JPH06260533A - Ｉｃチップ実装方法 - Google Patents
Ｉｃチップ実装方法Info
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- JPH06260533A JPH06260533A JP5072983A JP7298393A JPH06260533A JP H06260533 A JPH06260533 A JP H06260533A JP 5072983 A JP5072983 A JP 5072983A JP 7298393 A JP7298393 A JP 7298393A JP H06260533 A JPH06260533 A JP H06260533A
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/2902—Disposition
- H01L2224/29034—Disposition the layer connector covering only portions of the surface to be connected
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
Landscapes
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣチップを基板上にＣＯＧ方式で実装した
場合に、高湿度あるいは高温条件下でも安定的にＩＣチ
ップと配線基板との端子間を固定し、電気的接続が保持
されるようにする。 【構成】 バンプ状端子２ａを有するＩＣチップ２の当
該バンプ状端子２ａと配線基板１の端子１ａとが当接す
るように、両者を接着剤３を使用して固定し電気的に接
続するＩＣチップ実装方法において、ＩＣチップのバン
プ状端子形成部と配線基板との間に熱硬化型の第１の接
着剤３（Ｂ）を使用し、ＩＣチップのバンプ状端子非形
成部と配線基板との間に第２の接着剤３（Ａ）を使用
し、該第１の接着剤の弾性率を該第２の接着剤の弾性率
よりも大きくする。
場合に、高湿度あるいは高温条件下でも安定的にＩＣチ
ップと配線基板との端子間を固定し、電気的接続が保持
されるようにする。 【構成】 バンプ状端子２ａを有するＩＣチップ２の当
該バンプ状端子２ａと配線基板１の端子１ａとが当接す
るように、両者を接着剤３を使用して固定し電気的に接
続するＩＣチップ実装方法において、ＩＣチップのバン
プ状端子形成部と配線基板との間に熱硬化型の第１の接
着剤３（Ｂ）を使用し、ＩＣチップのバンプ状端子非形
成部と配線基板との間に第２の接着剤３（Ａ）を使用
し、該第１の接着剤の弾性率を該第２の接着剤の弾性率
よりも大きくする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、配線基板上にＩＣチ
ップを実装する方法に関する。更に詳しくは、この発明
は、配線ガラス基板の端子にＩＣチップのバンプ状端子
を当接させ、両者を接着剤で固定することによりＩＣチ
ップを基板上に搭載するＣＯＧ（chipon glass ）実装
方法に関する。
ップを実装する方法に関する。更に詳しくは、この発明
は、配線ガラス基板の端子にＩＣチップのバンプ状端子
を当接させ、両者を接着剤で固定することによりＩＣチ
ップを基板上に搭載するＣＯＧ（chipon glass ）実装
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップを配線基板上に搭載する実装
方法の一つとして、バンプ状端子を有するＩＣチップの
当該バンプ状端子を配線ガラス基板の端子に当接させ、
両者を接着剤により固定して電気的に接続する方法（Ｃ
ＯＧ方式）が知られている。このような実装方法は、Ｉ
Ｃチップをフィルムキャリアに搭載し、そのフィルムキ
ャリアと配線基板とを異方性導電膜等で接続するＴＡＢ
方式に比べて、微細ピッチの端子の接続に適し、また、
接続に要する部品や工程数を減らせることから、液晶パ
ネル等において近年使用されるようになっている。
方法の一つとして、バンプ状端子を有するＩＣチップの
当該バンプ状端子を配線ガラス基板の端子に当接させ、
両者を接着剤により固定して電気的に接続する方法（Ｃ
ＯＧ方式）が知られている。このような実装方法は、Ｉ
Ｃチップをフィルムキャリアに搭載し、そのフィルムキ
ャリアと配線基板とを異方性導電膜等で接続するＴＡＢ
方式に比べて、微細ピッチの端子の接続に適し、また、
接続に要する部品や工程数を減らせることから、液晶パ
ネル等において近年使用されるようになっている。
【０００３】このＣＯＧ方式のＩＣチップの実装方法に
おいては、ＩＣチップのバンプ状端子と配線基板の端子
との間にウキが生じると電気的接続が妨げられるため、
ＩＣチップのバンプ状端子と配線基板の端子とを安定的
に、高温時においても強固に固定することが必要とされ
る。そのため、ＩＣチップと配線基板とを固定する接着
剤としては、従来より熱硬化型接着剤が使用されてお
り、接着時に加熱加圧することがなされている。
おいては、ＩＣチップのバンプ状端子と配線基板の端子
との間にウキが生じると電気的接続が妨げられるため、
ＩＣチップのバンプ状端子と配線基板の端子とを安定的
に、高温時においても強固に固定することが必要とされ
る。そのため、ＩＣチップと配線基板とを固定する接着
剤としては、従来より熱硬化型接着剤が使用されてお
り、接着時に加熱加圧することがなされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＣチ
ップと配線基板とを強固に固定するために、接着剤とし
て弾性率が高いものを使用すると、かえって高湿度条件
等においてＩＣチップと配線基板との端子間にウキが生
じやすいという問題があった。
ップと配線基板とを強固に固定するために、接着剤とし
て弾性率が高いものを使用すると、かえって高湿度条件
等においてＩＣチップと配線基板との端子間にウキが生
じやすいという問題があった。
【０００５】これは、次式
【０００６】
【数１】 （式中、σは内部応力、Ｋは比例定数、Ｅはヤング率、
Δαは材料の膨脹係数、Ｔは温度を表す）で示されるよ
うに、一般に、樹脂材料の内部応力σは弾性率（ヤング
率）が高くなるに従って増加するため、弾性率の高い接
着剤を使用すると、その硬化物は熱収縮により大きな内
部応力を包含したものとなり、そのために容易にウキが
生じるものと思われる。
Δαは材料の膨脹係数、Ｔは温度を表す）で示されるよ
うに、一般に、樹脂材料の内部応力σは弾性率（ヤング
率）が高くなるに従って増加するため、弾性率の高い接
着剤を使用すると、その硬化物は熱収縮により大きな内
部応力を包含したものとなり、そのために容易にウキが
生じるものと思われる。
【０００７】一方、このようなウキの発生を防止するた
めに接着剤として弾性率の低いものを使用すると、その
ような接着剤の硬化物は高温条件下で軟化するので、Ｉ
Ｃチップと配線基板との端子間を強固に固定できないと
いう問題があった。
めに接着剤として弾性率の低いものを使用すると、その
ような接着剤の硬化物は高温条件下で軟化するので、Ｉ
Ｃチップと配線基板との端子間を強固に固定できないと
いう問題があった。
【０００８】この発明は以上のような従来技術の問題点
を解決しようとするものであり、ＩＣチップを基板上に
ＣＯＧ方式で実装するに際し、高湿度あるいは高温条件
下でも安定的にＩＣチップと配線基板との端子間を固定
できるようにすることを目的としている。
を解決しようとするものであり、ＩＣチップを基板上に
ＣＯＧ方式で実装するに際し、高湿度あるいは高温条件
下でも安定的にＩＣチップと配線基板との端子間を固定
できるようにすることを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明者らは、ＣＯＧ
方式で実装するに際し、ＩＣチップと配線基板とを固定
する接着剤として、両者の端子間を固定する接着剤、即
ち、ＩＣチップのバンプ状端子形成部と配線基板との間
に使用する第１の接着剤として弾性率の高い熱硬化型接
着剤を使用し、それ以外の部分、即ち、ＩＣチップのバ
ンプ状端子非形成部と配線基板との間に第２の接着剤と
して、前記第１の接着剤よりも弾性率の低い接着剤を使
用することにより、上記の目的が達成できることを見出
し、この発明を完成させるに至った。
方式で実装するに際し、ＩＣチップと配線基板とを固定
する接着剤として、両者の端子間を固定する接着剤、即
ち、ＩＣチップのバンプ状端子形成部と配線基板との間
に使用する第１の接着剤として弾性率の高い熱硬化型接
着剤を使用し、それ以外の部分、即ち、ＩＣチップのバ
ンプ状端子非形成部と配線基板との間に第２の接着剤と
して、前記第１の接着剤よりも弾性率の低い接着剤を使
用することにより、上記の目的が達成できることを見出
し、この発明を完成させるに至った。
【００１０】すなわち、この発明は、バンプ状端子を有
するＩＣチップの当該バンプ状端子と配線基板の端子と
が当接するように、両者を接着剤で固定し電気的に接続
するＩＣチップ実装方法において、ＩＣチップのバンプ
状端子形成部と配線基板との間に熱硬化型の第１の接着
剤を使用し、ＩＣチップのバンプ状端子非形成部と配線
基板との間に第２の接着剤を使用し、該第１の接着剤の
弾性率を該第２の接着剤の弾性率よりも大きくすること
を特徴とするＩＣチップ実装方法を提供する。
するＩＣチップの当該バンプ状端子と配線基板の端子と
が当接するように、両者を接着剤で固定し電気的に接続
するＩＣチップ実装方法において、ＩＣチップのバンプ
状端子形成部と配線基板との間に熱硬化型の第１の接着
剤を使用し、ＩＣチップのバンプ状端子非形成部と配線
基板との間に第２の接着剤を使用し、該第１の接着剤の
弾性率を該第２の接着剤の弾性率よりも大きくすること
を特徴とするＩＣチップ実装方法を提供する。
【００１１】以下、この発明の実装方法を詳細に説明す
る。
る。
【００１２】この発明の実装方法においては、ＩＣチッ
プと配線基板とを接着剤で固定するにあたり、ＩＣチッ
プのバンプ状端子形成部とＩＣチップのバンプ状端子非
形成部とで弾性率の異なる接着剤を使用する。即ち、Ｉ
Ｃチップのバンプ状端子形成部と配線基板との間には、
第１の接着剤として、両者を強固に固定するために弾性
率の高いもの、好ましくは、１００℃における弾性率が
１．０×１０９Ｐａ以上であるものを使用する。また、
この接着剤は、高温度条件下でも端子間にずれが生じる
ことなく、電気的接続が安定的に確保されるように、熱
硬化型接着剤とする。この第１の接着剤の成分として
は、後述する第２の接着剤に比べて弾性率が高い熱硬化
型ものである限り特に制限はない。通常の接着成分の他
に半田、ニッケル、あるいは金属でメッキした樹脂等の
導電性フィラーを含有し、その硬化物が異方性導電膜と
なるものでもよい。
プと配線基板とを接着剤で固定するにあたり、ＩＣチッ
プのバンプ状端子形成部とＩＣチップのバンプ状端子非
形成部とで弾性率の異なる接着剤を使用する。即ち、Ｉ
Ｃチップのバンプ状端子形成部と配線基板との間には、
第１の接着剤として、両者を強固に固定するために弾性
率の高いもの、好ましくは、１００℃における弾性率が
１．０×１０９Ｐａ以上であるものを使用する。また、
この接着剤は、高温度条件下でも端子間にずれが生じる
ことなく、電気的接続が安定的に確保されるように、熱
硬化型接着剤とする。この第１の接着剤の成分として
は、後述する第２の接着剤に比べて弾性率が高い熱硬化
型ものである限り特に制限はない。通常の接着成分の他
に半田、ニッケル、あるいは金属でメッキした樹脂等の
導電性フィラーを含有し、その硬化物が異方性導電膜と
なるものでもよい。
【００１３】一方、ＩＣチップのバンプ状端子非形成部
と配線基板との間には、第２の接着剤として、ＩＣチッ
プと配線基板との接着部のウキを防止するために、上記
第１の接着剤よりも硬化物の内部応力が小さいもの、即
ち第１の接着剤よりも弾性率が小さい接着剤を使用す
る。好ましくは、１００℃における弾性率が１．０×１
０９Ｐａ未満であるものを使用する。なお、この第２の
接着剤としても第１の接着剤のように熱硬化型接着剤を
使用できるが、これに限らず熱可塑性ものを使用しても
よい。
と配線基板との間には、第２の接着剤として、ＩＣチッ
プと配線基板との接着部のウキを防止するために、上記
第１の接着剤よりも硬化物の内部応力が小さいもの、即
ち第１の接着剤よりも弾性率が小さい接着剤を使用す
る。好ましくは、１００℃における弾性率が１．０×１
０９Ｐａ未満であるものを使用する。なお、この第２の
接着剤としても第１の接着剤のように熱硬化型接着剤を
使用できるが、これに限らず熱可塑性ものを使用しても
よい。
【００１４】このようにＩＣチップと配線基板との間
で、弾性率の異なる第１の接着剤と第２の接着剤とを使
用するにあたり、双方の接着剤は混ざらないように領域
を分けて使用することが好ましい。また、第１の接着剤
と第２の接着剤との使用割合は、この発明において第１
の接着剤で接着することが必須とされるＩＣチップのバ
ンプ状端子形成部を除き、できる限り弾性率の低い第２
の接着剤の使用割合を多くすることが好ましい。
で、弾性率の異なる第１の接着剤と第２の接着剤とを使
用するにあたり、双方の接着剤は混ざらないように領域
を分けて使用することが好ましい。また、第１の接着剤
と第２の接着剤との使用割合は、この発明において第１
の接着剤で接着することが必須とされるＩＣチップのバ
ンプ状端子形成部を除き、できる限り弾性率の低い第２
の接着剤の使用割合を多くすることが好ましい。
【００１５】この発明の実装方法は、上述のように接着
剤として弾性率の異なる熱硬化型の第１の接着剤と第２
の接着剤とを併用する以外は、従来のＣＯＧ方式のＩＣ
チップの実装方法と同様に行うことができ、例えば、熱
硬化型である第１の接着剤を硬化させるための加熱加圧
条件も使用する当該接着剤の成分に応じて適宜定めるこ
とができる。また、この発明の方法を適用するＩＣチッ
プや配線基板も従来と同様のものとすることができる。
剤として弾性率の異なる熱硬化型の第１の接着剤と第２
の接着剤とを併用する以外は、従来のＣＯＧ方式のＩＣ
チップの実装方法と同様に行うことができ、例えば、熱
硬化型である第１の接着剤を硬化させるための加熱加圧
条件も使用する当該接着剤の成分に応じて適宜定めるこ
とができる。また、この発明の方法を適用するＩＣチッ
プや配線基板も従来と同様のものとすることができる。
【００１６】
【作用】この発明によればＩＣチップをＣＯＧ方式で配
線基板に実装するに際し、ＩＣチップを配線基板に固定
する接着剤として、ＩＣチップのバンプ状端子形成部と
配線基板との間には熱硬化型で弾性率の高い第１の接着
剤を使用するので、ＩＣチップと配線基板との端子間は
高温度条件下でもずれが生じること無く強固に固定され
る。一方、ＩＣチップのバンプ状端子非形成部と配線基
板との間には第１の接着剤よりも弾性率の低い第２の接
着剤を使用するので、ＩＣチップと配線基板との間に過
度に内部応力が蓄積されることがない。よって、ＩＣチ
ップと配線基板との接続部にウキが生じることを防止で
きる。
線基板に実装するに際し、ＩＣチップを配線基板に固定
する接着剤として、ＩＣチップのバンプ状端子形成部と
配線基板との間には熱硬化型で弾性率の高い第１の接着
剤を使用するので、ＩＣチップと配線基板との端子間は
高温度条件下でもずれが生じること無く強固に固定され
る。一方、ＩＣチップのバンプ状端子非形成部と配線基
板との間には第１の接着剤よりも弾性率の低い第２の接
着剤を使用するので、ＩＣチップと配線基板との間に過
度に内部応力が蓄積されることがない。よって、ＩＣチ
ップと配線基板との接続部にウキが生じることを防止で
きる。
【００１７】したがって、この発明の実装方法によれ
ば、高温高湿下でも安定的に電気的接続を確保すること
が可能となる。
ば、高温高湿下でも安定的に電気的接続を確保すること
が可能となる。
【００１８】
【実施例】以下、この発明を実施例に基づいて具体的に
説明する。 実施例１ 図１に示したように、配線ガラス基板１上にＩＣチップ
２を、配線ガラス基板１の配線端子１ａにＩＣチップ２
のバンプ２ａを対向させて載置し、後述するＡ又はＢの
接着剤３により固定した。
説明する。 実施例１ 図１に示したように、配線ガラス基板１上にＩＣチップ
２を、配線ガラス基板１の配線端子１ａにＩＣチップ２
のバンプ２ａを対向させて載置し、後述するＡ又はＢの
接着剤３により固定した。
【００１９】この場合、配線ガラス基板１としては、Ｉ
Ｃチップを搭載する配線パターンの端子部がＩＴＯから
なり、配線パターンの他の部分には金メッキが施こされ
ている１２０ピンのテスト用ガラス基板（ミクロ技術研
究所製）を使用した。また、ＩＣチップ２としては、外
形が３ｍｍ×６ｍｍであり、バンプサイズ１００μｍ×
１００μｍ、バンプ高さ１５μｍ、バンプピッチ１６０
μｍの金バンプを１２０個有する抵抗テスト用ＩＣチッ
プを使用した。
Ｃチップを搭載する配線パターンの端子部がＩＴＯから
なり、配線パターンの他の部分には金メッキが施こされ
ている１２０ピンのテスト用ガラス基板（ミクロ技術研
究所製）を使用した。また、ＩＣチップ２としては、外
形が３ｍｍ×６ｍｍであり、バンプサイズ１００μｍ×
１００μｍ、バンプ高さ１５μｍ、バンプピッチ１６０
μｍの金バンプを１２０個有する抵抗テスト用ＩＣチッ
プを使用した。
【００２０】接着剤３としては、表１に示した配合Ａ及
び配合Ｂの接着剤組成物を調製し、それぞれ固形分７０
％のトルエン溶液とし、剥離ＰＥＴフィルム上に膜厚１
０〜５０μｍとなるように塗布し、８０℃で５分間乾燥
させたものを、接着剤Ａあるいは接着剤Ｂとして用意し
た。この接着剤Ａ及び接着剤Ｂは、表２及び図３に示す
弾性率Ｅ及びガラス転移点Ｔｇを有していた。なお、こ
の弾性率Ｅは、サイズ３ｍｍ×４０ｍｍ×２５μｍの試
料に対して、バイブロン引張試験機（オリエンティック
社製）を使用し、温度３０〜２００℃、加振周波数１１
Ｈｚで粘弾性を測定することにより得た。
び配合Ｂの接着剤組成物を調製し、それぞれ固形分７０
％のトルエン溶液とし、剥離ＰＥＴフィルム上に膜厚１
０〜５０μｍとなるように塗布し、８０℃で５分間乾燥
させたものを、接着剤Ａあるいは接着剤Ｂとして用意し
た。この接着剤Ａ及び接着剤Ｂは、表２及び図３に示す
弾性率Ｅ及びガラス転移点Ｔｇを有していた。なお、こ
の弾性率Ｅは、サイズ３ｍｍ×４０ｍｍ×２５μｍの試
料に対して、バイブロン引張試験機（オリエンティック
社製）を使用し、温度３０〜２００℃、加振周波数１１
Ｈｚで粘弾性を測定することにより得た。
【００２１】
【表１】 配合成分（重量％） 配合Ａ 配合Ｂ 配合Ｃ ビスＡ型エポキシ樹脂(*1) ２７ ２８ ２８ エラストマー変性エポキシ樹脂(*2) ２７ 油脂変性エポキシ樹脂(*3) １１ フェノールノボラック型エポキシ樹脂(*4) １０ フェノールノボラック型エポキシ樹脂(*5) ２５ イミダゾール型潜在性硬化剤(*6) ３５ ３７ ６２ 注(*1)油化シェルエポキシ社製、ＥＰ１００９ (*2)三井石油化学社製、ＳＲ３５Ｋ (*3)三井石油化学社製、Ｒ１５１ (*4)日本化薬社製、ＥｐｐＮ５０２Ｈ (*5)日本化薬社製、ＲＷ３０５Ｓ (*6)旭化成社製、Ｈｘ３９４１Ｈｐ
【００２２】
【表２】 接着剤Ａ 接着剤Ｂ 接着剤Ｃ 100 ℃における弾性率Ｅ(Pa) 3.5×107 2.5×109 1.8×109 ガラス転移点Ｔｇ（℃） 94 121 125 これらの接着剤を使用してＩＣチップ２を配線ガラス基
板１に実装するに際しては、まず、図２に示したよう
に、バンプが形成されていないＩＣチップの中央部２ｘ
と接着されることとなるガラス基板１上に接着剤Ａを、
また、バンプが形成されているＩＣチップの周辺部２ｙ
と接着されることとなるガラス基板１上に接着剤Ｂを、
８０℃で仮圧着した。次ぎに、この上にＩＣチップ２を
載置し、２００℃、４００ｋｇ／ｃｍ２（一つのバンプ
当たり）、１０秒間熱圧着し、ＩＣチップをガラス基板
１上に固定した。
板１に実装するに際しては、まず、図２に示したよう
に、バンプが形成されていないＩＣチップの中央部２ｘ
と接着されることとなるガラス基板１上に接着剤Ａを、
また、バンプが形成されているＩＣチップの周辺部２ｙ
と接着されることとなるガラス基板１上に接着剤Ｂを、
８０℃で仮圧着した。次ぎに、この上にＩＣチップ２を
載置し、２００℃、４００ｋｇ／ｃｍ２（一つのバンプ
当たり）、１０秒間熱圧着し、ＩＣチップをガラス基板
１上に固定した。
【００２３】このようにして熱圧着したＩＣチップ２と
ガラス基板１とに対し、ＰＣＴ試験（１２１℃、２ａｔ
ｍ、１００％ＲＨ）を３〜５時間行い、そのときの導通
特性をＯＰＥＮ発生率（ＰＣＴ試験前に最大２ｋΩ程度
であった各端子間の抵抗が、ＰＣＴ試験後に３０ｋΩ以
上になる割合）により評価した。この結果を表３に示し
た。
ガラス基板１とに対し、ＰＣＴ試験（１２１℃、２ａｔ
ｍ、１００％ＲＨ）を３〜５時間行い、そのときの導通
特性をＯＰＥＮ発生率（ＰＣＴ試験前に最大２ｋΩ程度
であった各端子間の抵抗が、ＰＣＴ試験後に３０ｋΩ以
上になる割合）により評価した。この結果を表３に示し
た。
【００２４】比較例１ バンプが形成されていないＩＣチップの中央部とガラス
基板との接着、及びバンプが形成されているＩＣチップ
の周辺部とガラス基板との接着のいずれにも接着剤Ａを
使用する以外は実施例１と同様にしてＩＣチップとガラ
ス基板とを熱圧着し、ＰＣＴ試験を行い、ＯＰＥＮ発生
率により導通特性を評価した。この結果を表３に示し
た。
基板との接着、及びバンプが形成されているＩＣチップ
の周辺部とガラス基板との接着のいずれにも接着剤Ａを
使用する以外は実施例１と同様にしてＩＣチップとガラ
ス基板とを熱圧着し、ＰＣＴ試験を行い、ＯＰＥＮ発生
率により導通特性を評価した。この結果を表３に示し
た。
【００２５】比較例２ バンプが形成されていないＩＣチップの中央部とガラス
基板との接着、及びバンプが形成されているＩＣチップ
の周辺部とガラス基板との接着のいずれにも接着剤Ｂを
使用する以外は実施例１と同様にしてＩＣチップとガラ
ス基板とを熱圧着し、ＰＣＴ試験を行い、ＯＰＥＮ発生
率により導通特性を評価した。この結果を表３に示し
た。また、この比較例においては、ＰＣＴ試験後にＩＣ
チップとガラス基板との接着界面にウキが生じていた。
基板との接着、及びバンプが形成されているＩＣチップ
の周辺部とガラス基板との接着のいずれにも接着剤Ｂを
使用する以外は実施例１と同様にしてＩＣチップとガラ
ス基板とを熱圧着し、ＰＣＴ試験を行い、ＯＰＥＮ発生
率により導通特性を評価した。この結果を表３に示し
た。また、この比較例においては、ＰＣＴ試験後にＩＣ
チップとガラス基板との接着界面にウキが生じていた。
【００２６】
【表３】 実施例１ 比較例１ 比較例２ 使用した接着剤 Ａ，Ｂ Ａのみ Ｂのみ ＯＰＥＮ発生率 ＰＣＴ試験前 ０ ０ ０ ＰＣＴ試験３時間後 ０ ０ ３３ ＰＣＴ試験５時間後 ０ ８ − 表３の結果から、バンプが形成されていないＩＣチップ
の中央部とガラス基板との接着には弾性率が低い接着剤
Ａを使用し、バンプが形成されているＩＣチップの周辺
部とガラス基板との接着には弾性率が高い接着剤Ｂを使
用した実施例は、ＩＣチップの周辺部と中央部とに同種
の接着剤を使用した比較例に比べて端子間の接続安定性
に優れていることがわかる。
の中央部とガラス基板との接着には弾性率が低い接着剤
Ａを使用し、バンプが形成されているＩＣチップの周辺
部とガラス基板との接着には弾性率が高い接着剤Ｂを使
用した実施例は、ＩＣチップの周辺部と中央部とに同種
の接着剤を使用した比較例に比べて端子間の接続安定性
に優れていることがわかる。
【００２７】実施例２ 上記の接着剤Ａ及び接着剤Ｂの他に、さらに、表１に示
した配合Ｃの接着剤組成物を調製し、接着剤Ａ及び接着
剤Ｂの製造と同様に、その接着剤組成物を固形分７０％
のトルエン溶液とし、剥離ＰＥＴフィルム上に膜厚１０
〜５０μｍとなるように塗布し、８０℃で５分間乾燥さ
せ、接着剤Ｃとして用意した。
した配合Ｃの接着剤組成物を調製し、接着剤Ａ及び接着
剤Ｂの製造と同様に、その接着剤組成物を固形分７０％
のトルエン溶液とし、剥離ＰＥＴフィルム上に膜厚１０
〜５０μｍとなるように塗布し、８０℃で５分間乾燥さ
せ、接着剤Ｃとして用意した。
【００２８】そして、接着剤Ｂに代えて接着剤Ｃを使用
する以外は実施例１と同様にして、ＩＣチップとガラス
基板とを熱圧着し、ＰＣＴ試験を行い、ＯＰＥＮ発生率
により導通特性を評価した。この結果を表４に示した。
する以外は実施例１と同様にして、ＩＣチップとガラス
基板とを熱圧着し、ＰＣＴ試験を行い、ＯＰＥＮ発生率
により導通特性を評価した。この結果を表４に示した。
【００２９】比較例３ バンプが形成されていないＩＣチップの中央部とガラス
基板との接着、及びバンプが形成されているＩＣチップ
の周辺部とガラス基板との接着のいずれにも接着剤Ａを
使用する以外は実施例２と同様にしてＩＣチップとガラ
ス基板とを熱圧着し、ＰＣＴ試験を行い、ＯＰＥＮ発生
率により導通特性を評価した。この結果を表４に示し
た。
基板との接着、及びバンプが形成されているＩＣチップ
の周辺部とガラス基板との接着のいずれにも接着剤Ａを
使用する以外は実施例２と同様にしてＩＣチップとガラ
ス基板とを熱圧着し、ＰＣＴ試験を行い、ＯＰＥＮ発生
率により導通特性を評価した。この結果を表４に示し
た。
【００３０】比較例４ バンプが形成されていないＩＣチップの中央部とガラス
基板との接着、及びバンプが形成されているＩＣチップ
の周辺部とガラス基板との接着のいずれにも接着剤Ｃを
使用する以外は実施例２と同様にしてＩＣチップとガラ
ス基板とを熱圧着し、ＰＣＴ試験を行い、ＯＰＥＮ発生
率により導通特性を評価した。この結果を表４に示し
た。また、この比較例においては、ＰＣＴ試験後にＩＣ
チップとガラス基板との接着界面にウキが生じていた。
基板との接着、及びバンプが形成されているＩＣチップ
の周辺部とガラス基板との接着のいずれにも接着剤Ｃを
使用する以外は実施例２と同様にしてＩＣチップとガラ
ス基板とを熱圧着し、ＰＣＴ試験を行い、ＯＰＥＮ発生
率により導通特性を評価した。この結果を表４に示し
た。また、この比較例においては、ＰＣＴ試験後にＩＣ
チップとガラス基板との接着界面にウキが生じていた。
【００３１】
【表４】 実施例２ 比較例３ 比較例４ 使用した接着剤 Ａ，Ｃ Ａのみ Ｃのみ ＯＰＥＮ発生率 ＰＣＴ試験前 ０ ０ ０ ＰＣＴ試験３時間後 ０ ０ ０ ＰＣＴ試験５時間後 ０ ２ ９ 表４の結果から、バンプが形成されていないＩＣチップ
の中央部とガラス基板との接着には弾性率が低い接着剤
Ａを使用し，バンプが形成されているＩＣチップの周辺
部とガラス基板との接着には弾性率が高い接着剤Ｃを使
用した実施例は、ＩＣチップの周辺部と中央部とに同種
の接着剤を使用した比較例に比べて端子間の接続安定性
に優れていることがわかる。
の中央部とガラス基板との接着には弾性率が低い接着剤
Ａを使用し，バンプが形成されているＩＣチップの周辺
部とガラス基板との接着には弾性率が高い接着剤Ｃを使
用した実施例は、ＩＣチップの周辺部と中央部とに同種
の接着剤を使用した比較例に比べて端子間の接続安定性
に優れていることがわかる。
【００３２】実施例３ 上記の接着剤Ｃの接着剤組成物である配合Ｃの組成物
に、さらに導電粒子（樹脂粒子：日本化学工業（株）
製、ブライト２０ＧＮＲ４．６ＥＨ）を４重量％配合
し、その接着剤組成物を使用して他の接着剤と同様に接
着剤Ｄを形成した。
に、さらに導電粒子（樹脂粒子：日本化学工業（株）
製、ブライト２０ＧＮＲ４．６ＥＨ）を４重量％配合
し、その接着剤組成物を使用して他の接着剤と同様に接
着剤Ｄを形成した。
【００３３】そして、接着剤Ｂに代えて接着剤Ｄを使用
する以外は実施例１と同様にして、ＩＣチップとガラス
基板とを熱圧着し、ＰＣＴ試験を行い、ＯＰＥＮ発生率
により導通特性を評価した。この結果を表５に示した。
する以外は実施例１と同様にして、ＩＣチップとガラス
基板とを熱圧着し、ＰＣＴ試験を行い、ＯＰＥＮ発生率
により導通特性を評価した。この結果を表５に示した。
【００３４】比較例５ バンプが形成されていないＩＣチップの中央部とガラス
基板との接着、及びバンプが形成されているＩＣチップ
の周辺部とガラス基板との接着のいずれにも接着剤Ａを
使用する以外は実施例３と同様にしてＩＣチップとガラ
ス基板とを熱圧着し、ＰＣＴ試験を行い、ＯＰＥＮ発生
率により導通特性を評価した。この結果を表５に示し
た。
基板との接着、及びバンプが形成されているＩＣチップ
の周辺部とガラス基板との接着のいずれにも接着剤Ａを
使用する以外は実施例３と同様にしてＩＣチップとガラ
ス基板とを熱圧着し、ＰＣＴ試験を行い、ＯＰＥＮ発生
率により導通特性を評価した。この結果を表５に示し
た。
【００３５】比較例６ バンプが形成されていないＩＣチップの中央部とガラス
基板との接着、及びバンプが形成されているＩＣチップ
の周辺部とガラス基板との接着のいずれにも接着剤Ｄを
使用する以外は実施例３と同様にしてＩＣチップとガラ
ス基板とを熱圧着し、ＰＣＴ試験を行い、ＯＰＥＮ発生
率により導通特性を評価した。この結果を表５に示し
た。
基板との接着、及びバンプが形成されているＩＣチップ
の周辺部とガラス基板との接着のいずれにも接着剤Ｄを
使用する以外は実施例３と同様にしてＩＣチップとガラ
ス基板とを熱圧着し、ＰＣＴ試験を行い、ＯＰＥＮ発生
率により導通特性を評価した。この結果を表５に示し
た。
【００３６】
【表５】 実施例３ 比較例５ 比較例６ 使用した接着剤 Ａ，Ｄ Ａのみ Ｄのみ ＯＰＥＮ発生率 ＰＣＴ試験前 ０ ０ ０ ＰＣＴ試験３時間後 ０ ２ ０ ＰＣＴ試験５時間後 ０ − １ 表４の結果から、バンプが形成されていないＩＣチップ
の中央部とガラス基板との接着には弾性率が低い接着剤
Ａを使用し，バンプが形成されているＩＣチップの周辺
部とガラス基板との接着には弾性率が高い接着剤Ｃを使
用した実施例は、ＩＣチップの周辺部と中央部とに同種
の接着剤を使用した比較例に比べて端子間の接続安定性
に優れていることがわかる。
の中央部とガラス基板との接着には弾性率が低い接着剤
Ａを使用し，バンプが形成されているＩＣチップの周辺
部とガラス基板との接着には弾性率が高い接着剤Ｃを使
用した実施例は、ＩＣチップの周辺部と中央部とに同種
の接着剤を使用した比較例に比べて端子間の接続安定性
に優れていることがわかる。
【００３７】
【発明の効果】この発明の方法によれば、ＩＣチップを
基板上にＣＯＧ方式で実装した場合に、高湿度あるいは
高温条件下でも安定的にＩＣチップと配線基板との端子
間を固定し、電気的接続を保持することが可能となる。
基板上にＣＯＧ方式で実装した場合に、高湿度あるいは
高温条件下でも安定的にＩＣチップと配線基板との端子
間を固定し、電気的接続を保持することが可能となる。
【図１】実施例の実装方法を説明する断面図である。
【図２】実施例の実装方法を説明する平面図である。
【図３】接着剤の弾性率の特性図ある。
１ 配線ガラス基板 １ａ 配線端子 ２ ＩＣチップ ２ａ バンプ ２ｘ ＩＣチップの中央部 ２ｙ ＩＣチップの周辺部 ３ 接着剤
Claims (2)
- 【請求項１】 バンプ状端子を有するＩＣチップの当該
バンプ状端子と配線基板の端子とが当接するように、両
者を接着剤で固定し電気的に接続するＩＣチップ実装方
法において、ＩＣチップのバンプ状端子形成部と配線基
板との間に熱硬化型の第１の接着剤を使用し、ＩＣチッ
プのバンプ状端子非形成部と配線基板との間に第２の接
着剤を使用し、該第１の接着剤の弾性率を該第２の接着
剤の弾性率よりも大きくすることを特徴とするＩＣチッ
プ実装方法。 - 【請求項２】 第１の接着剤の１００℃における弾性率
が１．０×１０９Ｐａ以上であり、第２の接着剤の１０
０℃における弾性率が１．０×１０９Ｐａ未満である請
求項１記載のＩＣチップ実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5072983A JP2830681B2 (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | Ｉｃチップ実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5072983A JP2830681B2 (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | Ｉｃチップ実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260533A true JPH06260533A (ja) | 1994-09-16 |
| JP2830681B2 JP2830681B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=13505140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5072983A Expired - Lifetime JP2830681B2 (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | Ｉｃチップ実装方法 |
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| Country | Link |
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-
1993
- 1993-03-08 JP JP5072983A patent/JP2830681B2/ja not_active Expired - Lifetime
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