JPH06283731A

JPH06283731A - 空間光変調素子の製造方法

Info

Publication number: JPH06283731A
Application number: JP5067897A
Authority: JP
Inventors: Kuniharu Takizawa; 國治滝沢; Hiroshi Kikuchi; 宏菊池; Jiyungo Kondou; 順悟近藤; Yukihisa Osugi; 幸久大杉; Masaji Tange; 正次丹下
Original assignee: NGK Insulators Ltd; Nippon Hoso Kyokai NHK; Japan Broadcasting Corp
Current assignee: NGK Insulators Ltd; Japan Broadcasting Corp
Priority date: 1993-03-26
Filing date: 1993-03-26
Publication date: 1994-10-07
Anticipated expiration: 2013-09-17
Also published as: JP2798865B2

Abstract

(57)【要約】【目的】空間光変調素子（ＳＬＭ）の遮光層を形成
するのに際し、抵抗率が高くかつ光透過率の低い遮光層
を安定して製造できるようにすることである。【構成】光導電層と、この光導電層の一方の面に設け
られた一方の透明電極膜と、前記光導電層の他方の面に
設けられた遮光層と、この遮光層上に設けられた誘電体
多層膜と、この誘電体多層膜上に設けられた光変調層
と、この光変調層の表面に設けられた他方の透明電極膜
とを少なくとも備えた空間光変調素子を製造する。アモ
ルファス膜によって遮光層を構成し、プラズマ化学気相
成長法によって、高周波電力密度を制御することによ
り、好ましくは4.８×１０^-2Ｗ／cm²以下の高周波電力
密度で前記アモルファス膜を作製する。このアモルファ
ス膜は、１2.５〜３５原子％のゲルマニウムと２５〜８
2.５原子％の炭素と５〜６2.５原子％のケイ素とから実
質的に構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、投写形ディスプレイに
用いる空間光変調素子の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】投写形ディスプレイの開発には、現在３
種のアプローチがある。このうち、ブラウン管を用いた
投写形ディスプレイは、ブラウン管の輝度に限界があ
り、かつ装置が大型化するという難点があるため、ディ
スプレイの大面積化には限界がある。また、薄膜トラン
ジスタアレーを持つ液晶パネルで構成される液晶投写形
ディスプレイの場合は、液晶パネルの解像度が不足して
いること、液晶パネルの開口率が低いこと、アモルファ
スシリコン薄膜からなる薄膜トランジスタアレーの耐光
性が低いこと等の問題がある。

【０００３】このため、空間光変調素子、小形ディスプ
レイ及び光源を拡大投写光学系に組み入れた、投写形デ
ィスプレイが有望視されている。この方式では、微弱な
画像を一度空間光変調素子に書き込み、この書き込み情
報に従って別の読み出し光を変調し、スクリーンに投写
する。

【０００４】即ち、画像情報を荷った書き込み光を光導
電層へと照射し、書き込み光よりも強度の大きい読み出
し光を、書き込み光とは反対側から光変調層へと照射す
る。このため、光導電層と光変調層との間に誘電体多層
膜ミラーを設け、読み出し光を反射させている。

【０００５】しかし、誘電体多層膜は、屈折率の異なる
誘電体膜を多数重ねたものであり、その反射率は高々九
十数〜九十九％程度である。読み出し光は書き込み光よ
りも遙かに大きい光強度を有するので、読み出し光のご
く一部でも光導電層側に洩れれば、光導電層が感光し、
その抵抗が下がる。このため、読み出し光の書き込み光
に対する強度比（増幅率）を向上させるには、誘電体多
層膜を透過した読み出し光を、光導電層と光変調層との
間で効果的に遮断しなければならない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このため、本発明者
は、光導電層と誘電体多層膜との間に遮光層を設け、光
変調層及び誘電体多層膜を透過した読み出し光を、遮光
層で吸収する技術を開発した。しかし、この技術につい
て更に検討を進めると、特に製造プロセスに困難な問題
のあることが判った。

【０００７】即ち、空間光変調素子におけるデバイス特
性、特に解像度は、遮光層の抵抗率と光透過率とに大き
く依存する。まず、遮光層の抵抗率が下がると、画像の
コントラストが下がり、解像度が下がる。また、遮光層
の光透過率が大きくなると、読み出し光の強度が一定で
あっても、光透過量が多くなる。遮光層を透過した読み
出し光は、光導電層にホトキャリアを生じさせ、光導電
層の全体に亘って電気抵抗を低下させる。この結果、画
像のコントラストが低下し、素子の解像度が下がる。逆
に言えば、遮光層の光透過率が大きくなると、解像度を
一定にするためには、読み出し光の強度を小さくするこ
とが必要である。

【０００８】しかし、遮光層の抵抗率と光透過率とは、
互いに相反する特性である。即ち、遮光層の光透過率を
下げるには、光の吸収能力を上げる必要がある。ところ
が、読み出しの吸収能力が高い遮光層においては、吸収
した光エネルギーの影響によって、抵抗率が著しく下が
る。こうなると、空間光変調素子の解像度が急激に劣化
し、投射画像が不鮮明になる。

【０００９】本発明の課題は、空間光変調素子（ＳＬ
Ｍ）の遮光層を形成するのに際し、抵抗率が高くかつ光
透過率の低い遮光層を安定して製造できるようにするこ
とである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、光導電層と、
この光導電層の一方の面に設けられた一方の透明電極膜
と、前記光導電層の他方の面に設けられた遮光層と、こ
の遮光層上に設けられた誘電体多層膜と、この誘電体多
層膜上に設けられた光変調層と、この光変調層の表面に
設けられた他方の透明電極膜とを少なくとも備えた空間
光変調素子を製造するのに際し、１2.５〜３５原子％の
ゲルマニウムと２５〜８2.５原子％の炭素と５〜６2.５
原子％のケイ素とから実質的に構成されているアモルフ
ァス膜からなる前記遮光層をプラズマ化学気相成長法に
よって高周波電力密度を制御することにより作製するこ
とを特徴とする、空間光変調素子の製造方法に係るもの
である。

【００１１】上記において、高周波電力密度とは、プラ
ズマ化学気相成長（ＣＶＤ）法において、アノードとカ
ソードとの間に加える高周波電力を、アノード、カソー
ドの面積で除した値である。そして、本発明において望
ましくは、この高周波電力密度を4.８×１０^-2Ｗ／cm²
以下とした時に、良好な膜を作製できる。

【００１２】本発明者は、ゲルマニウム、炭素及びケイ
素を含有するアモルファス膜からなる遮光層を、プラズ
マＣＶＤ法によって、4.８×１０^-2Ｗ／cm²以下の高周
波電力密度で成膜すれば、抵抗率が大きく、かつ光透過
率の小さい、バランスのとれた遮光層が得られることを
見出した。具体的には、高周波電力密度を低下させる
と、遮光層の抵抗率は増大し、光透過率が低下すること
が、判明した。

【００１３】そして、高周波電力密度を4.８×１０
^-2（Ｗ／cm²）以下とすれば遮光層の光透過率が0.８％
以下となり、抵抗率が3.０×１０⁹Ω・cm以上となり、
空間光変調素子の解像度が１７ lp ／mm以上になること
が判明した。この空間光変調素子をプロジェクターとし
て使用した場合、空間光変調素子の解像度が１７ lp ／
mm未満になると、画像が急激に劣化し、不明瞭になっ
た。これは、投写画像上で画素が不足しているためであ
る。

【００１４】また、アモルファス膜の組成については、
１2.５〜３５原子％のゲルマニウムと２５〜８2.５原子
％の炭素と５〜６2.５％のケイ素とから実質的に構成す
ると、素子の解像度が良好になった。「実質的に」と
は、不可避的不純物は許容されることを意味する。

【００１５】

【実施例】以下、本発明を更に具体的に説明する。光変
調層を構成する液晶材料としては、ネマティック液晶、
コレステリック液晶、スメクティック液晶、ポリマー分
散型液晶が好ましい。光導電層は、Ｂｉ₁₂ＳｉＯ₂₀単結
晶、Ｂｉ₁₂ＧｅＯ₂₀単結晶、ＧａＡｓ単結晶で形成する
ことが好ましい。または、光導電層を、ＧａＡｓ膜、水
素化アモルファスシリコン膜、水素化アモルファスシリ
コンカーバイト膜、アモルファスセレン膜で形成するこ
とが好ましい。

【００１６】図１〜図５を参照しつつ、本発明の実施例
に係る空間光変調素子１２Ａの製造過程を、順を追って
説明する。この実施例では、光導電層1Aとして、Ｂｉ₁₂
ＳｉＯ₂₀単結晶、Ｂｉ₁₂ＧｅＯ₂₀単結晶又はＧａＡｓ単
結晶を用いる。

【００１７】まず、Ｂｉ₁₂ＳｉＯ₂₀，Ｂｉ₁₂ＧｅＯ₂₀，
およびＧａＡｓの単結晶からなる光導電層１Ａを単結晶
のウエハーから切り出し、光導電層１Ａの一方の表面に
一方の透明電極膜２Ａを設ける（図１）。次いで、図２
に示すように、光導電層１Ａの他方の表面に、本発明に
従い、遮光層３を設ける。遮光層３の組成及び製法につ
いては、後述する。次いで、図３に示すように、遮光層
３の表面に誘電体多層膜４を蒸着によって設ける。

【００１８】この一方、図４に示すように、ガラス基板
７の表面に、他方の透明電極膜2Bを形成する。誘電体多
層膜４と透明電極膜２Ｂとを、スペーサーを含むシール
材５を挟んで対向させる。誘電体多層膜４、透明電極膜
２Ｂ及びシール材５の間に、平板形状の空間６が形成さ
れる。

【００１９】本実施例では、透明ポリマー中に液晶粒子
を分散させてなる液晶材料である、ポリマー分散形液晶
（ＰＤＬＣ: Polymer-Dispersed Liquid Crystal）を
用いる。具体的な製法としては、従来の通常のツイスト
ネマティック液晶と同様に、注入口から未硬化のネマテ
ィック液晶と樹脂マトリクスとの混合物を注入し、注入
口を封止して後、硬化させる。この結果、図５に示すよ
うに、空間６内に、ＰＤＬＣからなる光変調層８が形成
される。

【００２０】なお、シール材を用いない製法もある。即
ち、例えば、透明電極を設けた基板上に未硬化のネマテ
ィック液晶と樹脂マトリクスとの混合物を供給し、その
後、誘電体多層膜及び透明電極を付着した光導電層を重
ねて、光照射等により硬化させることもできる。もちろ
ん，その後、周辺にシール材を塗布して周辺をシールし
てもよい。この製法によれば、単に未硬化のネマティッ
ク液晶と樹脂マトリクスとの混合物をロールコート、ス
ピンコート、印刷、ディスペンサーによる塗布等で供給
すれば良いため、注入工程が簡便であり、生産性が極め
てよい。

【００２１】また、未硬化のネマティック液晶と樹脂マ
トリクスとの混合物には、基板間隙制御用のセラミック
粒子、プラスチック粒子、ガラス繊維等のスペーサー、
顔料、色素、粘度調整剤、その他、液晶の性能に悪影響
を与えない添加剤を添加してもよい。

【００２２】なお、投写型ディスプレイにおいては、光
変調層をネマティック液晶によって形成した、いわゆる
液晶ライトバルブが一般的である。しかし、このシステ
ムでは、液晶層で位相変調された読み出し光のうちＰお
よびＳ偏波光成分のうちの一方が、偏光ビームスプリッ
タを通過し、スクリーンに投写される。このため、読み
出し光がランダムな偏波状態であるとき、その光の５０
％以上が偏光ビームスプリッタで吸収されてしまう。こ
のため、読み出し光の利用率が低くなるし、ビームスプ
リッタが発熱する。

【００２３】一方、ポリマー分散形液晶は、アクリル等
の透明ポリマー中に粒状液晶を分散させた液晶材料であ
る。このＰＤＬＣによって光変調層８を構成した場合に
は、ＰＤＬＣに加える印加電圧によって、読み出し光を
透過もしくは散乱させるので、偏光ビームスプリッタが
不要であり、光の利用率が高い。また、液晶層の両側面
に配向層を設ける必要がないので、大面積の空間光変調
素子を作製するのが容易になる。しかも、光変調に複屈
折を利用していないので、液晶層の厚さに不均一があっ
ても、読み出し光の空間一様性に大きな影響がない。

【００２４】次に、光導電層を水素化アモルファスシリ
コン膜とした実施例について、図６〜図８を参照しつつ
説明する。まず、図６に示すように、表面を光学研磨し
たガラス基板17に、一方の透明電極膜２Ａを設ける。

【００２５】水素化アモルファスシリコン膜からなる光
導電層１Ｂは、透明電極膜２Ａの表面にプラズマ化学気
相成長法によって形成することが好ましい。この場合
は、後述するように遮光層３はプラズマ化学気相成長法
を用いて作成するため、透明電極膜２Ａ上に、光導電層
１Ｂと遮光層３とを、同一の膜形成装置内で連続的に形
成することができる。むろん、この際は、成膜用ガスを
経時的に変更する必要がある。

【００２６】図７に示すように、一方の透明電極膜２Ａ
の表面に、水素化アモルファスシリコン膜からなる光導
電層１Ｂを設け、光導電層１Ｂの表面に遮光層３を設け
る。この後は、図３、図４、図５において説明した手順
に従って、誘電体多層膜４、光変調層８、他方の透明電
極膜2B、ガラス基板７を設ける。こうして、図８に示す
空間光変調素子１２Ｂを得る。

【００２７】次いで、こうした空間光変調素子の動作に
つき、図９の構成例を参照しつつ説明する。微弱な書き
込み光光源１０Ａから発光された書き込み光は、液晶テ
レビ１１を通過して入力画像光となり、この入力画像光
がレンズ１３Ａで集光され、空間光変調素子１２Ａ，１
２Ｂに照射される。この入力画像光は、透明電極膜２Ａ
を通過し、光導電層１Ａ，１Ｂに入射する。この一方、
高輝度の読み出し光光源１０Ｂから発光した読み出し光
は、レンズ１３Ｂで集光され、ミラー２５で反射され、
レンズ１３Ｃで調節されて、光変調層８へと入射する。

【００２８】次いで、この入射光は、主として誘電体多
層膜４で反射され、光変調層８をもう一度通過し、レン
ズ１３Ｃで集光され、レンズ１３Ｄを通ってスクリーン
１４上に投写される。

【００２９】書き込み光には、液晶テレビ１１によって
明暗が付けられている。光導電層１Ａ，１Ｂのうち、光
が当たらない部分では、一対の透明電極膜２Ａ，２Ｂの
間の印加電圧は、ほとんど光導電層１Ａ，１Ｂに集中す
る。このため、光変調層８にかかる印加電圧は、光変調
層８のしきい値電圧には達しない。一方、光導電層１
Ａ，１Ｂに光が当たると、その部分では光導電層１Ａ，
１Ｂの電気抵抗が大幅に下がり、光変調層８に分配され
る電圧が上昇してそのしきい値を越える。

【００３０】ＰＤＬＣからなる光変調層８の内部では、
光変調層８に電圧が印加されない場合は、液晶分子がポ
リマーと液晶の界面に沿って配列する。液晶粒子の形状
はランダムである。光変調層８への印加電圧が低いとき
は、液晶粒子とポリマーの屈折率が大幅に異なるため、
読み出し光は光変調層８内で何度も進行方向を変え、散
乱される。一方、光変調層８への印加電圧がしきい値電
圧を越え、液晶分子が電界の方向へと配向すると、読み
出し光は散乱されずに光変調層８を通過する。

【００３１】こうした機構により、入力画像光における
二次元的な強弱の分布が、読み出し光における二次元的
な強弱の分布に変換される。読み出し光の強度を書き込
み光の強度よりも大きくすれば、それだけ信号増幅率が
高くなる。

【００３２】また、上記の空間光変調素子を使用し、カ
ラー動画像を投写することもできる。この場合、素子１
２Ａ，１２Ｂを３枚用意し、例えば図１０に示す光学系
に組み込む。

【００３３】図１０の光学系においては、液晶パネル２
１Ｂ、２１Ｒ、２１Ｇによってそれぞれ書き込み光を変
調し、各書込み光画像を得る。これらの各書込み光画像
が、それぞれレンズ２２Ｂ、２２Ｒ、２２Ｇを透過し、
空間光変調素子２０Ｂ、２０Ｒ、２０Ｇに入射する。こ
れにより、各素子への画像の書込みを行う。この一方、
白色光源２３から出射した白色光が、レンズ２４Ａによ
ってミラー２５に集束する。この反射光のうち、青色光
がダイクロイックミラー２６Ｂによって反射され、素子
２０Ｂに入射する。青色光以外の可視光は、ダイクロイ
ックミラー２６Ｂを透過する。次いで、赤色光がダイク
ロイックミラー２６Ｒによって反射され、素子２０Ｒに
入射する。緑色光は、ダイクロイックミラー２６Ｒを透
過し、素子２０Ｇに入射する。

【００３４】これらの各原色光は、光変調層８を通過
し、主として誘電体多層膜４で反射され、再度光変調層
８を通過し、レンズ２４Ｂ、２４Ｃを通ってスクリーン
２７上に投写される。これにより、フルカラー画像が形
成される。

【００３５】（遮光層の組成）上記の遮光層３を、本発
明に従って、ゲルマニウム、炭素及びケイ素を含有する
アモルファス膜によって形成し、かつプラズマ化学気相
成長法によって4.８×１０^-2Ｗ／cm²以下の高周波電力
密度で作製する。この際には、少なくとも、ゲルマニウ
ム化合物、炭素化合物及びケイ素化合物を含む混合ガス
を用いる。

【００３６】特に、モノシラン、水素化ゲルマニウム及
び、メタン、エタン又はエチレンの混合ガスを、成膜用
ガスとして用いることが好ましい。モノシラン、水素化
ゲルマニウム、メタン、エタン又はエチレンの流量を変
更すれば、遮光層の組成を任意に、簡単に変更できるか
らである。

【００３７】（遮光層の実験例）まず、基板の表面にプ
ラズマＣＶＤ法によって遮光層を形成した。モノシラン
の流量を６．５ｓｃｃｍとし、水素化ゲルマニウムの流
量を２．４ｓｃｃｍとし、エチレンの流量を２９．５ｓ
ｃｃｍとした。材料ガスの圧力を１００ｍtorrおよび基
板の温度を２００℃の条件で、膜厚３．５μｍの遮光層
を形成した。こうして得た遮光層の組成は、炭素が５６
原子％、ケイ素が１８原子％、ゲルマニウムが２６原子
％であった。この組成比は、オージエ電子分光装置によ
る定量分析によって求めた。

【００３８】高周波電力密度を、表２に示すように変更
し、各遮光層の抵抗率を２端子法で、波長５５０nmの光
に対する光透過率を分光光度計でそれぞれ測定した。こ
の測定結果を表２及び図１１に示す。

【００３９】（空間光変調素子の実験例）まず、図１〜
図５に示したような手順で、空間光変調素子１２Ａを作
製した。ただし、光導電層１ＡはＢｉ₁₂ＳｉＯ₂₀単結晶
によって形成し、その寸法は、３５mm×３５mm×0.５mm
とした。透明電極膜２Ａ，２Ｂは、真空蒸着法によって
形成した。

【００４０】遮光層３は、プラズマＣＶＤ法によって形
成した。この条件は、上記と同じであり、遮光層の組成
も上記と同じである。むろん、高周波電力密度は、表２
に示すように変更した。

【００４１】誘電体多層膜４は、真空蒸着法で形成し
た。誘電体多層膜４は、ＴｉＯ₂ 薄膜とＳｉＯ₂ 薄膜と
の積層体であり、交互に合計２０層重ねた。そして、以
下の材料を混合してＰＤＬＣを構成し、厚さ18μm の光
変調層８を得た。

【００４２】

【表１】（ネマティック液晶）シアノビフェニル系の混合液晶常光屈折率ｎ₀＝1.５２５異常光屈折率ｎ_e＝1.７４８液晶分子の長軸と平行方向の比誘電率＝１7.６液晶分子の長軸と垂直方向の比誘電率＝5.１（紫外線硬化ポリマー）ウレタン系ポリマー屈折率ｎ_p＝1.５２４硬化波長域----３５０〜３８０ｎｍ（球状スペーサ剤）硬化樹脂直径----------１８μｍ

【００４３】表２に示す条件で作製した空間光変調素子
１２Ａを図９又は図１０の光学系にセットし、画像を表
示し、解像度を測定した。素子１２Ａの駆動電圧は５０
Ｖ_rm _sとし、駆動周波数は３０Ｈｚとし、書き込み光の
波長は３８０〜４９０nmとし、読み出し光の波長は４５
０〜５７０nmとした。書き込み光の強度は３００μＷ／
cm²とし、読み出しの強度は３００ｍＷ／cm²とした。
光増幅率は１０³倍である。測定結果を表２に示す。

【００４４】

【表２】

【００４５】表２、図１１から解るように、高周波電力
密度を低下させると、抵抗率が増大し、光透過率が減少
している。特に、高周波電力密度が4.８×１０^-2以下で
あると、抵抗率が３×１０⁹Ω・cm以上となり、光透過
率が0.８％以下となり、この結果、解像度が１７ lp ／
mm以上になった。これより解像度が悪いと、投写画面上
で画素数が不足し、画面が不明瞭になった。

【００４６】高周波電力密度を3.５×１０^-2Ｗ／cm²以
下とすると更に解像度が顕著に向上し、1.６×^-2１０Ｗ
／cm²以下とすると更に好ましい。ただし、高周波電力
密度が１．０×１０^-4Ｗ／cm²未満になると、プラズマ
が不安定になる。

【００４７】（実験２）実験１と同様にして、遮光層の
抵抗率、波長５５０nmの光に対する光透過率及び空間光
変調素子の解像度を測定した。ただし、遮光層を形成す
る際の高周波電力密度は、４．８×１０^-2または１．６
×１０^-2Ｗ／cm²にした。また、モノシラン、水素化ゲ
ルマニウム、エタンの各流量を調節し、遮光層の組成
を、表３，表４に示すように変更した。この結果を表
３，表４に示す。

【００４８】

【表３】

【００４９】

【表４】

【００５０】表３，表４から解るように、特にゲルマニ
ウムの比率が１2.５〜３５原子％であり、炭素の比率が
２５原子％以上であり、ケイ素の比率が５原子％以上で
ある場合に、解像度が１７ lp ／mm以上となり、鮮明な
画像が得られた。

【００５１】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、抵
抗率が大きく、かつ光透過率の小さい、バランスのとれ
た遮光層を製造できる。この結果、空間光変調素子のコ
ントラスト、解像度が向上し、鮮明な投写画像を得るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光導電層１Ａの表面に一方の透明電極膜2Aを形
成した状態を示す断面図である。

【図２】光導電層１Ａに遮光層３を設けた状態を示す断
面図である。

【図３】遮光層３の表面に誘電体多層膜４を設けた状態
を示す断面図である。

【図４】誘電体多層膜４と他方の透明電極膜2Bとの間に
シール材５を設置した状態を示す断面図である。

【図５】空間光変調素子１２Ａを示す断面図である。

【図６】ガラス基板１７の表面に一方の透明電極膜2Aを
設けた状態を示す断面図である。

【図７】透明電極膜２Ａの表面に、光導電層１Ｂ、遮光
層３を順次設けた状態を示す断面図である。

【図８】空間光変調素子１２Ｂを示す断面図である。

【図９】投写光学系の一例を示す模式図である。

【図１０】フルカラー投写光学系の一例を示す模式図で
ある。

【図１１】高周波電力密度と、光透過率及び抵抗率との
関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１Ａ，１Ｂ光導電層２Ａ一方の透明電極膜２Ｂ他方の透明電極膜３遮光層４誘電体多層膜７，17 ガラス基板８液晶材料からなる光変調層１２Ａ，１２Ｂ, ２０Ｂ，２０Ｒ，２０Ｇ空間光変調
素子１４スクリーン２１Ｂ，２１Ｒ，２１Ｇ液晶パネル２３白色光源２６Ｂ，２６Ｒダイクロイックミラー

フロントページの続き (72)発明者近藤順悟愛知県愛知郡日進町大字藤島字大根72−７ (72)発明者大杉幸久愛知県名古屋市瑞穂区竹田町３丁目９番地日本ガイシ竹田北社宅13号 (72)発明者丹下正次愛知県名古屋市天白区表山３丁目150番地日本ガイシ八事寮

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光導電層と、この光導電層の一方の面に
設けられた一方の透明電極膜と、前記光導電層の他方の
面に設けられた遮光層と、この遮光層上に設けられた誘
電体多層膜と、この誘電体多層膜上に設けられた光変調
層と、この光変調層の表面に設けられた他方の透明電極
膜とを少なくとも備えた空間光変調素子を製造するのに
際し、１2.５〜３５原子％のゲルマニウムと２５〜８2.
５原子％の炭素と５〜６2.５原子％のケイ素とから実質
的に構成されているアモルファス膜からなる前記遮光層
をプラズマ化学気相成長法によって高周波電力密度を制
御することにより作製することを特徴とする、空間光変
調素子の製造方法。
【請求項２】４．８×１０^-2Ｗ／cm²以下の高周波電
力密度で前記アモルファス膜を作製する、請求項１記載
の空間光変調素子の製造方法。
【請求項３】前記遮光層の波長５５０nmの光に対する
光透過率が0.８％以下であり、抵抗率が3.０×１０⁹Ω
・cm以上である、請求項１又は２記載の空間光変調素子
の製造方法。
【請求項４】解像度が１７ lp ／mm以上である空間光
変調素子を得る、請求項３記載の空間光変調素子の製造
方法。
【請求項５】モノシラン、水素化ゲルマニウム及びメ
タンの混合ガスを成膜用ガスとして用いる、請求項１又
は２記載の空間光変調素子の製造方法。
【請求項６】モノシラン、水素化ゲルマニウム及びエ
タンの混合ガスを成膜用ガスとして用いる、請求項１又
は２記載の空間光変調素子の製造方法。
【請求項７】モノシラン、水素化ゲルマニウム及びエ
チレンの混合ガスを成膜用ガスとして用いる、請求項１
又は２記載の空間光変調素子の製造方法。
【請求項８】同一の膜形成装置の内部で、プラズマ化
学気相成長法によって前記遮光層と前記光導電層とを連
続的に形成することを特徴とする、請求項１又は２記載
の空間光変調素子の製造方法。
【請求項９】前記光導電層が水素化アモルファスシリ
コン膜又はアモルファスシリコンカーバイト膜である、
請求項８記載の空間光変調素子の製造方法。
【請求項１０】前記光導電層がＢｉ₁₂ＳｉＯ₂₀単結
晶、Ｂｉ₁₂ＧｅＯ₂₀単結晶又はＧａＡｓ単結晶によって
形成されていることを特徴とする、請求項１又は２記載
の空間光変調素子の製造方法。