JPH0628237B2 - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPH0628237B2 JPH0628237B2 JP27381987A JP27381987A JPH0628237B2 JP H0628237 B2 JPH0628237 B2 JP H0628237B2 JP 27381987 A JP27381987 A JP 27381987A JP 27381987 A JP27381987 A JP 27381987A JP H0628237 B2 JPH0628237 B2 JP H0628237B2
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- JP
- Japan
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- silicon
- thin film
- ion implantation
- substrate
- film formation
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、選択イオン注入を用いたシリコン薄膜選択エ
ピタキシーによる薄膜形成方法に関するものである。
ピタキシーによる薄膜形成方法に関するものである。
(従来の技術) 第2図は従来行われているシリコン選択エピタキシーの
工程を示している。第2図(1)では、基板21上に熱酸
化膜22を形成し、さらに、レジスト等のマスク23を
光や電子ビーム露光法により形成する(第2図(1))。
次に、マスク23を用いて、CF4反応性イオンエッチ
ングにより、熱酸化膜22をエッチングする(第2図
(2))。その後、酸素プラズマにより、レジストを除去
する(第2図(3))。この様にして、シリコン基板上に
熱酸化膜パターンを形成する。その後、ジクロルシラン
ソースを用いたガス反応気相成長により、シリコン上の
みにシリコンが成長し、熱酸化膜上にはシリコンが成長
しないシリコン選択エピタキシーを行う。
工程を示している。第2図(1)では、基板21上に熱酸
化膜22を形成し、さらに、レジスト等のマスク23を
光や電子ビーム露光法により形成する(第2図(1))。
次に、マスク23を用いて、CF4反応性イオンエッチ
ングにより、熱酸化膜22をエッチングする(第2図
(2))。その後、酸素プラズマにより、レジストを除去
する(第2図(3))。この様にして、シリコン基板上に
熱酸化膜パターンを形成する。その後、ジクロルシラン
ソースを用いたガス反応気相成長により、シリコン上の
みにシリコンが成長し、熱酸化膜上にはシリコンが成長
しないシリコン選択エピタキシーを行う。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、この従来の方法では、工程が複雑である
という欠点を有していた。本発明の目的は、選択イオン
注入により、工程が簡素化されたシリコン選択エピタキ
シー法による薄膜形成方法を提供することである。
という欠点を有していた。本発明の目的は、選択イオン
注入により、工程が簡素化されたシリコン選択エピタキ
シー法による薄膜形成方法を提供することである。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、シリコン基板上に酸素のイオン注入を行うこ
とにより、イオン注入を行った部分を酸化シリコンに
し、シリコン選択エピタキシーによりイオン注入した部
分以外の部分のみにシリコンエピタキシーを行うことを
特徴とする薄膜形成方法である。
とにより、イオン注入を行った部分を酸化シリコンに
し、シリコン選択エピタキシーによりイオン注入した部
分以外の部分のみにシリコンエピタキシーを行うことを
特徴とする薄膜形成方法である。
(作用) 本発明の原理と作用について述べる。イオン注入の分野
においては、イオンを基板に注入することにより表面改
質を行う技術がある。例えば、酸素イオンをシリコン基
板にイオン注入することにより基板表面を酸化シリコン
(SiOx)にすることができる。ここで、xの値は酸
素のイオン注入量で制御できる。また、イオン注入時の
イオン加速エネルギーによりイオンの注入深さが制御で
きる。この様に、イオン注入による表面改質技術によ
り、シリコン基板上に酸化シリコンを形成することが可
能である。シリコン基板酸素イオン注入により、選択的
にシリコン基板上に酸化シリコン層を形成することがで
きる。このことから、酸素の選択イオン注入により、シ
リコン基板上に酸化シリコン層を選択的に形成し、シリ
コンの選択エピタキシーが可能となる。
においては、イオンを基板に注入することにより表面改
質を行う技術がある。例えば、酸素イオンをシリコン基
板にイオン注入することにより基板表面を酸化シリコン
(SiOx)にすることができる。ここで、xの値は酸
素のイオン注入量で制御できる。また、イオン注入時の
イオン加速エネルギーによりイオンの注入深さが制御で
きる。この様に、イオン注入による表面改質技術によ
り、シリコン基板上に酸化シリコンを形成することが可
能である。シリコン基板酸素イオン注入により、選択的
にシリコン基板上に酸化シリコン層を形成することがで
きる。このことから、酸素の選択イオン注入により、シ
リコン基板上に酸化シリコン層を選択的に形成し、シリ
コンの選択エピタキシーが可能となる。
(実施例) 以下、本発明の実施例について、第1図を用いて説明す
る。第1図(1)では、基板11上にレジスト等のマスク
12を光や電子ビーム露光法により形成する(第1図
(1))。次に、酸素イオンビーム13によりシリコン基
板11に対してイオン注入を行う。ここでは、加速エネ
ルギー200keV、ドーズ量1x1018/cm2の酸素イ
オンビームを用いた。この様にして、酸素イオン注入領
域13を形成する。(第1図(2))。次に、マスク12
を除去する(第1図(3))。この様にして、酸素イオン
注入によりシリコン酸化層の選択形成を行う。次に、ジ
クロルシランを用いたガス反応気相成長法により、酸素
イオン注入した領域(酸化シリコン)以外の領域のみシ
リコンが成長する選択エピタキシーを行い得る(第1図
(4))。本実施例では、200keV加速エネルギーを
用いたが、選択エピタキシーは表面エネルギーの差を利
用しているのでさらに低いエネルギーでイオン注入して
もよい。また、ドーズ量は1x1017/cm2以上1x10
20/cm2範囲であればよい。
る。第1図(1)では、基板11上にレジスト等のマスク
12を光や電子ビーム露光法により形成する(第1図
(1))。次に、酸素イオンビーム13によりシリコン基
板11に対してイオン注入を行う。ここでは、加速エネ
ルギー200keV、ドーズ量1x1018/cm2の酸素イ
オンビームを用いた。この様にして、酸素イオン注入領
域13を形成する。(第1図(2))。次に、マスク12
を除去する(第1図(3))。この様にして、酸素イオン
注入によりシリコン酸化層の選択形成を行う。次に、ジ
クロルシランを用いたガス反応気相成長法により、酸素
イオン注入した領域(酸化シリコン)以外の領域のみシ
リコンが成長する選択エピタキシーを行い得る(第1図
(4))。本実施例では、200keV加速エネルギーを
用いたが、選択エピタキシーは表面エネルギーの差を利
用しているのでさらに低いエネルギーでイオン注入して
もよい。また、ドーズ量は1x1017/cm2以上1x10
20/cm2範囲であればよい。
(発明の効果) 以上説明した様に、本発明の薄膜形成方法によればシリ
コン基板上に酸素イオン注入を行い選択的に酸化シリコ
ン層を形成し、選択エピタキシーを行うことにより工程
が簡略化されたシリコン薄膜形成を行うことができる。
コン基板上に酸素イオン注入を行い選択的に酸化シリコ
ン層を形成し、選択エピタキシーを行うことにより工程
が簡略化されたシリコン薄膜形成を行うことができる。
第1図は本発明の一実施例を模式的に示す部分断面、第
2図は従来のシリコン選択エピタキシー方法を示す断面
図。 11、21:Si基板、12、23:マスク、 14、23:Siエピタキシャル薄膜、 13:注入領域、
2図は従来のシリコン選択エピタキシー方法を示す断面
図。 11、21:Si基板、12、23:マスク、 14、23:Siエピタキシャル薄膜、 13:注入領域、
Claims (1)
- 【請求項1】シリコン基板上に酸素のイオン注入を行う
ことにより、イオン注入を行った部分のみに酸化シリコ
ンを選択的に形成させる工程と、エピタキシー成長によ
りイオン注入した部分以外の部分のみにシリコンエピタ
キシーを行う工程とを備えたことを特徴とする薄膜形成
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27381987A JPH0628237B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27381987A JPH0628237B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01115120A JPH01115120A (ja) | 1989-05-08 |
JPH0628237B2 true JPH0628237B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=17533001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27381987A Expired - Lifetime JPH0628237B2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0628237B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014106594B4 (de) * | 2014-05-09 | 2022-05-05 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP27381987A patent/JPH0628237B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01115120A (ja) | 1989-05-08 |
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