JPH0625794B2 - ピラミツド状に拡大するｔｅｍ導波管を有する、電子機器の電磁障害検査装置 - Google Patents
ピラミツド状に拡大するｔｅｍ導波管を有する、電子機器の電磁障害検査装置Info
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- JPH0625794B2 JPH0625794B2 JP62121462A JP12146287A JPH0625794B2 JP H0625794 B2 JPH0625794 B2 JP H0625794B2 JP 62121462 A JP62121462 A JP 62121462A JP 12146287 A JP12146287 A JP 12146287A JP H0625794 B2 JPH0625794 B2 JP H0625794B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はＥＭＩ検査装置に関する。“ＥＭＩ”とは“ｅ
ｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｉｎ ｔｅｒｆｅｒｅ
ｎｃｅ、電磁障害”の略語である。本発明は例えばピラ
ミッド状に拡大してゆくＴＥＭ導波管を有するこの種の
装置を対象とする。この場合このＴＥＭ導波管は高周波
を吸収する尖頭状の吸収体から成る壁により終端されて
おり、板状の内側導体を有している。この内側導体は、
内側導体と外側導体の上側面との間隔が、内側導体と外
側導体の下側面との間隔よりも小さいように非対称に配
置されている。さらにこの内側導体は吸収壁を貫通して
複数個の終端抵抗へ導かれている。
ｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｉｎ ｔｅｒｆｅｒｅ
ｎｃｅ、電磁障害”の略語である。本発明は例えばピラ
ミッド状に拡大してゆくＴＥＭ導波管を有するこの種の
装置を対象とする。この場合このＴＥＭ導波管は高周波
を吸収する尖頭状の吸収体から成る壁により終端されて
おり、板状の内側導体を有している。この内側導体は、
内側導体と外側導体の上側面との間隔が、内側導体と外
側導体の下側面との間隔よりも小さいように非対称に配
置されている。さらにこの内側導体は吸収壁を貫通して
複数個の終端抵抗へ導かれている。
従来技術 前述の装置は、インスティトゥート フュア ナトゥア
ヴィッセンシャフトリッヒ−テヒニッシェ−アナリュー
ゼン デア フラウェンホーファー ゲゼルシャフト
イン オイスキルヒェン／ＢＲＤ（Ｉｎｓｔｉｔｕｔ
ｆｕｅｒ ｎａｔｕｒｗｉｓｓｅｎｃｈａｔｔｌｉｃｈ
−ｔｅｃｈｎｉｓｃｈｅ−Ａｎａｌｙｓｅｎ ｄｅｒ
Ｆｒａｕｅｎｈｏｆｅｒ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ
ｉｎ Ｅｕｓｋｉｒｃｈｅｎ／ＢＲＤ）において実施さ
れていた。この装置のＴＥＭ導波管は片側が開いてい
る。このＴＥＭ導波管は非対称の３つの帯状体導体装置
を有する。
ヴィッセンシャフトリッヒ−テヒニッシェ−アナリュー
ゼン デア フラウェンホーファー ゲゼルシャフト
イン オイスキルヒェン／ＢＲＤ（Ｉｎｓｔｉｔｕｔ
ｆｕｅｒ ｎａｔｕｒｗｉｓｓｅｎｃｈａｔｔｌｉｃｈ
−ｔｅｃｈｎｉｓｃｈｅ−Ａｎａｌｙｓｅｎ ｄｅｒ
Ｆｒａｕｅｎｈｏｆｅｒ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ
ｉｎ Ｅｕｓｋｉｒｃｈｅｎ／ＢＲＤ）において実施さ
れていた。この装置のＴＥＭ導波管は片側が開いてい
る。このＴＥＭ導波管は非対称の３つの帯状体導体装置
を有する。
放射の理由によりこのＴＥＭ導波管は、シールドされた
空間においてしか作動できない。高周波を吸収する尖頭
状の吸収体から構成される壁は、このＴＥＭ導波管の場
合、導波管断面に設けられていて平坦である。内側導体
はナイロン糸で上側の帯状体導体につり下げられてい
る。吸収壁を通過する開口領域において内側導体は終端
抵抗の方向へ先細りに形成されている。この先細り形成
により、吸収体に起因する、波動インピーダンスに関連
する容量負荷が補償される。内側導体に対する材料とし
てサンドイッチ形式のいわゆる軽量構造アルミニウム板
が用いられる。Ｆｒａｕｅｎｈｏｆｅｒ社のこの装置の
ＴＥＭ導波管は長手方向に分解できない。このＴＥＭ導
波管により得られた帰還減衰は２．５ＧHzまでで−１５
ｄＢにしかならない。
空間においてしか作動できない。高周波を吸収する尖頭
状の吸収体から構成される壁は、このＴＥＭ導波管の場
合、導波管断面に設けられていて平坦である。内側導体
はナイロン糸で上側の帯状体導体につり下げられてい
る。吸収壁を通過する開口領域において内側導体は終端
抵抗の方向へ先細りに形成されている。この先細り形成
により、吸収体に起因する、波動インピーダンスに関連
する容量負荷が補償される。内側導体に対する材料とし
てサンドイッチ形式のいわゆる軽量構造アルミニウム板
が用いられる。Ｆｒａｕｅｎｈｏｆｅｒ社のこの装置の
ＴＥＭ導波管は長手方向に分解できない。このＴＥＭ導
波管により得られた帰還減衰は２．５ＧHzまでで−１５
ｄＢにしかならない。
発明が解決すべき問題点 本発明の課題は、検査装置の外側所要スペースに関連づ
けて、有効な検査空間容積の占める割合を大きくするこ
とである。検査空間容積は、通常の大きさの比較的小型
の個々の配線架を少なくとも１つは収容できるくらいの
大きさにする必要がある。
けて、有効な検査空間容積の占める割合を大きくするこ
とである。検査空間容積は、通常の大きさの比較的小型
の個々の配線架を少なくとも１つは収容できるくらいの
大きさにする必要がある。
さらに本発明のもう１つの課題は、導波管特性に関連し
て改善された冒頭に述べた形式の装置を提供することで
ある。
て改善された冒頭に述べた形式の装置を提供することで
ある。
前述の両方の課題は本発明により次のようにして解決さ
れている、即ち前述の形式の電子機器のＥＭＩ検査装置
において、外側導体は閉じられており、吸収壁は球状の
キャップの形にわん曲されており、わん曲の曲率の中心
がピラミッド状のＴＥＭ導波管の頂点の領域に存在する
構成により、解決されている。
れている、即ち前述の形式の電子機器のＥＭＩ検査装置
において、外側導体は閉じられており、吸収壁は球状の
キャップの形にわん曲されており、わん曲の曲率の中心
がピラミッド状のＴＥＭ導波管の頂点の領域に存在する
構成により、解決されている。
ＴＥＭ導波管の閉成された外側導体により、本発明の検
査装置は周囲への障害放射がほとんどなくなる。そのた
めこの検査装置は遮蔽された空間中で作動させる必要が
なく、任意の場所に自由に直接設置することができる。
ＴＥＭ導波管の外側寸法が装置の所要スペースを決定す
るのであって、遮蔽された空間の外側寸法がそれを決定
するのではない。有効な検査空間容積に対する所要スペ
ースの比は本発明による装置の場合に著しく最適化され
る。
査装置は周囲への障害放射がほとんどなくなる。そのた
めこの検査装置は遮蔽された空間中で作動させる必要が
なく、任意の場所に自由に直接設置することができる。
ＴＥＭ導波管の外側寸法が装置の所要スペースを決定す
るのであって、遮蔽された空間の外側寸法がそれを決定
するのではない。有効な検査空間容積に対する所要スペ
ースの比は本発明による装置の場合に著しく最適化され
る。
キャップ状の形式の吸収の構成壁によりＴＥＭ導波管中
での、電磁波に対する走行路の差および走行時間の差が
なくなる。ここで考察される大きさの閉成された外側導
体を有するＴＥＭ導波管において、それ自体予想される
共振の問題は現われない。さらに著しく良好な電磁界の
均質性が検査空間容積中で全周波数領域にわたり得られ
る。同様のことは帰還減衰に対してあてはまる。
での、電磁波に対する走行路の差および走行時間の差が
なくなる。ここで考察される大きさの閉成された外側導
体を有するＴＥＭ導波管において、それ自体予想される
共振の問題は現われない。さらに著しく良好な電磁界の
均質性が検査空間容積中で全周波数領域にわたり得られ
る。同様のことは帰還減衰に対してあてはまる。
従属請求項の構成により実施態様が示される。
内側導体を吸収壁への進入領域において複数個の部分導
体へ分割してさらにそれぞれ部分導体の幅を終端抵抗の
方向へ先細りに形成することは有利である。この進入領
域において部分導体の幅を吸収体の、波動抵抗への容量
作用を補償するために低減しなければならないからであ
る。この先細り形成により、電磁界の歪みおよび反射を
引きおこす終端領域における電磁界の横方向成分が著し
くわずかな量に低減される。このように構成された長さ
６．５ｍ、高さ１．５ｍおよび横幅が３ｍの本発明の装
置により、０Hzから約２．５ＧHzまでにわたり−２０ｄ
Ｂより大きい帰還減衰が得られる。電磁界の均質性に対
して、上述の周波数領域において、１０ｄＢよりも大き
い値が求められる。
体へ分割してさらにそれぞれ部分導体の幅を終端抵抗の
方向へ先細りに形成することは有利である。この進入領
域において部分導体の幅を吸収体の、波動抵抗への容量
作用を補償するために低減しなければならないからであ
る。この先細り形成により、電磁界の歪みおよび反射を
引きおこす終端領域における電磁界の横方向成分が著し
くわずかな量に低減される。このように構成された長さ
６．５ｍ、高さ１．５ｍおよび横幅が３ｍの本発明の装
置により、０Hzから約２．５ＧHzまでにわたり−２０ｄ
Ｂより大きい帰還減衰が得られる。電磁界の均質性に対
して、上述の周波数領域において、１０ｄＢよりも大き
い値が求められる。
着脱可能で全面が気密に密閉され過圧に耐えられるよう
に構成されかつＳＦ6ガスの充填された給電用円錐体を
有するＴＥＭ導波管により、本発明の装置は、著しく高
い電磁界強度に対しても適切に構成することができる。
この目的のために高電圧抵抗を終端抵抗として用いるこ
とができる。
に構成されかつＳＦ6ガスの充填された給電用円錐体を
有するＴＥＭ導波管により、本発明の装置は、著しく高
い電磁界強度に対しても適切に構成することができる。
この目的のために高電圧抵抗を終端抵抗として用いるこ
とができる。
実施例の説明 次に本発明の実施例につき図面を用いて説明する。図面
において１はＴＥＭ導波管を示す。“ＴＥＭ”とは“Ｔ
ｒａｎｓｖｅｒｓａｌ−Ｅｌｅｋｔｒｏ−Ｍｇｎｅｔｉ
ｓｃｈ（伝搬方向に電界成分および磁界成分を持たない
横波）”の略語である。このＴＥＭ導波管１はその尖端
２からピラミッド状に拡大する。このＴＥＭ導波管は折
曲個所を有していない。ＴＥＭ導波管の尖頭には、図示
されてはいないが、同軸の給電コネクタが設けられてお
り、これを介してかつ同軸ケーブル３を用いて、パルス
−又は正弦波発生器４がＴＥＭ導波管１に接続される。
において１はＴＥＭ導波管を示す。“ＴＥＭ”とは“Ｔ
ｒａｎｓｖｅｒｓａｌ−Ｅｌｅｋｔｒｏ−Ｍｇｎｅｔｉ
ｓｃｈ（伝搬方向に電界成分および磁界成分を持たない
横波）”の略語である。このＴＥＭ導波管１はその尖端
２からピラミッド状に拡大する。このＴＥＭ導波管は折
曲個所を有していない。ＴＥＭ導波管の尖頭には、図示
されてはいないが、同軸の給電コネクタが設けられてお
り、これを介してかつ同軸ケーブル３を用いて、パルス
−又は正弦波発生器４がＴＥＭ導波管１に接続される。
ＴＥＭ導波管は、方形断面を有する閉成された外側導体
５を有する。三角形の形状を有する板状の内側導体がそ
れの内部において非対称にナイロン糸につるされてい
る。“非対称に”とは、内側導体６と外側導体５の上側
面との間隔の方が、内側導体６と外側導体の下側面との
間隔よりも、小さいことを意味する。この非対称性によ
りＴＥＭ導波管１の下側部分において、一層大きい利用
可能な検査容積空間が、内側導体６を対称的に設ける場
合よりも、得られる。更にこれにより、検査されるべき
電気機器の、電磁界への反作用が一層小さくなる。内側
導体６と外側導体５の上側面との間隔は、内側導体のそ
の都度の高さの例えば４分の１にされる。相応に内側導
体６と、外側導体５の下側面又は底板との間の間隔は、
内側導体のその都度の高さの４分の３にされる。
５を有する。三角形の形状を有する板状の内側導体がそ
れの内部において非対称にナイロン糸につるされてい
る。“非対称に”とは、内側導体６と外側導体５の上側
面との間隔の方が、内側導体６と外側導体の下側面との
間隔よりも、小さいことを意味する。この非対称性によ
りＴＥＭ導波管１の下側部分において、一層大きい利用
可能な検査容積空間が、内側導体６を対称的に設ける場
合よりも、得られる。更にこれにより、検査されるべき
電気機器の、電磁界への反作用が一層小さくなる。内側
導体６と外側導体５の上側面との間隔は、内側導体のそ
の都度の高さの例えば４分の１にされる。相応に内側導
体６と、外側導体５の下側面又は底板との間の間隔は、
内側導体のその都度の高さの４分の３にされる。
内側導体６および外側導体５の非対称配置の考慮の下
に、それらの横幅の比が次のように選定されている、即
ちＴＥＭ導波管１において、パルス発生器又は正弦波発
生器４に対して、そのための同軸ケーブル３に対して
も、相応の波動インピーダンスが形成されるように選定
されている。５０オームの波動インピーダンスが形成さ
れるのは、開口角度が２０°でかつ、横幅の比が約０．
６３となる1/4：3/4の非対称性の場合である。
に、それらの横幅の比が次のように選定されている、即
ちＴＥＭ導波管１において、パルス発生器又は正弦波発
生器４に対して、そのための同軸ケーブル３に対して
も、相応の波動インピーダンスが形成されるように選定
されている。５０オームの波動インピーダンスが形成さ
れるのは、開口角度が２０°でかつ、横幅の比が約０．
６３となる1/4：3/4の非対称性の場合である。
前述のように内側導体６はナイロン糸を用いて外側導体
５の上側面につるされている。このナイロン糸の長さを
わずかに変化させることによりおよびこれによる前述の
非対称性もわずかに変化させることによっても、波動イ
ンピーダンスの微調整が可能となる。
５の上側面につるされている。このナイロン糸の長さを
わずかに変化させることによりおよびこれによる前述の
非対称性もわずかに変化させることによっても、波動イ
ンピーダンスの微調整が可能となる。
ＴＥＭ導波管１は、一方では全体で吸収壁７を形成す
る、隣り合うように配置された複数個のピラミッド上
の、高周波を吸収する尖頭状吸収体７．１により終端さ
れ、他方では３つの終端オーム抵抗８．１，８．２およ
び８．３により終端されている。高周波吸収用の尖頭状
吸収体７．１および終端抵抗８．１，８．２および８．
３がそれらの終端作用を相互に補完し合う。後者はＴＥ
Ｍ導波管の終端作用を、約１００−２００ＭHzより低い
周波数に対して形成する。高周波吸収用の尖頭状吸収体
はその形状および大きさが、１００−２００ＭHzより高
いＴＥＭ波の周波数に対して作用するように構成されて
いる。
る、隣り合うように配置された複数個のピラミッド上
の、高周波を吸収する尖頭状吸収体７．１により終端さ
れ、他方では３つの終端オーム抵抗８．１，８．２およ
び８．３により終端されている。高周波吸収用の尖頭状
吸収体７．１および終端抵抗８．１，８．２および８．
３がそれらの終端作用を相互に補完し合う。後者はＴＥ
Ｍ導波管の終端作用を、約１００−２００ＭHzより低い
周波数に対して形成する。高周波吸収用の尖頭状吸収体
はその形状および大きさが、１００−２００ＭHzより高
いＴＥＭ波の周波数に対して作用するように構成されて
いる。
吸収壁７はキャップ状にわん曲されている。わん曲の曲
率の中心点はＴＥＭ導波管の尖頭２の領域に設けられ
る。このわん曲構成によりＴＥＭ導波管１における電磁
波の走行路および走行時間の相異が回避される。
率の中心点はＴＥＭ導波管の尖頭２の領域に設けられ
る。このわん曲構成によりＴＥＭ導波管１における電磁
波の走行路および走行時間の相異が回避される。
尖頭状吸収体７．１は例えば発砲ポリエチレンから形成
される。これに、例えばグラファイト又は炭素のすすか
ら成る導電粒子が添加される。導電性材料のこの添加に
もかかわらず吸収体７．１は全体的に導電性が著しく低
い。その有限の導電性およびそのピラミッド形状に基づ
いてそれらにおいて高周波エネルギが熱に変換される。
尖頭の高さは外側導管５のその開放された終端部におけ
る高さの約１／３とし、更に尖頭の高さの底面に対する
比を例えば６．５：１とすべきである。吸収壁７ないし
尖頭状吸収体７．１は、図示されているように、箱形の
フレーム７．２により支持することができる。内側導体
６は吸収壁７において−２列の吸収体７．１の間を貫通
して−３つの個別の平行の部分導体６．１，６．２およ
び６．３へ分割されて、終端抵抗８．１，８．２および
８．３へ導かれる。この場合、各々の部分導体６．１，
６．２および６．３には、終端抵抗が接続されている。
終端抵抗８．１，８．２，８．３は内側導体ないしその
部分導体６．１，６．２および６．３を外側導体５と接
続する。
される。これに、例えばグラファイト又は炭素のすすか
ら成る導電粒子が添加される。導電性材料のこの添加に
もかかわらず吸収体７．１は全体的に導電性が著しく低
い。その有限の導電性およびそのピラミッド形状に基づ
いてそれらにおいて高周波エネルギが熱に変換される。
尖頭の高さは外側導管５のその開放された終端部におけ
る高さの約１／３とし、更に尖頭の高さの底面に対する
比を例えば６．５：１とすべきである。吸収壁７ないし
尖頭状吸収体７．１は、図示されているように、箱形の
フレーム７．２により支持することができる。内側導体
６は吸収壁７において−２列の吸収体７．１の間を貫通
して−３つの個別の平行の部分導体６．１，６．２およ
び６．３へ分割されて、終端抵抗８．１，８．２および
８．３へ導かれる。この場合、各々の部分導体６．１，
６．２および６．３には、終端抵抗が接続されている。
終端抵抗８．１，８．２，８．３は内側導体ないしその
部分導体６．１，６．２および６．３を外側導体５と接
続する。
内側導体６の部分導体６．１，６．２および６．３への
分割個所は、大体吸収体７．１の尖端の高さに設けられ
る。内側導体６の３つの部分導体６．１，６．２および
６．３への分割は次のように行なわれる、即ち導波管に
おいて３つの部分導体の各々の上に等量の表面電荷がな
いし同じ値の部分波動インピーダンスが配分されるよう
に、行なわれる。そのため終端抵抗８．１，８．２およ
び８．３はこの部分波動インピーダンスに一致するよう
に、その値が選定される。この場合、間の部分導体６．
２は両外側の部分導体６．１および６．３よりもまず幅
が広くされる。
分割個所は、大体吸収体７．１の尖端の高さに設けられ
る。内側導体６の３つの部分導体６．１，６．２および
６．３への分割は次のように行なわれる、即ち導波管に
おいて３つの部分導体の各々の上に等量の表面電荷がな
いし同じ値の部分波動インピーダンスが配分されるよう
に、行なわれる。そのため終端抵抗８．１，８．２およ
び８．３はこの部分波動インピーダンスに一致するよう
に、その値が選定される。この場合、間の部分導体６．
２は両外側の部分導体６．１および６．３よりもまず幅
が広くされる。
終端抵抗８．１，８．２および８．３の方向へ向かって
３つの部分導体６．１，６．２および６．３の尖頭を走
行させる。この場合、それらの幅の先細りは次のように
形成される、即ち吸収体７．１により定められかつその
吸収体の尖頭であるピラミッド体を通過して終端抵抗の
方向へ増加する吸収壁７による容量被膜が、その波動抵
抗へのないし部分波動抵抗への影響を、ちょうど打ち消
すように、先細りが形成される。
３つの部分導体６．１，６．２および６．３の尖頭を走
行させる。この場合、それらの幅の先細りは次のように
形成される、即ち吸収体７．１により定められかつその
吸収体の尖頭であるピラミッド体を通過して終端抵抗の
方向へ増加する吸収壁７による容量被膜が、その波動抵
抗へのないし部分波動抵抗への影響を、ちょうど打ち消
すように、先細りが形成される。
ＴＥＭ導波管１は軽量構造で実施される。外側導体に対
する材料は、アルミニウムプロフィル材１．１により支
持されるサンドイッチ形式の軽量構造アルミニウム板が
使用される。この材料は、重量が小さくかつ剛性が高い
ほかに、さらにこの材料はロールから切断して加工でき
る利点を有する。これにより外側導体の側面部分は突合
せ接合することなく形成することができる。このことは
反射の回避に関して有利である。内側導体に対する材料
としてアルミニウム板またはすずメッキされた鋼板を用
いることができる。外側導体５の基板の、吸収壁７の前
方から３分の１の場所に、通常は、検査されるべき電子
装置例えば図において示されている装置９が収容され
る。この場所はすずメッキした鋼板により補強すること
ができる。
する材料は、アルミニウムプロフィル材１．１により支
持されるサンドイッチ形式の軽量構造アルミニウム板が
使用される。この材料は、重量が小さくかつ剛性が高い
ほかに、さらにこの材料はロールから切断して加工でき
る利点を有する。これにより外側導体の側面部分は突合
せ接合することなく形成することができる。このことは
反射の回避に関して有利である。内側導体に対する材料
としてアルミニウム板またはすずメッキされた鋼板を用
いることができる。外側導体５の基板の、吸収壁７の前
方から３分の１の場所に、通常は、検査されるべき電子
装置例えば図において示されている装置９が収容され
る。この場所はすずメッキした鋼板により補強すること
ができる。
ＴＥＭ導波管１の内部へ簡単に出し入れできるようにす
るため、外側導体５の側壁の１つにドアを設けることが
できる。このドアは例えば引き戸とされる。
るため、外側導体５の側壁の１つにドアを設けることが
できる。このドアは例えば引き戸とされる。
５０ＫＶ／ｍのＮＥＭＰ電界強度による検査を可能とす
る目的で、良好な導波管特性を有するようにするほかさ
らにＴＥＭ導波管は十分に耐高圧性にも形成しなければ
ならない。“ＮＥＭＰ”とはいわゆる“Ｎｕｋｌｅａｒ
ｅｎ Ｅｌｅｋｔｒｏ−Ｍａｇｎｅｔｉｓｃｈｅｎ
Ｐｕｌｓ（核電磁パルス）”の略語である。
る目的で、良好な導波管特性を有するようにするほかさ
らにＴＥＭ導波管は十分に耐高圧性にも形成しなければ
ならない。“ＮＥＭＰ”とはいわゆる“Ｎｕｋｌｅａｒ
ｅｎ Ｅｌｅｋｔｒｏ−Ｍａｇｎｅｔｉｓｃｈｅｎ
Ｐｕｌｓ（核電磁パルス）”の略語である。
幾何学的寸法を変えない場合は、ＴＥＭ導波管１の耐高
圧性は次のようにして著しく高められる、即ちＴＥＭ導
波管に、空気ではなく、電気的に負の気体たとえばＳＦ
1をできるだけ高い圧力の下で充填する。ＴＥＭ導波管
１の６ｍ以上の有利な長さおよび有利な軽量構成の場合
は、しかしながらこのことはそのままでは可能ではな
い。このことはそれ自体は必要とされない、何故ならば
フラッシオーバーすなわち絶縁破壊放電はＴＥＭ導波管
の尖頭の領域においてのみ予期されるからである、より
正確にいえば、一般的に固定の絶縁物質により充たされ
た同軸の、給電角錐体から気体の充填された導波管への
移行個所において予想されるからである。そのため尖頭
領域ないしＴＥＭ導波管の給電角錐体を適切な方法で構
成すれば十分である。たとえばＴＥＭ導波管１の給電角
錐体を別個の部材１．２として構成し、これをＴＥＭ導
波管１の残りの部分と着脱可能に固定し、かつ全面を気
密に閉鎖して過圧を加える。ＴＥＭ導波管１の残りの空
間容積に比較して、着脱可能な給電コネクタ１．２の空
間容積は、高周波特性をできるだけわずかしか変化しな
い薄い誘電体シートを用いて密閉される。給電角錐体
１．２の長手方向の伸長の長さはＴＥＭ導波管１の全長
の約１／１０しか必要とされない。
圧性は次のようにして著しく高められる、即ちＴＥＭ導
波管に、空気ではなく、電気的に負の気体たとえばＳＦ
1をできるだけ高い圧力の下で充填する。ＴＥＭ導波管
１の６ｍ以上の有利な長さおよび有利な軽量構成の場合
は、しかしながらこのことはそのままでは可能ではな
い。このことはそれ自体は必要とされない、何故ならば
フラッシオーバーすなわち絶縁破壊放電はＴＥＭ導波管
の尖頭の領域においてのみ予期されるからである、より
正確にいえば、一般的に固定の絶縁物質により充たされ
た同軸の、給電角錐体から気体の充填された導波管への
移行個所において予想されるからである。そのため尖頭
領域ないしＴＥＭ導波管の給電角錐体を適切な方法で構
成すれば十分である。たとえばＴＥＭ導波管１の給電角
錐体を別個の部材１．２として構成し、これをＴＥＭ導
波管１の残りの部分と着脱可能に固定し、かつ全面を気
密に閉鎖して過圧を加える。ＴＥＭ導波管１の残りの空
間容積に比較して、着脱可能な給電コネクタ１．２の空
間容積は、高周波特性をできるだけわずかしか変化しな
い薄い誘電体シートを用いて密閉される。給電角錐体
１．２の長手方向の伸長の長さはＴＥＭ導波管１の全長
の約１／１０しか必要とされない。
ＴＥＭ導波管１の耐高電圧性に関連して補完的に、終端
抵抗を高電圧抵抗として構成するこができる。これらの
高電圧抵抗は少なくとも１００ＫＶ用に設計すべきであ
る。高電圧抵抗はもちろん当然長くて、その構造長さに
もとづいて著しく高いインダクタンスを有する。このこ
とは高電圧抵抗を、高周波終端抵抗そのものとしての使
用は不適切である。高周波終端抵抗はできるだけ短くか
つインダクタンスの少ないものでなければならない。抵
抗の場合、高電圧特性と高周波特性とは互いに両立しな
い。この難点にもかかわらず本発明の装置の場合は高電
圧抵抗が使用される、何故ならばこの高電圧抵抗は終端
抵抗として約１００−２００ＭHzしか必要とせずこの間
で作動させるだけでよいからである。２００ＭHzを上回
ると前述のように、ＴＥＭ導波管の終端作用は高周波尖
頭状吸収体７．１により形成される。
抵抗を高電圧抵抗として構成するこができる。これらの
高電圧抵抗は少なくとも１００ＫＶ用に設計すべきであ
る。高電圧抵抗はもちろん当然長くて、その構造長さに
もとづいて著しく高いインダクタンスを有する。このこ
とは高電圧抵抗を、高周波終端抵抗そのものとしての使
用は不適切である。高周波終端抵抗はできるだけ短くか
つインダクタンスの少ないものでなければならない。抵
抗の場合、高電圧特性と高周波特性とは互いに両立しな
い。この難点にもかかわらず本発明の装置の場合は高電
圧抵抗が使用される、何故ならばこの高電圧抵抗は終端
抵抗として約１００−２００ＭHzしか必要とせずこの間
で作動させるだけでよいからである。２００ＭHzを上回
ると前述のように、ＴＥＭ導波管の終端作用は高周波尖
頭状吸収体７．１により形成される。
電力に関してはこの終端抵抗は１KWまでの持続波ＣＷ電
力に対して設計すべきである。
力に対して設計すべきである。
ＴＥＭ導波管１の中へ運ばれて検査されるべき電子機器
たとえば図中の装置９からの測定線路１０が、ＴＥＭ導
波管から適切な測定機器１１へ導かれる。この測定機器
には電界検出器１２も接続することができる。この電界
検出器により検査すべき電子機器９の近傍の電界強度を
ＴＥＭ導波管１の中で測定することもできる。
たとえば図中の装置９からの測定線路１０が、ＴＥＭ導
波管から適切な測定機器１１へ導かれる。この測定機器
には電界検出器１２も接続することができる。この電界
検出器により検査すべき電子機器９の近傍の電界強度を
ＴＥＭ導波管１の中で測定することもできる。
電子機器への電磁界の影響の検出のほかに、本発明の装
置は電子機器の電磁波放射の測定にも使用することがで
きる。
置は電子機器の電磁波放射の測定にも使用することがで
きる。
発明の効果 本発明により外側所要スペースに対して有効検査空間の
占める割合の著しく大きい、かつシールドされた空間を
必要とせず任意の場所に設置できる、導波管特性の改善
されたＥＭＩ検査装置が提供される。
占める割合の著しく大きい、かつシールドされた空間を
必要とせず任意の場所に設置できる、導波管特性の改善
されたＥＭＩ検査装置が提供される。
図面はピラミッド形に拡大するＴＥＭ導波管を有する本
発明の装置の斜視図を示す。 １……ＴＥＭ導波管、２……尖端、３……同軸ケーブ
ル、４……パルス−または正弦波発生器、５……外側導
体、６……内側導体、７……吸収体壁、８．１，８．
２，８．３……オーム終端抵抗、９……検査すべき電子
機器、１０……測定導線、１１……測定機器
発明の装置の斜視図を示す。 １……ＴＥＭ導波管、２……尖端、３……同軸ケーブ
ル、４……パルス−または正弦波発生器、５……外側導
体、６……内側導体、７……吸収体壁、８．１，８．
２，８．３……オーム終端抵抗、９……検査すべき電子
機器、１０……測定導線、１１……測定機器
Claims (9)
- 【請求項１】ピラミッド状に拡大するＴＥＭ導波管
（１）を有し、該導波管は、高周波を吸収する複数個の
尖頭状の吸収体（７．１）から構成されている吸収壁
（７）により終端されており、該尖頭状吸収体（７．
１）は１００〜２００ＭHzよりも高いＴＥＭ波の高周波
を吸収し、さらに 前記ＴＥＭ導波管（１）は外側導体（５）とシート状の
内側導体（６）とを有し、これらの導体は、内側導体
（６）と外側導体（５）の上側面との間隔が、内側導体
（６）と外側導体（５）の下側面との間隔よりも小さい
ように非対称に配置されており、内側導体（６）は前記
の吸収壁（７）を貫通して多数の終端抵抗（８．１，
８．２，８．３）へ導かれている形式の、電子機器の電
磁障害検査装置において、 外側導体（５）は閉じられており、 吸収壁（７）は球状のキャップの形にわん曲されてお
り、 わん曲の曲率の中心がピラミッド状のＴＥＭ導波管の頂
点（２）の領域に存在する ことを特徴とする、電子機器の電磁障害検査装置。 - 【請求項２】内側導体（６）が吸収壁（７）中への進入
領域において複数個の例えば３つの平行の部分導体
（６．１，６．２，６．３）へ分割されており、該部分
導体にそれぞれ終端抵抗（８．１，８．２，８．３）が
接続されている、特許請求の範囲第１項記載の装置。 - 【請求項３】導波管における部分導体において等量の表
面空間電荷ないし等しい値の部分波動インピーダンスが
配分されるように、内側導体（６）が部分導体（６．
１，６．２，６．３）へ分割されている、特許請求の範
囲第２項記載の装置。 - 【請求項４】部分導体（６．１，６．２，６．３）に等
しい値の終端抵抗（８．１，８．２，８．３）が接続さ
れている、特許請求の範囲第２項記載の装置。 - 【請求項５】部分導体（６．１，６．２，６．３）が終
端抵抗（８．１，８．２，８．３）の方向へ先細に延在
し、吸収壁（７）において終端抵抗の方向へ増加してい
く容量薄膜の、波動インピーダンスないし部分波動イン
ピーダンスへの作用がちょうど補償されるようにその幅
の先細りを形成する、特許請求の範囲第２項記載の装
置。 - 【請求項６】ＴＥＭ導波管（１）が着脱可能な給電用角
錐体（１．２）を有し、該給電用角錐体の長手方向の長
さをＴＥＭ導波管（１）の全長の約１０分の１に相応さ
せる、特許請求の範囲第１項記載の装置。 - 【請求項７】着脱可能な給電用角錐体（１．２）を、Ｔ
ＥＭ導波管（１）の残りの部分から、例えば誘電体シー
トを用いて全面に気密に閉成して例えば過圧にも耐えら
れるように構成した特許請求の範囲第６項記載の装置。 - 【請求項８】ＴＥＭ導波管の着脱可能な給電用角錐体
（１．２）の容積空間をＳＦ6ガスで例えば過圧の下に
充填する、特許請求の範囲第７項記載の装置。 - 【請求項９】終端抵抗（８．１，８．２，８．３）を少
なくとも１００ＫＶ用の高電圧抵抗として形成する、特
許請求の範囲第１項記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH2026/86A CH670174A5 (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | |
| CH2026/86-9 | 1986-05-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62284271A JPS62284271A (ja) | 1987-12-10 |
| JPH0625794B2 true JPH0625794B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=4224186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62121462A Expired - Lifetime JPH0625794B2 (ja) | 1986-05-20 | 1987-05-20 | ピラミツド状に拡大するｔｅｍ導波管を有する、電子機器の電磁障害検査装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4837581A (ja) |
| EP (1) | EP0246544B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0625794B2 (ja) |
| AT (1) | ATE56314T1 (ja) |
| CA (1) | CA1273060A (ja) |
| CH (1) | CH670174A5 (ja) |
| DE (1) | DE3764708D1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3842196C2 (de) * | 1987-09-17 | 1994-05-05 | Deutsche Aerospace | Geschirmte Zelle zur Erzeugung von elektromagnetischen Wellen des transversal-elektrischen Typs |
| JPH0252261A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-21 | Erena Denshi Kk | Ｔｅｍセル内部電界自動補正装置 |
| JPH0245470U (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-28 | ||
| CA1323911C (en) * | 1988-10-14 | 1993-11-02 | Diethard Hansen | Reflection-free termination of a tem-waveguide |
| DE3931449A1 (de) * | 1988-10-22 | 1990-03-08 | Telefunken Systemtechnik | Trichterfoermiger wellenleiter mit laufzeitausgleich |
| DE3838259A1 (de) * | 1988-11-11 | 1990-05-17 | Asea Brown Boveri | Verfahren fuer den qualitaetsvergleich von hf-absorbern |
| JPH02203281A (ja) * | 1989-02-02 | 1990-08-13 | Kyoritsu Denshi Kogyo Kk | Ｔｅｍセル |
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| EP0501169B1 (de) * | 1991-02-25 | 1995-08-23 | Asea Brown Boveri Ag | Feldstärkenmessgerät |
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| KR20120072223A (ko) | 2010-12-23 | 2012-07-03 | 한국전자통신연구원 | 표준근역장 발생용 4단자 스트립라인 셀 |
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| US4546358A (en) * | 1984-01-19 | 1985-10-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Large broadband free radiating electromagnetic test cell |
| EP0216768A1 (en) * | 1984-05-31 | 1987-04-08 | H.R. Smith (Technical Developments) Limited | Anechoid chambers |
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-
1986
- 1986-05-20 CH CH2026/86A patent/CH670174A5/de not_active IP Right Cessation
-
1987
- 1987-05-08 CA CA000536642A patent/CA1273060A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-05-11 US US07/048,647 patent/US4837581A/en not_active Expired - Fee Related
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- 1987-05-12 AT AT87106870T patent/ATE56314T1/de not_active IP Right Cessation
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