JP3408574B2 - 合成石英ガラスの吸収係数の測定方法 - Google Patents
合成石英ガラスの吸収係数の測定方法Info
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- JP3408574B2 JP3408574B2 JP07748893A JP7748893A JP3408574B2 JP 3408574 B2 JP3408574 B2 JP 3408574B2 JP 07748893 A JP07748893 A JP 07748893A JP 7748893 A JP7748893 A JP 7748893A JP 3408574 B2 JP3408574 B2 JP 3408574B2
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- excimer laser
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- irradiation
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、合成石英ガラスにＫｒ
Ｆエキシマレーザーを照射したときに誘起される吸収係
数の測定方法に関する。
Ｆエキシマレーザーを照射したときに誘起される吸収係
数の測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年エキシマレーザーを用いた超ＬＳＩ
製造プロセスやエキシマレーザーを用いたＣＶＤプロセ
スなどが発展し、エキシマレーザー用光学材料に対する
要求が特に強まって来ている。
製造プロセスやエキシマレーザーを用いたＣＶＤプロセ
スなどが発展し、エキシマレーザー用光学材料に対する
要求が特に強まって来ている。
【０００３】エキシマレーザーは、主として紫外線領域
で発振する高出力のパルスレーザーで、ガスの組合せに
より主なものとして、ＸｅＦ（３５０ｎｍ）、ＸｅＣｌ
（３０８ｎｍ）、Ｆ2（１５７ｎｍ）などがある。この
うち、リソグラフィーや光ＣＶＤ関係で注目されている
のは、ＫｒＦ及びＡｒＦエキシマレーザーで、特に、半
導体製造用のリソグラフィー工程では、ＫｒＦエキシマ
レーザーを中心に開発が進められている。
で発振する高出力のパルスレーザーで、ガスの組合せに
より主なものとして、ＸｅＦ（３５０ｎｍ）、ＸｅＣｌ
（３０８ｎｍ）、Ｆ2（１５７ｎｍ）などがある。この
うち、リソグラフィーや光ＣＶＤ関係で注目されている
のは、ＫｒＦ及びＡｒＦエキシマレーザーで、特に、半
導体製造用のリソグラフィー工程では、ＫｒＦエキシマ
レーザーを中心に開発が進められている。
【０００４】ＡｒＦ及びＫｒＦエキシマレーザーは、従
来の水銀ランプ、重水素ランプなどの紫外線光源と比較
すると、エネルギー密度が高くパワーがはるかに高いた
め、石英ガラスに損傷を与える可能性が高い。また、フ
ォトマスク基板等の光学系材料としての合成石英ガラス
では、製造過程におけるスパッタリングやプラズマエッ
チングにより、６５０ｎｍに発光帯、２６０ｎｍに吸収
帯が出現して紫外線領域での透過性能が低下する場合が
あり、まして、従来の水銀ランプに替えてエキシマレー
ザー光（ＫｒＦ、２４８ｎｍ）を半導体製造用リソグラ
フィー工程での露光用光源として使用した場合には、こ
の透過率の低下は非常に大きなものとなる。
来の水銀ランプ、重水素ランプなどの紫外線光源と比較
すると、エネルギー密度が高くパワーがはるかに高いた
め、石英ガラスに損傷を与える可能性が高い。また、フ
ォトマスク基板等の光学系材料としての合成石英ガラス
では、製造過程におけるスパッタリングやプラズマエッ
チングにより、６５０ｎｍに発光帯、２６０ｎｍに吸収
帯が出現して紫外線領域での透過性能が低下する場合が
あり、まして、従来の水銀ランプに替えてエキシマレー
ザー光（ＫｒＦ、２４８ｎｍ）を半導体製造用リソグラ
フィー工程での露光用光源として使用した場合には、こ
の透過率の低下は非常に大きなものとなる。
【０００５】フォトマスク製造過程で変質して透過性能
が低下するような基板材料は、事前に検査して排除しな
ければならないが、事前にそれを知る方法がなく、スパ
ッタリングやプラズマエッチングをした後に一枚づつ基
板の蛍光特性や吸収特性を測定しなければならず、手間
がかかり、又、費用もかかるので現実的でなく、簡易な
方法で合成石英ガラスの吸収特性の変質を予測する手段
の開発が要望されていた。
が低下するような基板材料は、事前に検査して排除しな
ければならないが、事前にそれを知る方法がなく、スパ
ッタリングやプラズマエッチングをした後に一枚づつ基
板の蛍光特性や吸収特性を測定しなければならず、手間
がかかり、又、費用もかかるので現実的でなく、簡易な
方法で合成石英ガラスの吸収特性の変質を予測する手段
の開発が要望されていた。
【０００６】このため、本出願人は、何らかの方法で促
進試験ができれば予め材料を選別することができるとの
見地から、合成石英ガラスの吸収特性の変質を検査する
方法として、エキシマレーザー光を合成石英ガラスに照
射すると、フォトマスク基板として使用された合成石英
ガラスが、その製造過程においてスパッタリングやプラ
ズマエッチングなどによって変質して起こるのと同様の
吸収特性の変化が起こるとともに約６５０ｎｍの赤色の
蛍光を発することを発見し、ＫｒＦエキシマレーザーの
照射時の赤色発光の有無により選別する検査方法を見出
した（特開平１−１８９６５４号公報）。
進試験ができれば予め材料を選別することができるとの
見地から、合成石英ガラスの吸収特性の変質を検査する
方法として、エキシマレーザー光を合成石英ガラスに照
射すると、フォトマスク基板として使用された合成石英
ガラスが、その製造過程においてスパッタリングやプラ
ズマエッチングなどによって変質して起こるのと同様の
吸収特性の変化が起こるとともに約６５０ｎｍの赤色の
蛍光を発することを発見し、ＫｒＦエキシマレーザーの
照射時の赤色発光の有無により選別する検査方法を見出
した（特開平１−１８９６５４号公報）。
【０００７】赤色発光の有無により、超ＬＳＩパターン
転写用のレチクル作製工程で生じる２６０ｎｍにピーク
を持つ吸収帯の有無を判別する方法で、この吸収帯の生
成は、四塩化珪素の酸水素火炎中での加水分解に際し
て、火炎中の水素の供給量を化学量論的必要量よりも過
剰にすることにより防止できるものである。
転写用のレチクル作製工程で生じる２６０ｎｍにピーク
を持つ吸収帯の有無を判別する方法で、この吸収帯の生
成は、四塩化珪素の酸水素火炎中での加水分解に際し
て、火炎中の水素の供給量を化学量論的必要量よりも過
剰にすることにより防止できるものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エキシ
マレーザーの照射を長時間繰り返すと、２２０ｎｍにピ
ークを持つ吸収帯が生成することによりエキシマレーザ
ーに対する透過率が低下する。このように、短期間の使
用では問題がなくても、長時間使用すると石英ガラスが
劣化し、吸収帯が生じるという問題がある。そして、２
２０ｎｍの吸収帯の生成の有無は、ＡｒＦエキシマレー
ザー照射時には比較的短時間で判別できるが、ＫｒＦエ
キシマレーザー照射時には生成しにくく１０6ショット
程度の照射でようやく顕著となり、吸収係数の測定には
長時間を要して効率が悪かった。
マレーザーの照射を長時間繰り返すと、２２０ｎｍにピ
ークを持つ吸収帯が生成することによりエキシマレーザ
ーに対する透過率が低下する。このように、短期間の使
用では問題がなくても、長時間使用すると石英ガラスが
劣化し、吸収帯が生じるという問題がある。そして、２
２０ｎｍの吸収帯の生成の有無は、ＡｒＦエキシマレー
ザー照射時には比較的短時間で判別できるが、ＫｒＦエ
キシマレーザー照射時には生成しにくく１０6ショット
程度の照射でようやく顕著となり、吸収係数の測定には
長時間を要して効率が悪かった。
【０００９】以上述べたように、ＫｒＦエキシマレーザ
ー照射時に生じる吸収帯は、非常に弱く、長時間のエキ
シマレーザー照射によりはじめて顕著となるため、検査
には数日から数週間の時間を要し実用的には実施が困難
であるため、促進試験が求められていた。
ー照射時に生じる吸収帯は、非常に弱く、長時間のエキ
シマレーザー照射によりはじめて顕著となるため、検査
には数日から数週間の時間を要し実用的には実施が困難
であるため、促進試験が求められていた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】合成石英ガラスへのＡｒ
Ｆエキシマレーザー照射による２２０ｎｍの吸収帯の生
成と、ＫｒＦエキシマレーザーによる２２０ｎｍの吸収
帯の生成に相関関係があることを見出し、ＡｒＦエキシ
マレーザーの照射によってＫｒＦエキシマレーザー照射
時の吸収係数を短時間で測定できるように、ショット数
で言えば、ＡｒＦエキシマレーザーを照射した場合は、
ＫｒＦエキシマレーザーを照射した場合に較べて約２桁
少ないショット数の照射で良いため、ＫｒＦエキシマレ
ーザーの約１００分の１という短時間で測定できるよう
にしたものである。
Ｆエキシマレーザー照射による２２０ｎｍの吸収帯の生
成と、ＫｒＦエキシマレーザーによる２２０ｎｍの吸収
帯の生成に相関関係があることを見出し、ＡｒＦエキシ
マレーザーの照射によってＫｒＦエキシマレーザー照射
時の吸収係数を短時間で測定できるように、ショット数
で言えば、ＡｒＦエキシマレーザーを照射した場合は、
ＫｒＦエキシマレーザーを照射した場合に較べて約２桁
少ないショット数の照射で良いため、ＫｒＦエキシマレ
ーザーの約１００分の１という短時間で測定できるよう
にしたものである。
【００１１】５〜３０ｍｍ程度の厚さの試料片の平行平
面を鏡面に研磨し、この試料片にエキシマレーザービー
ムを照射する部分の分光透過率をエキシマレーザーを照
射する前に分光光度計で測定し、しかるのち、エキシマ
レーザービームを所定の条件（エネルギー密度、繰り返
し周波数、ショット数）で照射する。照射した部分の分
光透過率を照射終了後ただちに測定し、２２０ｎｍにお
ける照射前後の吸収係数の差を求め、吸収の程度の指標
とする。このとき、予めＫｒＦ及びＡｒＦエキシマレー
ザー照射時の吸収の生成程度の異なる試料に対して較正
曲線を求めておき、それに基づいて検査を行う。
面を鏡面に研磨し、この試料片にエキシマレーザービー
ムを照射する部分の分光透過率をエキシマレーザーを照
射する前に分光光度計で測定し、しかるのち、エキシマ
レーザービームを所定の条件（エネルギー密度、繰り返
し周波数、ショット数）で照射する。照射した部分の分
光透過率を照射終了後ただちに測定し、２２０ｎｍにお
ける照射前後の吸収係数の差を求め、吸収の程度の指標
とする。このとき、予めＫｒＦ及びＡｒＦエキシマレー
ザー照射時の吸収の生成程度の異なる試料に対して較正
曲線を求めておき、それに基づいて検査を行う。
【００１２】エキシマレーザーを長時間照射したとき、
２２０ｎｍ付近にピークを持つ吸収帯が生成する。この
２２０ｎｍにピークを持つ吸収帯の生成については、エ
キシマレーザーの他に、γ線、Ｘ線、中性子線などの照
射によっても生成する。この吸収帯は、電子スピン共鳴
（ＥＳＲ）スペクトルの解析から、Ｅ’センターと呼ば
れる≡Ｓｉ・構造によるものであることが確認され、Ｅ
ＳＲの信号強度から求められたスピンの濃度と２２０ｎ
ｍの吸収帯強度は比例する。
２２０ｎｍ付近にピークを持つ吸収帯が生成する。この
２２０ｎｍにピークを持つ吸収帯の生成については、エ
キシマレーザーの他に、γ線、Ｘ線、中性子線などの照
射によっても生成する。この吸収帯は、電子スピン共鳴
（ＥＳＲ）スペクトルの解析から、Ｅ’センターと呼ば
れる≡Ｓｉ・構造によるものであることが確認され、Ｅ
ＳＲの信号強度から求められたスピンの濃度と２２０ｎ
ｍの吸収帯強度は比例する。
【００１３】エキシマレーザーを照射したときのＥ’中
心の前駆体としては種々のものが考えられている。ひと
つは、≡Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ≡ でエキシマレーザーの照射
により
心の前駆体としては種々のものが考えられている。ひと
つは、≡Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ≡ でエキシマレーザーの照射
により
【化１】
または、
【化２】
の機構による生成が考えられる。ここで
【化３】
は３つの酸素分子と結合した平面構造である。
【００１４】この他に、≡Ｓｉ−Ｈ Ｈ−Ｏ−Ｓｉ≡構
造が考えられる。
造が考えられる。
【化４】
【００１５】何れの機構でも、光子の吸収によりＥ’中
心が生成する。石英ガラスのバンドのエネルギーギャッ
プは約９ｅＶである。ＫｒＦエキシマレーザーの光子エ
ネルギーは５．０ｅＶ、ＡｒＦエキシマレーザーの光子
エネルギーは６．４ｅＶであるので、欠陥が生成するた
めには、何れの場合も２光子吸収が考えられる。従っ
て、ＡｒＦエキシマレーザーのほうが光子エネルギーが
高いため生成の効率がよいものと考えられる。実際、数
種類のサンプルに対してＡｒＦ（１００ｍＪ／ｃｍ2、
５０Ｈｚ、１０4ショット）及びＫｒＦエキシマレーザ
ー（２００ｍＪ／ｃｍ2、１００Ｈｚ、１０6ショット）
照射による吸収の程度を比較したところ、ＡｒＦエキシ
マレーザーを照射した場合は約２桁少ないショット数の
照射でＫｒＦエキシマレーザー照射時とほぼ同等の吸収
が生じた。
心が生成する。石英ガラスのバンドのエネルギーギャッ
プは約９ｅＶである。ＫｒＦエキシマレーザーの光子エ
ネルギーは５．０ｅＶ、ＡｒＦエキシマレーザーの光子
エネルギーは６．４ｅＶであるので、欠陥が生成するた
めには、何れの場合も２光子吸収が考えられる。従っ
て、ＡｒＦエキシマレーザーのほうが光子エネルギーが
高いため生成の効率がよいものと考えられる。実際、数
種類のサンプルに対してＡｒＦ（１００ｍＪ／ｃｍ2、
５０Ｈｚ、１０4ショット）及びＫｒＦエキシマレーザ
ー（２００ｍＪ／ｃｍ2、１００Ｈｚ、１０6ショット）
照射による吸収の程度を比較したところ、ＡｒＦエキシ
マレーザーを照射した場合は約２桁少ないショット数の
照射でＫｒＦエキシマレーザー照射時とほぼ同等の吸収
が生じた。
【００１６】合成石英ガラスとしては、四塩化珪素を酸
・水素火炎中で加水分解により直接堆積ガラス化したも
のがエキシマレーザーの波長領域での透過特性等のエキ
シマレーザー耐性に優れている。また、酸水素火炎中で
の加水分解物を、化学量論的必要量より水素過剰で製造
したものが、２６０ｎｍの吸収帯の生成、及びそれに伴
う６５０ｎｍの赤色発光防止のために有効である。
・水素火炎中で加水分解により直接堆積ガラス化したも
のがエキシマレーザーの波長領域での透過特性等のエキ
シマレーザー耐性に優れている。また、酸水素火炎中で
の加水分解物を、化学量論的必要量より水素過剰で製造
したものが、２６０ｎｍの吸収帯の生成、及びそれに伴
う６５０ｎｍの赤色発光防止のために有効である。
【００１７】
【実施例】実施例１
試料として、四塩化珪素を酸・水素火炎中での加水分解
による直接堆積ガラス化することにより製造し、ＯＨ濃
度がそれぞれ、Ａ：４５０ｐｐｍ、Ｂ：６５０ｐｐｍ、
Ｃ：８５０ｐｐｍ、Ｄ：１１２０ｐｐｍ、Ｅ：１３００
ｐｐｍを含む５種類のものを選別し、ＫｒＦエキシマレ
ーザー（２００ｍＪ／ｃｍ2、１００Ｈｚ、１０6ショッ
ト）、及び、ＡｒＦエキシマレーザー（１００ｍＪ／ｃ
ｍ2、５０Ｈｚ、１０6ショット）照射時の吸収の程度を
測定した。その結果を表１に示す。なお、各サンプル
は、３０ｍｍ×１０ｍｍ×１０ｍｍの形状に２個ずつ切
り出し、厚さが１０ｍｍになるように２面を鏡面研磨し
た。また、エキシマレーザーのショット数は、繰り返し
周波数と照射時間の積で与えられるので、ＫｒＦエキシ
マレーザーの照射時間は、１０6ショット／１００Ｈｚ
＝１００００秒、ＡｒＦエキシマレーザーの照射時間
は、１０4ショット／５０Ｈｚ＝２００秒である。
による直接堆積ガラス化することにより製造し、ＯＨ濃
度がそれぞれ、Ａ：４５０ｐｐｍ、Ｂ：６５０ｐｐｍ、
Ｃ：８５０ｐｐｍ、Ｄ：１１２０ｐｐｍ、Ｅ：１３００
ｐｐｍを含む５種類のものを選別し、ＫｒＦエキシマレ
ーザー（２００ｍＪ／ｃｍ2、１００Ｈｚ、１０6ショッ
ト）、及び、ＡｒＦエキシマレーザー（１００ｍＪ／ｃ
ｍ2、５０Ｈｚ、１０6ショット）照射時の吸収の程度を
測定した。その結果を表１に示す。なお、各サンプル
は、３０ｍｍ×１０ｍｍ×１０ｍｍの形状に２個ずつ切
り出し、厚さが１０ｍｍになるように２面を鏡面研磨し
た。また、エキシマレーザーのショット数は、繰り返し
周波数と照射時間の積で与えられるので、ＫｒＦエキシ
マレーザーの照射時間は、１０6ショット／１００Ｈｚ
＝１００００秒、ＡｒＦエキシマレーザーの照射時間
は、１０4ショット／５０Ｈｚ＝２００秒である。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１の結果から、ＫｒＦとＡｒＦエキシマ
レーザーによる吸収係数は、互いに比例関係にあること
が判明した。これを式で表すと下記（４）式のようにな
る。この例では、ＫｒＦエキシマレーザーが１００Ｈｚ
で１０6ショットであることから、１０6／１００Ｈｚ＝
１００００秒（約２．８時間）必要になるのに対し、Ａ
ｒＦエキシマレーザーは、５０Ｈｚで１０4ショットで
あるので、１０4／５０Ｈｚ＝２００秒（約３．３分）
の照射時間で同等の吸収係数が得られることが判る。こ
のように、ＡｒＦエキシマレーザーを用いれば、照射条
件（エネルギー密度、繰り返し周波数）にもよるが、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー１００分の１程度のショット数
（レーザーパルス数）で照射時の吸収係数を測定するこ
とによりＫｒＦエキシマレーザー照射時の吸収係数を測
定することができる。 αＡｒＦ＝１．２αＫｒＦ （４）
レーザーによる吸収係数は、互いに比例関係にあること
が判明した。これを式で表すと下記（４）式のようにな
る。この例では、ＫｒＦエキシマレーザーが１００Ｈｚ
で１０6ショットであることから、１０6／１００Ｈｚ＝
１００００秒（約２．８時間）必要になるのに対し、Ａ
ｒＦエキシマレーザーは、５０Ｈｚで１０4ショットで
あるので、１０4／５０Ｈｚ＝２００秒（約３．３分）
の照射時間で同等の吸収係数が得られることが判る。こ
のように、ＡｒＦエキシマレーザーを用いれば、照射条
件（エネルギー密度、繰り返し周波数）にもよるが、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー１００分の１程度のショット数
（レーザーパルス数）で照射時の吸収係数を測定するこ
とによりＫｒＦエキシマレーザー照射時の吸収係数を測
定することができる。 αＡｒＦ＝１．２αＫｒＦ （４）
【００２０】実施例２
実施例１に準じて合成した石英ガラスから異なるロット
のものを５個選び出し、それぞれ実施例１に準じて３０
ｍｍ×１０ｍｍ×１０ｍｍの形状に２個づつ切り出し、
厚さが１０ｍｍになるように２面を鏡面研磨した。その
うちの一つのサンプルに実施例１に準じてＡｒＦエキシ
マレーザーを照射し、２２０ｎｍにおける吸収係数を測
定した。その結果をもとに、（４）式から、ＫｒＦエキ
シマレーザーを実施例１に準じて照射した場合の２２０
ｎｍにおける吸収係数の値を予測した。その後、他方の
サンプルにＫｒＦエキシマレーザーを実施例１に準じて
照射したのち２２０ｎｍにおける吸収係数を測定した。
その結果を表２に示す。表２の結果から、予測値と実測
値がよく一致していることが判り、このことから、本発
明による測定方法が有効であることを示している。
のものを５個選び出し、それぞれ実施例１に準じて３０
ｍｍ×１０ｍｍ×１０ｍｍの形状に２個づつ切り出し、
厚さが１０ｍｍになるように２面を鏡面研磨した。その
うちの一つのサンプルに実施例１に準じてＡｒＦエキシ
マレーザーを照射し、２２０ｎｍにおける吸収係数を測
定した。その結果をもとに、（４）式から、ＫｒＦエキ
シマレーザーを実施例１に準じて照射した場合の２２０
ｎｍにおける吸収係数の値を予測した。その後、他方の
サンプルにＫｒＦエキシマレーザーを実施例１に準じて
照射したのち２２０ｎｍにおける吸収係数を測定した。
その結果を表２に示す。表２の結果から、予測値と実測
値がよく一致していることが判り、このことから、本発
明による測定方法が有効であることを示している。
【表２】
【００２１】
【効果】合成石英ガラスにＡｒＦエキシマレーザーを短
時間照射することによって、ＫｒＦエキシマレーザー光
を長時間透過させたときの吸収係数を測定できる。ま
た、この測定値を利用することによって合成石英ガラス
のＫｒＦエキシマレーザー照射による吸収帯の生成の有
無を判別することに応用することができる。
時間照射することによって、ＫｒＦエキシマレーザー光
を長時間透過させたときの吸収係数を測定できる。ま
た、この測定値を利用することによって合成石英ガラス
のＫｒＦエキシマレーザー照射による吸収帯の生成の有
無を判別することに応用することができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平３−109233（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−88743（ＪＰ，Ａ)
レーザー研究，日本，Ｖｏｌ．19，Ｎ
ｏ．２，177−184
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01N 21/00 - 21/01
G01N 21/17 - 21/61
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
実用ファイル（ＰＡＴＯＬＩＳ)
特許ファイル（ＰＡＴＯＬＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】合成石英ガラスのＫｒＦエキシマレーザー
の照射による吸収係数の測定方法であって、ＡｒＦエキ
シマレーザーを照射して誘起される２２０ｎｍにおける
吸収係数を測定し、この吸収係数と予め求めた相関関係
に基づいて吸収係数を求める測定方法。 - 【請求項２】合成石英ガラスのＫｒＦエキシマレーザー
の照射による吸収係数の測定方法であって、ＡｒＦエキ
シマレーザーを照射して誘起される２２０ｎｍにおける
吸収係数を測定し、この測定値を１．２倍する測定方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07748893A JP3408574B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 合成石英ガラスの吸収係数の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07748893A JP3408574B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 合成石英ガラスの吸収係数の測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06265470A JPH06265470A (ja) | 1994-09-22 |
| JP3408574B2 true JP3408574B2 (ja) | 2003-05-19 |
Family
ID=13635378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07748893A Expired - Fee Related JP3408574B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 合成石英ガラスの吸収係数の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3408574B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5585383B2 (ja) * | 2010-10-22 | 2014-09-10 | 旭硝子株式会社 | 合成石英ガラスの評価方法 |
-
1993
- 1993-03-12 JP JP07748893A patent/JP3408574B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| レーザー研究，日本，Ｖｏｌ．１９，Ｎｏ．２，１７７−１８４ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06265470A (ja) | 1994-09-22 |
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