JPH06259743A

JPH06259743A - 磁気記録媒体及び磁気記録装置

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Publication number: JPH06259743A
Application number: JP4884793A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Nakamura; 敦中村; Yoshiyuki Hirayama; 義幸平山; Nobuyuki Inaba; 信幸稲葉; Yoshifumi Matsuda; 好文松田; Masaaki Futamoto; 正昭二本
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-03-10
Filing date: 1993-03-10
Publication date: 1994-09-16
Anticipated expiration: 2018-01-27
Also published as: JP3370720B2

Abstract

(57)【要約】【目的】磁性膜の結晶配向性が向上し、面内方向の保磁
力、角形比を向上させた磁気記録媒体を提供すること。【構成】非磁性基板１５と、この上に直接又はなんらか
の下地膜を介して設けられたＮａＣｌ型結晶構造を持つ
第２下地膜１４と、この上に設けられた体心立方構造を
持つ第１下地膜１３と、さらにこの上に設けられた六方
最密充填構造を持つ磁性膜１２とからなる磁気記録媒
体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高密度磁気記録に適す
る磁性膜を有する磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記
録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】高密度磁気記録に適する記録媒体とし
て、非磁性基板上に形成した連続磁性膜を有する磁気記
録媒体が用いられている。磁性膜は例えばＣｏのような
強磁性金属を主成分とする合金の薄膜であり、スパッタ
リング法、真空蒸着法、化学めっき法等の方法により形
成される。磁気記録媒体としての特性は、この磁性膜の
微細構造と密接な関係があることが知られており、磁気
記録特性を向上させるために磁性膜の改良が試みられて
いる。

【０００３】一般に磁気記録媒体に用いられるＣｏ合金
の結晶構造は、単体のＣｏと同様のｈ．ｃ．ｐ．（六方
最密充填）構造であり、ｃ軸の方向（〔０００１〕方
向）に磁化容易軸を持つ。面内磁気記録媒体としてＣｏ
合金を用いる場合には、個々の結晶粒の磁化容易軸を磁
性膜面内に向かせるか、あるいは少なくとも磁性膜面に
平行な成分を持たせることが必要となる。またその結果
として高保磁力、高角形比といった磁気記録媒体として
好ましい磁気特性が得られるようになる。

【０００４】そのために、磁牲膜と基板との間にｂ．
ｃ．ｃ．（体心立方）構造を持つ金属の下地膜を設ける
ことが試みられている。例えば、特開昭６２−２５７６
１８にはＣｏ−Ｐｔ合金磁性膜の下地膜にＣｒ−Ｖ合金
又はＣｒ−Ｆｅ合金を用いる方法が、特開平１−２２０
２１７にはＣｏ合金磁性膜の下地膜にＣｒを用いる方法
が開示されている。いずれもｈ．ｃ．ｐ．磁性膜の｛１
１２０｝面がｂ．ｃ．ｃ．下地膜の｛１００｝面上にエ
ピタキシャル成長することを利用するもので、＜１００
＞優先配向したｂ．ｃ．ｃ．下地膜を用いれば膜面内に
磁化容易軸を持つような＜１１２０＞優先配向したｈ．
ｃ．ｐ．磁性膜が得られることが示されている。

【０００５】一方、＜１００＞優先配向したｂ．ｃ．
ｃ．下地膜を得る方法については、上記特開平１−２２
０２１７に、ＮｉＰ膜を被着したＡｌ基板上に、基板温
度を１５０℃以上に高めて、厚さ５〜２０ｎｍの薄いＣ
ｒ膜を毎分１００〜４００ｎｍの高速スパッタリングで
形成する方法が述べられている。またジャーナル・オブ
・アプライド・フィジックス、６７巻、４９１３〜４９
１５頁（１９９０年）（J．Appl．Phys．vol 67，p4913
〜4915（1990））に記載のデュアンら（Ｓ．Ｌ．Ｄｕａ
ｎｅｔａｌ）の論文には、ガラス基板上に、基板温
度を２００℃以上に高めて厚さ１７０ｎｍのＣｒ膜を形
成すると＜１００＞優先配向した膜が得られることが示
されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前述のように、面内磁
気記録媒体にＣｏ合金を用いる場合、個々の結晶粒の磁
化容易軸を膜面内に向けるために、＜１００＞優先配向
したｂ．ｃ．ｃ．下地膜を設けることが有効である。し
かし一般にｂ．ｃ．ｃ．構造を持つ金属、合金は、＜１
１０＞優先配向しやすい性質を持っている。このため上
記金属、合金を基板上に直接形成した場合、成膜条件を
最適化するだけで十分に＜１００＞優先配向した薄膜を
得ることは容易ではないという問題があった。

【０００７】本発明の目的は、磁性膜の結晶配向性が向
上した磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録装置を提
供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板と、この非磁
性基板上に、直接又はなんらかの下地膜を介して設けら
れた２層の下地膜と、この２層の下地膜上に設けられた
磁性膜とを有し、磁性膜は、六方最密充填構造を持ち、
２層の下地膜のうち、磁性膜の直下に設けられた第１下
地膜は、体心立方構造を持ち、第１下地膜の直下に設け
られた第２下地膜は、ＮａＣｌ型結晶構造を持つように
構成する。

【０００９】図１に本発明の磁気記録媒体の一例の模式
図を示して説明する。ｈ．ｃ．ｐ．構造を持つ磁性膜１
２が、ｂ．ｃ．ｃ．構造を持つ第１下地膜１３上に形成
されている。この第１下地膜１３は、ＮａＣｌ型結晶構
造を持つ第２下地膜１４上に形成されている。第２下地
膜は非磁性基板１５上に直接又はなんらかの下地膜を介
して形成されている。磁性膜１２の上には保護膜１１が
形成されることが好ましい。

【００１０】磁性膜は、優先配向方位が＜１１２０＞で
あり、第１下地膜及び第２下地膜は、いずれも優先配向
方位が＜１００＞であることが好ましい。また、第１下
地膜及び第２下地膜は、いずれも非磁性材料からなるこ
とが好ましい。

【００１１】さらに、磁性膜は、Ｃｏ又はＣｏを主成分
とする合金からなることが好ましい。Ｃｏを主成分とす
る合金は、従来から種々の合金が磁性膜として用いられ
ており、本発明においてもそのような合金を用いること
ができる。磁性膜の厚さは１０〜１００ｎｍの範囲であ
ることが実用的に望ましい。磁性膜は、真空蒸着法、ス
パッタリング法等の方法で形成することができる。

【００１２】第１下地膜の材料としては、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びこれらの元素を主成分とする合
金からなる群から選ばれた少なくとも一種の材料を用い
ることが好ましい。もちろん、第１下地膜の材料は、こ
れらの材料に限定されるものではなく、ｂ．ｃ．ｃ．構
造を持つ他の金属、合金を用いることも可能である。第
１下地膜の厚さは２〜３００ｎｍの範囲にあることが実
用的に望ましい。第１下地膜も磁性膜と同様に真空蒸着
法、スパッタリング法等の方法で形成することができ
る。

【００１３】第２下地膜の材料としては、ハロゲン化ア
ルカリ、すなわち、アルカリ金属元素（Ｌｉ、Ｎａ、
Ｋ、Ｒｂ）とハロゲン元素（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）の化
合物、ＭｇＯ、ＨｆＣ、ＮｂＣ、ＴａＣ、ＴｉＣ、Ｖ
Ｃ、ＺｒＣ、ＴｉＮ、ＶＮ、ＺｒＮ及びこれらの無機化
合物を主成分とする混晶からなる群から選ばれた少なく
とも一種の材料を用いることが好ましい。第２下地膜の
材料についても、これらの材料に限定されるものではな
く、ＮａＣｌ型結晶構造を持つ他の化合物、混晶を用い
ることも可能である。第２下地膜の厚さは、２〜３００
ｎｍの範囲にあることが実用的に望ましい。第２下地膜
は、真空蒸着法、スパッタリング法、化学気相成長法、
イオンプレーティング法等の方法で形成することができ
る。

【００１４】磁性膜がＣｏ又はＣｏを主成分とする合金
からなるとき、第１下地膜は、Ｃｒ又はＣｒを主成分と
する合金からなることが好ましい。また、第１下地膜が
Ｃｒ又はＣｒを主成分とする合金からなるとき、第２下
地膜は、ＭｇＯ、ＬｉＦ又はこれらの無機化合物を主成
分とする混晶からなることが好ましい。

【００１５】また、本発明の磁気記録装置は、上記のよ
うな磁気記録媒体、この磁気記録媒体を保持する保持
具、磁気記録媒体の磁性膜上に配置され、情報を記録、
再生するための磁気ヘッド、磁気ヘッドと磁気記録媒体
の相対的位置を移動させるための移動手段及びこれらを
制御するための制御手段とから構成される。

【００１６】

【作用】ｈ．ｃ．ｐ．構造を持つ磁性膜のｃ軸を膜面内
に向かせる場合、膜面に平行になるべき低指数の結晶面
は図２に示すように｛１１２０｝面か｛１１００｝面が
考えられる。このうち｛１１２０｝面を膜面に平行にす
るためには、＜１００＞優先配向したｂ．ｃ．ｃ．構造
を持つ下地膜を用いるとよいことが知られている。ｈ．
ｃ．ｐ．構造の｛１１２０｝面とｂ．ｃ．ｃ．構造の
｛１００｝面の整合関係を図３に示す。ｂ．ｃ．ｃ．構
造を持つ非磁性下地膜材料にはＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ及びこれらの元素を主成分とする合金が考えら
れるが、その｛１００｝面上での原子間距離が、上記磁
性膜材料の｛１１２０｝面内での原子間距離と整合する
ように選択するとよい。具体的には図３から理解される
ように、下記式１と式２がなるべく近い値をとるように
する。

【００１７】ａ（ｂｃｃ）×２ ……（１） √（ｃ（ｈｃｐ）²＋ａ（ｈｃｐ）²×３） ……（２）ここに、ａ（ｂｃｃ）はｂ．ｃ．ｃ．構造のａ軸の格子
定数、ｃ（ｈｃｐ）はｈ．ｃ．ｐ．構造のｃ軸の格子定
数、ａ（ｈｃｐ）はｈ．ｃ．ｐ．構造のａ軸の格子定数
である。式１と式２の差は、±１０％以下が好ましく、
±４％以下がより好ましい。

【００１８】ところがｂ．ｃ．ｃ．結晶は一般に＜１１
０＞優先配向しやすい性質を持っている。このため基板
上に直接形成して＜１００＞優先配向させることは容易
ではない。

【００１９】そこで本発明では、上記ｂ．ｃ．ｃ．下地
膜（第１下地膜）の配向性を、その直下に設けたＮａＣ
ｌ型結晶構造を持つ第２下地膜によって制御する。これ
は図４に示すように、ｂ．ｃ．ｃ．構造の｛１００｝面
が、ＮａＣｌ型結晶構造の｛１００｝面上にエピタキシ
ャル成長しやすいことを利用するものである。さらにＮ
ａＣｌ型結晶は一般に＜１００＞優先配向しやすい性質
を持っている。従ってその表面にｂ．ｃ．ｃ．結晶をエ
ピタキシャル成長させることによって、十分に＜１００
＞優先配向したｂ．ｃ．ｃ．結晶の膜を得ることができ
る。

【００２０】ＮａＣｌ型結晶構造を持つ非磁性下地膜材
料には、アルカリ金属元素（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ）と
ハロゲン元素（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）のつくるハロゲン
化アルカリ、ＭｇＯ、ＨｆＣ、ＮｂＣ、ＴａＣ、Ｔｉ
Ｃ、ＶＣ、ＺｒＣ、ＴｉＮ、ＶＮ、ＺｒＮ及びこれらの
無機化合物を主成分とする混晶等が考えられるが、特に
｛１００｝面内での原子間距離が、上記ｂ．ｃ．ｃ．第
１下地膜の｛１００｝面内での原子間距離と整合するよ
うに選択するとよい。具体的には図４から理解されるよ
うにに、下記式３と式４がなるべく近い値をとるように
する。

【００２１】ａ（ｂｃｃ）×√２ ……（３）ａ（ＮａＣｌ） ……（４）ここに、ａ（ｂｃｃ）は上述の意味を有し、ａ（ＮａＣ
ｌ）はＮａＣｌ型結晶構造のａ軸の格子定数である。式
３と式４の差は、±２０％以下が好ましく、±５％以下
がより好ましい。

【００２２】十分に＜１００＞優先配向させた上記ｂ．
ｃ．ｃ．第１下地膜上にｈ．ｃ．ｐ．磁性膜をエピタキ
シャル成長させると、＜１１２０＞優先配向し、個々の
結晶粒の磁化容易軸が膜面内に向いた磁性膜が得られ
る。このようにして得た磁性膜は、基板上にｂ．ｃ．
ｃ．下地膜のみを形成し、その上にｈ．ｃ．ｐ．磁性膜
を形成した場合に比較して、膜面内方向でより高い保磁
力と角形比を示し、より高密度の記録再生が可能な面内
磁気記録媒体として用いることができる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。〈実施例１〉直径３．５インチのガラス基板を用い、図
５に示すような断面構造を持つ磁気記録媒体を、高周波
マグネトロンスパッタリング法によって作製した。ガラ
ス基板５５の両面に、ＭｇＯ下地膜５４、５４’、Ｃｒ
下地膜５３、５３’、Ｃｏ合金磁性膜５２、５２’、カ
ーボン保護膜５１、５１’をこの順序で形成する。な
お、ＭｇＯ下地膜５４、５４’はＮａＣｌ型結晶構造で
あり、Ｃｒ下地膜５３、５３’はｂ．ｃ．ｃ．構造であ
り、Ｃｏ合金磁性膜５２、５２’はｈ．ｃ．ｐ．構造で
ある。

【００２４】ＭｇＯ下地膜５４、５４’は混合比９／１
のアルゴン／酸素混合ガスを用い、ガスの圧力は０．５
〜１．５Ｐａ、基板温度３００℃、成膜速度毎分３〜５
ｎｍの条件で形成した。Ｃｒ下地膜５３、５３’、Ｃｏ
合金磁性膜５２、５２’及びカーボン保護膜５１、５
１’の成膜にはアルゴンガスを用い、ガスの圧力０．７
Ｐａ、基板温度１５０℃、成膜速度毎分５０ｎｍの条件
で形成した。磁性膜５２、５２’の形成に用いるターゲ
ットの組成はＣｏ−１５ａｔ．％Ｃｒ−８ａｔ．％Ｐｔ
とした。各膜の膜厚は、ＭｇＯ下地膜が５０ｎｍ、Ｃｒ
下地膜が５０ｎｍ、Ｃｏ合金磁性膜が３０ｎｍ、カーボ
ン保護膜が１０ｎｍとした。上記の膜形成はすべて同一
の真空槽内で真空を破ることなく連続して行った。

【００２５】作製した試料の結晶配向をＸ線回折によっ
て、磁気特性を試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用いてそ
れぞれ測定した。その結果本実施例の磁気記録媒体は、
ＭｇＯ下地膜を設けない他は全く同様の条件で作製し
た磁気記録媒体と比較して、Ｃｒ下地膜の＜１００＞配
向、Ｃｏ合金磁性膜の＜１１２０＞配向ともに著しく改
善され、膜面内方向の保磁力が９．３％（１４０Ｏｅ）
向上し、角形比が１１％（０．０９）向上した。

【００２６】なお、この磁気記録媒体のＣｏ合金磁性膜
とＣｒ下地膜とＭｇＯ下地膜のそれぞれの結晶構造から
計算される前記式１と式２の差は、−３．８％であり、
式３と式４の差は、−３．２％である。

【００２７】〈実施例２〉直径３．５インチのガラス基
板を用い、図６に示すような断面構造を持つ磁気記録媒
体を、高周波マグネトロンスパッタリング法によって作
製した。ガラス基板６５の両面に、ＬｉＦ下地膜６４、
６４’、Ｃｒ下地膜６３、６３’、Ｃｏ合金磁性膜６
２、６２’、カーボン保護膜６１、６１’をこの順序で
形成する。なお、ＬｉＦ下地膜６４、６４’はＮａＣｌ
型結晶構造であり、Ｃｒ下地膜６３、６３’はｂ．ｃ．
ｃ．構造であり、Ｃｏ合金磁性膜６２、６２’はｈ．
ｃ．ｐ．構造である。

【００２８】ＬｉＦ下地膜６４、６４’はアルゴンガス
を用い、ガスの圧力は０．５〜１．５Ｐａ、基板温度３
００℃、成膜速度毎分３〜５ｎｍの条件で形成した。Ｃ
ｒ下地膜６３、６３’、Ｃｏ合金磁性膜６２、６２’及
びカーボン保護膜６１、６１’の成膜は実施例１と同様
の条件で行った。磁性膜６２、６２’の形成に用いるタ
ーゲットの組成はＣｏ−１２ａｔ．％Ｃｒ−２ａｔ．％
Ｔａとした。各膜の膜厚は、ＬｉＦ下地膜が５０ｎｍ、
Ｃｒ下地膜が５０ｎｍ、Ｃｏ合金磁性膜が３０ｎｍ、カ
ーボン保護膜が１０ｎｍとした。上記の膜形成はすべて
同一の真空槽内で真空を破ることなく連続して行った。

【００２９】作製した試料の結晶配向をＸ線回折によっ
て、磁気特性を試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用いてそ
れぞれ測定した。その結果、本実施例の磁気記録媒体
は、ＬｉＦ下地膜を設けない他は全く同様の条件で作製
した磁気記録媒体と比較して、Ｃｒ下地膜の＜１００＞
配向、Ｃｏ合金磁性膜の＜１１２０＞配向ともに著しく
改善され、膜面内方向の保磁力が１２％（１３０Ｏｅ）
向上し、角形比が９．９％（０．０８）向上した。

【００３０】さらに上記実施例においてＣｒ下地膜に代
えてＶ、Ｍｏ、Ｗ又はＣｒ−３ａｔ．％Ｓｉ合金を用い
た他は全く同様の磁気記録媒体を作成した。これらの各
磁気記録媒体についても、ＬｉＦ下地膜を設けないそれ
ぞれの比較例に比べてｂ．ｃ．ｃ．下地膜の＜１００＞
配向、Ｃｏ合金磁性膜の＜１１２０＞配向ともに改善が
認められ、保磁力、角形比も向上した。これらの結果を
表１に示す。

【００３１】

【表１】

【００３２】また、第１下地膜にＮｂ、Ｔａ、Ｃｒ−５
ａｔ．％Ｎｂ合金又はＣｒ−１０ａｔ．％Ｍｏ合金を用
いた磁気記録媒体についても、ＬｉＦ下地膜を設けない
それぞれの比較例に比べ配向性、磁気特性ともに向上す
ることが分かった。

【００３３】〈実施例３〉直径３．５インチのガラス基
板を用い、実施例２と同様に図６に示すような断面構造
を持つ磁気記録媒体を高周波マグネトロンスパッタリン
グ法によって作製した。ガラス基板６５の両面に、Ｌｉ
Ｆ下地膜６４、６４’、Ｃｒ下地膜６３、６３’、Ｃｏ
合金磁性膜６２、６２’、カーボン保護膜６１、６１’
をこの順序で形成する。

【００３４】ＬｉＦ下地膜６４、６４’はアルゴンガス
を用い、ガスの圧力は０．５〜１．５Ｐａ、基板温度３
００℃、成膜速度毎分３〜５ｎｍの条件で形成した。Ｃ
ｒ下地膜６３、６３’、Ｃｏ合金磁性膜６２、６２’及
びカーボン保護膜６１、６１’の成膜は実施例１と同様
の条件で行った。磁性膜６２、６２’の形成に用いるタ
ーゲットの組成は本実施例ではＣｏ−１８ａｔ．％Ｃｒ
−６ａｔ．％Ｐｔとした。各膜の膜厚は、ＬｉＦ下地膜
が５０ｎｍ、Ｃｒ下地膜が５０ｎｍ、Ｃｏ合金磁性膜が
３０ｎｍ、カーボン保護膜が１０ｎｍとした。上記の膜
形成はすべて同一の真空槽内で真空を破ることなく連続
して行った。

【００３５】また上記と同様の条件で、ＬｉＦ下地膜の
代わりに、同じＮａＣｌ型結晶構造を持つＮａＦ、Ｔｉ
Ｃ、ＶＣ、ＴｉＮを用いた磁気記録媒体を作製した。作
製した試料の結晶配向をＸ線回折によって、磁気特性を
試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用いてそれぞれ測定し
た。その結果本実施例の磁気記録媒体は、いずれもＮａ
Ｃｌ型結晶構造を持つ下地膜を設けない他は全く同様の
条件で作製した磁気記録媒体と比較して、Ｃｒ下地膜の
＜１００＞配向、Ｃｏ合金磁性膜の＜１１２０＞配向と
もに著しく改善され、膜面内方向の保磁力、角形比の向
上が見られた。これらの結果を表２に示す。

【００３６】

【表２】

【００３７】さらに、第２下地膜にＫＢｒ、ＲｂＩ、Ｈ
ｆＣ、ＮｂＣ、ＴａＣ、ＶＮ、ＺｒＮ、ＺｒＣ、（Ｔ
ｉ，Ｖ）Ｃ又はこれらの無機化合物を主成分とする混晶
を用いた磁気記録媒体を製造した。これらの磁気記録媒
体についても同様の効果があることが分かった。

【００３８】〈実施例４〉図７は、磁気記録装置の一実
施例の模式図である。磁気記録媒体７１は、モータによ
り回転する保持具により保持され、それぞれの各磁性膜
に対応して情報の書き込み、読み出しのための磁気抵抗
効果素子再生複合ヘッド７２が配置されている。この磁
気抵抗効果素子再生複合ヘッド７２の磁気記録媒体７１
に対する位置をアクチュエータ７３とボイスコイルモー
タ７４により移動させる。さらにこれらを制御するため
に記録再生回路７５、位置決め回路７６、インターフェ
ース制御回路７７が設けられている。

【００３９】前記各実施例で製造した磁気記録媒体を用
い、この磁気記録装置に適用したところ、いずれも、高
いＳ／Ｎ比で高密度の記録ができた。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば、磁性膜結晶粒の磁化容
易軸を膜面内方向に向かせることによって、面内方向の
保磁力、角形比が向上し、より高密度磁気記録に適した
磁気記録媒体が提供できた。また、高いＳ／Ｎ比で高密
度の記録が可能の磁気記録装置が提供できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施例の断面図であ
る。

【図２】ｈ．ｃ．ｐ．構造において、ｃ軸に平行な低指
数面を示す斜視図である。

【図３】ｈ．ｃ．ｐ．構造の｛１１２０｝面とｂ．ｃ．
ｃ．構造の｛１００｝面の整合関係を表す平面図であ
る。

【図４】ｂ．ｃ．ｃ．構造の｛１００｝面とＮａＣｌ型
構造の｛１００｝面の整合関係を表す平面図である。

【図５】本発明の実施例１の磁気記録媒体の断面図であ
る。

【図６】本発明の実施例２の磁気記録媒体の断面図であ
る。

【図７】本発明の磁気記録装置の一実施例の模式図であ
る。

【符号の説明】

１１…保護膜１２…磁性膜１３…第１下地膜１４…第２下地膜１５…非磁性基板５１、５１’、６１、６１’…保護膜５２、５２’、６２、６２’…Ｃｏ合金磁性膜５３、５３’、６３、６３’…Ｃｒ下地膜５４、５４’…ＭｇＯ下地膜５５、６５…ガラス基板６４、６４’…ＬｉＦ下地膜７１…磁気記録媒体７２…磁気抵抗効果素子再生複合ヘッド７３…アクチュエータ７４…ボイスコイルモータ７５…記録再生回路７６…位置決め回路７７…インターフェース制御回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者松田好文東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者二本正昭東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板と該非磁性基板上に設けられた
少なくとも２層の下地膜と該２層の下地膜上に設けられ
た磁性膜とを有する磁気記録媒体において、上記磁性膜
は、六方最密充填構造を持ち、上記下地膜のうち、磁性
膜の直下に設けられた第１下地膜は、体心立方構造を持
ち、該第１下地膜の直下に設けられた第２下地膜は、Ｎ
ａＣｌ型結晶構造を持つことを特徴とする磁気記録媒
体。
【請求項２】請求項１記載の磁気記録媒体において、上
記磁性膜は、優先配向方位が＜１１２０＞であり、上記
第１下地膜及び上記第２下地膜は、いずれも優先配向方
位が＜１００＞であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】請求項１又は２記載の磁気記録媒体におい
て、上記第１下地膜及び上記第２下地膜は、いずれも非
磁性材料からなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】請求項１から３のいずれか一に記載の磁気
記録媒体において、上記磁性膜は、Ｃｏ又はＣｏを主成
分とする合金からなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】請求項１から４のいずれか一に記載の磁気
記録媒体において、上記第１下地膜は、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びこれらの元素を主成分とする合
金からなる群から選ばれた少なくとも一種の材料からな
ることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】請求項１から５のいずれか一に記載の磁気
記録媒体において、上記第２下地膜は、ハロゲン化アル
カリ、ＭｇＯ、ＨｆＣ、ＮｂＣ、ＴａＣ、ＴｉＣ、Ｖ
Ｃ、ＺｒＣ、ＴｉＮ、ＶＮ、ＺｒＮ及びこれらの無機化
合物を主成分とする混晶からなる群から選ばれた少なく
とも一種の材料からなることを特徴とする磁気記録媒
体。
【請求項７】請求項１から３のいずれか一に記載の磁気
記録媒体において、上記磁性膜は、Ｃｏ又はＣｏを主成
分とする合金からなり、上記第１下地膜は、Ｃｒ又はＣ
ｒを主成分とする合金からなることを特徴とする磁気記
録媒体。
【請求項８】請求項１から３のいずれか一に記載の磁気
記録媒体において、上記第１下地膜は、Ｃｒ又はＣｒを
主成分とする合金からなり、上記第２下地膜は、Ｍｇ
Ｏ、ＬｉＦ又はこれらの無機化合物を主成分とする混晶
からなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項９】請求項１から３のいずれか一に記載の磁気
記録媒体において、上記磁性膜の結晶構造のａ軸の格子
定数をａ（ｈｃｐ）、ｃ軸の格子定数をｃ（ｈｃｐ）で
表し、上記第１下地膜の結晶構造のａ軸の格子定数をａ
（ｂｃｃ）で表すとき、ａ（ｂｃｃ）×２と、√（ｃ
（ｈｃｐ）²＋ａ（ｈｃｐ）²×３）との差は、±１０％
以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１０】請求項１から３のいずれか一に記載の磁
気記録媒体において、上記第１下地膜の結晶構造のａ軸
の格子定数をａ（ｂｃｃ）で表し、上記第２磁性膜の結
晶構造のａ軸の格子定数をａ（ＮａＣｌ）で表すとき、
ａ（ｂｃｃ）×√２と、ａ（ＮａＣｌ）との差は、±２
０％以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１１】請求項１から１０のいずれか一に記載の
磁気記録媒体において、上記磁性膜上に保護膜を有する
ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１２】請求項１から１１のいずれか一に記載の
磁気記録媒体、該磁気記録媒体を保持するための保持
具、磁気記録媒体の磁性膜上に配置され、情報を記録、
再生するための磁気ヘッド、磁気ヘッドと磁気記録媒体
の相対的位置を移動させるための移動手段及びこれらを
制御するための制御手段を有することを特徴とする磁気
記録装置。