値ＴSO（50
℃）以上の設定温度ＴO （例えば、50℃）における必要
ガス量ＧTOは、ＧTO＝ＱT （ＴO −ＴC ）となる。設定
温度ＴS をＴU （必要ガス量ＧTU）から所定値ＴSO（50
℃）を越えて（所定値ＴSOを含む）ＴO （必要ガス量Ｇ
TO）に変更する場合、所定の遅延時間ｔlをもってバイ
パス電磁弁６を閉止するようにし、遅延時間ｔl の間必
要ガス量として変更後の設定温度ＴO における必要ガス
量ＧTOよりも少ない（本実施例では必要ガス量ＧTOの50
％である）オーバーシュート防止ガス量ＧOSをバーナ１
３に供給し、遅延時間ｔl 経過後バイパス電磁弁６を閉
止して必要ガス量ＧTOを供給するものである。なお、オ
ーバーシュート防止ガス量ＧOSは次式で算出される。 ＧOS＝0.5 ＧTO＝0.5 ＱT （ＴO −ＴC ） また、遅延時間ｔl （min.) は次式で算出される。 ｔl ＝0.5 ＶM ／ＱH （但し、ＶM は缶体容量）
満から所定値ＴSO（50℃）以上に変更された（ＴO ≧Ｔ
SO＞ＴU ）場合に行われるオーバーシュート防止処理
（ＯＳ処理）について説明する。設定温度ＴS における
必要ガス量ＧTSは式ＧTS＝ＱT （ＴS −ＴC ）で算出さ
れるものであるから、所定値ＴSO（50℃）未満の設定温
度ＴU （例えば、46℃）における必要ガス量ＧTUは、Ｇ
TU＝ＱT （ＴU −ＴC ）であり、また所定値ＴSO（50
℃）以上の設定温度ＴO （例えば、50℃）における必要
ガス量ＧTOは、ＧTO＝ＱT （ＴO −ＴC ）となる。設定
温度ＴS をＴU （必要ガス量ＧTU）から所定値ＴSO（50
℃）を越えて（所定値ＴSOを含む）ＴO （必要ガス量Ｇ
TO）に変更する場合、所定の遅延時間ｔlをもってバイ
パス電磁弁６を閉止するようにし、遅延時間ｔl の間必
要ガス量として変更後の設定温度ＴO における必要ガス
量ＧTOよりも少ない（本実施例では必要ガス量ＧTOの50
％である）オーバーシュート防止ガス量ＧOSをバーナ１
３に供給し、遅延時間ｔl 経過後バイパス電磁弁６を閉
止して必要ガス量ＧTOを供給するものである。なお、オ
ーバーシュート防止ガス量ＧOSは次式で算出される。 ＧOS＝0.5 ＧTO＝0.5 ＱT （ＴO −ＴC ） また、遅延時間ｔl （min.) は次式で算出される。 ｔl ＝0.5 ＶM ／ＱH （但し、ＶM は缶体容量）
【００１２】次に設定温度ＴS が所定値ＴSO（50℃）未
満から所定値ＴSO（50℃）以上に変更された場合に行わ
れるアンダーシュート防止処理（ＵＳ処理）について説
明する。設定温度ＴS をＴO （必要ガス量ＧTO）からＴ
U （必要ガス量ＧTU）に変更する（ＴO ≧ＴSO＞ＴU ）
場合、上記遅延時間ｔl をもってバイパス電磁弁６を開
くようにし、遅延時間ｔl の間必要ガス量として変更後
の設定温度ＴU における必要ガス量ＧTUよりも多い（本
実施例では必要ガス量ＧTUの 2.0倍）アンダーシュート
防止ガス量ＧUSをバーナ１３に供給し、遅延時間ｔl 経
過後バイパス電磁弁６を閉止して必要ガス量ＧTUを供給
するものである。なお、アンダーシュート防止ガス量Ｇ
USは次式で算出される。 ＧUS＝2.0 ＧTU＝2.0 ＱT （ＴU −ＴC ）
満から所定値ＴSO（50℃）以上に変更された場合に行わ
れるアンダーシュート防止処理（ＵＳ処理）について説
明する。設定温度ＴS をＴO （必要ガス量ＧTO）からＴ
U （必要ガス量ＧTU）に変更する（ＴO ≧ＴSO＞ＴU ）
場合、上記遅延時間ｔl をもってバイパス電磁弁６を開
くようにし、遅延時間ｔl の間必要ガス量として変更後
の設定温度ＴU における必要ガス量ＧTUよりも多い（本
実施例では必要ガス量ＧTUの 2.0倍）アンダーシュート
防止ガス量ＧUSをバーナ１３に供給し、遅延時間ｔl 経
過後バイパス電磁弁６を閉止して必要ガス量ＧTUを供給
するものである。なお、アンダーシュート防止ガス量Ｇ
USは次式で算出される。 ＧUS＝2.0 ＧTU＝2.0 ＱT （ＴU −ＴC ）
【００１３】さらに、バイパス電磁弁の開度を複数段、
或いは連続的に調節可能とし、所定値ＴSOを複数設定す
ることにより、複数の所定値ＴSOのいずれかを越えて設
定温度が変更されると、オーバーシュート防止処理（Ｏ
Ｓ処理）またはアンダーシュート防止処理（ＵＳ処理）
を逐次行い、きめの細かい制御を行うことができ、安定
した出湯温度を得ることができる。また、所定値を設定
せず、設定温度を高くするとオーバーシュート防止処理
を行い、設定温度を低くするとアンダーシュート防止処
理を行うようにしても良いものである。
或いは連続的に調節可能とし、所定値ＴSOを複数設定す
ることにより、複数の所定値ＴSOのいずれかを越えて設
定温度が変更されると、オーバーシュート防止処理（Ｏ
Ｓ処理）またはアンダーシュート防止処理（ＵＳ処理）
を逐次行い、きめの細かい制御を行うことができ、安定
した出湯温度を得ることができる。また、所定値を設定
せず、設定温度を高くするとオーバーシュート防止処理
を行い、設定温度を低くするとアンダーシュート防止処
理を行うようにしても良いものである。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
から、設定温度を高くしてバイパス電磁弁を閉方向に動
作させる場合には上記遅延時間の間必要ガス量よりも少
ないガスを供給し、設定温度を低くしてバイパス電磁弁
を開方向に動作させる場合には上記遅延時間の間必要ガ
ス量よりも多いガス量を供給し、遅延時間経過後にバイ
パス電磁弁を動作させるとともにガス量を算出された必
要ガス量に修正することにより、定常出湯運転中に設定
温度を変更した場合に安定した出湯温度で運転を行うこ
とができ、出湯特性を向上させることができる。
から、設定温度を高くしてバイパス電磁弁を閉方向に動
作させる場合には上記遅延時間の間必要ガス量よりも少
ないガスを供給し、設定温度を低くしてバイパス電磁弁
を開方向に動作させる場合には上記遅延時間の間必要ガ
ス量よりも多いガス量を供給し、遅延時間経過後にバイ
パス電磁弁を動作させるとともにガス量を算出された必
要ガス量に修正することにより、定常出湯運転中に設定
温度を変更した場合に安定した出湯温度で運転を行うこ
とができ、出湯特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明を適用する給湯器の概略構成図であ
る。
る。
【図２】 本発明の制御動作のフローチャートである。
１ 熱交換器 ２ 入水路 ３ 出湯路 ４ バイパス路 ５ 缶体入水電磁弁 ６ バイパス電磁弁 ７ 水量サーボ弁 ８ 水量センサ ９ 入水温度センサ １０ 水量センサ １１ 出湯温度センサ １２ コントローラ １３ バーナ １４ ガス比例弁
フロントページの続き (72)発明者 腹巻 知 兵庫県神戸市中央区明石町32番地 株式会 社ノーリツ内 (72)発明者 抱 貴雄 兵庫県神戸市中央区明石町32番地 株式会 社ノーリツ内 (72)発明者 福井 秀和 兵庫県神戸市中央区明石町32番地 株式会 社ノーリツ内 (72)発明者 森下 敦弘 兵庫県神戸市中央区明石町32番地 株式会 社ノーリツ内 (72)発明者 川口 裕 兵庫県神戸市中央区明石町32番地 株式会 社ノーリツ内 (72)発明者 神吉 英二 兵庫県神戸市中央区明石町32番地 株式会 社ノーリツ内
Claims (1)
- 【請求項１】 熱交換器と、熱交換器をバイパスするバ
イパス路と、バイパス路に設けられたバイパス電磁弁
と、バーナへのガス量を制御するガス比例弁とを備えた
バイパスミキシング方式の給湯器において、定常出湯運
転中に設定温度を変更した場合にバイパス電磁弁を所定
の遅延時間をもって開方向または閉方向に動作させると
ともに、設定温度に対応して必要ガス量を算出し、設定
温度を高くしてバイパス電磁弁を閉方向に動作させる場
合には上記遅延時間の間必要ガス量よりも少ないガスを
供給し、設定温度を低くしてバイパス電磁弁を開方向に
動作させる場合には上記遅延時間の間必要ガス量よりも
多いガス量を供給し、遅延時間経過後にバイパス電磁弁
を動作させるとともにガス量を算出された必要ガス量に
修正することを特徴とする給湯器の制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9606692A JPH06288633A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 給湯器の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9606692A JPH06288633A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 給湯器の制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06288633A true JPH06288633A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=14155056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9606692A Pending JPH06288633A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 給湯器の制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06288633A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03191254A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 給湯機 |
-
1992
- 1992-03-24 JP JP9606692A patent/JPH06288633A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03191254A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 給湯機 |
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