JPH06268323A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH06268323A JPH06268323A JP5054308A JP5430893A JPH06268323A JP H06268323 A JPH06268323 A JP H06268323A JP 5054308 A JP5054308 A JP 5054308A JP 5430893 A JP5430893 A JP 5430893A JP H06268323 A JPH06268323 A JP H06268323A
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- semiconductor
- refractive index
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3054—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ヘテロ接合を有する光半導体装置に関し、良
好な光学的特性と、低い順方向抵抗を有する半導体積層
を備えた光半導体装置を提供することを目的とする。 【構成】 所定の実効的バンドギャップ、実効的屈折
率、および厚さを有する活性層と、前記活性層の両側に
配置され、活性層よりも広い実質的バンドギャップ、低
い実効的屈折率、および所定の厚さを有する第１および
第２のクラッド層と、前記第１のクラッド層上に配置さ
れ、一方の導電型にドープされ、実効屈折率の高い層と
低い層との交互層を含み、前記一方の導電型のバンドの
不連続が他方の導電型のバンドの不連続に較べて著しく
小さい第１の積層構造とを有する。
好な光学的特性と、低い順方向抵抗を有する半導体積層
を備えた光半導体装置を提供することを目的とする。 【構成】 所定の実効的バンドギャップ、実効的屈折
率、および厚さを有する活性層と、前記活性層の両側に
配置され、活性層よりも広い実質的バンドギャップ、低
い実効的屈折率、および所定の厚さを有する第１および
第２のクラッド層と、前記第１のクラッド層上に配置さ
れ、一方の導電型にドープされ、実効屈折率の高い層と
低い層との交互層を含み、前記一方の導電型のバンドの
不連続が他方の導電型のバンドの不連続に較べて著しく
小さい第１の積層構造とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光半導体装置に関し、
特にヘテロ接合を有する光半導体装置に関する。
特にヘテロ接合を有する光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常の半導体レーザにおいては、基板上
に活性層を含み、ヘテロ接合を形成する積層をエピタキ
シャル成長し、活性層の面内方向に発光を伝播させ、側
面より出射させる。複数のレーザを単一チップ上に集積
化することも可能であるが、構造上、出射レーザ光の配
置はたとえば１次元配置のような限られたものとなる。
に活性層を含み、ヘテロ接合を形成する積層をエピタキ
シャル成長し、活性層の面内方向に発光を伝播させ、側
面より出射させる。複数のレーザを単一チップ上に集積
化することも可能であるが、構造上、出射レーザ光の配
置はたとえば１次元配置のような限られたものとなる。
【０００３】面発光半導体レーザ（以下、面発光レーザ
と略称する）は、基板表面に対して垂直方向にレーザ光
を出射させる。単一チップ内に複数の面発光レーザを集
積化する場合、出射レーザ光を２次元面内に任意に配置
することができる。
と略称する）は、基板表面に対して垂直方向にレーザ光
を出射させる。単一チップ内に複数の面発光レーザを集
積化する場合、出射レーザ光を２次元面内に任意に配置
することができる。
【０００４】このため、面発光レーザはレーザ光を用い
た多重光通信等に極めて有利である。以下、制限的な意
味を有することなしに、主に面発光レーザを例にとって
説明する。
た多重光通信等に極めて有利である。以下、制限的な意
味を有することなしに、主に面発光レーザを例にとって
説明する。
【０００５】面発光レーザにおいて、光学的キャビティ
を形成するため、発光を行なう活性層を挟んで両側に反
射ミラーを配置する。反射ミラーは、半導体の多層膜に
よって屈折率の周期的変化を形成したＤＢＲ（distribu
ted Bragg reflecter ）で構成することができる。屈折
率変化が光学路長λ／４で生じる時、波長λの光の多重
反射の和が最大となる。
を形成するため、発光を行なう活性層を挟んで両側に反
射ミラーを配置する。反射ミラーは、半導体の多層膜に
よって屈折率の周期的変化を形成したＤＢＲ（distribu
ted Bragg reflecter ）で構成することができる。屈折
率変化が光学路長λ／４で生じる時、波長λの光の多重
反射の和が最大となる。
【０００６】図６に、従来の技術による面発光レーザの
要部の構成を示す。図６（Ａ）は、活性層、その両側の
クラッド層、さらにその両側のＤＢＲ構造のバンド構造
を概略的に示す。図中、縦軸はエネルギを示し、横軸は
面発光レーザの深さ方向位置を示す。
要部の構成を示す。図６（Ａ）は、活性層、その両側の
クラッド層、さらにその両側のＤＢＲ構造のバンド構造
を概略的に示す。図中、縦軸はエネルギを示し、横軸は
面発光レーザの深さ方向位置を示す。
【０００７】活性層５１は、所定のエネルギギャップＥ
ｇを有する。活性層５１の両側には、活性層よりもバン
ドギャップが広く、低い屈折率を有するクラッド層５２
Ａ、５２Ｂが配置されている。活性層５１およびクラッ
ド層５２Ａ、５２Ｂは、ノンドープの半導体層で構成さ
れる。
ｇを有する。活性層５１の両側には、活性層よりもバン
ドギャップが広く、低い屈折率を有するクラッド層５２
Ａ、５２Ｂが配置されている。活性層５１およびクラッ
ド層５２Ａ、５２Ｂは、ノンドープの半導体層で構成さ
れる。
【０００８】クラッド層５２Ａの外側には、半導体積層
で構成された第１のＤＢＲ構造５３Ａが形成されてい
る。また、クラッド層５２Ｂの外側には、第２のＤＢＲ
構造が半導体積層によって構成されている。
で構成された第１のＤＢＲ構造５３Ａが形成されてい
る。また、クラッド層５２Ｂの外側には、第２のＤＢＲ
構造が半導体積層によって構成されている。
【０００９】ＤＢＲ構造５３Ａ、５３Ｂは、バンドギャ
ップの広い半導体層５４Ａとバンドギャップの狭い半導
体層５５Ａの交互積層および、バンドギャップの広い半
導体層５４Ｂ、バンドギャップの狭い半導体層５５Ｂの
積層によって構成されている。
ップの広い半導体層５４Ａとバンドギャップの狭い半導
体層５５Ａの交互積層および、バンドギャップの広い半
導体層５４Ｂ、バンドギャップの狭い半導体層５５Ｂの
積層によって構成されている。
【００１０】積層を構成する各半導体層５４Ａ、５４
Ｂ、５５Ａ、５５Ｂは、それぞれ活性層５１の発光波長
λに対してλ／４の光学路長を有する。なお、本明細書
でλ／４の光学路長とは、３λ／４、５λ／４等、光学
的にλ／４と同等に機能するものを含むものとする。ま
た、正確にλ／４の光学路長で揃っていなくてもよいこ
とも当業者には自明であろう。特に、最外層の層厚の許
容範囲は広い。
Ｂ、５５Ａ、５５Ｂは、それぞれ活性層５１の発光波長
λに対してλ／４の光学路長を有する。なお、本明細書
でλ／４の光学路長とは、３λ／４、５λ／４等、光学
的にλ／４と同等に機能するものを含むものとする。ま
た、正確にλ／４の光学路長で揃っていなくてもよいこ
とも当業者には自明であろう。特に、最外層の層厚の許
容範囲は広い。
【００１１】半導体においては、屈折率はバンドギャッ
プと関連を有し、一般に広いバンドギャップの半導体は
低い屈折率を有する。したがって、ＤＢＲ構造５３Ａ、
５３Ｂは、バンドギャップの変化に対応した屈折率変化
を有し、そのヘテロ界面は光学的界面を形成する。各層
の厚さがλ／４のため、活性層５１で発光した波長λの
光は、ＤＢＲ構造５３Ａ、５３Ｂによって反射され、共
振器が形成される。
プと関連を有し、一般に広いバンドギャップの半導体は
低い屈折率を有する。したがって、ＤＢＲ構造５３Ａ、
５３Ｂは、バンドギャップの変化に対応した屈折率変化
を有し、そのヘテロ界面は光学的界面を形成する。各層
の厚さがλ／４のため、活性層５１で発光した波長λの
光は、ＤＢＲ構造５３Ａ、５３Ｂによって反射され、共
振器が形成される。
【００１２】活性層５１において、発光性再結合を行な
わせるためには、ＤＢＲ構造５３Ａ、５３Ｂに不純物を
ドープし、ｐｉｎダイオード構造とすればよい。図６
（Ｂ）は、ＤＢＲ構造５３Ａにｐ型不純物をドープし、
ＤＢＲ構造５３Ｂにｎ型不純物をドープし、ｐｉｎ構造
に順バイアス電圧を印加した状態のバンド構造を示す。
わせるためには、ＤＢＲ構造５３Ａ、５３Ｂに不純物を
ドープし、ｐｉｎダイオード構造とすればよい。図６
（Ｂ）は、ＤＢＲ構造５３Ａにｐ型不純物をドープし、
ＤＢＲ構造５３Ｂにｎ型不純物をドープし、ｐｉｎ構造
に順バイアス電圧を印加した状態のバンド構造を示す。
【００１３】バンドギャップの広い半導体層において
は、電子や正孔のキャリアがバンドギャップの狭い半導
体層に移り、逆極性の空間電荷が生じる。このため、バ
ンドに湾曲が生じる。
は、電子や正孔のキャリアがバンドギャップの狭い半導
体層に移り、逆極性の空間電荷が生じる。このため、バ
ンドに湾曲が生じる。
【００１４】この湾曲は、バンドギャップの広い半導体
層を通過するキャリア輸送を妨げる働きをする。このよ
うなポテンシャルバリアが多重に形成されるため、ｐｉ
ｎダイオードの順方向抵抗が、たとえば数ＫΩと大きく
なってしまう。
層を通過するキャリア輸送を妨げる働きをする。このよ
うなポテンシャルバリアが多重に形成されるため、ｐｉ
ｎダイオードの順方向抵抗が、たとえば数ＫΩと大きく
なってしまう。
【００１５】図７は、ＤＢＲ構造を備えたｐｉｎダイオ
ードの順方向抵抗を低減することのできる構成を概略的
に示す。図７（Ａ）は、無電界の状態を示し、図７
（Ｂ）は順バイアスを印加した状態を示す。
ードの順方向抵抗を低減することのできる構成を概略的
に示す。図７（Ａ）は、無電界の状態を示し、図７
（Ｂ）は順バイアスを印加した状態を示す。
【００１６】図７においては、ＤＢＲ構造５３Ａ、５３
Ｂのヘテロ界面近傍が、組成勾配を有し、徐々にバンド
ギャップが変化している。このような傾斜組成の採用に
より、順バイアス電圧を印加した時のバンドの曲がり
が、組成勾配によるバンドの曲がりと相殺し、急峻なポ
テンシャルバリアの形成が防止される。このような構成
により、ｐｉｎダイオードの抵抗を約１２Ωまで低減し
た報告がある。
Ｂのヘテロ界面近傍が、組成勾配を有し、徐々にバンド
ギャップが変化している。このような傾斜組成の採用に
より、順バイアス電圧を印加した時のバンドの曲がり
が、組成勾配によるバンドの曲がりと相殺し、急峻なポ
テンシャルバリアの形成が防止される。このような構成
により、ｐｉｎダイオードの抵抗を約１２Ωまで低減し
た報告がある。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】面発光レーザを作成す
る場合、ＤＢＲ構造の構成各層の配置を厳密に制御する
ことが重要である。
る場合、ＤＢＲ構造の構成各層の配置を厳密に制御する
ことが重要である。
【００１８】ＤＢＲ構造の各層を均一な組成の層で形成
すると、ｐｉｎダイオード構造の低抵抗化は困難であ
る。組成傾斜型のヘテロ接合を形成することにより、低
抵抗化は可能であるが、組成傾斜領域を２０〜３０Åの
厚さで形成することが必要となり、その作成は困難であ
る。したがって、従来の技術によって良好なＤＢＲ構造
を有し、順方向抵抗の低い面発光レーザを形成すること
は困難である。
すると、ｐｉｎダイオード構造の低抵抗化は困難であ
る。組成傾斜型のヘテロ接合を形成することにより、低
抵抗化は可能であるが、組成傾斜領域を２０〜３０Åの
厚さで形成することが必要となり、その作成は困難であ
る。したがって、従来の技術によって良好なＤＢＲ構造
を有し、順方向抵抗の低い面発光レーザを形成すること
は困難である。
【００１９】本発明の目的は、良好な光学的特性と、低
い順方向抵抗を有する半導体積層を備えた光半導体装置
を提供することである。本発明の他の目的は、光学的特
性に優れ、低い順方向抵抗を有するＤＢＲ構造を備えた
面発光レーザを提供することである。
い順方向抵抗を有する半導体積層を備えた光半導体装置
を提供することである。本発明の他の目的は、光学的特
性に優れ、低い順方向抵抗を有するＤＢＲ構造を備えた
面発光レーザを提供することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体装置
は、所定の実効的バンドギャップ、実効的屈折率、およ
び厚さを有する活性層と、前記活性層の両側に配置さ
れ、活性層よりも広い実質的バンドギャップ、低い実効
的屈折率、および所定の厚さを有する第１および第２の
クラッド層と、前記第１のクラッド層上に配置され、一
方の導電型にドープされ、実効屈折率の高い層と低い層
との交互層を含み、前記一方の導電型のバンドの不連続
が他方の導電型のバンドの不連続に較べて著しく小さい
第１の積層構造とを有する。
は、所定の実効的バンドギャップ、実効的屈折率、およ
び厚さを有する活性層と、前記活性層の両側に配置さ
れ、活性層よりも広い実質的バンドギャップ、低い実効
的屈折率、および所定の厚さを有する第１および第２の
クラッド層と、前記第１のクラッド層上に配置され、一
方の導電型にドープされ、実効屈折率の高い層と低い層
との交互層を含み、前記一方の導電型のバンドの不連続
が他方の導電型のバンドの不連続に較べて著しく小さい
第１の積層構造とを有する。
【００２１】
【作用】第１のクラッド層上に配置された第１の積層構
造は、一方の導電型にドープされた実効屈折率の高い層
と低い層との交互層を含み、かつ一方の導電型のバンド
の不連続が他方の導電型のバンドの不連続に較べて著し
く小さいため、一方の導電型のキャリアの輸送を速やか
に行なうとこができる。
造は、一方の導電型にドープされた実効屈折率の高い層
と低い層との交互層を含み、かつ一方の導電型のバンド
の不連続が他方の導電型のバンドの不連続に較べて著し
く小さいため、一方の導電型のキャリアの輸送を速やか
に行なうとこができる。
【００２２】組成勾配を採用する必要がないため、第１
の積層構造の各層を高精度に作成することが容易であ
り、良好な光学的特性を容易に実現することができる。
たとえば、良好なＤＢＲ等の光学フィルタを容易に作成
することができる。
の積層構造の各層を高精度に作成することが容易であ
り、良好な光学的特性を容易に実現することができる。
たとえば、良好なＤＢＲ等の光学フィルタを容易に作成
することができる。
【００２３】
【実施例】図１に、本発明の実施例による光半導体装置
の基本構成を示す。図１（Ａ）は、光半導体装置の要部
の半導体積層のバンド構造を概略的に示す。
の基本構成を示す。図１（Ａ）は、光半導体装置の要部
の半導体積層のバンド構造を概略的に示す。
【００２４】活性層５は、発光性再結合を行なうことの
できる半導体層で構成され、バンドギャップＥｇを有す
る。活性層５の両側には、活性層よりも広いバンドギャ
ップと低い屈折率を有するクラッド層４Ａ、４Ｂが配置
されている。クラッド層４Ａの上には、第１の半導体積
層３Ａが形成されている。また、クラッド層４Ｂの上に
は第２の半導体積層３Ｂが形成されている。
できる半導体層で構成され、バンドギャップＥｇを有す
る。活性層５の両側には、活性層よりも広いバンドギャ
ップと低い屈折率を有するクラッド層４Ａ、４Ｂが配置
されている。クラッド層４Ａの上には、第１の半導体積
層３Ａが形成されている。また、クラッド層４Ｂの上に
は第２の半導体積層３Ｂが形成されている。
【００２５】半導体積層３Ａは、バンドギャップの狭い
半導体層１０とバンドギャップの広い半導体層１１の交
互積層を含む。ここで、半導体層１０と半導体層１１の
交互積層は、伝導帯においては大きなバンド不連続を示
すが、価電子帯においては実質的なバンド不連続を示し
ていない。
半導体層１０とバンドギャップの広い半導体層１１の交
互積層を含む。ここで、半導体層１０と半導体層１１の
交互積層は、伝導帯においては大きなバンド不連続を示
すが、価電子帯においては実質的なバンド不連続を示し
ていない。
【００２６】また、半導体積層３Ｂにおいては、バンド
ギャップの広い半導体層１２とバンドギャップの狭い半
導体層１３の交互積層が形成されている。ここで、バン
ドギャップの広い半導体層１２とバンドギャップの狭い
半導体層１３の交互積層は、価電子帯においては広いバ
ンド不連続を示しているが、伝導帯においては、実質的
なバンド不連続を示していない。
ギャップの広い半導体層１２とバンドギャップの狭い半
導体層１３の交互積層が形成されている。ここで、バン
ドギャップの広い半導体層１２とバンドギャップの狭い
半導体層１３の交互積層は、価電子帯においては広いバ
ンド不連続を示しているが、伝導帯においては、実質的
なバンド不連続を示していない。
【００２７】このような特性を有する半導体層を構成要
素とすることにより、半導体積層３Ａにｐ型不純物をド
ープした時には、ｐ型キャリアである正孔はポテンシャ
ルバリアに実質的に妨げられることなく、半導体積層３
Ａを通過することができる。
素とすることにより、半導体積層３Ａにｐ型不純物をド
ープした時には、ｐ型キャリアである正孔はポテンシャ
ルバリアに実質的に妨げられることなく、半導体積層３
Ａを通過することができる。
【００２８】また、半導体積層３Ｂにおいては、ｎ型不
純物をドープした時、ｎ型キャリアである電子はポテン
シャルバリアに妨げられることなく、半導体積層３Ｂを
通過することができる。
純物をドープした時、ｎ型キャリアである電子はポテン
シャルバリアに妨げられることなく、半導体積層３Ｂを
通過することができる。
【００２９】図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す半導体積
層の屈折率分布を概略的に示す。半導体の屈折率は、バ
ンドギャップの大きさと逆の関係を有する。このため、
バンドギャップの狭い活性層５の屈折率が最も高く、そ
の両側に配置されたクラッド層４Ａ、４Ｂの屈折率は活
性層５の屈折率よりも低い。このため、活性層５におけ
るキャリア閉じ込め効果と光閉じ込め効果が生じる。
層の屈折率分布を概略的に示す。半導体の屈折率は、バ
ンドギャップの大きさと逆の関係を有する。このため、
バンドギャップの狭い活性層５の屈折率が最も高く、そ
の両側に配置されたクラッド層４Ａ、４Ｂの屈折率は活
性層５の屈折率よりも低い。このため、活性層５におけ
るキャリア閉じ込め効果と光閉じ込め効果が生じる。
【００３０】クラッド層４Ａの外側に配置された半導体
積層３Ａは、バンドギャップの広い半導体層１１が構成
する低い屈折率ｎL の層と、バンドギャップの狭い半導
体層１０に対応する高い屈折率ｎH の層との交互配置を
構成する。このような屈折率の分布により、光学的フィ
ルタが形成される。
積層３Ａは、バンドギャップの広い半導体層１１が構成
する低い屈折率ｎL の層と、バンドギャップの狭い半導
体層１０に対応する高い屈折率ｎH の層との交互配置を
構成する。このような屈折率の分布により、光学的フィ
ルタが形成される。
【００３１】高屈折率ｎH の層１０と低屈折率ｎL の層
１１の光学路長が、共に所定波長λに対し、λ／４の長
さを有する時、この半導体積層３ＡはＤＢＲ構造を構成
する。なお、ここで光学路長は、光の進行方向において
測った半導体層の光学的長さであり、光が半導体層に垂
直に進行する時は、半導体層の厚さと実効的屈折率の積
となる。
１１の光学路長が、共に所定波長λに対し、λ／４の長
さを有する時、この半導体積層３ＡはＤＢＲ構造を構成
する。なお、ここで光学路長は、光の進行方向において
測った半導体層の光学的長さであり、光が半導体層に垂
直に進行する時は、半導体層の厚さと実効的屈折率の積
となる。
【００３２】半導体積層３Ｂも、半導体積層３Ａと基本
的には同等に機能する。ただし、高屈折率ｎH 、低屈折
率ｎL の値により、半導体積層各層の望ましい厚さは定
まる。λ／４の光学路長とした時、ＤＢＲ構造が形成さ
れる。
的には同等に機能する。ただし、高屈折率ｎH 、低屈折
率ｎL の値により、半導体積層各層の望ましい厚さは定
まる。λ／４の光学路長とした時、ＤＢＲ構造が形成さ
れる。
【００３３】図１（Ａ）において、バンド不連続の著し
く小さい半導体積層のバンドは、理想的にはバンド端不
連続値が“０”であるが、現実的には半導体積層を輸送
されるキャリアは熱エネルギを有しており、さらに電界
によって加速できる。このため、現実的にはバンド不連
続値は±３ｋＴ程度以下であればよい。室温動作の場合
を考えると、バンド不連続値は約±７８ｍｅＶ程度以下
であればよい。
く小さい半導体積層のバンドは、理想的にはバンド端不
連続値が“０”であるが、現実的には半導体積層を輸送
されるキャリアは熱エネルギを有しており、さらに電界
によって加速できる。このため、現実的にはバンド不連
続値は±３ｋＴ程度以下であればよい。室温動作の場合
を考えると、バンド不連続値は約±７８ｍｅＶ程度以下
であればよい。
【００３４】図１に示すような光半導体装置によれば、
所望の光学的フィルタを備えた低抵抗のｐｉｎダイオー
ド構造が提供される。このような構造は、活性層５およ
びクラッド層４Ａ、４Ｂに光が伝播される種々の光半導
体装置に利用することができる。
所望の光学的フィルタを備えた低抵抗のｐｉｎダイオー
ド構造が提供される。このような構造は、活性層５およ
びクラッド層４Ａ、４Ｂに光が伝播される種々の光半導
体装置に利用することができる。
【００３５】図２は、本発明の実施例による面発光レー
ザの部分的断面図を示す。（００１）面を有するｐ+ 型
ＩｎＰ基板１の上に、ｐ型ＩｎＰバッファ層２がエピタ
キシャルに成長され、その上にｐ型不純物でドープされ
たＩｎ0.52（Ａｌ x Ｇａ1-x ）0.48Ａｓ層とＡｌＡｓ
0.44Ｓｂ0.56層との交互積層で構成されたＤＢＲ構造３
Ａがエピタキシャルに成長されている。
ザの部分的断面図を示す。（００１）面を有するｐ+ 型
ＩｎＰ基板１の上に、ｐ型ＩｎＰバッファ層２がエピタ
キシャルに成長され、その上にｐ型不純物でドープされ
たＩｎ0.52（Ａｌ x Ｇａ1-x ）0.48Ａｓ層とＡｌＡｓ
0.44Ｓｂ0.56層との交互積層で構成されたＤＢＲ構造３
Ａがエピタキシャルに成長されている。
【００３６】ＤＢＲ構造３Ａを構成する各層の厚さは、
その光学路長が１．５５μｍの波長に対し、λ／４にな
るように選択される。ＤＢＲ構造３Ａは、たとえばＩｎ
（ＡｌＧａ）Ａｓ／ＡｌＡｓＳｂの積層を３０周期重ね
て形成する。
その光学路長が１．５５μｍの波長に対し、λ／４にな
るように選択される。ＤＢＲ構造３Ａは、たとえばＩｎ
（ＡｌＧａ）Ａｓ／ＡｌＡｓＳｂの積層を３０周期重ね
て形成する。
【００３７】ｐ型不純物のドーピングは、たとえばＢｅ
をＩｎ（ＡｌＧａ）Ａｓ層に対して、約３．６×１０19
ｃｍ-3、ＡｌＡｓＳｂ層に対して、約５．６×１０19ｃ
ｍ-3ドープすることによって行なう。
をＩｎ（ＡｌＧａ）Ａｓ層に対して、約３．６×１０19
ｃｍ-3、ＡｌＡｓＳｂ層に対して、約５．６×１０19ｃ
ｍ-3ドープすることによって行なう。
【００３８】Ｉｎ0.52（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.48Ａｓ／Ａ
ｌＡｓ0.44Ｓｂ0.56のバンド不連続（伝導帯に対してΔ
Ｅｃ、価電子帯に対してΔＥｖ）は、図４（Ａ）に示す
ように、 −ΔＥｃ＝１．６６−０．５３ｘ ΔＥｖ＝０．３＋０．１９ｘ と表すことができる。
ｌＡｓ0.44Ｓｂ0.56のバンド不連続（伝導帯に対してΔ
Ｅｃ、価電子帯に対してΔＥｖ）は、図４（Ａ）に示す
ように、 −ΔＥｃ＝１．６６−０．５３ｘ ΔＥｖ＝０．３＋０．１９ｘ と表すことができる。
【００３９】ｘ＝０．１５の時、 ΔＥｃ＝１．５８ ΔＥｖ＝０．０５９（Ｅｖ） となる。
【００４０】ΔＥｖの値が、室温における３ｋＴ＝７８
ｍｅＶよりも十分小さいため、ＤＢＲ構造３Ａ全体とし
て正孔の輸送に対し、十分低い抵抗値を実現することが
できる。
ｍｅＶよりも十分小さいため、ＤＢＲ構造３Ａ全体とし
て正孔の輸送に対し、十分低い抵抗値を実現することが
できる。
【００４１】なお、３０周期の積層により、１．５５μ
ｍの光に対し、たとえば約Ｒ＝９９％の反射率を実現す
ることができる。ＤＢＲ構造３Ａの上に、下側クラッド
層４Ａ、活性層５、上側クラッド層４Ｂをエピタキシャ
ルに成長する。たとえば、下側クラッド層４Ａとしては
ノンドープのＩｎ0.52（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.48Ａｓ層を
約２４００Å成長し、活性層５としては、Ｉｎ0.53Ｇａ
0.47Ａｓ層を約８０Å成長し、上側クラッド層４Ｂとし
てはＩｎ0.52（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.48Ａｓ層を厚さ約２
４００Å成長する。なお、ここで、たとえばｘ＝０．１
５とすることができる。
ｍの光に対し、たとえば約Ｒ＝９９％の反射率を実現す
ることができる。ＤＢＲ構造３Ａの上に、下側クラッド
層４Ａ、活性層５、上側クラッド層４Ｂをエピタキシャ
ルに成長する。たとえば、下側クラッド層４Ａとしては
ノンドープのＩｎ0.52（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.48Ａｓ層を
約２４００Å成長し、活性層５としては、Ｉｎ0.53Ｇａ
0.47Ａｓ層を約８０Å成長し、上側クラッド層４Ｂとし
てはＩｎ0.52（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.48Ａｓ層を厚さ約２
４００Å成長する。なお、ここで、たとえばｘ＝０．１
５とすることができる。
【００４２】次に、上側クラッド層４Ｂ上に、Ｉｎ0.52
Ａｌ0.48Ａｓ層とＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ0.44Ａｓ0.56層の
交互積層を２５周期成長し、ＤＢＲ構造３Ｂを形成す
る。なお、ＤＢＲ構造３Ｂには、ｎ型不純物としてＳｉ
をＩｎＡｌＡｓ層に対して約１．３×１０18ｃｍ-3、Ａ
ｌＧａＡｓＳｂ層に対して約２．６×１０17ｃｍ-3ドー
プする。また、各ＡｌＧａＡｓ層およびＩｎＡｌＡｓ層
の厚さは、波長１．５５μｍの光に対して光学路長がλ
／４になるように選択する。
Ａｌ0.48Ａｓ層とＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ0.44Ａｓ0.56層の
交互積層を２５周期成長し、ＤＢＲ構造３Ｂを形成す
る。なお、ＤＢＲ構造３Ｂには、ｎ型不純物としてＳｉ
をＩｎＡｌＡｓ層に対して約１．３×１０18ｃｍ-3、Ａ
ｌＧａＡｓＳｂ層に対して約２．６×１０17ｃｍ-3ドー
プする。また、各ＡｌＧａＡｓ層およびＩｎＡｌＡｓ層
の厚さは、波長１．５５μｍの光に対して光学路長がλ
／４になるように選択する。
【００４３】ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＡｌＡｓ交互積層
のバンド不連続ΔＥｃ、ΔＥｖは、図４（Ｂ）に示すよ
うに、 ΔＥｃ＝−０．０６＋１．１９ｙ −ΔＥｖ＝０．６９−０．４７ｙ と表すことができる。
のバンド不連続ΔＥｃ、ΔＥｖは、図４（Ｂ）に示すよ
うに、 ΔＥｃ＝−０．０６＋１．１９ｙ −ΔＥｖ＝０．６９−０．４７ｙ と表すことができる。
【００４４】ｙ＝０．０５の時、 ΔＥｃ＝０ −ΔＥｖ＝０．６７（Ｅｖ） となる。
【００４５】ｙ＝０．１とすれば、ΔＥｃ＝０．０３５
Ｅｖとなるが、この値においても室温におけるキャリア
の熱エネルギ約７８ｍｅＶに較べ、十分小さな値とな
る。図５は、ＤＢＲ構造３Ａ、下側クラッド層４Ａ、活
性層５、上側クラッド層４Ｂ、ＤＢＲ構造３Ｂの部分の
バンド構造を概略的に示す。図中縦軸はエネルギを示
し、横軸は積層方向の位置を示す。
Ｅｖとなるが、この値においても室温におけるキャリア
の熱エネルギ約７８ｍｅＶに較べ、十分小さな値とな
る。図５は、ＤＢＲ構造３Ａ、下側クラッド層４Ａ、活
性層５、上側クラッド層４Ｂ、ＤＢＲ構造３Ｂの部分の
バンド構造を概略的に示す。図中縦軸はエネルギを示
し、横軸は積層方向の位置を示す。
【００４６】ＤＢＲ構造３Ａ、クラッド層４Ａ、活性層
５においては、価電子帯において大きなポテンシャルバ
リアが存在しないため、低抵抗の正孔の輸送ができる。
ＤＢＲ構造３Ｂ、クラッド層４Ｂ、活性層５において
は、ＤＢＲ構造３Ｂから活性層５に向かう電子の輸送に
対して大きなポテンシャルバリアが存在せず、低抵抗の
輸送ができる。
５においては、価電子帯において大きなポテンシャルバ
リアが存在しないため、低抵抗の正孔の輸送ができる。
ＤＢＲ構造３Ｂ、クラッド層４Ｂ、活性層５において
は、ＤＢＲ構造３Ｂから活性層５に向かう電子の輸送に
対して大きなポテンシャルバリアが存在せず、低抵抗の
輸送ができる。
【００４７】また、ＤＢＲ構造３Ａ、３Ｂにおいては、
バンドギャップ変化の周期的構造が形成され、バンドギ
ャップの変化に伴って屈折率が周期的に変化するため、
光学的なＤＢＲが形成される。なお、ＤＢＲ構造３Ｂ
は、ＤＢＲ構造３Ａよりも反射率が低く、主な出射光は
ＤＢＲ構造３Ｂから発する。
バンドギャップ変化の周期的構造が形成され、バンドギ
ャップの変化に伴って屈折率が周期的に変化するため、
光学的なＤＢＲが形成される。なお、ＤＢＲ構造３Ｂ
は、ＤＢＲ構造３Ａよりも反射率が低く、主な出射光は
ＤＢＲ構造３Ｂから発する。
【００４８】図２に戻って、ＤＢＲ構造３Ｂをエピタキ
シャルに成長した後、面発光ダイオードを形成する領域
の出射領域を囲む部分に、厚さ約３００ÅのＡｕＧｅと
厚さ約２０００ÅのＡｕ膜を形成し、Ｈ2 雰囲気中で約
４５０℃、約３分間のアロイイングを行ない、オーミッ
クコンタクト領域８を形成する。
シャルに成長した後、面発光ダイオードを形成する領域
の出射領域を囲む部分に、厚さ約３００ÅのＡｕＧｅと
厚さ約２０００ÅのＡｕ膜を形成し、Ｈ2 雰囲気中で約
４５０℃、約３分間のアロイイングを行ない、オーミッ
クコンタクト領域８を形成する。
【００４９】その後、面発光ダイオードとする部分を残
すように、メサエッチングを行なってメサ構造１５を作
成する。メサエッチングを行なった後、厚さ約８０００
ÅのＳｉＯ2 層７を堆積し、メサ構造１５頂上部分を選
択的に除去する。
すように、メサエッチングを行なってメサ構造１５を作
成する。メサエッチングを行なった後、厚さ約８０００
ÅのＳｉＯ2 層７を堆積し、メサ構造１５頂上部分を選
択的に除去する。
【００５０】ＳｉＯ2 層７上からメサ領域頂上部分に露
出したＤＢＲ構造のオーミックコンタクト領域８に達す
る上部電極１４を、厚さ約２００ÅのＴｉ層と厚さ約３
０００ÅのＡｕ層の積層で形成する。
出したＤＢＲ構造のオーミックコンタクト領域８に達す
る上部電極１４を、厚さ約２００ÅのＴｉ層と厚さ約３
０００ÅのＡｕ層の積層で形成する。
【００５１】また、ＩｎＰ基板１下面上に、下部電極１
３として厚さ約５００ÅのＡｕＺｎ層と厚さ約２０００
ÅのＡｕ層を形成し、Ｈ2 雰囲気中で温度約４２０℃、
約１分間のアロイイングを行なう。このようにして、面
発光レーザが形成される。
３として厚さ約５００ÅのＡｕＺｎ層と厚さ約２０００
ÅのＡｕ層を形成し、Ｈ2 雰囲気中で温度約４２０℃、
約１分間のアロイイングを行なう。このようにして、面
発光レーザが形成される。
【００５２】図３は、面発光レーザの平面図を概略的に
示す。チップ表面上に、４つのメサ構造１５Ａ、１５
Ｂ、１５Ｃ、１５Ｄが、図に示すように配置され、各メ
サ構造から上部電極１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄが
延在し、延在部分にリードワイヤ１６Ａ、１６Ｂ、１６
Ｃ、１６Ｄがボンディングされている。
示す。チップ表面上に、４つのメサ構造１５Ａ、１５
Ｂ、１５Ｃ、１５Ｄが、図に示すように配置され、各メ
サ構造から上部電極１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃ、１４Ｄが
延在し、延在部分にリードワイヤ１６Ａ、１６Ｂ、１６
Ｃ、１６Ｄがボンディングされている。
【００５３】なお、メサ構造頂上部においては、上部電
極１４は開口部を有し、面発光レーザからの出射窓を形
成している。メサ構造１５の大きさは、たとえば２０μ
ｍ平方である。
極１４は開口部を有し、面発光レーザからの出射窓を形
成している。メサ構造１５の大きさは、たとえば２０μ
ｍ平方である。
【００５４】１チップ上に複数の面発光レーザを集積化
することにより、多重光通信が容易に実行できる。ま
た、多数の面発光レーザを集積化し、単一のレーザとし
て機能させることもできる。
することにより、多重光通信が容易に実行できる。ま
た、多数の面発光レーザを集積化し、単一のレーザとし
て機能させることもできる。
【００５５】この場合、多数の面発光レーザのうち性能
の劣るものを選択的に除去すれば、優れた性能を有する
面発光レーザを形成することができ、歩留りを向上させ
ることができる。
の劣るものを選択的に除去すれば、優れた性能を有する
面発光レーザを形成することができ、歩留りを向上させ
ることができる。
【００５６】１．５５μｍ発振の面発光レーザの場合に
ついて説明したが、その他、種々の光半導体装置を構成
することもできる。活性層の厚さおよび組成を選択する
ことにより、発振波長を変化させてもよい。積層構造に
よって所望の光学的フィルタ特性を得るために、半導体
積層の構成を変更してもよい。
ついて説明したが、その他、種々の光半導体装置を構成
することもできる。活性層の厚さおよび組成を選択する
ことにより、発振波長を変化させてもよい。積層構造に
よって所望の光学的フィルタ特性を得るために、半導体
積層の構成を変更してもよい。
【００５７】また、面発光レーザに限らず、光学的活性
層を備えた光半導体装置において、光学的活性層の少な
くとも片側に所望の光学的フィルタを備えた低抵抗のダ
イオード構造を実現することができる。ダイオード構造
の抵抗を低くすることができるため、動作時におけるジ
ュール熱の発生が低減し、高性能の光半導体装置を得る
ことができる。
層を備えた光半導体装置において、光学的活性層の少な
くとも片側に所望の光学的フィルタを備えた低抵抗のダ
イオード構造を実現することができる。ダイオード構造
の抵抗を低くすることができるため、動作時におけるジ
ュール熱の発生が低減し、高性能の光半導体装置を得る
ことができる。
【００５８】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
低抵抗で優れた光学的特性を有するダイオード構造の光
半導体装置が提供される。
低抵抗で優れた光学的特性を有するダイオード構造の光
半導体装置が提供される。
【図１】本発明の基本的実施例による光半導体装置の機
能を説明するための概念図である。
能を説明するための概念図である。
【図２】本発明の実施例による面発光レーザの断面図で
ある。
ある。
【図３】図２に示す面発光レーザの平面図である。
【図４】図２、図３に示す面発光レーザのＤＢＲ構造を
説明するための概念図である。
説明するための概念図である。
【図５】図２、図３に示す面発光レーザのバンド構造を
説明するための概念図である。
説明するための概念図である。
【図６】従来の技術による面発光レーザの構成を説明す
るための概念図である。
るための概念図である。
【図７】従来の技術による改良された面発光レーザの構
成を説明するための概念図である。
成を説明するための概念図である。
１ 半導体基板 ２ バッファ層 ３ ＤＢＲ構造 ４ クラッド層 ５ 活性層 １３ 下部電極 １４ 上部電極 １５ メサ構造 １６ リードワイヤ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年８月２３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３８】Ｉｎ0.52（Ａｌx Ｇａ1-x ）0.48Ａｓ／Ａ
ｌＡｓ0.44Ｓｂ0.56のバンド不連続（伝導帯に対してΔ
Ｅｃ、価電子帯に対してΔＥｖ）は、図４（Ａ）に示す
ように、 −ΔＥｃ＝１．６６−０．５３ｘ ΔＥｖ＝０．０３＋０．１９ｘ と表すことができる。
ｌＡｓ0.44Ｓｂ0.56のバンド不連続（伝導帯に対してΔ
Ｅｃ、価電子帯に対してΔＥｖ）は、図４（Ａ）に示す
ように、 −ΔＥｃ＝１．６６−０．５３ｘ ΔＥｖ＝０．０３＋０．１９ｘ と表すことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３９】ｘ＝０．１５の時、 ΔＥｃ＝１．５８ ΔＥｖ＝０．０５９（ｅＶ）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】ΔＥｖの値が、室温における３ｋＴ＝７８
ｍｅＶよりも十分小さいため、ＤＢＲ構造３Ａ全体とし
て正孔の輸送に対し、十分低い抵抗値を有するようにす
ることができる。
ｍｅＶよりも十分小さいため、ＤＢＲ構造３Ａ全体とし
て正孔の輸送に対し、十分低い抵抗値を有するようにす
ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４２】次に、上側クラッド層４Ｂ上に、Ｉｎ0.52
Ａｌ0.48Ａｓ層とＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ 0.44Ｓｂ 0.56層の
交互積層を２５周期成長し、ＤＢＲ構造３Ｂを形成す
る。なお、ＤＢＲ構造３Ｂには、ｎ型不純物としてＳｉ
をＩｎＡｌＡｓ層に対して約１．３×１０18ｃｍ-3、Ａ
ｌＧａＡｓＳｂ層に対して約２．６×１０17ｃｍ-3ドー
プする。また、各ＡｌＧａＡｓＳｂ層およびＩｎＡｌＡ
ｓ層の厚さは、波長１．５５μｍの光に対して光学路長
がλ／４になるように選択する。
Ａｌ0.48Ａｓ層とＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ 0.44Ｓｂ 0.56層の
交互積層を２５周期成長し、ＤＢＲ構造３Ｂを形成す
る。なお、ＤＢＲ構造３Ｂには、ｎ型不純物としてＳｉ
をＩｎＡｌＡｓ層に対して約１．３×１０18ｃｍ-3、Ａ
ｌＧａＡｓＳｂ層に対して約２．６×１０17ｃｍ-3ドー
プする。また、各ＡｌＧａＡｓＳｂ層およびＩｎＡｌＡ
ｓ層の厚さは、波長１．５５μｍの光に対して光学路長
がλ／４になるように選択する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４４】ｙ＝０．０５の時、 ΔＥｃ＝０ −ΔＥｖ＝０．６７（ｅＶ）
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４５】ｙ＝０．１とすれば、ΔＥｃ＝０．０３５
ｅＶとなるが、この値においても室温におけるキャリア
の熱エネルギ約７８ｍｅＶに較べ、十分小さな値とな
る。図５は、ＤＢＲ構造３Ａ、下側クラッド層４Ａ、活
性層５、上側クラッド層４Ｂ、ＤＢＲ構造３Ｂの部分の
バンド構造を概略的に示す。図中縦軸はエネルギを示
し、横軸は積層方位の位置を示す。
ｅＶとなるが、この値においても室温におけるキャリア
の熱エネルギ約７８ｍｅＶに較べ、十分小さな値とな
る。図５は、ＤＢＲ構造３Ａ、下側クラッド層４Ａ、活
性層５、上側クラッド層４Ｂ、ＤＢＲ構造３Ｂの部分の
バンド構造を概略的に示す。図中縦軸はエネルギを示
し、横軸は積層方位の位置を示す。
Claims (7)
- 【請求項１】 所定の実効的バンドギャップ、実効的屈
折率、および厚さを有する活性層（５）と、 前記活性層の両側に配置され、活性層よりも広い実質的
バンドギャップ、低い実効的屈折率、および所定の厚さ
を有する第１および第２のクラッド層（４Ａ、４Ｂ）
と、 前記第１のクラッド層上に配置され、一方の導電型にド
ープされ、実効屈折率の高い層と低い層との交互層を含
み、前記一方の導電型のバンドの不連続が他方の導電型
のバンドの不連続に較べて著しく小さい第１の積層構造
（３Ａ）とを有する光半導体装置。 - 【請求項２】 前記第１の積層構造の交互層の各層の厚
さ方向の光学路長は前記活性層の実質的バンドギャップ
に対応する波長λの約１／４である請求項１記載の光半
導体装置。 - 【請求項３】 前記第１の積層構造が、前記第１のクラ
ッド層に隣接して、前記クラッド層よりも実効的バンド
ギャップが広く、実効的屈折率が低い層を含む請求項１
ないし２記載の光半導体装置。 - 【請求項４】 さらに、前記第２のクラッド層上に配置
され、他方の導電型にドープされ、実効屈折率の高い層
と低い層との交互層を含み、前記他方の導電型のバンド
の不連続が前記一方の導電型のバンドの不連続に較べて
著しく小さい第２の積層構造を有する請求項１記載の光
半導体装置。 - 【請求項５】 前記第２の積層構造の交互層の各層の厚
さ方向の光学路長は前記活性層の実質的バンドギャップ
に対応する波長λの約１／４である請求項４記載の光半
導体装置。 - 【請求項６】 前記第２の積層構造が、前記第２のクラ
ッド層に隣接して、前記クラッド層よりも実効的バンド
ギャップが広く、実効的屈折率が低い層を含む請求項４
ないし５記載の光半導体装置。 - 【請求項７】 前記不連続の値が室温Ｔの約３ｋＴ以下
である請求項１〜６のいずれかに記載の光半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05430893A JP3207590B2 (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 光半導体装置 |
| US08/113,829 US5392307A (en) | 1993-03-15 | 1993-08-31 | Vertical optoelectronic semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05430893A JP3207590B2 (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268323A true JPH06268323A (ja) | 1994-09-22 |
| JP3207590B2 JP3207590B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=12966950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05430893A Expired - Fee Related JP3207590B2 (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 光半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5392307A (ja) |
| JP (1) | JP3207590B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007299895A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた電子写真システム、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光インターコネクションシステムおよび面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光通信システム |
| JP2012044161A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-03-01 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 面発光レーザ、光源、および光モジュール |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2699337B1 (fr) * | 1992-12-15 | 1995-06-09 | Deveaud Pledran Benoit | Laser a cavite verticale de faible resistivite. |
| KR0146713B1 (ko) * | 1994-09-30 | 1998-11-02 | 양승택 | 상부 표면방출 마이크로 레이저의 제조방법 |
| JPH08181384A (ja) * | 1994-12-21 | 1996-07-12 | Nec Corp | 面発光レーザ及びその作製方法 |
| KR100243655B1 (ko) * | 1996-12-20 | 2000-02-01 | 정선종 | 3차원 공진기를 갖는 표면방출 레이저 및 그 제조방법 |
| US6975660B2 (en) | 2001-12-27 | 2005-12-13 | Finisar Corporation | Vertical cavity surface emitting laser including indium and antimony in the active region |
| US7095770B2 (en) | 2001-12-20 | 2006-08-22 | Finisar Corporation | Vertical cavity surface emitting laser including indium, antimony and nitrogen in the active region |
| US7257143B2 (en) * | 1998-12-21 | 2007-08-14 | Finisar Corporation | Multicomponent barrier layers in quantum well active regions to enhance confinement and speed |
| US7408964B2 (en) | 2001-12-20 | 2008-08-05 | Finisar Corporation | Vertical cavity surface emitting laser including indium and nitrogen in the active region |
| US7435660B2 (en) * | 1998-12-21 | 2008-10-14 | Finisar Corporation | Migration enhanced epitaxy fabrication of active regions having quantum wells |
| US7058112B2 (en) | 2001-12-27 | 2006-06-06 | Finisar Corporation | Indium free vertical cavity surface emitting laser |
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