JPH06265470A - ＫｒＦエキシマレーザー用光学材料の検査方法 - Google Patents
ＫｒＦエキシマレーザー用光学材料の検査方法Info
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- JPH06265470A JPH06265470A JP7748893A JP7748893A JPH06265470A JP H06265470 A JPH06265470 A JP H06265470A JP 7748893 A JP7748893 A JP 7748893A JP 7748893 A JP7748893 A JP 7748893A JP H06265470 A JPH06265470 A JP H06265470A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＫｒＦエキシマレーザー光を長時間透過させ
たときに２２０ｎｍ付近に吸収の生じない材料を短時間
で選別する。 【構成】 合成石英ガラスに、ＡｒＦエキシマレーザー
を照射し、ＫｒＦエキシマレーザー光を透過させたとき
に２２０ｎｍ付近の吸収の生じない材料を選別する合成
石英ガラスの検査方法。
たときに２２０ｎｍ付近に吸収の生じない材料を短時間
で選別する。 【構成】 合成石英ガラスに、ＡｒＦエキシマレーザー
を照射し、ＫｒＦエキシマレーザー光を透過させたとき
に２２０ｎｍ付近の吸収の生じない材料を選別する合成
石英ガラスの検査方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、紫外線レーザーである
ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）用のレン
ズ、プリズム等の光学材料として使用される合成石英ガ
ラスの検査方法に関する。
ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）用のレン
ズ、プリズム等の光学材料として使用される合成石英ガ
ラスの検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年エキシマレーザーを用いた超ＬＳＩ
製造プロセスやエキシマレーザーを用いたＣＶＤプロセ
スなどが発展し、エキシマレーザー用光学材料に対する
要求が特に強まって来ている。
製造プロセスやエキシマレーザーを用いたＣＶＤプロセ
スなどが発展し、エキシマレーザー用光学材料に対する
要求が特に強まって来ている。
【０００３】エキシマレーザーは、主として紫外線領域
で発振する高出力のパルスレーザーで、ガスの組合せに
より主なものとして、ＸｅＦ（３５０ｎｍ）、ＸｅＣｌ
（３０８ｎｍ）、Ｆ2（１５７ｎｍ）などがある。この
うち、リソグラフィーや光ＣＶＤ関係で注目されている
のは、ＫｒＦおよびＡｒＦエキシマレーザーで、特に、
半導体製造用のリソグラフィー工程では、ＫｒＦエキシ
マレーザーを中心に開発が進められている。
で発振する高出力のパルスレーザーで、ガスの組合せに
より主なものとして、ＸｅＦ（３５０ｎｍ）、ＸｅＣｌ
（３０８ｎｍ）、Ｆ2（１５７ｎｍ）などがある。この
うち、リソグラフィーや光ＣＶＤ関係で注目されている
のは、ＫｒＦおよびＡｒＦエキシマレーザーで、特に、
半導体製造用のリソグラフィー工程では、ＫｒＦエキシ
マレーザーを中心に開発が進められている。
【０００４】ＡｒＦおよびＫｒＦエキシマレーザーは、
従来の水銀ランプ重水素ランプなどの紫外線光源と比較
すると、エネルギー密度が高くパワーがはるかに高いた
め、石英ガラスに損傷を与える可能性が高い。また、フ
ォトマスク基板等の光学系材料としての合成石英ガラス
では、製造過程におけるスパッタリングやプラズマエッ
チングにより、６５０ｎｍに発光帯が、２６０ｎｍに吸
収帯が出現して紫外線領域での透過性能が低下する場合
があり、まして、従来の水銀ランプに替えてエキシマレ
ーザー光（ＫｒＦ、２４８ｎｍ）を半導体製造用リソグ
ラフィー工程での露光用光源として使用した場合には、
この透過率の低下は非常に大きなものとなる。
従来の水銀ランプ重水素ランプなどの紫外線光源と比較
すると、エネルギー密度が高くパワーがはるかに高いた
め、石英ガラスに損傷を与える可能性が高い。また、フ
ォトマスク基板等の光学系材料としての合成石英ガラス
では、製造過程におけるスパッタリングやプラズマエッ
チングにより、６５０ｎｍに発光帯が、２６０ｎｍに吸
収帯が出現して紫外線領域での透過性能が低下する場合
があり、まして、従来の水銀ランプに替えてエキシマレ
ーザー光（ＫｒＦ、２４８ｎｍ）を半導体製造用リソグ
ラフィー工程での露光用光源として使用した場合には、
この透過率の低下は非常に大きなものとなる。
【０００５】このようなフォトマスク製造過程で変質し
て透過性能が低下するような基板材料は、事前に検査し
て排除しなければならないが、事前にそれを知る方法が
なく、スパッタリングやプラズマエッチングをした後に
一枚づつ基板の蛍光特性や吸収特性を測定しなければな
らず、手間がかかり、又、費用もかかるので現実的でな
く、簡易な方法で合成石英ガラスの吸収特性の変質を検
査する手段の開発が要望されていた。
て透過性能が低下するような基板材料は、事前に検査し
て排除しなければならないが、事前にそれを知る方法が
なく、スパッタリングやプラズマエッチングをした後に
一枚づつ基板の蛍光特性や吸収特性を測定しなければな
らず、手間がかかり、又、費用もかかるので現実的でな
く、簡易な方法で合成石英ガラスの吸収特性の変質を検
査する手段の開発が要望されていた。
【０００６】このため、本出願人は、何らかの方法で促
進試験ができれば予め材料を選別することができるとの
見地から、合成石英ガラスの吸収特性の変質を検査する
方法として、エキシマレーザー光を合成石英ガラスに照
射すると、フォトマスク基板として使用された合成石英
ガラスが、その製造過程においてスパッタリングやプラ
ズマエッチングなどによって変質して起こるのと同様の
吸収特性の変化が起こるとともに約６５０ｎｍの赤色の
蛍光を発することを発見し、ＫｒＦエキシマレーザーの
照射時の赤色発光の有無により選別する検査方法を見出
した（特開平１−１８９６５４号公報）。
進試験ができれば予め材料を選別することができるとの
見地から、合成石英ガラスの吸収特性の変質を検査する
方法として、エキシマレーザー光を合成石英ガラスに照
射すると、フォトマスク基板として使用された合成石英
ガラスが、その製造過程においてスパッタリングやプラ
ズマエッチングなどによって変質して起こるのと同様の
吸収特性の変化が起こるとともに約６５０ｎｍの赤色の
蛍光を発することを発見し、ＫｒＦエキシマレーザーの
照射時の赤色発光の有無により選別する検査方法を見出
した（特開平１−１８９６５４号公報）。
【０００７】つまり、赤色発光の有無により、超ＬＳＩ
パターン転写用のレチクル作製工程で生じる２６０ｎｍ
にピークを持つ吸収帯の有無を判別する方法で、この吸
収帯の生成は、四塩化珪素の酸水素火炎中での加水分解
に際して、火炎中の水素の供給量を化学量論的必要量よ
りも過剰にすることにより防止できるものである。
パターン転写用のレチクル作製工程で生じる２６０ｎｍ
にピークを持つ吸収帯の有無を判別する方法で、この吸
収帯の生成は、四塩化珪素の酸水素火炎中での加水分解
に際して、火炎中の水素の供給量を化学量論的必要量よ
りも過剰にすることにより防止できるものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エキシ
マレーザーの照射を長時間繰り返すと、２２０ｎｍにピ
ークを持つ吸収帯が生成することによりエキシマレーザ
ー自身の透過率が低下する。このように超ＬＳＩのリソ
グラフィー用の縮小投影機（ステッパー）などでは、短
期間の使用では問題がなくても、長時間使用すると石英
ガラスが劣化し、吸収帯が生じるという問題がある。ま
た、２２０ｎｍの吸収帯の生成の有無は、ＡｒＦエキシ
マレーザー照射時には比較的短時間で判別できるが、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー照射時には生成しにくく１０6シ
ョット程度の照射でようやく顕著となり、このため素材
の選別には長時間を要して効率が悪かった。
マレーザーの照射を長時間繰り返すと、２２０ｎｍにピ
ークを持つ吸収帯が生成することによりエキシマレーザ
ー自身の透過率が低下する。このように超ＬＳＩのリソ
グラフィー用の縮小投影機（ステッパー）などでは、短
期間の使用では問題がなくても、長時間使用すると石英
ガラスが劣化し、吸収帯が生じるという問題がある。ま
た、２２０ｎｍの吸収帯の生成の有無は、ＡｒＦエキシ
マレーザー照射時には比較的短時間で判別できるが、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー照射時には生成しにくく１０6シ
ョット程度の照射でようやく顕著となり、このため素材
の選別には長時間を要して効率が悪かった。
【０００９】以上述べたように、ＫｒＦエキシマレーザ
ー照射時に生じる吸収帯は、非常に弱くきわめて長時間
のエキシマレーザー照射によりはじめて顕著となるた
め、検査には数日から数週間の時間を要するため現実に
は実施が困難で、このような問題を解決するための促進
試験の提供が求められていた。
ー照射時に生じる吸収帯は、非常に弱くきわめて長時間
のエキシマレーザー照射によりはじめて顕著となるた
め、検査には数日から数週間の時間を要するため現実に
は実施が困難で、このような問題を解決するための促進
試験の提供が求められていた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
前記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、２２
０ｎｍにピークをもつ吸収帯は、≡Ｓｉ・構造からなる
Ｅ’中心とよばれる欠陥構造に起因し、２８０ｎｍの発
光原因にもなるので、このような、ＫｒＦエキシマレー
ザーによる吸収帯の生成の有無を判別するため、ＡｒＦ
エキシマレーザーを用いれば、ＫｒＦエキシマレーザー
の約１００分の１という短時間で吸収帯の生成の有無を
判別することができるとの知見を得て本発明を完成し
た。
前記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、２２
０ｎｍにピークをもつ吸収帯は、≡Ｓｉ・構造からなる
Ｅ’中心とよばれる欠陥構造に起因し、２８０ｎｍの発
光原因にもなるので、このような、ＫｒＦエキシマレー
ザーによる吸収帯の生成の有無を判別するため、ＡｒＦ
エキシマレーザーを用いれば、ＫｒＦエキシマレーザー
の約１００分の１という短時間で吸収帯の生成の有無を
判別することができるとの知見を得て本発明を完成し
た。
【００１１】選別方法としては、光学素材を切り出す光
学材料の素塊より、例えば、厚さが５から３０ｍｍ程度
の厚さの平行平面を鏡面に研磨した試料片を切り出す。
この試料片にエキシマレーザービームを照射する部分の
分光透過率を分光光度計にて測定し、しかるのち、エキ
シマレーザービームを所定の条件（エネルギー密度、繰
り返し周波数、ショット数）で照射する。照射した部分
の分光透過率を照射終了後ただちに測定し、２２０ｎｍ
における吸収係数の差を求め、吸収の程度の指標とす
る。このとき、あらかじめＫｒＦおよびＡｒＦエキシマ
レーザー照射時の吸収の生成程度の異なる試料に対して
較正曲線を求めておき、それに基づいて検査を行う。
学材料の素塊より、例えば、厚さが５から３０ｍｍ程度
の厚さの平行平面を鏡面に研磨した試料片を切り出す。
この試料片にエキシマレーザービームを照射する部分の
分光透過率を分光光度計にて測定し、しかるのち、エキ
シマレーザービームを所定の条件（エネルギー密度、繰
り返し周波数、ショット数）で照射する。照射した部分
の分光透過率を照射終了後ただちに測定し、２２０ｎｍ
における吸収係数の差を求め、吸収の程度の指標とす
る。このとき、あらかじめＫｒＦおよびＡｒＦエキシマ
レーザー照射時の吸収の生成程度の異なる試料に対して
較正曲線を求めておき、それに基づいて検査を行う。
【００１２】エキシマレーザーを長時間照射したとき、
２２０ｎｍ付近にピークをもつ吸収帯が生成する。この
２２０ｎｍにピークをもつ吸収帯の生成については、エ
キシマレーザーの他に、γ線、Ｘ線、中性子線などの照
射によっても生成する。この吸収帯は、電子スピン共鳴
（ＥＳＲ）スペクトルの解析から、Ｅ’センターと呼ば
れる≡Ｓｉ・構造によるものであることが確認され、Ｅ
ＳＲの信号強度から求められたスピンの濃度と２２０ｎ
ｍの吸収帯強度は比例する。
２２０ｎｍ付近にピークをもつ吸収帯が生成する。この
２２０ｎｍにピークをもつ吸収帯の生成については、エ
キシマレーザーの他に、γ線、Ｘ線、中性子線などの照
射によっても生成する。この吸収帯は、電子スピン共鳴
（ＥＳＲ）スペクトルの解析から、Ｅ’センターと呼ば
れる≡Ｓｉ・構造によるものであることが確認され、Ｅ
ＳＲの信号強度から求められたスピンの濃度と２２０ｎ
ｍの吸収帯強度は比例する。
【００１３】エキシマレーザーを照射したときのＥ’中
心の前駆体としては種々のものが考えられている。ひと
つは、≡Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ≡ でエキシマレーザーの照射
により
心の前駆体としては種々のものが考えられている。ひと
つは、≡Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ≡ でエキシマレーザーの照射
により
【化１】 または、
【化２】 の機構による生成が考えられる。ここで
【化３】 は３つの酸素分子と結合した平面構造である。
【００１４】このほかに、≡Ｓｉ−Ｈ Ｈ−Ｏ−Ｓｉ≡
構造が考えられる。
構造が考えられる。
【化４】
【００１５】何れの機構でも、光子の吸収によりＥ’中
心が生成する。石英ガラスのバンドのエネルギーギャッ
プは約９ｅＶである。ＫｒＦエキシマレーザーの光子エ
ネルギーは５．０ｅＶ、ＡｒＦエキシマレーザーの光子
エネルギーは６．４ｅＶであるので、欠陥が生成するた
めには、何れの場合も２光子吸収が考えられる。従っ
て、ＡｒＦエキシマレーザーのほうが光子エネルギーが
高いため生成の効率がよいものと考えられる。実際、数
種類のサンプルに対してＡｒＦ（１００ｍＪ／ｃｍ2、
５０Ｈｚ、１０4ショット）およびＫｒＦエキシマレー
ザー（２００ｍＪ／ｃｍ2、１００Ｈｚ、１０6ショッ
ト）照射による吸収の程度を比較したところ、ＡｒＦエ
キシマレーザーを照射した場合は約２桁少ないショット
数の照射でＫｒＦエキシマレーザー照射時とほぼ同等の
吸収が生じた。
心が生成する。石英ガラスのバンドのエネルギーギャッ
プは約９ｅＶである。ＫｒＦエキシマレーザーの光子エ
ネルギーは５．０ｅＶ、ＡｒＦエキシマレーザーの光子
エネルギーは６．４ｅＶであるので、欠陥が生成するた
めには、何れの場合も２光子吸収が考えられる。従っ
て、ＡｒＦエキシマレーザーのほうが光子エネルギーが
高いため生成の効率がよいものと考えられる。実際、数
種類のサンプルに対してＡｒＦ（１００ｍＪ／ｃｍ2、
５０Ｈｚ、１０4ショット）およびＫｒＦエキシマレー
ザー（２００ｍＪ／ｃｍ2、１００Ｈｚ、１０6ショッ
ト）照射による吸収の程度を比較したところ、ＡｒＦエ
キシマレーザーを照射した場合は約２桁少ないショット
数の照射でＫｒＦエキシマレーザー照射時とほぼ同等の
吸収が生じた。
【００１６】合成石英ガラスとしては、四塩化珪素を酸
・水素火炎中で加水分解により直接堆積ガラス化したも
のがエキシマレーザーの波長領域での透過特性等のエキ
シマレーザー耐性に優れており、エキシマレーザー用光
学材料として好ましい。また、酸水素火炎中での加水分
解物を、化学量論的必要量より水素過剰で製造したもの
が、２６０ｎｍの吸収帯の生成、およびそれに伴う６５
０ｎｍの赤色発光防止のために有効であり、ＫｒＦエキ
シマレーザー用光学材料として好ましい。
・水素火炎中で加水分解により直接堆積ガラス化したも
のがエキシマレーザーの波長領域での透過特性等のエキ
シマレーザー耐性に優れており、エキシマレーザー用光
学材料として好ましい。また、酸水素火炎中での加水分
解物を、化学量論的必要量より水素過剰で製造したもの
が、２６０ｎｍの吸収帯の生成、およびそれに伴う６５
０ｎｍの赤色発光防止のために有効であり、ＫｒＦエキ
シマレーザー用光学材料として好ましい。
【００１７】
実施例１ 試料として、四塩化珪素を酸・水素火炎中での加水分解
による直接堆積ガラス化することにより製造し、ＯＨ濃
度がそれぞれ、Ａ：４５０ｐｐｍ、Ｂ：６５０ｐｐｍ、
Ｃ：８５０ｐｐｍ、Ｄ：１１２０ｐｐｍ、Ｅ：１３００
ｐｐｍを含む５種類のものを選別し、ＫｒＦエキシマレ
ーザー（２００ｍＪ／ｃｍ2、１００Ｈｚ、１０6ショッ
ト）、及び、ＡｒＦエキシマレーザー（１００ｍＪ／ｃ
ｍ2、５０Ｈｚ、１０4ショット）照射時の吸収の程度を
測定した。その結果を表１に示す。なお、各サンプル
は、３０ｍｍ×１０ｍｍ×１０ｍｍの形状に２個ずつ切
り出し、厚さが１０ｍｍになるように２面を鏡面研摩し
た。また、エキシマレーザーのショット数は、繰り返し
周波数と照射時間の積で与えられるので、ＫｒＦエキシ
マレーザーの照射時間は、１０6ショット／１００Ｈｚ
＝１００００秒、ＡｒＦエキシマレーザーの照射時間
は、１０4ショット／５０Ｈｚ＝２００秒である。
による直接堆積ガラス化することにより製造し、ＯＨ濃
度がそれぞれ、Ａ：４５０ｐｐｍ、Ｂ：６５０ｐｐｍ、
Ｃ：８５０ｐｐｍ、Ｄ：１１２０ｐｐｍ、Ｅ：１３００
ｐｐｍを含む５種類のものを選別し、ＫｒＦエキシマレ
ーザー（２００ｍＪ／ｃｍ2、１００Ｈｚ、１０6ショッ
ト）、及び、ＡｒＦエキシマレーザー（１００ｍＪ／ｃ
ｍ2、５０Ｈｚ、１０4ショット）照射時の吸収の程度を
測定した。その結果を表１に示す。なお、各サンプル
は、３０ｍｍ×１０ｍｍ×１０ｍｍの形状に２個ずつ切
り出し、厚さが１０ｍｍになるように２面を鏡面研摩し
た。また、エキシマレーザーのショット数は、繰り返し
周波数と照射時間の積で与えられるので、ＫｒＦエキシ
マレーザーの照射時間は、１０6ショット／１００Ｈｚ
＝１００００秒、ＡｒＦエキシマレーザーの照射時間
は、１０4ショット／５０Ｈｚ＝２００秒である。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１の結果から、ＫｒＦとＡｒＦエキシマ
レーザーによる吸収係数は、互いに比例関係にあること
が判明した。これを式で表すと下記（４）式のようにな
る。この例では、ＫｒＦエキシマレーザーが１００Ｈｚ
で１０6ショットであることから、１０6／１００Ｈｚ＝
１００００秒（約２．８時間）必要になるのに対し、Ａ
ｒＦエキシマレーザーは、５０Ｈｚで１０4ショットで
あるので、１０4／５０Ｈｚ＝２００秒（約３．３分）
の照射時間で同等の吸収係数が得られることがわかる。
このように、ＡｒＦエキシマレーザーを用いれば、照射
条件（エネルギー密度、繰り返し周波数）にもよるが、
１００分の１程度のショット数（レーザーパルス数）で
ＫｒＦエキシマレーザー照射時の吸収の程度を予測する
ことができる。 αＡｒＦ＝１．２αＫｒＦ （４）
レーザーによる吸収係数は、互いに比例関係にあること
が判明した。これを式で表すと下記（４）式のようにな
る。この例では、ＫｒＦエキシマレーザーが１００Ｈｚ
で１０6ショットであることから、１０6／１００Ｈｚ＝
１００００秒（約２．８時間）必要になるのに対し、Ａ
ｒＦエキシマレーザーは、５０Ｈｚで１０4ショットで
あるので、１０4／５０Ｈｚ＝２００秒（約３．３分）
の照射時間で同等の吸収係数が得られることがわかる。
このように、ＡｒＦエキシマレーザーを用いれば、照射
条件（エネルギー密度、繰り返し周波数）にもよるが、
１００分の１程度のショット数（レーザーパルス数）で
ＫｒＦエキシマレーザー照射時の吸収の程度を予測する
ことができる。 αＡｒＦ＝１．２αＫｒＦ （４）
【００２０】実施例２ 実施例１に準じて合成した石英ガラスから異なるロット
のものを５個選び出し、それぞれ実施例１に準じて３０
ｍｍ×１０ｍｍ×１０ｍｍの形状に２個づつ切り出して
厚さが１０ｍｍになるように２面を鏡面研磨した。その
うちの一つのサンプルに実施例１に準じてＡｒＦエキシ
マレーザーを照射し、２２０ｎｍに於ける吸収係数を測
定した。その結果をもとに、（４）式から、ＫｒＦエキ
シマレーザーを実施例１に準じて照射した場合の２２０
ｎｍに於ける吸収係数の値を予測した。その後、他方の
サンプルにＫｒＦエキシマレーザーを実施例１に準じて
照射したのち２２０ｎｍに於ける吸収係数を測定した。
その結果を表２に示す。表２の結果から、予測値と実測
値がよく一致していることが判り、このことから、本発
明による検査方法が有効であることが示される。
のものを５個選び出し、それぞれ実施例１に準じて３０
ｍｍ×１０ｍｍ×１０ｍｍの形状に２個づつ切り出して
厚さが１０ｍｍになるように２面を鏡面研磨した。その
うちの一つのサンプルに実施例１に準じてＡｒＦエキシ
マレーザーを照射し、２２０ｎｍに於ける吸収係数を測
定した。その結果をもとに、（４）式から、ＫｒＦエキ
シマレーザーを実施例１に準じて照射した場合の２２０
ｎｍに於ける吸収係数の値を予測した。その後、他方の
サンプルにＫｒＦエキシマレーザーを実施例１に準じて
照射したのち２２０ｎｍに於ける吸収係数を測定した。
その結果を表２に示す。表２の結果から、予測値と実測
値がよく一致していることが判り、このことから、本発
明による検査方法が有効であることが示される。
【表２】
【００２１】
【効果】合成石英ガラスにＡｒＦエキシマレーザーを照
射することによって、ＫｒＦエキシマレーザー光を長時
間透過させたときに吸収の生じない材料を選別すること
ができる。また、ＡｒＦエキシマレーザーを利用するこ
とにより、ＫｒＦエキシマレーザーを照射した場合に比
べて約２桁程度少ないショット数で、２２０ｎｍの吸収
帯の生成の有無を判別することができるとともに、一定
の条件でＫｒＦエキシマレーザーを照射したときに生ず
る吸収の程度を予測することができる。
射することによって、ＫｒＦエキシマレーザー光を長時
間透過させたときに吸収の生じない材料を選別すること
ができる。また、ＡｒＦエキシマレーザーを利用するこ
とにより、ＫｒＦエキシマレーザーを照射した場合に比
べて約２桁程度少ないショット数で、２２０ｎｍの吸収
帯の生成の有無を判別することができるとともに、一定
の条件でＫｒＦエキシマレーザーを照射したときに生ず
る吸収の程度を予測することができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 合成石英ガラスに、ＡｒＦエキシマレー
ザーを照射し、ＫｒＦエキシマレーザー光を透過させた
ときに吸収の生じない材料を選別する合成石英ガラスの
検査方法。 - 【請求項２】 合成石英ガラスに、ＡｒＦエキシマレー
ザーを照射し、ＫｒＦエキシマレーザー光を長時間透過
させたときに２２０ｎｍ付近の吸収の生じない材料を選
別する合成石英ガラスの検査方法。 - 【請求項３】 合成石英ガラスに、ＡｒＦエキシマレー
ザーを照射し、ＫｒＦエキシマレーザー光を長時間透過
させたときにＥ’中心により生成した２２０ｎｍ付近の
吸収の生じない材料を選別する合成石英ガラスの検査方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07748893A JP3408574B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 合成石英ガラスの吸収係数の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07748893A JP3408574B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 合成石英ガラスの吸収係数の測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06265470A true JPH06265470A (ja) | 1994-09-22 |
| JP3408574B2 JP3408574B2 (ja) | 2003-05-19 |
Family
ID=13635378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07748893A Expired - Fee Related JP3408574B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 合成石英ガラスの吸収係数の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3408574B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012093097A (ja) * | 2010-10-22 | 2012-05-17 | Asahi Glass Co Ltd | 合成石英ガラスの評価方法 |
-
1993
- 1993-03-12 JP JP07748893A patent/JP3408574B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012093097A (ja) * | 2010-10-22 | 2012-05-17 | Asahi Glass Co Ltd | 合成石英ガラスの評価方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3408574B2 (ja) | 2003-05-19 |
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