JPH06283445A - 金属の選択ｃｖｄ前処理装置 - Google Patents
金属の選択ｃｖｄ前処理装置Info
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- JPH06283445A JPH06283445A JP7150093A JP7150093A JPH06283445A JP H06283445 A JPH06283445 A JP H06283445A JP 7150093 A JP7150093 A JP 7150093A JP 7150093 A JP7150093 A JP 7150093A JP H06283445 A JPH06283445 A JP H06283445A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ウエハ３をウエハ載せ台４に置きＡr等基板と
の反応性の低いガスを比較的高圧に導入し、高周波電源
９よりウエハ載せ台に高周波を印加しチャンバ１内にプ
ラズマを立てる。この時基板表面に誘起される自己バイ
アスにより基板に正のイオンが導入されるが、基板が設
置されているため絶縁層のみが正に帯電する。さらにガ
スシャワ２につなぎ込んだＤＣ電源10によりガスシャワ
表面に正の電圧を印加し基板上導電層に負の電荷を誘起
する。 【効果】処理する基板上の絶縁層を正に導電層を負に帯
電させることにより、基板の表面電荷を選択して反応の
進むＷの選択CVDプロセスの膜表面の均一性や再現性、
選択性が向上した。
の反応性の低いガスを比較的高圧に導入し、高周波電源
９よりウエハ載せ台に高周波を印加しチャンバ１内にプ
ラズマを立てる。この時基板表面に誘起される自己バイ
アスにより基板に正のイオンが導入されるが、基板が設
置されているため絶縁層のみが正に帯電する。さらにガ
スシャワ２につなぎ込んだＤＣ電源10によりガスシャワ
表面に正の電圧を印加し基板上導電層に負の電荷を誘起
する。 【効果】処理する基板上の絶縁層を正に導電層を負に帯
電させることにより、基板の表面電荷を選択して反応の
進むＷの選択CVDプロセスの膜表面の均一性や再現性、
選択性が向上した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は配線膜のＣＶＤの前処理
装置に関し、特に高選択に成膜を行なう際の前処理装置
に関する。
装置に関し、特に高選択に成膜を行なう際の前処理装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｗの選択ＣＶＤは、高集積化の進むＬＳ
Ｉの次期配線技術として重要であり、現在実用化に向け
て研究が盛んである。
Ｉの次期配線技術として重要であり、現在実用化に向け
て研究が盛んである。
【０００３】Ｗの堆積はソースガスであるＷＦ6の還元
反応によって起こる。還元は添加するＳiＨ4やＨ2ガス
により起こるが、成膜の初期段階においては被成膜面に
吸着したソースガス分子に電子が供給されることにより
起こると考えられている。伊藤らの報告（1990 DRY PRO
CESS SYMPOSIUM p45;Mechanism for Selective Tungste
n Growth Employing a WF6 and SiH4 Mixture)に依れ
ば、ＷＦ6とＳiＨ4を用いた系でＳi上にＷの膜を堆積す
る際、最初に形成される薄いＷ層はＳi表面からの電子
の供与によってＷＦ6が還元されて生成した膜である。
従って最初のＷ膜の堆積しやすさは下地の種類に大きく
依存する。種々の絶縁膜を用いて検討した結果、下地の
電子の与え易さの目安としてその絶縁膜を形成する元素
の電気陰性度の平均値を計算すると、Ｗ膜の堆積量はこ
の電気陰性度の平均値の小さいもの程大きく、すなわち
電子を与えやすい表面程Ｗの成膜が進行することが確か
められた。従って、選択成膜は気相反応を抑えた場合に
は、電子を供給する面上のみで還元反応が起こることに
より達成されると考えられる。
反応によって起こる。還元は添加するＳiＨ4やＨ2ガス
により起こるが、成膜の初期段階においては被成膜面に
吸着したソースガス分子に電子が供給されることにより
起こると考えられている。伊藤らの報告（1990 DRY PRO
CESS SYMPOSIUM p45;Mechanism for Selective Tungste
n Growth Employing a WF6 and SiH4 Mixture)に依れ
ば、ＷＦ6とＳiＨ4を用いた系でＳi上にＷの膜を堆積す
る際、最初に形成される薄いＷ層はＳi表面からの電子
の供与によってＷＦ6が還元されて生成した膜である。
従って最初のＷ膜の堆積しやすさは下地の種類に大きく
依存する。種々の絶縁膜を用いて検討した結果、下地の
電子の与え易さの目安としてその絶縁膜を形成する元素
の電気陰性度の平均値を計算すると、Ｗ膜の堆積量はこ
の電気陰性度の平均値の小さいもの程大きく、すなわち
電子を与えやすい表面程Ｗの成膜が進行することが確か
められた。従って、選択成膜は気相反応を抑えた場合に
は、電子を供給する面上のみで還元反応が起こることに
より達成されると考えられる。
【０００４】一方選択成膜を行なう基板の表面について
考えると、絶縁膜が熱酸化膜のような化学量論に合った
膜である場合には電子を供給する欠陥が少ないので、そ
の表面でＷの還元反応が起こって選択性の破れを引き起
こすことは稀である。しかし実際のウエハでは配線を施
す面が熱酸化膜ではなく、反応の起こり易さは絶縁膜の
種類やその経てきたプロセス条件に大きく依存する。田
丸らに依れば（1990 DRY PROCESS SYMPOSIUM p51;Relat
ionship Between Silicon Oxide Surface andSelectivi
ty Loss in Selective CVD of Tungsten）現在配線の
層間絶縁膜として広く用いられているp-TEOS膜(テトラ
エトキシシランを原料ガスとしたプラズマ重合膜)で
は、選択性の破れが異物数で熱酸化膜の40倍であり、こ
れがレジスト工程を経ることにより200倍にまで進む。
これはp-TEOS膜の表面はゆるいＳi-Ｏ-Ｓi結合を有して
おり、容易に切れた結合面に空気中の水分やレジスト工
程において曝される活性なＯ2が吸着しＳi-Ｏ-Ｈとな
り、これが成膜反応の際に活性なＳiとなってＷＦ6の還
元反応に寄与するためと考えられている。そこでこの様
な活性な吸着点をなくすためにＢＣl3によるプラズマ処
理を施し、Ｃlラジカルを活性なＳiサイトへ吸着させる
ことが有効であると報告されている。
考えると、絶縁膜が熱酸化膜のような化学量論に合った
膜である場合には電子を供給する欠陥が少ないので、そ
の表面でＷの還元反応が起こって選択性の破れを引き起
こすことは稀である。しかし実際のウエハでは配線を施
す面が熱酸化膜ではなく、反応の起こり易さは絶縁膜の
種類やその経てきたプロセス条件に大きく依存する。田
丸らに依れば（1990 DRY PROCESS SYMPOSIUM p51;Relat
ionship Between Silicon Oxide Surface andSelectivi
ty Loss in Selective CVD of Tungsten）現在配線の
層間絶縁膜として広く用いられているp-TEOS膜(テトラ
エトキシシランを原料ガスとしたプラズマ重合膜)で
は、選択性の破れが異物数で熱酸化膜の40倍であり、こ
れがレジスト工程を経ることにより200倍にまで進む。
これはp-TEOS膜の表面はゆるいＳi-Ｏ-Ｓi結合を有して
おり、容易に切れた結合面に空気中の水分やレジスト工
程において曝される活性なＯ2が吸着しＳi-Ｏ-Ｈとな
り、これが成膜反応の際に活性なＳiとなってＷＦ6の還
元反応に寄与するためと考えられている。そこでこの様
な活性な吸着点をなくすためにＢＣl3によるプラズマ処
理を施し、Ｃlラジカルを活性なＳiサイトへ吸着させる
ことが有効であると報告されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしＢＣl3による表
面の安定化の影響は絶縁膜のみならず導電膜にもおよ
び、充分にＢＣl3処理を行なった場合逆に導電膜上での
成膜の開始を阻害する。このため成膜の開始にバラツキ
が見られ成膜後の表面の均一性が劣る、あるいは成膜後
の膜厚が所定の厚さに達しないという問題が生じる。
面の安定化の影響は絶縁膜のみならず導電膜にもおよ
び、充分にＢＣl3処理を行なった場合逆に導電膜上での
成膜の開始を阻害する。このため成膜の開始にバラツキ
が見られ成膜後の表面の均一性が劣る、あるいは成膜後
の膜厚が所定の厚さに達しないという問題が生じる。
【０００６】従来の技術では、導電面のみを電子供与の
可能な活性面とすると同時に、非導電面を不活性にする
ような表面処理技術が確立されておらず、これに続く成
膜プロセスの膜表面の均一性、制御性に乏しかった。
可能な活性面とすると同時に、非導電面を不活性にする
ような表面処理技術が確立されておらず、これに続く成
膜プロセスの膜表面の均一性、制御性に乏しかった。
【０００７】そこで本発明では、表面活性度ではなく表
面電位を変えることにより反応のし易さを変えるという
手法を用いて、簡便に高選択成膜の可能な被処理表面を
得、成膜後の膜表面の均一性、成膜プロセスの制御性を
向上させることを目的とする。
面電位を変えることにより反応のし易さを変えるという
手法を用いて、簡便に高選択成膜の可能な被処理表面を
得、成膜後の膜表面の均一性、成膜プロセスの制御性を
向上させることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本課題を解決するために
は (1)絶縁膜表面のみを正に帯電させること (2)導電膜表面のみを負に帯電させること が必要と考えた。
は (1)絶縁膜表面のみを正に帯電させること (2)導電膜表面のみを負に帯電させること が必要と考えた。
【０００９】(1)については、高周波(好ましくは10kHz
以上)でＡr、Ｈe等の希ガスあるいはＮ2、Ｈ2等表面に
対して不活性なガスのプラズマを生成し、カソードカッ
プリングで高周波電源に接続された電極上に試料を置
き、電極に生成する小さな負の自己バイアスによりプラ
スイオンのみを基板表面に引き込む。この時入射するイ
オンのエネルギが大き過ぎると絶縁膜表面を損傷し選択
性劣化の原因となるので、ガス圧はイオンの運動エネル
ギがガスとの衝突により基板表面へのダメージを与えな
い程度に抑えられるのに充分な圧力(好ましくは100Ｐa
以上)とする。
以上)でＡr、Ｈe等の希ガスあるいはＮ2、Ｈ2等表面に
対して不活性なガスのプラズマを生成し、カソードカッ
プリングで高周波電源に接続された電極上に試料を置
き、電極に生成する小さな負の自己バイアスによりプラ
スイオンのみを基板表面に引き込む。この時入射するイ
オンのエネルギが大き過ぎると絶縁膜表面を損傷し選択
性劣化の原因となるので、ガス圧はイオンの運動エネル
ギがガスとの衝突により基板表面へのダメージを与えな
い程度に抑えられるのに充分な圧力(好ましくは100Ｐa
以上)とする。
【００１０】(2)については、導電層の表面に負の電荷
を誘起するに充分な電場を基板の表面に印加する。
を誘起するに充分な電場を基板の表面に印加する。
【００１１】
【作用】13.56MHzの高周波電圧を電極間に印加して生じ
たプラズマ中には正イオンと電子が共存し、高周波印加
電極とプラズマとの境界領域にイオンシースと呼ばれる
領域が生成する。高周波電圧を電極に印加した場合、プ
ラズマ電位に対して正電位では電子が流れ、負電位では
正イオンが流れるが、電子の質量はイオンの10~3〜10~5
倍小さいので正イオンに比べて103〜105倍電子が流れや
すい。定常状態においては、図２(a)に示すような直流
電位分布となり電子の流れとイオンの流れが等しくな
る。すなわち、図２(b)に示したように、プラズマから
引き出される両者の数が高周波の一周期で等しくなるよ
うに、プラズマとＲＦ電極間に直流バイアス-Ｖdcが発
生するといえる。
たプラズマ中には正イオンと電子が共存し、高周波印加
電極とプラズマとの境界領域にイオンシースと呼ばれる
領域が生成する。高周波電圧を電極に印加した場合、プ
ラズマ電位に対して正電位では電子が流れ、負電位では
正イオンが流れるが、電子の質量はイオンの10~3〜10~5
倍小さいので正イオンに比べて103〜105倍電子が流れや
すい。定常状態においては、図２(a)に示すような直流
電位分布となり電子の流れとイオンの流れが等しくな
る。すなわち、図２(b)に示したように、プラズマから
引き出される両者の数が高周波の一周期で等しくなるよ
うに、プラズマとＲＦ電極間に直流バイアス-Ｖdcが発
生するといえる。
【００１２】この-ＶdcによりＡr+等のイオンが基板に
引き込まれる。その際、ガスの圧力を十分高くすれば、
イオンが基板に到達するまでの間にガスとの衝突を十分
に繰返し、イオンの持つ運動エネルギが低下するために
基板表面にダメージを与えることはなくなる。
引き込まれる。その際、ガスの圧力を十分高くすれば、
イオンが基板に到達するまでの間にガスとの衝突を十分
に繰返し、イオンの持つ運動エネルギが低下するために
基板表面にダメージを与えることはなくなる。
【００１３】Ａr+イオンに曝されることにより、基板表
面の絶縁膜も導電膜も同様に表面が正に帯電しようとす
る。しかし、導電層は基板と基板を載せる台座を介して
接地されているので、基板表面の絶縁膜のみが正に帯電
することとなる。
面の絶縁膜も導電膜も同様に表面が正に帯電しようとす
る。しかし、導電層は基板と基板を載せる台座を介して
接地されているので、基板表面の絶縁膜のみが正に帯電
することとなる。
【００１４】一方、基板の外部から電場をかけると、表
面に向かう法線方向の電場は表面より電子を引き出そう
とする。この時導電膜には自由電子が存在しこれが誘導
されて表面に溜り外部電場を遮蔽する。しかし、絶縁膜
中には自由に動ける負の荷電粒子が存在しないため表面
電荷は変化し得ない。このことにより導電膜のみが負に
帯電することとなる。
面に向かう法線方向の電場は表面より電子を引き出そう
とする。この時導電膜には自由電子が存在しこれが誘導
されて表面に溜り外部電場を遮蔽する。しかし、絶縁膜
中には自由に動ける負の荷電粒子が存在しないため表面
電荷は変化し得ない。このことにより導電膜のみが負に
帯電することとなる。
【００１５】
【実施例】課題を解決する手段として提案した絶縁膜に
正の表面電荷を導入する方法について、まずその効果を
確認する実験を行ない、次に導電膜に負の表面電荷を誘
起した効果を確認する実験を行なった。
正の表面電荷を導入する方法について、まずその効果を
確認する実験を行ない、次に導電膜に負の表面電荷を誘
起した効果を確認する実験を行なった。
【００１６】〔実施例１〕実験に用いた装置の概略を図
１に示す。基板を支える台座に13.56MＨzの高周波電源
を接続し、チャンバをアースに接続した。前処理後連続
してＣＶＤが行なえるようにガスシャワには前処理用ガ
スＡrとＣＶＤ用ガスＷＦ6、ＳiＨ4を導入するための配
管をつなぎこんだ。ガスシャワは処理する基板に電場を
かけられる様にチャンバとは絶縁されＤＣ電源と接続さ
れている。加熱源としてはランプを用いた。チャンバ内
の圧力を調整できるようコンダクタンス可変なバルブを
介してポンプを接続した。
１に示す。基板を支える台座に13.56MＨzの高周波電源
を接続し、チャンバをアースに接続した。前処理後連続
してＣＶＤが行なえるようにガスシャワには前処理用ガ
スＡrとＣＶＤ用ガスＷＦ6、ＳiＨ4を導入するための配
管をつなぎこんだ。ガスシャワは処理する基板に電場を
かけられる様にチャンバとは絶縁されＤＣ電源と接続さ
れている。加熱源としてはランプを用いた。チャンバ内
の圧力を調整できるようコンダクタンス可変なバルブを
介してポンプを接続した。
【００１７】選択性を評価するための試料としてＳi基
板上にＡlをスパッタ蒸着し、その上にＳiＯ2を堆積、
パターニングして、Ａlの露出した開口部をもつウエハ
を作製した(図３)。Ａl開口部の大きさは５×0.5 mm2で
あり、一組のＡl開口部に挟まれたＳiＯ2の面積は５×
0.2mm2である。５インチウエハ上のＡl開口部の対は25
組である。
板上にＡlをスパッタ蒸着し、その上にＳiＯ2を堆積、
パターニングして、Ａlの露出した開口部をもつウエハ
を作製した(図３)。Ａl開口部の大きさは５×0.5 mm2で
あり、一組のＡl開口部に挟まれたＳiＯ2の面積は５×
0.2mm2である。５インチウエハ上のＡl開口部の対は25
組である。
【００１８】ウエハをチャンバに入れ真空に排気した。
10~4Ｐa程度まで排気した後Ａrガスを導入しコンダクタ
ンス調整バルブで排気速度を抑えることにより、チャン
バ内のガス圧力を100Ｐaに調整した。ウエハを支える台
座に13.56MＨzの高周波を印加し、チャンバ内にＡrガス
のプラズマを１分立てた。この時基板に誘起された自己
バイアスは８Ｖであった。その後再度チャンバを真空排
気しランプにてウエハを高速に加熱し、ウエハ温度が24
0℃に安定したところでＷＦ6、ＳiＨ4を導入してＷの堆
積を行なった。
10~4Ｐa程度まで排気した後Ａrガスを導入しコンダクタ
ンス調整バルブで排気速度を抑えることにより、チャン
バ内のガス圧力を100Ｐaに調整した。ウエハを支える台
座に13.56MＨzの高周波を印加し、チャンバ内にＡrガス
のプラズマを１分立てた。この時基板に誘起された自己
バイアスは８Ｖであった。その後再度チャンバを真空排
気しランプにてウエハを高速に加熱し、ウエハ温度が24
0℃に安定したところでＷＦ6、ＳiＨ4を導入してＷの堆
積を行なった。
【００１９】比較のため、従来法の前処理をおこなった
後、Ｗの成膜を行なった。まずＣＶＤチャンバに隣接し
た前処理チャンバに基板を設置しＢＣl3５sccm、Ａr 10
0sccmを流した。排気のコンダクタンスを変化させガス
圧を2.6Ｐaに保って、13.56MHzの高周波を基板に印加し
て３分間のプラズマ前処理をおこなった。この基板をＣ
ＶＤ室に真空を破ることなく搬送し、前述と同様のＣＶ
Ｄを行なった。
後、Ｗの成膜を行なった。まずＣＶＤチャンバに隣接し
た前処理チャンバに基板を設置しＢＣl3５sccm、Ａr 10
0sccmを流した。排気のコンダクタンスを変化させガス
圧を2.6Ｐaに保って、13.56MHzの高周波を基板に印加し
て３分間のプラズマ前処理をおこなった。この基板をＣ
ＶＤ室に真空を破ることなく搬送し、前述と同様のＣＶ
Ｄを行なった。
【００２０】反応の様子をモニタするため、ＣＶＤチャ
ンバから排気されるガスの一部をサンプリングし、四重
極質量分析計で反応生成ガス量の変化を観測した。ここ
でＷＦ6とＳiＨ4を原料ガスとしたＣＶＤ反応で発生す
るガスをイオン化するとＳiＦ3 +が主なピークとして観
測される。反応生成物ＳiＦ3 +のイオンピーク強度の時
間変化を図４示す。反応ガスの導入開始を０分とし、２
分後にガスの導入を止めている。(a)は提案した前処理
法を用いた場合のイオンピーク強度の時間変化であり、
(b)は従来法を用いた場合である。従来法では、成膜が
開始するまでのラグタイムが１分近くあり、成膜が開始
してからもＳiＦ3 +イオン強度は緩やかに増加してい
る。これは、前処理後の表面に前処理ガスが吸着し、そ
の脱離がＷＦ6の表面への吸着を阻害しているためと考
えられる。同一基盤表面上であってもガス導入から成膜
開始までの時間に差異があるために、成膜後の膜厚均一
性は低いと考えられる。一方、前処理にＡrガスの弱い
プラズマを用いた本発明による方法の場合（図４(a)）
ラグタイムは殆ど観測されず、また、反応生成物のイオ
ン強度は急俊に立ち上がっており、成膜が成膜表面で均
一に起こっている事が示唆された。これにより、提案し
た前処理方法では前処理の残留ガスの影響を受けること
が少ないことが確かめられた。
ンバから排気されるガスの一部をサンプリングし、四重
極質量分析計で反応生成ガス量の変化を観測した。ここ
でＷＦ6とＳiＨ4を原料ガスとしたＣＶＤ反応で発生す
るガスをイオン化するとＳiＦ3 +が主なピークとして観
測される。反応生成物ＳiＦ3 +のイオンピーク強度の時
間変化を図４示す。反応ガスの導入開始を０分とし、２
分後にガスの導入を止めている。(a)は提案した前処理
法を用いた場合のイオンピーク強度の時間変化であり、
(b)は従来法を用いた場合である。従来法では、成膜が
開始するまでのラグタイムが１分近くあり、成膜が開始
してからもＳiＦ3 +イオン強度は緩やかに増加してい
る。これは、前処理後の表面に前処理ガスが吸着し、そ
の脱離がＷＦ6の表面への吸着を阻害しているためと考
えられる。同一基盤表面上であってもガス導入から成膜
開始までの時間に差異があるために、成膜後の膜厚均一
性は低いと考えられる。一方、前処理にＡrガスの弱い
プラズマを用いた本発明による方法の場合（図４(a)）
ラグタイムは殆ど観測されず、また、反応生成物のイオ
ン強度は急俊に立ち上がっており、成膜が成膜表面で均
一に起こっている事が示唆された。これにより、提案し
た前処理方法では前処理の残留ガスの影響を受けること
が少ないことが確かめられた。
【００２１】次に、Ｗ膜堆積後の表面状態の観察を金属
顕微鏡により行なった。堆積したＷ膜の表面状態を比較
すると、イオンピーク強度の時間変化から予想した様
に、従来の前処理法ではＷ粒が島状に成長し表面均一性
は悪く、本発明の前処理方法においては平滑な表面が観
測された。さらに選択性のレベルを比較するためにＡl
パターンに挟まれた1mm2のＳiＯ2膜上のＷ粒の数を数え
た。従来法では、異物数の25個のパターンでの平均が3.
2個/mm2であったのに対し、本発明の前処理法では0.7個
/mm2に低減され、本発明の前処理法が選択成膜において
選択性向上に効果のあることを確認した。
顕微鏡により行なった。堆積したＷ膜の表面状態を比較
すると、イオンピーク強度の時間変化から予想した様
に、従来の前処理法ではＷ粒が島状に成長し表面均一性
は悪く、本発明の前処理方法においては平滑な表面が観
測された。さらに選択性のレベルを比較するためにＡl
パターンに挟まれた1mm2のＳiＯ2膜上のＷ粒の数を数え
た。従来法では、異物数の25個のパターンでの平均が3.
2個/mm2であったのに対し、本発明の前処理法では0.7個
/mm2に低減され、本発明の前処理法が選択成膜において
選択性向上に効果のあることを確認した。
【００２２】〔実施例２〕実施例１で述べた実験装置の
ガスシャワーにＤＣ電源をつなぎ込んだ。実施例１と同
様の前処理の後、基板とガスシャワーの間に106Ｖ/mの
電圧をかけた状態で成膜を行なった。成膜後の金属顕微
鏡によるＳiＯ2上の異物数の測定では、平均値が0.3個/
mm2であり、高選択成長に対する導電膜表面に負電荷を
誘起した効果を確認した。
ガスシャワーにＤＣ電源をつなぎ込んだ。実施例１と同
様の前処理の後、基板とガスシャワーの間に106Ｖ/mの
電圧をかけた状態で成膜を行なった。成膜後の金属顕微
鏡によるＳiＯ2上の異物数の測定では、平均値が0.3個/
mm2であり、高選択成長に対する導電膜表面に負電荷を
誘起した効果を確認した。
【００２３】
【発明の効果】本発明によればＷのＣＶＤ装置に、基板
表面の導電層に負の、絶縁層に正の電荷を誘導する機能
を設けたことにより、反応のラグタイムが短くまた反応
の立上りが急俊になって、成膜反応の膜表面の均一性や
制御性が向上し、また選択ＣＶＤにおける選択性が向上
した。
表面の導電層に負の、絶縁層に正の電荷を誘導する機能
を設けたことにより、反応のラグタイムが短くまた反応
の立上りが急俊になって、成膜反応の膜表面の均一性や
制御性が向上し、また選択ＣＶＤにおける選択性が向上
した。
【００２４】これにより高選択な微細孔への導体金属の
穴埋めを簡便に行なえるようになり、微細接続孔の穴埋
めが必要な、例えばＬＳＩ、液晶表示装置、その他計算
機の記憶装置の如き電子部品を多数個搭載、実装する多
層プリント版等の多層配線の信頼性向上に寄与すること
ができる。
穴埋めを簡便に行なえるようになり、微細接続孔の穴埋
めが必要な、例えばＬＳＩ、液晶表示装置、その他計算
機の記憶装置の如き電子部品を多数個搭載、実装する多
層プリント版等の多層配線の信頼性向上に寄与すること
ができる。
【図１】基板への高周波の印加とガスシャワへのＤＣ電
圧の印加の可能な装置の概略図である。
圧の印加の可能な装置の概略図である。
【図２】図１の装置において基板に高周波をかけた際に
基板表面に発生する自己バイアスの説明図である。
基板表面に発生する自己バイアスの説明図である。
【図３】実験に用いた選択性の評価の可能なサンプルを
示す図である。
示す図である。
【図４】改良した前処理法を用いた場合の反応生成物に
起因するＳiＦ3 +イオン強度の時間変化（ａ）及び従来
の前処理法を用いた場合のＳiＦ3 +イオン強度の時間変
化（ｂ）を示す図である。
起因するＳiＦ3 +イオン強度の時間変化（ａ）及び従来
の前処理法を用いた場合のＳiＦ3 +イオン強度の時間変
化（ｂ）を示す図である。
１…チャンバ、 ２…ガスシャワ、 ３…ウエハ、 ４…ウエハ載せ台、 ５…石英板、 ６…ランプ、 ７…コンダクタンス調整弁、 ８…ポンプ、 ９…高周波電源、 10…ＤＣ電源、 11…絶縁体
Claims (5)
- 【請求項１】金属の選択ＣＶＤを行なう際にあらかじめ
基板の絶縁層の表面電位を正にすることを特徴とする金
属の選択ＣＶＤ前処理装置。 - 【請求項２】金属の選択ＣＶＤを行なう際にあらかじめ
基板の導電層の表面電位を負にすることを特徴とする金
属の選択ＣＶＤ前処理装置。 - 【請求項３】金属の選択ＣＶＤを行なう際にあらかじめ
基板の絶縁層の表面電位を正にすると共に導電層の表面
電位を負にすることを特徴とする金属の選択ＣＶＤ前処
理装置。 - 【請求項４】絶縁層の表面電位を正にする手段が、Ａ
r、Ｈe等の希ガスのプラズマや Ｎ2、Ｈ2等基板に不活
性なガスのプラズマに曝すことであることを特徴とする
請求項１又は３記載の金属の選択ＣＶＤ前処理装置。 - 【請求項５】導電層の表面電位を負にする手段が静電誘
導によることを特徴とする請求項２又は３記載の金属の
選択ＣＶＤ前処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7150093A JPH06283445A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 金属の選択ｃｖｄ前処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7150093A JPH06283445A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 金属の選択ｃｖｄ前処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283445A true JPH06283445A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13462463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7150093A Pending JPH06283445A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 金属の選択ｃｖｄ前処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283445A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023516866A (ja) * | 2020-12-03 | 2023-04-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | トレンチ構造内の選択的タングステン堆積 |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP7150093A patent/JPH06283445A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023516866A (ja) * | 2020-12-03 | 2023-04-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | トレンチ構造内の選択的タングステン堆積 |
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