JPH06267817A - 半導体回路のパターン転写装置 - Google Patents
半導体回路のパターン転写装置Info
- Publication number
- JPH06267817A JPH06267817A JP5049740A JP4974093A JPH06267817A JP H06267817 A JPH06267817 A JP H06267817A JP 5049740 A JP5049740 A JP 5049740A JP 4974093 A JP4974093 A JP 4974093A JP H06267817 A JPH06267817 A JP H06267817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- pattern transfer
- pattern
- semiconductor circuit
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】シリコンウェハーに塗布されたフォトレジスト
に回路パターンを転写する工程で用いるパターン転写装
置において、フォトマスクの製造コストを低減しスルー
プットが向上する半導体回路のパターン転写装置を得
る。 【構成】半導体回路のパターン転写装置の構成が水銀ラ
ンプ１、凸レンズ２、フォトマスクからなり、フォトマ
スクは電気信号を受け回路パターンを描画できる透過型
液晶パネルマスク３を用いる。またこの構成において凸
レンズ２、フォトマスク（透過型液晶パネルマスク３）
が紫外線透過窓を有する筐体で密閉されていることとす
る。
に回路パターンを転写する工程で用いるパターン転写装
置において、フォトマスクの製造コストを低減しスルー
プットが向上する半導体回路のパターン転写装置を得
る。 【構成】半導体回路のパターン転写装置の構成が水銀ラ
ンプ１、凸レンズ２、フォトマスクからなり、フォトマ
スクは電気信号を受け回路パターンを描画できる透過型
液晶パネルマスク３を用いる。またこの構成において凸
レンズ２、フォトマスク（透過型液晶パネルマスク３）
が紫外線透過窓を有する筐体で密閉されていることとす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はシリコンウェハーに塗
布されたフォトレジストに回路パターンを転写する工程
で用いる半導体回路のパターン転写装置に関する。
布されたフォトレジストに回路パターンを転写する工程
で用いる半導体回路のパターン転写装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェハーに塗布されたフォトレ
ジストに回路パターンを転写する場合、配線などのパタ
ーンをクロムなどで描いた石英ガラスをフォトマスクと
して使用している。半導体チップの製造には十数のパタ
ーン転写工程があり、その各装置毎、各工程毎、各タイ
プ毎に異なったパターンの石英ガラス製フォトマスクを
用意してある。
ジストに回路パターンを転写する場合、配線などのパタ
ーンをクロムなどで描いた石英ガラスをフォトマスクと
して使用している。半導体チップの製造には十数のパタ
ーン転写工程があり、その各装置毎、各工程毎、各タイ
プ毎に異なったパターンの石英ガラス製フォトマスクを
用意してある。
【０００３】また実作業においても、その各装置毎、各
工程毎、各タイプ毎に石英ガラス製フォトマスク交換が
あり、このフォトマスク交換作業が一日数十回におよび
その都度石英ガラス製フォトマスク上のパーティクル、
キズなどのパターン欠陥検査をしている。
工程毎、各タイプ毎に石英ガラス製フォトマスク交換が
あり、このフォトマスク交換作業が一日数十回におよび
その都度石英ガラス製フォトマスク上のパーティクル、
キズなどのパターン欠陥検査をしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のように半導体チ
ップの製造には多量の石英ガラス製フォトマスクが必要
であり、特に開発段階においては設計変更があるためそ
の都度購入しており石英ガラ製フォトマスクの価格が製
造コストに占める割合が増大するという問題が発生して
いる。
ップの製造には多量の石英ガラス製フォトマスクが必要
であり、特に開発段階においては設計変更があるためそ
の都度購入しており石英ガラ製フォトマスクの価格が製
造コストに占める割合が増大するという問題が発生して
いる。
【０００５】また実作業においても、石英ガラス製フォ
トマスク上のパーティクル、キズなどのパターン欠陥検
査などに時間が掛かりスループットが低下するという問
題も発生している。この発明は前記の問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的は製造コストを低減しスル
ープットが向上する半導体回路のパターン転写装置を提
供することにある。
トマスク上のパーティクル、キズなどのパターン欠陥検
査などに時間が掛かりスループットが低下するという問
題も発生している。この発明は前記の問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的は製造コストを低減しスル
ープットが向上する半導体回路のパターン転写装置を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明によれば前述の
目的は、半導体回路のパターン転写装置の構成が水銀ラ
ンプ、凸レンズおよびフォトマスクからなり、フォトマ
スクは電気信号を受け回路パターンを描画できる透過型
液晶パネルマスクを用いることにより達成される。また
この構成において凸レンズとフォトマスクが紫外線透過
窓を有する筐体で密閉されることとする。
目的は、半導体回路のパターン転写装置の構成が水銀ラ
ンプ、凸レンズおよびフォトマスクからなり、フォトマ
スクは電気信号を受け回路パターンを描画できる透過型
液晶パネルマスクを用いることにより達成される。また
この構成において凸レンズとフォトマスクが紫外線透過
窓を有する筐体で密閉されることとする。
【０００７】
【作用】この発明の構成によれば、石英ガラス製フォト
マスクを透過型液晶パネルマスクに変えたため、フォト
マスクを購入する金額が低減し、かつフォトマスク交換
作業が無くなりスループットが向上できる。また凸レン
ズおよび透過型液晶パネルマスクを紫外線透過窓を有す
る筐体で密閉しているのでパーティクルの付着防止がで
きる。
マスクを透過型液晶パネルマスクに変えたため、フォト
マスクを購入する金額が低減し、かつフォトマスク交換
作業が無くなりスループットが向上できる。また凸レン
ズおよび透過型液晶パネルマスクを紫外線透過窓を有す
る筐体で密閉しているのでパーティクルの付着防止がで
きる。
【０００８】
【実施例】この実施例を図に基づいて説明する。図１は
この発明による半導体回路のパターン転写装置の構成図
である。図１に示すように従来石英ガラス製フォトマス
クであるものを透過型液晶パネルマスク３に変えてあ
る。透過型液晶パネルマスク３はマトリックス表示にな
っており、縦軸および横軸への信号を磁気記録装置１０
からコンピュター９を通じて制御し回路パターン４を表
示する。
この発明による半導体回路のパターン転写装置の構成図
である。図１に示すように従来石英ガラス製フォトマス
クであるものを透過型液晶パネルマスク３に変えてあ
る。透過型液晶パネルマスク３はマトリックス表示にな
っており、縦軸および横軸への信号を磁気記録装置１０
からコンピュター９を通じて制御し回路パターン４を表
示する。
【０００９】その後従来の露光方式と同様に水銀ランプ
１の光源から発生する紫外線１１を凸レンズ２を通して
平行光線として透過型液晶パネルマスク３にあてる。凸
レンズ２と透過型液晶パネルマスク３は紫外線透過窓を
有する筐体で密閉しており外部からパーティクルなどが
浸入するのを防止する。紫外線１１は透過型液晶パネル
マスク３の回路パターン４に従い透過しシリコンウェハ
ー５（フォトレジスト塗布済）上のフォトレジストに回
路パターン４のパターンの影６を残す。その後薬品処理
などによりフォトレジストに回路パターン４が転写す
る。
１の光源から発生する紫外線１１を凸レンズ２を通して
平行光線として透過型液晶パネルマスク３にあてる。凸
レンズ２と透過型液晶パネルマスク３は紫外線透過窓を
有する筐体で密閉しており外部からパーティクルなどが
浸入するのを防止する。紫外線１１は透過型液晶パネル
マスク３の回路パターン４に従い透過しシリコンウェハ
ー５（フォトレジスト塗布済）上のフォトレジストに回
路パターン４のパターンの影６を残す。その後薬品処理
などによりフォトレジストに回路パターン４が転写す
る。
【００１０】凸レンズ２と透過型液晶パネルマスク３の
間隔は５０〜６０ｍｍ、透過型液晶パネルマスク３とシ
リコンウェハー５の間隔は数μｍであり、この発明によ
る半導体回路のパターン転写装置によれば回路パターン
の巾は１０μｍ程度であるが、縮小露光などの方法を採
ればさらに回路パターンの巾を狭くすることができる。
また水銀ランプ１と凸レンズ２の間にフライアイレンズ
を挿入することにより精度を向上することも可能であ
る。
間隔は５０〜６０ｍｍ、透過型液晶パネルマスク３とシ
リコンウェハー５の間隔は数μｍであり、この発明によ
る半導体回路のパターン転写装置によれば回路パターン
の巾は１０μｍ程度であるが、縮小露光などの方法を採
ればさらに回路パターンの巾を狭くすることができる。
また水銀ランプ１と凸レンズ２の間にフライアイレンズ
を挿入することにより精度を向上することも可能であ
る。
【００１１】この発明による半導体回路のパターン転写
装置はパワー半導体装置の製造に適用するのが良好であ
る。
装置はパワー半導体装置の製造に適用するのが良好であ
る。
【００１２】
【発明の効果】この発明によれば従来石英ガラス製フォ
トマスクに変え、透過型液晶パネルマスクとし、凸レン
ズとフォトマスクが紫外線透過窓を有する筐体で密閉し
たため、石英ガラス製フォトマスクの購入費用が不要と
なり、フォトマスクの交換作業、洗浄およびパーティク
ルチエックなどの時間が省略できる半導体回路のパター
ン転写装置が得られる。
トマスクに変え、透過型液晶パネルマスクとし、凸レン
ズとフォトマスクが紫外線透過窓を有する筐体で密閉し
たため、石英ガラス製フォトマスクの購入費用が不要と
なり、フォトマスクの交換作業、洗浄およびパーティク
ルチエックなどの時間が省略できる半導体回路のパター
ン転写装置が得られる。
【図１】この発明による半導体回路のパターン転写装置
の構成図である
の構成図である
１ 水銀ランプ ２ 凸レンズ ３ 透過型液晶パネルマスク ４ 回路パターン ５ シリコンウェハー（フォトレジスト塗布済） ６ パターンの影 ７ 密閉エリア ８ 信号ケーブル ９ コンピュータ １０ 磁気記録装置 １１ 紫外線
Claims (3)
- 【請求項１】シリコンウェハーに塗布されたフォトレジ
ストに回路パターンを転写する工程で用いるパターン転
写装置であり、水銀ランプ、凸レンズ、フォトマスクか
らなり、フォトマスクは電気信号を受け回路パターンを
描画できることを特徴とする半導体回路のパターン転写
装置。 - 【請求項２】請求項１記載のものにおいて、フォトマス
クは透過型液晶パネルマスクであることを特徴とする半
導体回路のパターン転写装置。 - 【請求項３】請求項１または２記載のものにおいて、パ
ターン転写装置の凸レンズ、フォトマスクが紫外線透過
窓を有する筐体で密閉されることを特徴とする半導体回
路のパターン転写装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5049740A JPH06267817A (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | 半導体回路のパターン転写装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5049740A JPH06267817A (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | 半導体回路のパターン転写装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267817A true JPH06267817A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12839589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5049740A Pending JPH06267817A (ja) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | 半導体回路のパターン転写装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267817A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017134375A (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | ウシオ電機株式会社 | 露光装置及び露光方法 |
| JP2018536193A (ja) * | 2015-11-09 | 2018-12-06 | マクダーミッド グラフィックス ソリューションズ エルエルシー | 液体フレキソ印刷版を作製する方法及び装置 |
| JP2020173470A (ja) * | 2020-06-30 | 2020-10-22 | 株式会社アドテックエンジニアリング | 露光方法 |
-
1993
- 1993-03-11 JP JP5049740A patent/JPH06267817A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018536193A (ja) * | 2015-11-09 | 2018-12-06 | マクダーミッド グラフィックス ソリューションズ エルエルシー | 液体フレキソ印刷版を作製する方法及び装置 |
| JP2017134375A (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | ウシオ電機株式会社 | 露光装置及び露光方法 |
| JP2020173470A (ja) * | 2020-06-30 | 2020-10-22 | 株式会社アドテックエンジニアリング | 露光方法 |
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