JPH0829800A - 光書き込み型液晶ライトバルブ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光導電体層に隣接して書き込み光の反射層を
設けることにより、光導電体層を透過した書き込み光を
光導電体層に再反射させるので、書き込み光に対する光
感度が向上できる。 【構成】 光書き込み型液晶ライトバルブにおいて、光
導電体層と隣接して読み出し光側に、書き込み光を反射
させる誘電体多層膜ミラーを形成することにより、光導
電体層を透過した書き込み光を光導電体層に再反射させ
るので、書き込み光に対する光感度が向上できる。この
光誘電体多層膜ミラーは単層の構造でもよい。また、従
来に比べて、光導電体層の膜厚を薄くすることができる
ので、膜剥離や膜厚分布やコストなど製造時の諸問題を
大幅に改善することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、静止画像や動画像を大
画面に高輝度、高精細度で表示することを可能にする大
画面表示装置や、光演算装置に用いられる光書き込み型
液晶ライトバルブに関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、大画面表示投射型ディスプレイ、
中でも光書き込み型液晶ライトバルブは、高輝度・高精
細の点からかなり活発に開発が行われている。図１０に
光書き込み型液晶ライトバルブの従来技術の構成を示
す。以下、図面を参照して、従来の光書き込み型液晶ラ
イトバルブの作製方法を説明する。

【０００３】まず、ガラス基板１０１および１０２上
に、ＩＴＯまたはＳｎＯ₂ 等の透明電極１０３および１
０４をそれぞれ形成し、次に一方の透明電極１０３上に
非晶質水素化ケイ素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる光導電体
層１０５を形成する。この水素化ケイ素（ａ−Ｓｉ：
Ｈ）からなる光導電体層１０５の形成は、シラン（Ｓｉ
Ｈ₄ ）ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法（化学的気相
反応法）を用いて行う。

【０００４】次に、光導電体層１０５上に遮光層１０６
を形成し、遮光層１０６の上にＳｉＯ₂ およびＴｉＯ₂
の積層からなる書き込み光に対する誘電体多層膜ミラー
１０７を電子ビーム蒸着法により形成する。誘電体多層
膜ミラー１０７と、他方の透明電極１０４とに、スピン
コートによってポリイミド膜を塗布し焼成することによ
り、配向膜１０８および１０９をそれぞれ形成し、これ
らの表面にラビングによる分子配向処理を施した後、ガ
ラス基板１０１および１０２をシール部材１１０を介し
て貼り合わせる。この間にカイラル材料を添加した混合
ネマチック液晶を注入し封止することにより、液晶層１
１１が形成され、光書き込み型液晶ライトバルブが形成
される。

【０００５】このような構成の液晶ライトバルブの透明
電極１０３および１０４間には、交流電源１１２によっ
て電圧が印加される。ガラス基板１０１側からレーザー
ビーム等の書き込み光１１３が走査され、画像が書き込
まれる。即ち、書き込み光１１３が入射されると、光の
当たった領域（明状態）では、光導電体層１０５のイン
ピーダンスが減少し、交流電源１１２によって印加され
た電圧は液晶層１１１に加わる。一方、光の当たらない
領域（暗状態）では、光導電体層１０５のインピーダン
スは減少せず、液晶が駆動するのに充分な電圧が液晶層
１１１に加わらない。従って、この明状態と暗状態とに
おける光導電体層１０５のインピーダンスの変化によ
り、画像を形成することができる。

【０００６】こうして画像が形成された液晶ライトバル
ブに、読み出し光１１４がガラス基板１０２側から入射
すると、画像に対応した部分の液晶層１１１の配向変化
により入射光の有する偏光状態が変調され、その反射光
に基づいて液晶ライトバルブに形成された画像を映し出
すことができる。

【０００７】液晶ライトバルブを用いた投影型画像表示
装置の構成を図１１に示す。以下、図面を用いて、投影
型画像表示装置の光学系を説明する。

【０００８】書き込み光９２がレンズ９３を介して液晶
ライトバルブ９１に入射されると画像が形成される。そ
うして画像が形成された液晶ライトバルブ９１に、ラン
プ９４からの光がレンズ９５および偏光ビームスプリッ
タ９７を介して入射する。この入射光は、液晶ライトバ
ルブ９１に設けられた誘電体ミラーによって反射され
る。このうち液晶層を透過した反射光のうちで、電気光
学効果によって偏光方向が変化した表示部分は、偏光ビ
ームスプリッタ９７を透過することができる。この反射
光は、レンズ９８によって拡大され、これによって液晶
ライトバルブ９１に形成された画像は、スクリーン９６
に投影される。

【０００９】この液晶ライトバルブの動作モードとして
は、ツイスティドネマティック（ＴＮ）モード、ハイブ
リッド電界効果（ＨＦＥ）モード、ゲストホスト（Ｇ
Ｈ）モードおよび相転移モード等を用いることができ
る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】一般に、書き込み光の
波長帯は光導電体層の感度が良好な領域に設定される
が、両者の整合がとれていても、光導電体層に吸収され
ないで通過してしまう透過光が存在する。書き込み光が
レーザー光のような単波長の場合はなおさらである。こ
のため、書き込み光に対する光感度は悪くなり、通常の
光書き込み型液晶ライトバルブの場合、例えばテレビジ
ョン学会技術報告（ＶＯＬ．１７，ＮＯ．１０，ＰＰ１
１−１５，１９９３年１月）で報告されているように書
き込み光感度は１００μＷ／ｃｍ² 程度である。

【００１１】上記の問題を解決するために、光導電体層
の膜厚を厚くすることが考えられるが、このことは膜剥
離が起こりやすくなったり、膜厚むらが増加したり、コ
ストが上昇するなど、製造時の問題が多く発生する。

【００１２】一方、特開平５−２７３５７８号公報に記
載されているように、液晶層に隣接する誘電体ミラーと
さらにその隣の遮光層をなくし、読み出し光の反射光を
光導電体層に噴出させることで液晶層にかかる電圧を微
小な書き込み光に対しても変化できるよう電圧設定する
という提案がある。しかし、読み出し光が良好な状態で
反射し、明るく高コントラストな表示が得られるかどう
か疑問である。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、電極を有する
一対の透光性基板間に、光導電体層と液晶層とを形成し
てなる光書き込み型液晶ライトバルブにおいて、書き込
み光を反射する反射層を、上記光導電体層と上記液晶層
との間に形成したことを特徴とする。

【００１４】また、本発明は、書き込み光を反射する反
射層が、少なくとも１層の誘電体膜から形成されている
ことを特徴とする。

【００１５】

【作用】本発明は、光導電体層と隣接して読み出し光側
に、書き込み光を反射させる光誘電体ミラーを作成する
ことにより、光導電体層を透過した書き込み光を光導電
体層に再反射させるので、書き込み光に対する光感度を
向上させることができる。また、従来に比べて、光導電
体層の膜厚を薄くすることができるので、膜剥離や膜厚
分布やコストなど製造時の諸問題を大幅に改善すること
ができる。

【００１６】

【実施例】

（実施例１）本発明の第１の実施例である光書き込み型
液晶ライトバルブの構成を図１に示す。以下図面を用い
て詳細な説明を行う。まず、透光性基板であるガラス基
板１および２上に、ＩＴＯまたはＳｎＯ₂ 等の透明電極
３および４をスパッタ法でそれぞれ形成し、次に一方の
透明電極３上に非晶質水素化ケイ素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）か
らなる光導電体層５を形成する。この非晶質水素化ケイ
素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる光導電体層５の形成はシラ
ン（ＳｉＨ₄ ）ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法（化
学的気相反応法）を用いて行う。次に、光反射層とし
て、ＳｉＯ₂ 膜２０ａおよびＴｉＯ₂ 膜２０ｂの誘電体
膜を交互に４層積層した誘電体多層膜ミラー２０を電子
ビーム蒸着法により形成する。

【００１７】この時の光学膜厚（ｎｄ）は数式１で表さ
れる。

【００１８】（数式１） ｎｄ＝ｋλ／４ ここで、ｎは屈折率、ｄは膜厚、λは中心波長、ｋは定
数で奇数の整数１、３、５・・・である。

【００１９】この関係から光学膜厚２０ａ、２０ｂをそ
れぞれ１３８ｎｍとした。その上に遮光層６として非晶
質水素化シリコンゲルマニウム（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ）を
プラズマＣＶＤ法により形成する。

【００２０】この遮光層６までを形成した基板に書き込
み光を入射させて反射率を測定した実験結果を図２に示
す。本実施例の結果はａで表され、光導電層５を通過し
た透過光のうち約５５％の光が光反射層である誘電体多
層膜ミラー２０により、再び光導電層に反射されている
ことがわかる。誘電体多層膜ミラー２０の無い場合の結
果はｂで表され、この場合、光はほとんど反射されず
に、そのまま透過することがわかる。

【００２１】次に、読み出し光に対する誘電体多層膜ミ
ラー７をＳｉＯ₂ およびＴｉＯ₂ を交互に積層させ電子
ビーム蒸着法により形成する。反射層７上と他方の透明
電極４上とに、ＳｉＯを蒸発源とし抵抗加熱による斜方
蒸着を行い、ＳｉＯ膜１５および１６を成膜し、この上
に垂直配向膜（例えば、ＤＭＯＡＰ：東レシリコン製）
をスピンコート法により５０ｎｍ塗布した後、１５０℃
で焼成することにより配向膜８および９をそれぞれ形成
する。

【００２２】ガラス基板１および２を５μｍのスペーサ
を含むシール材１０を介して貼り合わせ、負の誘電率異
方性を有するネマティック液晶であるメルク社製ＺＬＩ
−４７８８−０００を注入し封止することにより、液晶
層１１を形成する。この液晶層１１は、垂直配向性のＥ
ＣＢ（電界制御型複屈折）モードを用いた。これによ
り、光書き込み型液晶ライトバルブが形成される。

【００２３】次に動作説明をする。図１の液晶ライトバ
ルブの透明電極３および４間には、交流電源１２によっ
て電圧が印加される。ガラス基板１側からレーザービー
ム等の書き込み光１３が走査され、画像が書き込まれ
る。

【００２４】即ち、光のあたった領域（明状態）では、
光導電体層５のインピーダンスが減少し、印加された電
圧は液晶層１１に加わる。一方、光の当たらない領域
（暗状態）では、光導電体層５のインピーダンスは減少
せず、液晶が駆動するのに充分な電圧が液晶層１１に加
わらない。従って、この明状態と暗状態とにおける光導
電体層５のインピーダンスの変化により、画像を形成す
ることができる。

【００２５】そして、液晶ライトバルブに読み出し光１
４がガラス基板２側から入射すると、画像に対応した部
分の液晶層１１の配向変化により入射光の有する偏光状
態が変調され、その反射光に基づいて液晶ライトバルブ
に形成された画像を映し出すことができる。

【００２６】ここで、書き込み光の光強度を変化させて
画像の明るさを測定した結果を図３に示す。従来の構造
において光導電層の膜厚は６μｍであり、その構造での
結果はｄで表される。既に説明したように、光導電体層
を透過した光はほとんど反射されないため、画像の明る
さ８０％のとき、液晶ライトバルブの光感度としては９
５μＷ／ｃｍ² であった。

【００２７】本実施例の構造においては光導電層の膜厚
は４μｍであり、その構造での結果はｃで表される。画
像の明るさ８０％のとき、液晶ライトバルブの光感度と
しては従来の約半分の４５μＷ／ｃｍ² になることがわ
かった。

【００２８】また、画像の明るさが同じであれば、書き
込み光の光強度が小さければよく、光の利用効率を大幅
に向上できることがわかった。

【００２９】さらに、光導電層の膜厚を従来の６μｍか
ら４μｍに薄くしても光感度が向上することがわかっ
た。

【００３０】また、本実施例で光導電体層と遮光層との
間に誘電体多層膜ミラーを設けたが、誘電体多層膜ミラ
ーの代わりに、パターンニングを施したＡｌやＭｏ等の
メタルを設けても良い。

【００３１】また、書き込み光を反射する反射層が光導
電体層に密接していなくても、本実施例と同じ効果が得
られる。

【００３２】この液晶ライトバルブの動作モードとして
は、ツイスティドネマティック（ＴＮ）モード、ハイブ
リッド電界効果（ＨＦＥ）モード、ゲストホスト（Ｇ
Ｈ）モードおよび相転移モード等を用いることができ
る。

【００３３】（実施例２）本発明の第２の実施例である
光書き込み型液晶ライトバルブの構成を図４に示す。以
下図面を用いて詳細な説明を行う。まず、透光性基板で
あるガラス基板２１および２２上に、ＩＴＯまたはＳｎ
Ｏ₂ 等の透明電極２３および２４をスパッタ法でそれぞ
れ形成し、次に一方の透明電極２３上に非晶質水素化ケ
イ素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる光導電体層２５を形成す
る。この非晶質水素化ケイ素（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる
光導電体層２５の形成はシラン（ＳｉＨ₄ ）ガスを原料
としてプラズマＣＶＤ法（化学的気相反応法）を用いて
行う。次いで、書き込み光の光反射層４０として、Ｓｉ
Ｏ₂ の誘電体膜をＥＢ蒸着による真空蒸着法によって形
成する。

【００３４】この時の光学膜厚（ｎｄ）は上記実施例１
の数式１で表され、この関係からＳｉＯ₂ の光学膜厚を
１２８ｎｍとした。

【００３５】この光反射層４０までを形成した基板に書
き込み光を入射させて反射率を測定した実験結果を図５
に示す。本発明の結果はｅで表され、光導電体層２５を
通過した透過光のうち約４９％の光が光反射層である誘
電体単層膜ミラー４０により、再び光導電体層に反射さ
れていることがわかる。誘電体単層膜ミラー４０の無い
場合の結果はｆで表され、この場合、光はほとんど反射
されずに、そのまま透過することがわかる。

【００３６】次に、読み出し光に対する誘電体多層膜ミ
ラー２７として、ＴｉＯ₂ ２７ａおよびＳｉＯ₂ ２７ｂ
の誘電体膜を交互に４層積層した誘電体多層膜ミラー２
７を電子ビーム蒸着法により形成し、この上にポリイミ
ド系樹脂（例えばＳＥ−１５０：日産化学）をスピンコ
ート法により５０ｎｍ塗布した後、１５０℃で焼成する
ことにより配向膜２８および２９をそれぞれ形成する。

【００３７】ガラス基板２１および２２を５μｍのスペ
ーサを含むシール材３０を介して貼り合わせ、ネマティ
ック液晶を注入し封止することにより、液晶層３１を形
成する。液晶層３１は、ＨＦＥ（ハイブリッド電界効
果）モードを用いた。これにより、光書き込み型液晶ラ
イトバルブが形成される。

【００３８】以上のような構造にすることにより、書き
込み光の反射層が単層の場合には、シミュレーション結
果から屈折率が１．５以下の低屈折率を有する誘電体膜
を利用することで、反射特性を向上させることができ
る。本実施例では、誘電体膜にＳｉＯ₂ を用いたが、こ
れに限定されるものではなく、ＭｇＦ₂ やＣａＦ₂ を用
いてもよい。

【００３９】（実施例３）本発明の第３の実施例である
光書き込み型液晶ライトバルブの構成を図６に示す。以
下図面を用いて詳細な説明を行う。透光性基板であるガ
ラス基板４１および４２上に、透明電極４３および４４
としてＺｎＯをスパッタ法を用いて形成し、次に一方の
透明電極４３上にＢｉ_{1 2}ＳｉＯ_{2 0} （ＢＳＯ）を使用
して膜厚１０μｍの光導電体層４５を形成する。このＢ
ＳＯからなる光導電体層４５の形成は、電子サイクロト
ロン共鳴スパッタ（ＥＣＲ−ＳＰ）法を用い、ＢｉとＳ
ｉをモザイク状に配置したスパッタターゲットを使っ
て、Ａｒガスを１０ｓｃｃｍ、Ｏ₂ ガスを１０ｓｃｃｍ
の流量で圧力０．２Ｐａ、マイクロ波（２．４５ＧＨ
ｚ）、電力３００Ｗ、ターゲットＤＣバイアス電力２０
０Ｗの条件で形成する。

【００４０】次に、書き込み光の光反射層６０として、
Ｔａ₂ Ｏ₅ 膜６０ａおよびＳｉＯ₂膜６０ｂの誘電体膜
を交互に積層した誘電体多層膜ミラーを形成する。この
反射層６０の形成は、スパッタ法を用い、Ｔａ₂ Ｏ₅ 、
ＳｉＯ₂ のスパッタターゲットをＡｒガスとＯ₂ ガスの
混合ガスにより交互にスッパタし、１０層積層した。こ
の時の光学膜厚（ｎｄ）は上記実施例１の数式１で表さ
れ、この関係から光学膜厚をそれぞれ１１３ｎｍとし
た。

【００４１】その上に遮光層４６として、有機顔料であ
るカーボンブラックを分散させたアクリル系樹脂をスピ
ンナーを用いて塗布し、露光により光重合させた後、２
２０℃で１時間焼成することにより形成し、その膜厚は
１．６μｍである。この上に、読み出し光を反射するた
めの誘電体多層膜ミラーからなる反射層４７としてＳｉ
Ｏ₂ 、Ｔａ₂ Ｏ₅ をスパッタ法を用いて交互に積層し、
１６層形成した。反射層４７と他方の透明電極４４上と
に、ＳｉＯを蒸発源とし抵抗加熱による斜方蒸着を行
い、ＳｉＯ膜５５および５６を成膜し、この上に垂直配
向膜（例えば、ＤＭＯＡＰ：東レシリコン製）をスピン
コート法により５０ｎｍ塗布した後、１５０℃で焼成す
ることにより配向膜４８および４９をそれぞれ形成し
た。ガラス基板４１および４２を５μｍのスペーサを含
むシール材５０を介して貼り合わせ、負の誘電率異方性
を有するネマティック液晶であるメルク社製ＺＬＩ−４
７８８−０００を注入し封止することにより、液晶層５
１を形成する。液晶層５１は、垂直配向性のＥＣＢ（電
界制御型複屈折）モードを用いた。これにより、光書き
込み型液晶ライトバルブが形成される。

【００４２】書き込み光の反射層が無い従来の構造で
は、光導電体層を透過した光はほとんど反射されないた
め光感度は３５０μＷ／ｃｍ² であったが、本発明の構
造では、書き込み光の反射層６０を設けることにより、
書き込み光の反射層を設けない場合と比べて書き込み光
の利用効率を向上することができ、光書き込み型液晶ラ
イトバルブの光感度を１２０μＷ／ｃｍ² にでき、光感
度が向上することがわかった。

【００４３】（実施例４）本発明の第４の実施例である
光書き込み型液晶ライトバルブの構成を図７に示す。以
下図面を用いて詳細な説明を行う。透光性基板であるコ
ーニング社製７０５９のガラス基板６１および６２上
に、透明電極６３および６４としてＩＴＯをスパッタ法
を用いて形成し、次に一方の透明電極６３上にＣｄＳか
らなる膜厚９μｍの光導電体層６５を形成する。このＣ
ｄＳからなる光導電体層６５の形成は、マグネトロンス
パッタ法を用い、ＣｄＳのスパッタターゲットを使っ
て、Ａｒガスを導入し圧力５Ｐａ、高周波電力７００
Ｗ、基板温度２００℃の条件で形成する。ＣｄＳ形成
後、Ａｒガス雰囲気下、５００℃で３０分間熱処理を行
った。次いで、書き込み光の光反射層８０として、Ａｌ
Ｆ₃ の誘電体膜を抵抗加熱による真空蒸着法によって形
成する。

【００４４】この時の光学膜厚（ｎｄ）は上記実施例１
の数式１で表され、この関係からＡｌＦ₃ の光学膜厚を
１３８ｎｍとした。

【００４５】その上に遮光層６６として、ＣｄＴｅの半
導体超微粒子をＳｉＯ₂ 中に分散させた半導体超微粒子
分散ガラス膜を形成する。これはマグネトロンスパッタ
法を用い、ＳｉＯ₂ とＣｄＴｅをモザイク状に構成した
ターゲットを使い、Ａｒガスを導入して圧力２Ｐａ、高
周波電力５００Ｗ、基板温度２００℃の条件で形成す
る。膜厚は１．２μｍである。この上に、読み出し光を
反射するための誘電体多層膜ミラーからなる反射層６７
としてＳｉＯ₂ 、ＴｉＯ₂ をスパッタ法を用いて交互に
積層し、２０層形成した。

【００４６】次に、反射層６７が形成されたガラス基板
６１と透明電極６４が形成されたガラス基板６２を７μ
ｍのスペーサを含んだシール材７０を介して貼り合わ
せ、ＢＤＨ社製の液晶（Ｅ８）４ｇ，ウレタンアクリレ
ートオリゴマーとｎ−ブチルアクリレートの混合物１
ｇ，チバガイギー製ＵＶ硬化剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８
４）０．１５ｇを８０℃で均一に混合した液晶とポリマ
ーの混合物を注入し封止する。そしてガラス基板６２側
よりＵＶ照射が３０ｍＷ／ｃｍ² になるように高圧水銀
灯でＵＶ照射し上記混合物を重合しポリマー中から液晶
滴を相分離により析出させ、ポリマー分散型液晶からな
る液晶層７１を形成する。これにより、液晶層にポリマ
ー分散型液晶を用いた光書き込み型液晶ライトバルブが
形成される。書き込み光の反射層が無い従来の構造で
は、光導電体層を透過した光はほとんど反射されないた
め光感度は６００μＷ／ｃｍ² であったが、本発明の構
造では、書き込み光の反射層８０を設けることにより、
書き込み光の反射層を設けない場合に比べて書き込み光
の利用効率を向上することができ、光書き込み型液晶ラ
イトバルブの光感度を５００μＷ／ｃｍ² にでき、光感
度が向上することがわかった。

【００４７】（実施例５）上記のように、実施例１から
４では反射型の液晶ライトバルブに関する説明である
が、本発明は透過型の光書き込み型液晶ライトバルブに
も適用できるため、下記に、本発明の第５の実施例であ
る透過型の光書き込み型液晶ライトバルブの構成を図８
に示す。

【００４８】実施例３と同じ方法で、光導電体層１２５
と書き込み光の光反射層１４０を形成する。この書き込
み光の光反射層１４０までを形成した基板に書き込み光
を入射させて反射率を測定した実験結果を図９に示す。
ＢＳＯの感度が良好な波長領域である４００〜５００ｎ
ｍの光を反射し、６００〜７００ｎｍの波長領域の光は
透過させていることがわかる。

【００４９】次に、実施例３と同様にしてガラス基板を
貼合せ、液晶を注入し、透過型の光書き込み型液晶ライ
トバルブが形成される。

【００５０】このとき、波長４００〜５００ｎｍの信号
光λ１と波長６００〜７００ｎｍの一定強度の読み出し
光λ２を合わせた光を書き込み光（λ１＋λ２）として
用い、液晶ライトバルブを動作させて、透過してきた読
み出し光を検出することができる。

【００５１】本実施例により、書き込み光に対する反射
層を形成することによって、微小な書き込み光でも空間
変調素子として動作することが確認できた。

【００５２】

【発明の効果】本発明のように、光導電体層と隣接して
読み出し光側に、書き込み光を反射させる光誘電体ミラ
ーを作成することにより、光導電体層を透過した書き込
み光を光導電体層に再反射させることができるので、書
き込み光に対する光感度を向上させることができる。

【００５３】また、従来に比べて、光導電体層の膜厚を
薄くすることができるので、膜剥離や膜厚分布やコスト
など製造時の諸問題を大幅に改善することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る実施例１の光書き込み型液晶ライ
トバルブの構成を示す図である。

【図２】実施例１の液晶ライトバルブにおける書き込み
光の波長と反射率との関係を示す図である。

【図３】実施例１の液晶ライトバルブにおける書き込み
光の光強度と画像の明るさとの関係を示す図である。

【図４】本発明に係る実施例２の光書き込み型液晶ライ
トバルブの構成を示す図である。

【図５】実施例２の液晶ライトバルブにおける書き込み
光の波長と反射率との関係を示す図である。

【図６】本発明に係る実施例３の光書き込み型液晶ライ
トバルブの構成を示す図である。

【図７】本発明に係る実施例４の光書き込み型液晶ライ
トバルブの構成を示す図である。

【図８】本発明に係る実施例５の光書き込み型液晶ライ
トバルブの構成を示す図である。

【図９】実施例５の液晶ライトバルブにおける書き込み
光の波長と反射率との関係を示す図である。

【図１０】従来の光書き込み型液晶ライトバルブの構成
を示す図である。

【図１１】液晶ライトバルブを用いた投影型画像表示装
置の光学系の構成を示す図である。

【符号の説明】

１、２１、４１、６１、１０１、１２１ ガラス基板 ２、２２、４２、６２、１０２ １２２ ガラス基板 ３、２３、４３、６３、１０３ １２３ 透明電極 ４、２４、４４、６４、１０４ １２４ 透明電極 ５、２５、４５、６５、１０５ １２５ 光導電体層 ６、４６、６６、１０６ 遮光層 ７、２７、４７、６７、１０７ 読み出し光の誘電体ミ
ラー ８、２８、４８、１０８ １２８ 配向膜 ９、２９、４９、１０９ １２９ 配向膜 １０、３０、５０、７０、１１０ １３０ シール部材 １１、３１、５１、７１、１１１ １３１ 液晶層 １２、３２、５２、７２、１１２ １３２ 交流電源 １３、３３、５３、７３、１１３ １３３ 書き込み光 １４、３４、５４、７４、１１４ １３４ 読み出し光 ２０、４０、６０、８０ １４０ 書き込み光の誘電体
ミラー １５、５５ ＳｉＯ₂ １６、５６ ＳｉＯ₂ ９１ 光書き込み型液晶ライトバルブ ９２ 書き込み光 ９３、９５、９８ レンズ ９４ 光源 ９６ スクリーン ９７ 偏光ビームスプリッタ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電極を有する一対の透光性基板間に、光
   導電体層と液晶層とを形成してなる光書き込み型液晶ラ
   イトバルブにおいて、 書き込み光を反射する反射層を、上記光導電体層と上記
   液晶層との間に形成したことを特徴とする光書き込み型
   液晶ライトバルブ。
2. 【請求項２】 書き込み光を反射する反射層が、少なく
   とも１層の誘電体膜から形成されていることを特徴とす
   る請求項１記載の光書き込み型液晶ライトバルブ。