JPH06260456A - 多層配線構造の製造方法 - Google Patents
多層配線構造の製造方法Info
- Publication number
- JPH06260456A JPH06260456A JP5070783A JP7078393A JPH06260456A JP H06260456 A JPH06260456 A JP H06260456A JP 5070783 A JP5070783 A JP 5070783A JP 7078393 A JP7078393 A JP 7078393A JP H06260456 A JPH06260456 A JP H06260456A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- insulating film
- wiring structure
- wall surface
- metal wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層配線構造の製造方法において、スルーホ
ール内壁面下部の空洞の発生を防止することにより、ス
ルーホール部分でのコンタクト抵抗の増大や、集積回路
の信頼性の低下等の問題を解決する。 【構成】 多層配線構造の製造方法の工程で、第１の金
属層３上に絶縁膜４を形成し、この絶縁膜４にリアクテ
ィブイオンエッチングによってスルーホールを形成す
る。その後、スルーホール形成後に残るスルーホール内
壁面上の重合物７を発煙硝酸によって取り除いたのち、
このスルーホール部を介して第１の金属層３と接するよ
うに絶縁膜４上に第２の金属層５を形成する。
ール内壁面下部の空洞の発生を防止することにより、ス
ルーホール部分でのコンタクト抵抗の増大や、集積回路
の信頼性の低下等の問題を解決する。 【構成】 多層配線構造の製造方法の工程で、第１の金
属層３上に絶縁膜４を形成し、この絶縁膜４にリアクテ
ィブイオンエッチングによってスルーホールを形成す
る。その後、スルーホール形成後に残るスルーホール内
壁面上の重合物７を発煙硝酸によって取り除いたのち、
このスルーホール部を介して第１の金属層３と接するよ
うに絶縁膜４上に第２の金属層５を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層配線構造の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、半導体集積回路の製造における多
層配線技術は、半導体集積回路の集積度向上のため特に
注目されている。なかでも配線材料として、ＡｌやＡｌ
にＳｉやＣｕを添加した材料を用いた多層配線構造は、
寄生抵抗の少ない多層配線技術として数多くの研究がな
されている。
層配線技術は、半導体集積回路の集積度向上のため特に
注目されている。なかでも配線材料として、ＡｌやＡｌ
にＳｉやＣｕを添加した材料を用いた多層配線構造は、
寄生抵抗の少ない多層配線技術として数多くの研究がな
されている。
【０００３】例えば、従来ＡｌやＡｌにＳｉやＣｕを添
加した材料を用いた多層配線構造においては、ＰＳＧ、
プラズマＳｉＮ等の絶縁膜が用いられ、前記絶縁膜を加
工する際には、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 等のフッ素系のガスを
用いたリアクティブイオンエッチングが、集積度を向上
させるために用いられている。
加した材料を用いた多層配線構造においては、ＰＳＧ、
プラズマＳｉＮ等の絶縁膜が用いられ、前記絶縁膜を加
工する際には、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 等のフッ素系のガスを
用いたリアクティブイオンエッチングが、集積度を向上
させるために用いられている。
【０００４】前記リアクティブイオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）とは、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 等のフッ素型のガスをプラ
ズマ化した際に発生するＦ+ が、プラズマ中の電場（エ
ッチングするウェハに対して垂直方向の電場）で加速さ
れ、絶縁膜に衝突して反応が起こり揮発性物質（例えば
絶縁膜がＳｉＮの場合は、ＳｉX ＦY ）を生成して除去
されていく事によりエッチングする方法である。
Ｅ）とは、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 等のフッ素型のガスをプラ
ズマ化した際に発生するＦ+ が、プラズマ中の電場（エ
ッチングするウェハに対して垂直方向の電場）で加速さ
れ、絶縁膜に衝突して反応が起こり揮発性物質（例えば
絶縁膜がＳｉＮの場合は、ＳｉX ＦY ）を生成して除去
されていく事によりエッチングする方法である。
【０００５】前記ＲＩＥにおいては、加速されたＦ+ に
よってエッチングが起こるため、基本的に異方性エッチ
ングとなる。しかしながら、より完全な異方性を確保す
るため、例えばＳｉＮ絶縁膜のＲＩＥ加工においては、
フォトレジスト等の分解物を絶縁膜の側壁に付着させる
ことで、エッチングが横方向に進まないようにしてい
る。
よってエッチングが起こるため、基本的に異方性エッチ
ングとなる。しかしながら、より完全な異方性を確保す
るため、例えばＳｉＮ絶縁膜のＲＩＥ加工においては、
フォトレジスト等の分解物を絶縁膜の側壁に付着させる
ことで、エッチングが横方向に進まないようにしてい
る。
【０００６】この場合は、前記フォトレジスト等の分解
物は、マスクとしてのフォトレジストが加速されたＦ+
によってスパッタリングされることにより生成する。こ
のような側壁付着物は、エッチング条件を選べば、ＣＨ
Ｆ3 等の有機物付着性のガスによる有機重合物によって
も形成することができる。
物は、マスクとしてのフォトレジストが加速されたＦ+
によってスパッタリングされることにより生成する。こ
のような側壁付着物は、エッチング条件を選べば、ＣＨ
Ｆ3 等の有機物付着性のガスによる有機重合物によって
も形成することができる。
【０００７】前述の付着物のうち、絶縁膜と垂直な方向
で生成したものは、加速されたＦ+によって順次エッチ
ングされてしまうのに対し、絶縁膜と水平方向で生成し
た付着物は、加速されたＦ+ によってエッチングされな
いため絶縁物の表面に残り、絶縁膜のエッチングを防止
することとなる。以上の現象により、ＲＩＥにおけるエ
ッチング加工量の完全な異方性が確保される。
で生成したものは、加速されたＦ+によって順次エッチ
ングされてしまうのに対し、絶縁膜と水平方向で生成し
た付着物は、加速されたＦ+ によってエッチングされな
いため絶縁物の表面に残り、絶縁膜のエッチングを防止
することとなる。以上の現象により、ＲＩＥにおけるエ
ッチング加工量の完全な異方性が確保される。
【０００８】そして、前記リアクティブイオンエッチン
グにより生成した重合物残渣は、酸素プラズマによるレ
ジスト剥離工程においても除去されないため、Ａｌのウ
エットエッチング液（燐酸、水、酢酸、硝酸の混合物）
に入れて除去している。
グにより生成した重合物残渣は、酸素プラズマによるレ
ジスト剥離工程においても除去されないため、Ａｌのウ
エットエッチング液（燐酸、水、酢酸、硝酸の混合物）
に入れて除去している。
【０００９】このような工程を含む従来の多層配線構造
の製造方法の一例を図面に基づいて説明する。図２
（ａ）〜（ｄ）は該従来の多層配線構造の製造方法を工
程順に示す断面図であるが、同図において、２１は基
板、２２は第１の絶縁膜、２３は第１の絶縁膜上に形成
されたアルミ合金からなる第１の金属配線、２４はＰＳ
ＧもしくはプラズマＳｉＮよりなる第２の絶縁膜、２５
はアルミ合金からなる第２の金属配線、２６はスルーホ
ールをエッチングするためのレジスト、２７はスルーホ
ール側壁に形成された重合物残渣である。
の製造方法の一例を図面に基づいて説明する。図２
（ａ）〜（ｄ）は該従来の多層配線構造の製造方法を工
程順に示す断面図であるが、同図において、２１は基
板、２２は第１の絶縁膜、２３は第１の絶縁膜上に形成
されたアルミ合金からなる第１の金属配線、２４はＰＳ
ＧもしくはプラズマＳｉＮよりなる第２の絶縁膜、２５
はアルミ合金からなる第２の金属配線、２６はスルーホ
ールをエッチングするためのレジスト、２７はスルーホ
ール側壁に形成された重合物残渣である。
【００１０】先ず、図２（ａ）を参照して、基板２１上
に例えば熱酸化法、ＣＶＤ法などによりＳｉＯ2 、ＰＳ
Ｇ等の材質である第１の絶縁膜２２を形成した後、該第
１の絶縁膜２２上に例えばスパッタ法などにより金属配
線膜を形成する。この金属配線膜は写真製版技術及びリ
アクティブイオンエッチングによって加工することによ
り、第１の金属配線２３となる。
に例えば熱酸化法、ＣＶＤ法などによりＳｉＯ2 、ＰＳ
Ｇ等の材質である第１の絶縁膜２２を形成した後、該第
１の絶縁膜２２上に例えばスパッタ法などにより金属配
線膜を形成する。この金属配線膜は写真製版技術及びリ
アクティブイオンエッチングによって加工することによ
り、第１の金属配線２３となる。
【００１１】更に、前記第１の金属配線２３上と第１の
絶縁膜２２上とに、ＣＶＤ法等によりＰＳＧもしくはプ
ラズマＳｉＮ等よりなる第２の絶縁膜２４を形成する。
そして、写真製版技術によって前記第２の絶縁膜２４の
上にスルーホールを形成するためのレジスト２６を形成
する。このレジスト２６を形成した状態が図２（ａ）で
ある。
絶縁膜２２上とに、ＣＶＤ法等によりＰＳＧもしくはプ
ラズマＳｉＮ等よりなる第２の絶縁膜２４を形成する。
そして、写真製版技術によって前記第２の絶縁膜２４の
上にスルーホールを形成するためのレジスト２６を形成
する。このレジスト２６を形成した状態が図２（ａ）で
ある。
【００１２】そして、マスクとしての前記レジスト２６
を形成した状態の素子に、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 等のフッ素
系のガスを用いたリアクティブイオンエッチングによっ
て、スルーホールを形成し、その後、酸素プラズマによ
り、マスクである前記レジスト２６を剥離する。このレ
ジスト２６を剥離した状態を示したのが図２（ｂ）であ
るが、同図に見られるように、前記レジストを剥離する
酸素プラズマでは、前記リアクティブイオンエッチング
によってスルーホールの内壁面に付着した重合物残渣２
７は除去できない。
を形成した状態の素子に、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 等のフッ素
系のガスを用いたリアクティブイオンエッチングによっ
て、スルーホールを形成し、その後、酸素プラズマによ
り、マスクである前記レジスト２６を剥離する。このレ
ジスト２６を剥離した状態を示したのが図２（ｂ）であ
るが、同図に見られるように、前記レジストを剥離する
酸素プラズマでは、前記リアクティブイオンエッチング
によってスルーホールの内壁面に付着した重合物残渣２
７は除去できない。
【００１３】そこで、この重合物残渣２７を除去するた
めに、スルーホール内壁面をウェットエッチング液（燐
酸、水、酢酸、硝酸の混合物）に浸漬する。このウェッ
トエッチング液による重合物残渣２７の除去を行った後
の状態を示したものが、図２（ｃ）である。
めに、スルーホール内壁面をウェットエッチング液（燐
酸、水、酢酸、硝酸の混合物）に浸漬する。このウェッ
トエッチング液による重合物残渣２７の除去を行った後
の状態を示したものが、図２（ｃ）である。
【００１４】そして、前記重合物残渣２７の除去後、第
２の絶縁膜２４及び第１の金属配線２３上にアルミ合金
からなる金属配線膜をスパッタ法等の方法で形成し、写
真製版技術及びリアクティブエッチングによって第２の
金属配線２５を形成する。この第２の金属配線２５を形
成した状態を図２（ｄ）に示すが、このようにして、従
来の多層配線構造は製造されていた。
２の絶縁膜２４及び第１の金属配線２３上にアルミ合金
からなる金属配線膜をスパッタ法等の方法で形成し、写
真製版技術及びリアクティブエッチングによって第２の
金属配線２５を形成する。この第２の金属配線２５を形
成した状態を図２（ｄ）に示すが、このようにして、従
来の多層配線構造は製造されていた。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の多層配線構造の製造方法においては、前記スルーホ
ール内壁面に付着した重合物残渣を除去する工程におい
て、図２（ｃ）に示すようにスルーホール内壁面の下部
にくびれが生じた。
来の多層配線構造の製造方法においては、前記スルーホ
ール内壁面に付着した重合物残渣を除去する工程におい
て、図２（ｃ）に示すようにスルーホール内壁面の下部
にくびれが生じた。
【００１６】このくびれは、図２（ｄ）に示すように、
第２の金属配線２５を形成した場合に空洞Ａとして残
り、この空洞に水分や酸が残留して、スルーホール部分
でのコンタクト抵抗の増大や集積回路の信頼性の低下等
を引き起こしており、その解決が望まれていた。
第２の金属配線２５を形成した場合に空洞Ａとして残
り、この空洞に水分や酸が残留して、スルーホール部分
でのコンタクト抵抗の増大や集積回路の信頼性の低下等
を引き起こしており、その解決が望まれていた。
【００１７】本発明は、このような従来の多層配線構造
の製造方法の問題を解決するもので、スルーホール部分
でのコンタクト抵抗の増大や、集積回路の信頼性が低下
しない多層配線構造を得るために、スルーホール内壁面
上にくびれが発生しない多層配線構造の製造方法を得る
ことを目的とする。
の製造方法の問題を解決するもので、スルーホール部分
でのコンタクト抵抗の増大や、集積回路の信頼性が低下
しない多層配線構造を得るために、スルーホール内壁面
上にくびれが発生しない多層配線構造の製造方法を得る
ことを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成すべく、
本願発明は、第１の金属層上に絶縁膜を形成し、該絶縁
膜にリアクティブイオンエッチングによってスルーホー
ルを形成した後、前記スルーホール部を介して前記第１
の金属層と接するように前記絶縁膜上に第２の金属層を
形成する多層配線構造の製造方法において、前記スルー
ホール形成後にスルーホール内壁面上の重合物残渣を発
煙硝酸との接触により除去することを特徴とする多層配
線構造の製造方法に係るものである。
本願発明は、第１の金属層上に絶縁膜を形成し、該絶縁
膜にリアクティブイオンエッチングによってスルーホー
ルを形成した後、前記スルーホール部を介して前記第１
の金属層と接するように前記絶縁膜上に第２の金属層を
形成する多層配線構造の製造方法において、前記スルー
ホール形成後にスルーホール内壁面上の重合物残渣を発
煙硝酸との接触により除去することを特徴とする多層配
線構造の製造方法に係るものである。
【００１９】
【作用】前記のように構成された本発明においては、リ
アクティブエッチングによってスルーホールを形成した
後に、スルーホール内壁面上の重合物残渣を発煙硝酸と
の接触により除去することにより、スルーホール内壁面
を何ら変化させることなく、重合物残渣を除去すること
が可能である。
アクティブエッチングによってスルーホールを形成した
後に、スルーホール内壁面上の重合物残渣を発煙硝酸と
の接触により除去することにより、スルーホール内壁面
を何ら変化させることなく、重合物残渣を除去すること
が可能である。
【００２０】従来のウェットエッチング液によってスル
ーホール内壁面上の重合物残渣を除去する方法では、前
述のようにスルーホール内壁面下部にくびれが発生し、
このくびれが最終的には、スルーホール部分に空洞とし
て残る。この空洞内に、水分や酸などの残留物が溜っ
て、コンタクト抵抗の増大や、集積回路の信頼性の低下
を引き起こす等の問題があったが、本発明では、前述の
ように発煙硝酸によってスルーホール内壁面上の重合物
残渣を除去することで、スルーホール内壁面を何ら変化
させることなく重合物残渣を除去することが可能である
ので、前述のようなくびれに起因する空洞の発生を防ぐ
ことができる。
ーホール内壁面上の重合物残渣を除去する方法では、前
述のようにスルーホール内壁面下部にくびれが発生し、
このくびれが最終的には、スルーホール部分に空洞とし
て残る。この空洞内に、水分や酸などの残留物が溜っ
て、コンタクト抵抗の増大や、集積回路の信頼性の低下
を引き起こす等の問題があったが、本発明では、前述の
ように発煙硝酸によってスルーホール内壁面上の重合物
残渣を除去することで、スルーホール内壁面を何ら変化
させることなく重合物残渣を除去することが可能である
ので、前述のようなくびれに起因する空洞の発生を防ぐ
ことができる。
【００２１】
【実施例】本発明の一実施例を図面を参照して説明す
る。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の多層配線構造の製造
方法を工程順に示す断面図であるが、同図において、１
は基板、２は第１の絶縁膜、３は第１の絶縁膜上に形成
されたアルミ合金からなる第１の金属配線、４はＰＳＧ
もしくはプラズマＳｉＮよりなる第２の絶縁膜、５はア
ルミ合金からなる第２の金属配線、６はスルーホールを
エッチングするためのレジスト、７はスルーホール側壁
に形成された重合物残渣である。
る。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の多層配線構造の製造
方法を工程順に示す断面図であるが、同図において、１
は基板、２は第１の絶縁膜、３は第１の絶縁膜上に形成
されたアルミ合金からなる第１の金属配線、４はＰＳＧ
もしくはプラズマＳｉＮよりなる第２の絶縁膜、５はア
ルミ合金からなる第２の金属配線、６はスルーホールを
エッチングするためのレジスト、７はスルーホール側壁
に形成された重合物残渣である。
【００２２】先ず図１（ａ）を参照して、基板１上に例
えば熱酸化法、ＣＶＤ法などによりＳｉＯ2 、ＰＳＧ等
の材質である第１の絶縁膜２を形成する。前記第１の絶
縁膜２上に例えばスパッタ法などにより金属配線膜を形
成する。前記金属配線膜は写真製版技術及びリアクティ
ブイオンエッチングによって加工することにより、第１
の金属配線３となる。
えば熱酸化法、ＣＶＤ法などによりＳｉＯ2 、ＰＳＧ等
の材質である第１の絶縁膜２を形成する。前記第１の絶
縁膜２上に例えばスパッタ法などにより金属配線膜を形
成する。前記金属配線膜は写真製版技術及びリアクティ
ブイオンエッチングによって加工することにより、第１
の金属配線３となる。
【００２３】更に、前記第１の金属配線３上と第１の絶
縁膜２上とに、ＣＶＤ法等によりＰＳＧもしくはプラズ
マＳｉＮ等よりなる第２の絶縁膜４を形成する。写真製
版技術によって、第２の絶縁膜上にレジスト６を形成す
る。前記レジスト６を形成した状態が図１（ａ）であ
る。
縁膜２上とに、ＣＶＤ法等によりＰＳＧもしくはプラズ
マＳｉＮ等よりなる第２の絶縁膜４を形成する。写真製
版技術によって、第２の絶縁膜上にレジスト６を形成す
る。前記レジスト６を形成した状態が図１（ａ）であ
る。
【００２４】マスクとして前記レジストを形成した状態
の素子に、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 等のフッ素系のガスを用い
たリアクティブイオンエッチングによって、スルーホー
ルを形成する。前記スルーホールを形成後、酸素プラズ
マにより、マスクである前記レジスト６を剥離する。こ
のレジスト６を剥離した状態が図１（ｂ）である。同図
に見られるように、前記リアクティブイオンエッチング
によって前記スルーホール内壁面に付着した重合物残渣
は、前記酸素プラズマで前記レジストを剥離しただけで
は除去できない。
の素子に、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 等のフッ素系のガスを用い
たリアクティブイオンエッチングによって、スルーホー
ルを形成する。前記スルーホールを形成後、酸素プラズ
マにより、マスクである前記レジスト６を剥離する。こ
のレジスト６を剥離した状態が図１（ｂ）である。同図
に見られるように、前記リアクティブイオンエッチング
によって前記スルーホール内壁面に付着した重合物残渣
は、前記酸素プラズマで前記レジストを剥離しただけで
は除去できない。
【００２５】この重合物残渣７を除去するために前記図
１（ｂ）の状態の素子を発煙硝酸に接触させる。この発
煙硝酸による重合物残渣７の除去後の状態を示したの
が、図１（ｃ）である。同図に示したように前記重合物
残渣７を発煙硝酸で除去することによって、第１の金属
配線を何ら変化させることなく前記内壁上に付着した重
合物残渣の除去を行うことが可能である。
１（ｂ）の状態の素子を発煙硝酸に接触させる。この発
煙硝酸による重合物残渣７の除去後の状態を示したの
が、図１（ｃ）である。同図に示したように前記重合物
残渣７を発煙硝酸で除去することによって、第１の金属
配線を何ら変化させることなく前記内壁上に付着した重
合物残渣の除去を行うことが可能である。
【００２６】そして、前記発煙硝酸にて重合物残渣７の
除去後、アルミ合金からなる金属配線膜をスパッタ法等
の方法で形成し、写真製版技術及びリアクティブエッチ
ングによって、第２の金属配線５とする。この状態を示
すのが図１（ｄ）である。同図からも明らかなように、
スルーホール内壁面下部には従来見られた前記空洞Ａは
存在せず、第１の金属配線３と第２の金属配線５との完
全な接触が得られている。
除去後、アルミ合金からなる金属配線膜をスパッタ法等
の方法で形成し、写真製版技術及びリアクティブエッチ
ングによって、第２の金属配線５とする。この状態を示
すのが図１（ｄ）である。同図からも明らかなように、
スルーホール内壁面下部には従来見られた前記空洞Ａは
存在せず、第１の金属配線３と第２の金属配線５との完
全な接触が得られている。
【００２７】
【発明の効果】本発明は以上説明したとおり、スルーホ
ール形成後に、該スルーホール内壁面上の重合物残渣を
発煙硝酸との接触により除去することとしたため、従来
の製造方法において発生したスルーホール内壁下部のく
びれに起因するスルーホール部分の空洞は生じず、多層
配線構造におけるスルーホール部分でのコンタクト抵抗
の増大を防止できるとともに、集積回路の信頼性の向上
を図ることができる。
ール形成後に、該スルーホール内壁面上の重合物残渣を
発煙硝酸との接触により除去することとしたため、従来
の製造方法において発生したスルーホール内壁下部のく
びれに起因するスルーホール部分の空洞は生じず、多層
配線構造におけるスルーホール部分でのコンタクト抵抗
の増大を防止できるとともに、集積回路の信頼性の向上
を図ることができる。
【図１】図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例に係る
多層配線構造の製造方法を工程順に示す要部断面図であ
る。
多層配線構造の製造方法を工程順に示す要部断面図であ
る。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は従来の多層配線構造の製
造方法を工程順に示す要部断面図である。
造方法を工程順に示す要部断面図である。
１、２１ 基板 ２、２２ 第１の絶縁膜 ３、２３ 第１の金属配線 ４、２４ 第２の絶縁膜 ５、２５ 第２の金属配線 ６、２６ レジスト ７、２７ 重合物残渣 Ａ くびれに起因する空洞 尚、各図中同一符号は、同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の金属層上に絶縁膜を形成し、該絶
縁膜にリアクティブイオンエッチングによってスルーホ
ールを形成した後、前記スルーホール部を介して前記第
１の金属層と接するように前記絶縁膜上に第２の金属層
を形成する多層配線構造の製造方法において、 前記スルーホール形成後にスルーホール内壁面上の重合
物残渣を発煙硝酸との接触により除去することを特徴と
する多層配線構造の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5070783A JPH06260456A (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | 多層配線構造の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5070783A JPH06260456A (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | 多層配線構造の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260456A true JPH06260456A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=13441473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5070783A Pending JPH06260456A (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | 多層配線構造の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260456A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009177102A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置の電極の製造方法 |
-
1993
- 1993-03-08 JP JP5070783A patent/JPH06260456A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009177102A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置の電極の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5316974A (en) | Integrated circuit copper metallization process using a lift-off seed layer and a thick-plated conductor layer | |
| EP0046525B1 (en) | Planar multi-level metal-insulator structure comprising a substrate, a conductive interconnection pattern and a superposed conductive structure and a method to form such a structure | |
| EP0030116A2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having a patterned multi-layer structure | |
| JPH02278820A (ja) | エアブリッジ金属相互接続の製造方法 | |
| JPH11260921A (ja) | 半導体素子の多層配線用ビアホ―ルの形成方法 | |
| US6147003A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JPH06260456A (ja) | 多層配線構造の製造方法 | |
| JP3527165B2 (ja) | コンタクトホール形成方法 | |
| JP2003124312A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100467810B1 (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| JP2002246393A (ja) | メタル配線形成方法 | |
| JPH10125654A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03248429A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0181959B1 (ko) | 반도체 장치의 비아홀 형성방법 | |
| KR100450240B1 (ko) | 콘택홀 형성 방법 및 이 콘택홀을 갖는 반도체 소자 | |
| WO1996019826A1 (en) | A method of fabricating integrated circuits using bilayer dielectrics | |
| JP2003197737A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR19980702211A (ko) | 2 층 이상의 금속 배선층을 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JPH05315459A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05206125A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20020090813A1 (en) | Method for forming a dual damascene opening by liquid phase deposition | |
| JPH08124907A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0416011B2 (ja) | ||
| JPH0536684A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06224191A (ja) | 半導体の製造方法 |