JPH062823U - 表面波素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 圧電体の一面に電極を形成してなる表面波素
子において、ノイズを防ぎ、電気的シールド効果をもた
せて動作特性の向上を実現する。 【構成】 圧電体の一面に電極を形成してなる表面波素
子において、該電極の形成してある面の裏面に導電膜を
形成する。また、前記導電膜を二種以上の異種の材料に
より形成する。また、前記導電膜を透明導電膜により形
成する。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、ＴＶ，ＶＴＲおよび通信装置等に用いる表面波素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来の表面波素子は、圧電体の一面に電極を形成してなる表面波素子において 、該電極の形成してある一面の裏面には特に導電膜等を形成せずに、パッケージ に接着していた。本技術においてはパッケージは導電性の材質からなり、接着剤 も導電性のものを使用していた。したがって高周波のシールドはパッケージ、あ るいは接着剤により行われていた。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

最近の技術の流れとして、表面実装タイプの素子の需要が増えてきているが、 これは機器の小型化と実装の工数低減を狙っている。このため表面波素子におい ても表面実装タイプが要求されてきている。このためにはパッケージにセラミッ クス等の非導電性の材質を用いることが多く、こうした材質では高周波のシール ドができなく素子特性を劣化させている。この解決手段として、パッケージ側に シールド用として金属膜等を付加した構造のものが使用されている。

【０００４】 しかしながらこうした従来技術では、パッケージに金属膜をつける際にパッケ ージ材料との密着力が充分でなく剥離するという課題や、パッケージに個々につ けるため工数が掛かるなどの課題を有している。また、素子に必要とされるシー ルド特性にぴったりと沿うパッケージを探すことが難しかったり、そもそも要求 を満たすパッケージが無いことも多々あった。

【０００５】 そこで本考案の目的は、表面波素子用のシールドを簡易的に、安定して供給す ること、及び必要なシールド効果を持つ表面波素子を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】

本考案は、圧電体の一面に電極を形成してなる表面波素子において、該電極の 形成してある面の裏面に導電膜を形成したことを特徴とする。

【０００７】

【実施例】

以下本考案を実施例にしたがい詳細に説明する。

【０００８】 まず、図１に本考案による第１の実施例により形成された表面波素子１の斜視 図を示す。以下本実施例により形成された表面波素子の構成を説明する。

【０００９】 表面波素子１は圧電体表面に櫛歯形電極２、および格子状反射器電極３を具備 する弾性表面波共振子である。電極２、３はアルミニウム膜であり厚みは約６０ ００オングストロームである。また本実施例における圧電体基板４はＳＴカット 水晶である。図１に示すように電極２、３の形成されている圧電体４の１面に対 する裏面に導電膜５が全面に渡り形成されている。本膜はアルミニウム膜であり 、厚みは約３ミクロンである。

【００１０】 本実施例では櫛歯形電極２、及び格子状反射器電極３を形成した後に導電膜５ を形成している。通常のプロセスにおいては、素子は１枚の基板に数１０個同時 に形成されるが、裏面の導電膜５も基板の裏面全面に渡り一括して形成される。 素子はその後ダイシング法等により分離切断され図１に示す形態を得る。

【００１１】 本実施例では圧電体基板４と導電膜５の密着力を向上させるため、基板温度を 摂氏１００度から摂氏２００度に加熱している。また、本実施例ではＥＢ蒸着法 を採用している。

【００１２】 本実施例においては、導電膜５を基板４の裏面に成膜するときに全面に渡り形 成したが、ダイシング等を行うときの切断部分をマスクしておき、切断部分にの み導電膜５を形成しなくてもよい。本方法では電極２、３より裏面の導電膜５の 面積を大きくしておいた方がよい。

【００１３】 また本実施例では基板４と導電膜５の密着力を向上させるために導電膜５の成 膜時に加熱蒸着を行なったが、密着力向上としては基板４と導電膜５の中間にク ロム、チタン等の層を設ける方法もある。また本実施例では導電膜５としてアル ミニウム膜を用いたが、アルミニウムの他に金、銀等の他の金属やあるいは高分 子性の導電膜でも良い。また磁気的なシールドが必要な素子においては、導電膜 の代わりに磁性体膜を形成すると良い。磁性体膜としてはパーマロイ、センダス ト、フェライト等が適しているが、これらに限られるわけではない。さらに、導 電膜と磁性体膜を積層してもよい。

【００１４】 以上の導電膜５は、導電性の接着剤やその他の方法により、外部回路のアース に電気的に接続されている。圧電体基板としては本実施例ではＳＴカット水晶を 用いたが、タンタル酸リチウム等の酸化物単結晶等でも良い。

【００１５】 また図２に本考案による第２の実施例の断面図を示す。本実施例ではガラス板 ７を用いて、ガラス板７上にアルミニウムの導電膜５を形成し、そして圧電薄膜 ６を形成しさらにその上に電極２、３を形成している。本実施例では圧電薄膜６ を圧電体基板と考え、電極２、３が形成してある面の裏面側に導電膜５を形成し ている。

【００１６】 また図３は本考案による第３の実施例の断面図を示す。本実施例ではガラス板 ７を用いて、ガラス板７上に電極２、３を形成し、その上に圧電薄膜６を形成し ている。そして圧電薄膜６の上に導電膜５を形成している。本実施例でも第２の 実施例と同じく、圧電薄膜６を圧電体基板と考え、電極２、３が形成してある面 の裏面側に導電膜５を形成している。

【００１７】 第２、及び第３の実施例においては、圧電薄膜６と導電膜５の中間に絶縁性や 、弾性表面波の特性を向上させる等の目的で、２酸化シリコン等の誘電膜を付加 することもできる。また、ガラス板の他にサファイア板を用いてもよい。また第 １の実施例に示したように、ガラス板７の電極２、３および圧電薄膜６の形成し てある面の裏面側に導電膜を追加すれば、さらにシールド効果は向上する。

【００１８】 以上説明したように、本実施例の表面波素子１は、従来の表面波素子の製造工 程の中に導電膜５を成膜する工程を１工程のみ追加するだけで良いため、簡単に また多量に製造することができる。さらに密着力も向上できるため信頼性も向上 できる。またシールドの必要に応じて導電膜５を厚くでき、素子特性にマッチし た効果を有することができる。また、シールド用の導電物質を具備するパッケー ジと併用することにより、さらにシールド効果を向上させることが可能である。 次に本考案による第４の実施例を説明する。本実施例では図１の導電膜５にお いて透明な導電膜を形成している。たとえばＩＴＯ（酸化インジウム錫）、酸化 亜鉛等である。第１の実施例及び第２の実施例及び第３の実施例ではアルミニウ ムや金等の導電膜を用いたがこれらは透明ではなく、パッケージと接着する際に 位置合わせが難しく組立に時間がかかる。そこで透明な導電膜を用いればこのよ うなことはなくなる。本実施例は特に水晶基板のように透明な基板に対して効果 がある。

【００１９】 また、透明導電膜の密着性を向上させるために、透明度を極端に劣化させない 範囲で、クロム、チタン等の中間膜を基板４との間に入れることもできる。さら に、透明度を極端に劣化させない範囲で電導率を向上させるために、金などを非 常に薄く積層させることもできる。

【００２０】 以上実施例にしたがい説明したが、導電膜５の形成は蒸着法、スパッタリング 法やその他の方法で行うことができる。もちろんこれらの方法の併用でもかまわ ない。また以上の実施例では弾性表面波共振子について述べたが、フィルタ、コ ンボルバ等にも応用可能である。また共振子も１ポート以外の２ポートでも良い 。

【００２１】 さらに電極２、３はアルミニウムであったが金膜でもかまわない。

【００２２】

【考案の効果】

以上述べたように本考案によれば、圧電体基板上に電極を形成してある面の裏 面に導電膜を形成することにより、非導電性パッケージに収納する際電気的シー ルド効果を持つ。また、前記導電膜を透明導電膜にすることにより接着工程にお いて位置合わせが容易にできるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の第１の実施例における表面波素子の構
造を示す斜視図。

【図２】本考案の第２の実施例における表面波素子の構
造を示す断面図。

【図３】本考案の第３の実施例における表面波素子の構
造を示す断面図。

【符号の説明】

１ 弾性表面波素子 ２ 櫛歯形電極 ３ 格子状反射器電極 ４ 圧電体基板 ５ 導電膜 ６ 圧電薄膜 ７ ガラス板

フロントページの続き (72)考案者 北村 文孝 長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコー エプソン株式会社内 (72)考案者 黒沢 龍一 長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコー エプソン株式会社内

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 圧電体の一面に電極を形成してなる表面
   波素子において、該電極の形成してある面の裏面に導電
   膜を形成したことを特徴とする表面波素子。
2. 【請求項２】 圧電体の一面に電極を形成してなる表面
   波素子において、該電極の形成してある面の裏面に透明
   導電膜を形成したことを特徴とする表面波素子。