JPH06251360A - メモリー素子、その製造方法およびその製造装置 - Google Patents
メモリー素子、その製造方法およびその製造装置Info
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- JPH06251360A JPH06251360A JP5041399A JP4139993A JPH06251360A JP H06251360 A JPH06251360 A JP H06251360A JP 5041399 A JP5041399 A JP 5041399A JP 4139993 A JP4139993 A JP 4139993A JP H06251360 A JPH06251360 A JP H06251360A
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- magneto
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板１上に、磁性層を含む光磁気記録膜２
と、光磁気記録膜２を被う保護膜３とを備えており、上
記保護膜３は、ポリパラキシリレンまたは塩素を含まな
いポリパラキシリレン誘導体のいずれかである光磁気デ
ィスク等のメモリー素子および、そのメモリー素子の製
造方法、製造装置。 【効果】 保護膜３の摩擦係数が小さくなり、耐摩耗性
が向上する。これにより、潤滑膜等を形成しない単純な
構成で、信頼性の高いメモリー素子を実現することがで
きる。
と、光磁気記録膜２を被う保護膜３とを備えており、上
記保護膜３は、ポリパラキシリレンまたは塩素を含まな
いポリパラキシリレン誘導体のいずれかである光磁気デ
ィスク等のメモリー素子および、そのメモリー素子の製
造方法、製造装置。 【効果】 保護膜３の摩擦係数が小さくなり、耐摩耗性
が向上する。これにより、潤滑膜等を形成しない単純な
構成で、信頼性の高いメモリー素子を実現することがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスクや光磁
気カード、フロッピーディスクやハードディスク等のメ
モリー素子、メモリー素子の製造方法、および、メモリ
ー素子の製造装置に関するものである。
気カード、フロッピーディスクやハードディスク等のメ
モリー素子、メモリー素子の製造方法、および、メモリ
ー素子の製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクは、図５に示すように、
基板２７上に、光磁気記録膜２８、保護膜２９を順次形
成した構造になっている。
基板２７上に、光磁気記録膜２８、保護膜２９を順次形
成した構造になっている。
【０００３】基板２７には、ガラス、ポリカーボネイ
ト、ポリメチルメタクリレート、アモルファスポリオレ
フィン等の光学的に透明な材料が用いられる。
ト、ポリメチルメタクリレート、アモルファスポリオレ
フィン等の光学的に透明な材料が用いられる。
【０００４】光磁気記録膜２８は、磁性体膜だけからな
る単層構造、もしくは、誘電体膜、反射膜等を含む多層
構造になっている。四層構造の光磁気記録膜２８の場
合、例えば、ＡｌＮ（８０ｎｍ）／ＤｙＦｅＣｏ（２０
ｎｍ）／ＡｌＮ（２５ｎｍ）／Ａｌ（５０ｎｍ）が用い
られる。三層構造の光磁気記録膜２８の場合、例えば、
ＳｉＮ（８０ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ（８０ｎｍ）／Ｓｉ
Ｎ（８０ｎｍ）が用いられる。これらの光磁気記録膜２
８は基板２７上にスパッター法、蒸着法等により形成さ
れる。なお、括弧内は膜厚である。
る単層構造、もしくは、誘電体膜、反射膜等を含む多層
構造になっている。四層構造の光磁気記録膜２８の場
合、例えば、ＡｌＮ（８０ｎｍ）／ＤｙＦｅＣｏ（２０
ｎｍ）／ＡｌＮ（２５ｎｍ）／Ａｌ（５０ｎｍ）が用い
られる。三層構造の光磁気記録膜２８の場合、例えば、
ＳｉＮ（８０ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ（８０ｎｍ）／Ｓｉ
Ｎ（８０ｎｍ）が用いられる。これらの光磁気記録膜２
８は基板２７上にスパッター法、蒸着法等により形成さ
れる。なお、括弧内は膜厚である。
【０００５】保護膜２９には、光硬化樹脂からなる有機
系樹脂が使用される。
系樹脂が使用される。
【０００６】保護膜２９の製造プロセスの一例を図６に
示す。
示す。
【０００７】まず、基板２７上に光磁気記録膜２８を形
成した中間品３０（同図（ａ））をスピンコーター３１
にセットする（同図（ｂ））。
成した中間品３０（同図（ａ））をスピンコーター３１
にセットする（同図（ｂ））。
【０００８】それから、粘度が約３００ｃｐｓのアクリ
ル酸エステル系樹脂もしくはウレタンアクリレート系樹
脂をデベロッパー４５から滴下し、中間品３０を約３０
００ｒｐｍで回転させ、樹脂の膜厚が約５μｍになるよ
うにコートする。
ル酸エステル系樹脂もしくはウレタンアクリレート系樹
脂をデベロッパー４５から滴下し、中間品３０を約３０
００ｒｐｍで回転させ、樹脂の膜厚が約５μｍになるよ
うにコートする。
【０００９】その後、ＵＶ（紫外）光を約２０００ｍＪ
／ｃｍ2 照射し（同図（ｃ））、樹脂を硬化させること
により、保護膜２９を得る。
／ｃｍ2 照射し（同図（ｃ））、樹脂を硬化させること
により、保護膜２９を得る。
【００１０】他の光磁気ディスクの構造を図７に示す。
この光磁気ディスクは、基板２７上に、光磁気記録膜２
８を形成した後、全体を被うように保護膜２９を形成し
た構造になっている。
この光磁気ディスクは、基板２７上に、光磁気記録膜２
８を形成した後、全体を被うように保護膜２９を形成し
た構造になっている。
【００１１】この保護膜２９の製造プロセスの一例を図
８に示す。
８に示す。
【００１２】まず、基板２７上に光磁気記録膜２８を形
成した中間品３０（同図（ａ））を、ディップ槽３２内
の、粘度が約５０ｃｐｓのアクリル酸エステル系樹脂も
しくはウレタンアクリレート系樹脂に浸す（同図
（ｂ））。それから、中間品３０を垂直に引き上げるこ
とにより、樹脂の膜厚が約５μｍになるよう全体をコー
トする。
成した中間品３０（同図（ａ））を、ディップ槽３２内
の、粘度が約５０ｃｐｓのアクリル酸エステル系樹脂も
しくはウレタンアクリレート系樹脂に浸す（同図
（ｂ））。それから、中間品３０を垂直に引き上げるこ
とにより、樹脂の膜厚が約５μｍになるよう全体をコー
トする。
【００１３】その後、ＵＶ（紫外）光を約２０００ｍＪ
／ｃｍ2 照射し（同図（ｃ））、樹脂を硬化させること
により、保護膜２９を得る。
／ｃｍ2 照射し（同図（ｃ））、樹脂を硬化させること
により、保護膜２９を得る。
【００１４】磁気ヘッドが常時、光磁気ディスクと接触
する機構を採用した光磁気ディスク装置では、図９に示
すように、保護膜２９上に平滑な固体潤滑膜３３を形成
した光磁気ディスクが用いられる。
する機構を採用した光磁気ディスク装置では、図９に示
すように、保護膜２９上に平滑な固体潤滑膜３３を形成
した光磁気ディスクが用いられる。
【００１５】磁気ヘッドが光磁気ディスクの回転開始
時、回転終了時にのみ、光磁気ディスクと接触する機構
を採用した光磁気ディスク装置では、図１０に示すよう
に、保護膜２９の表面に微細な凹凸３４を形成した光磁
気ディスクが用いられる。
時、回転終了時にのみ、光磁気ディスクと接触する機構
を採用した光磁気ディスク装置では、図１０に示すよう
に、保護膜２９の表面に微細な凹凸３４を形成した光磁
気ディスクが用いられる。
【００１６】さらに、フロッピーディスクは、図１１に
示すように、基板３５上に磁性層３６を有するディスク
３９をカートリッジ３７に収納し、ディスク３９とカー
トリッジ３７との間にライナー３８を挿入した構成にな
っている。
示すように、基板３５上に磁性層３６を有するディスク
３９をカートリッジ３７に収納し、ディスク３９とカー
トリッジ３７との間にライナー３８を挿入した構成にな
っている。
【００１７】基板３５には、厚さ７５μｍのポリエチレ
ンテレフタレートが用いられる。磁性層３６には、膜厚
が約０．５μｍのＣｏ−Ｃｒが用いられ、基板３５上に
スパッター法で形成される。ライナー３８は、液体潤滑
剤を含浸させた布繊紙が用いられ、液体潤滑剤がディス
ク３９とカートリッジ３７との間に常に供給されるよう
になっている（日本潤滑学会のトライボロジスト、第３
５巻、第４号、１９９０、ｐ．２４９を参照）。
ンテレフタレートが用いられる。磁性層３６には、膜厚
が約０．５μｍのＣｏ−Ｃｒが用いられ、基板３５上に
スパッター法で形成される。ライナー３８は、液体潤滑
剤を含浸させた布繊紙が用いられ、液体潤滑剤がディス
ク３９とカートリッジ３７との間に常に供給されるよう
になっている（日本潤滑学会のトライボロジスト、第３
５巻、第４号、１９９０、ｐ．２４９を参照）。
【００１８】さらにまた、ハードディスクは、図１２に
示すように、基板４０上に記録層４１と、液体潤滑層４
２を順次形成した構造になっている。
示すように、基板４０上に記録層４１と、液体潤滑層４
２を順次形成した構造になっている。
【００１９】基板４０には、アルマイト処理されたＡｌ
−Ｍｇ合金が用いられる。
−Ｍｇ合金が用いられる。
【００２０】記録層４１は、膜厚が約０．１〜０．２μ
ｍのγ−Ｆｅ2 Ｏ3 をスパッター法により形成し、熱処
理した後、ＳｉＯ2 等からなる保護層をスパッター法、
蒸着法等により形成することにより得られる。液体潤滑
層４２は、例えば、パーフルオロポリエーテル等の液体
潤滑剤をフッ素系の溶剤で希釈した溶液をスピンコート
法やディッピング法で記録層４１上に塗布し、溶剤を揮
発させることにより得られる（日本応用磁気学会誌、Ｖ
ｏｌ．１１、Ｎｏ．１、１９８７、ｐ．２２を参照）。
ｍのγ−Ｆｅ2 Ｏ3 をスパッター法により形成し、熱処
理した後、ＳｉＯ2 等からなる保護層をスパッター法、
蒸着法等により形成することにより得られる。液体潤滑
層４２は、例えば、パーフルオロポリエーテル等の液体
潤滑剤をフッ素系の溶剤で希釈した溶液をスピンコート
法やディッピング法で記録層４１上に塗布し、溶剤を揮
発させることにより得られる（日本応用磁気学会誌、Ｖ
ｏｌ．１１、Ｎｏ．１、１９８７、ｐ．２２を参照）。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の光磁気ディスクの製造プロセスでは、保護膜２９
のコーティングが大気中で行われるため、保護膜２９を
形成する前に光磁気記録膜２８が大気中の水蒸気、酸素
等を吸着して信頼性が低下するという問題点を有してい
る。
従来の光磁気ディスクの製造プロセスでは、保護膜２９
のコーティングが大気中で行われるため、保護膜２９を
形成する前に光磁気記録膜２８が大気中の水蒸気、酸素
等を吸着して信頼性が低下するという問題点を有してい
る。
【００２２】さらに、保護膜２９を形成後、平滑な固体
潤滑膜３３を形成する工程、あるいは、保護膜２９の表
面に微細な凹凸３４を形成する工程が必要であるので、
製造工程が複雑になるという問題点を有している。
潤滑膜３３を形成する工程、あるいは、保護膜２９の表
面に微細な凹凸３４を形成する工程が必要であるので、
製造工程が複雑になるという問題点を有している。
【００２３】また、フロッピーディスクでは、ライナー
３８が必要であり、したがって、部品点数が増加すると
いう問題点を有しており、ハードディスクの製造プロセ
スでは、液体潤滑層４２を形成する工程が必要であり、
したがって、製造工程が複雑になるという問題点を有し
ている。
３８が必要であり、したがって、部品点数が増加すると
いう問題点を有しており、ハードディスクの製造プロセ
スでは、液体潤滑層４２を形成する工程が必要であり、
したがって、製造工程が複雑になるという問題点を有し
ている。
【００２４】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るメ
モリー素子は、上記の課題を解決するために、基体上
に、磁性層を含む記録膜と、記録膜を被う保護膜とを備
えたメモリー素子において、上記保護膜は、ポリパラキ
シリレンまたは塩素を含まないポリパラキシリレン誘導
体のいずれかであることを特徴としている。
モリー素子は、上記の課題を解決するために、基体上
に、磁性層を含む記録膜と、記録膜を被う保護膜とを備
えたメモリー素子において、上記保護膜は、ポリパラキ
シリレンまたは塩素を含まないポリパラキシリレン誘導
体のいずれかであることを特徴としている。
【００２５】請求項２の発明に係るメモリー素子は、上
記の課題を解決するために、請求項１のメモリー素子で
あって、上記のポリパラキシリレン誘導体は、ポリモノ
フルオロパラキシリレン、ポリモノメチルパラキシリレ
ン、ポリモノエチルパラキシリレンのいずれかであるこ
とを特徴としている。
記の課題を解決するために、請求項１のメモリー素子で
あって、上記のポリパラキシリレン誘導体は、ポリモノ
フルオロパラキシリレン、ポリモノメチルパラキシリレ
ン、ポリモノエチルパラキシリレンのいずれかであるこ
とを特徴としている。
【００２６】請求項３の発明に係るメモリー素子の製造
方法は、上記の課題を解決するために、基体上に、磁性
層を含む記録膜と、記録膜を被う保護膜とを備えたメモ
リー素子の製造方法であって、基体上に記録膜を真空中
で成膜した後、大気にさらすことなく、ポリパラキシリ
レンまたは塩素を含まないポリパラキシリレン誘導体の
いずれかからなる保護膜を真空中で成膜することを特徴
としている。
方法は、上記の課題を解決するために、基体上に、磁性
層を含む記録膜と、記録膜を被う保護膜とを備えたメモ
リー素子の製造方法であって、基体上に記録膜を真空中
で成膜した後、大気にさらすことなく、ポリパラキシリ
レンまたは塩素を含まないポリパラキシリレン誘導体の
いずれかからなる保護膜を真空中で成膜することを特徴
としている。
【００２７】請求項４の発明に係るメモリー素子の製造
装置は、上記の課題を解決するために、基体上に、磁性
層を含む記録膜と、記録膜を被う保護膜とを備えたメモ
リー素子の製造装置であって、記録膜をスパッター法ま
たは蒸着法で成膜する成膜室と、ポリパラキシリレンま
たは塩素を含まないポリパラキシリレン誘導体のいずれ
かからなる保護膜を熱分解により成膜するコーティング
室とが設けられており、記録膜を成膜した基体を成膜室
からコーティング室に真空状態を保ったまま移送できる
ように、成膜室とコーティング室とが接続されているこ
とを特徴としている。
装置は、上記の課題を解決するために、基体上に、磁性
層を含む記録膜と、記録膜を被う保護膜とを備えたメモ
リー素子の製造装置であって、記録膜をスパッター法ま
たは蒸着法で成膜する成膜室と、ポリパラキシリレンま
たは塩素を含まないポリパラキシリレン誘導体のいずれ
かからなる保護膜を熱分解により成膜するコーティング
室とが設けられており、記録膜を成膜した基体を成膜室
からコーティング室に真空状態を保ったまま移送できる
ように、成膜室とコーティング室とが接続されているこ
とを特徴としている。
【００２８】
【作用】請求項１の構成によれば、保護膜をポリパラキ
シリレンまたは塩素を含まないポリパラキシリレン誘導
体のいずれかにしたので、保護膜の摩擦係数が小さくな
り、耐摩耗性が向上する。これにより、潤滑膜等が不要
になる。しかも、これらの保護膜は真空中で形成可能で
あるため、信頼性の高いメモリー素子を実現できる。
シリレンまたは塩素を含まないポリパラキシリレン誘導
体のいずれかにしたので、保護膜の摩擦係数が小さくな
り、耐摩耗性が向上する。これにより、潤滑膜等が不要
になる。しかも、これらの保護膜は真空中で形成可能で
あるため、信頼性の高いメモリー素子を実現できる。
【００２９】請求項２の構成によれば、摩擦係数がさら
に小さくなるか、もしくは、強固な保護膜が得られるた
め、磁気ヘッドと接触する等の、より過酷な環境での使
用に耐えるメモリー素子が得られる。
に小さくなるか、もしくは、強固な保護膜が得られるた
め、磁気ヘッドと接触する等の、より過酷な環境での使
用に耐えるメモリー素子が得られる。
【００３０】請求項３の構成によれば、基体上に記録膜
を真空中で成膜した後、大気にさらすことなく、ポリパ
ラキシリレンまたは塩素を含まないポリパラキシリレン
誘導体のいずれかからなる保護膜を真空中で成膜するの
で、記録膜が水蒸気、酸素等を吸着することがなくな
る。これにより、信頼性の高いメモリー素子を製造でき
る。
を真空中で成膜した後、大気にさらすことなく、ポリパ
ラキシリレンまたは塩素を含まないポリパラキシリレン
誘導体のいずれかからなる保護膜を真空中で成膜するの
で、記録膜が水蒸気、酸素等を吸着することがなくな
る。これにより、信頼性の高いメモリー素子を製造でき
る。
【００３１】請求項４の構成によれば、記録膜をスパッ
ター法または蒸着法で成膜する成膜室と、ポリパラキシ
リレンまたは塩素を含まないポリパラキシリレン誘導体
のいずれかからなる保護膜を熱分解により成膜するコー
ティング室とを設け、記録膜を成膜した基体を成膜室か
らコーティング室に真空状態を保ったまま移送できるよ
うに、成膜室とコーティング室とを接続したので、請求
項３の作用に加え、上記のメモリー素子をインラインで
製造できる。これにより、生産効率を格段に向上させる
ことができる。
ター法または蒸着法で成膜する成膜室と、ポリパラキシ
リレンまたは塩素を含まないポリパラキシリレン誘導体
のいずれかからなる保護膜を熱分解により成膜するコー
ティング室とを設け、記録膜を成膜した基体を成膜室か
らコーティング室に真空状態を保ったまま移送できるよ
うに、成膜室とコーティング室とを接続したので、請求
項３の作用に加え、上記のメモリー素子をインラインで
製造できる。これにより、生産効率を格段に向上させる
ことができる。
【００３２】
【実施例】本発明の第１実施例について図１ないし図３
に基づいて説明すれば、以下の通りである。
に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００３３】本実施例の光磁気ディスク（メモリー素
子）は、図１に示すように、基板１（基体）上に、光磁
気記録膜２（記録膜）を形成し、この光磁気記録膜２を
被うように保護膜３を形成した構造になっている。
子）は、図１に示すように、基板１（基体）上に、光磁
気記録膜２（記録膜）を形成し、この光磁気記録膜２を
被うように保護膜３を形成した構造になっている。
【００３４】基板１には、ガラス、ポリカーボネイト、
ポリメチルメタクリレート、アモルファスポリオレフィ
ン等の光学的に透明な材料が用いられる。
ポリメチルメタクリレート、アモルファスポリオレフィ
ン等の光学的に透明な材料が用いられる。
【００３５】光磁気記録膜２は、磁性体膜だけからなる
単層構造、もしくは、誘電体膜、反射膜等を含む多層構
造になっている。四層構造の光磁気記録膜２の場合、例
えば、ＡｌＮ（８０ｎｍ）／ＤｙＦｅＣｏ（２０ｎｍ）
／ＡｌＮ（２５ｎｍ）／Ａｌ（５０ｎｍ）が用いられ
る。三層構造の光磁気記録膜２の場合、例えば、ＳｉＮ
（８０ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ（８０ｎｍ）／ＳｉＮ（８
０ｎｍ）が用いられる。ここで、括弧内は膜厚を示して
いる。
単層構造、もしくは、誘電体膜、反射膜等を含む多層構
造になっている。四層構造の光磁気記録膜２の場合、例
えば、ＡｌＮ（８０ｎｍ）／ＤｙＦｅＣｏ（２０ｎｍ）
／ＡｌＮ（２５ｎｍ）／Ａｌ（５０ｎｍ）が用いられ
る。三層構造の光磁気記録膜２の場合、例えば、ＳｉＮ
（８０ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ（８０ｎｍ）／ＳｉＮ（８
０ｎｍ）が用いられる。ここで、括弧内は膜厚を示して
いる。
【００３６】保護膜３には、ポリパラキシリレン
【００３７】
【化１】
【００３８】、または、塩素を含まないポリパラキシリ
レン誘導体が用いられる。塩素を含まないポリパラキシ
リレン誘導体としては、例えば、ポリモノフルオロパラ
キシリレン
レン誘導体が用いられる。塩素を含まないポリパラキシ
リレン誘導体としては、例えば、ポリモノフルオロパラ
キシリレン
【００３９】
【化２】
【００４０】、ポリモノメチルパラキシリレン
【００４１】
【化３】
【００４２】、ポリモノエチルパラキシリレン
【００４３】
【化４】
【００４４】がある。
【００４５】上記の構成によれば、ポリパラキシリレン
または塩素を含まないポリパラキシリレン誘導体を保護
膜３に用いたので、摩擦係数が小さくなる。したがっ
て、耐摩耗性が向上する。これにより、表面に傷が付き
にくくなり、信頼性の高い光磁気ディスクが得られる。
または塩素を含まないポリパラキシリレン誘導体を保護
膜３に用いたので、摩擦係数が小さくなる。したがっ
て、耐摩耗性が向上する。これにより、表面に傷が付き
にくくなり、信頼性の高い光磁気ディスクが得られる。
【００４６】保護膜３にポリモノフルオロパラキシリレ
ンを用いた場合、フッ素の表面自由エネルギーが低いた
め、さらに摩擦係数が小さくなる。このため、磁気ヘッ
ドが常時、光磁気ディスクに接触する機構を採用した光
磁気ディスク装置や、磁気ヘッドが光磁気ディスクの回
転開始時、回転終了時にのみ、光磁気ディスクに接触す
る機構を採用した光磁気ディスク装置において、この光
磁気ディスクを使用すると、特に、有用である。
ンを用いた場合、フッ素の表面自由エネルギーが低いた
め、さらに摩擦係数が小さくなる。このため、磁気ヘッ
ドが常時、光磁気ディスクに接触する機構を採用した光
磁気ディスク装置や、磁気ヘッドが光磁気ディスクの回
転開始時、回転終了時にのみ、光磁気ディスクに接触す
る機構を採用した光磁気ディスク装置において、この光
磁気ディスクを使用すると、特に、有用である。
【００４７】保護膜３にポリモノメチルパラキシリレ
ン、または、ポリモノエチルパラキシリレンを用いた場
合、重合により強固な化学結合ができるので、より過酷
な環境で使用できる光磁気ディスクが得られる。
ン、または、ポリモノエチルパラキシリレンを用いた場
合、重合により強固な化学結合ができるので、より過酷
な環境で使用できる光磁気ディスクが得られる。
【００４８】保護膜３を、図２に示すように、基板１お
よび光磁気記録膜２の全体を被うように形成した構造の
光磁気ディスクは、さらに過酷な環境で使用される光磁
気ディスクに適している。
よび光磁気記録膜２の全体を被うように形成した構造の
光磁気ディスクは、さらに過酷な環境で使用される光磁
気ディスクに適している。
【００４９】上記の光磁気ディスクの製造方法につい
て、図３の製造装置を参照しながら説明すれば、以下の
通りである。
て、図３の製造装置を参照しながら説明すれば、以下の
通りである。
【００５０】まず、基板１をセットしたトレイ１１…を
ロード室６に導入する。真空装置１０でスパッター室１
２〜１５（成膜室）、コーティグ前室２０の中を排気し
た後、ロード室６とスパッター室１２とを隔てるゲート
バルブ２５ａを開き、トレイ１１をロード室６からスパ
ッター室１２に移送する。
ロード室６に導入する。真空装置１０でスパッター室１
２〜１５（成膜室）、コーティグ前室２０の中を排気し
た後、ロード室６とスパッター室１２とを隔てるゲート
バルブ２５ａを開き、トレイ１１をロード室６からスパ
ッター室１２に移送する。
【００５１】スパッター室１２の真空度が２．０×１０
-4Ｐａ以下になると、バルブ２６ａを開き、Ｎ2 ボンベ
８からスパッター室１２にＮ2 ガスを導入する。スパッ
ター室１２では、Ｎ2 ガスの圧力が３．０×１０-1Ｐ
ａ、放電電力が８００Ｗのスパッター条件の下で、Ａｌ
ターゲット１６の反応性スパッターを行い、基板１上に
膜厚が８０ｎｍのＡｌＮを成膜する。
-4Ｐａ以下になると、バルブ２６ａを開き、Ｎ2 ボンベ
８からスパッター室１２にＮ2 ガスを導入する。スパッ
ター室１２では、Ｎ2 ガスの圧力が３．０×１０-1Ｐ
ａ、放電電力が８００Ｗのスパッター条件の下で、Ａｌ
ターゲット１６の反応性スパッターを行い、基板１上に
膜厚が８０ｎｍのＡｌＮを成膜する。
【００５２】それから、トレイ１１をスパッター室１３
に移送し、バルブ２６ｂを開き、Ａｒボンベ９からスパ
ッター室１３にＡｒガスを導入する。スパッター室１３
では、Ａｒガスの圧力が６．５×１０-1Ｐａ、放電電力
が３００Ｗのスパッター条件の下で、ＤｙＦｅＣｏター
ゲット１７のスパッターを行い、基板１のＡｌＮ上に膜
厚が２０ｎｍのＤｙＦｅＣｏを成膜する。
に移送し、バルブ２６ｂを開き、Ａｒボンベ９からスパ
ッター室１３にＡｒガスを導入する。スパッター室１３
では、Ａｒガスの圧力が６．５×１０-1Ｐａ、放電電力
が３００Ｗのスパッター条件の下で、ＤｙＦｅＣｏター
ゲット１７のスパッターを行い、基板１のＡｌＮ上に膜
厚が２０ｎｍのＤｙＦｅＣｏを成膜する。
【００５３】それから、トレイ１１をスパッター室１４
に移送し、バルブ２６ｃを開き、Ｎ2 ボンベ８からスパ
ッター室１４にＮ2 ガスを導入する。スパッター室１２
でのスパッター条件と同一条件の下で、Ａｌターゲット
１８の反応性スパッターを行い、基板１のＤｙＦｅＣｏ
上に膜厚が２５ｎｍのＡｌＮを成膜する。
に移送し、バルブ２６ｃを開き、Ｎ2 ボンベ８からスパ
ッター室１４にＮ2 ガスを導入する。スパッター室１２
でのスパッター条件と同一条件の下で、Ａｌターゲット
１８の反応性スパッターを行い、基板１のＤｙＦｅＣｏ
上に膜厚が２５ｎｍのＡｌＮを成膜する。
【００５４】それから、トレイ１１をスパッター室１５
に移送し、バルブ２６ｄを開き、Ａｒボンベ９からスパ
ッター室１５にＡｒガスを導入する。スパッター室１５
では、Ａｒガスの圧力が６．５×１０-1Ｐａ、放電電力
が３００Ｗのスパッター条件の下で、Ａｌターゲット１
９のスパッターを行い、基板１のＡｌＮ上に膜厚が５０
ｎｍのＡｌを成膜する。これにより、基板１上に光磁気
記録膜２が形成されたことになる。
に移送し、バルブ２６ｄを開き、Ａｒボンベ９からスパ
ッター室１５にＡｒガスを導入する。スパッター室１５
では、Ａｒガスの圧力が６．５×１０-1Ｐａ、放電電力
が３００Ｗのスパッター条件の下で、Ａｌターゲット１
９のスパッターを行い、基板１のＡｌＮ上に膜厚が５０
ｎｍのＡｌを成膜する。これにより、基板１上に光磁気
記録膜２が形成されたことになる。
【００５５】それから、トレイ１１をコーティグ前室２
０に移送し、スパッター室１５とコーティグ前室２０と
を隔てるゲートバルブ２５ｂを閉じる。それから、コー
ティグ前室２０とコーティング室２３とを隔てるゲート
バルブ２５ｃを開き、トレイ１１をコーティグ前室２０
からコーティング室２３に移送する。
０に移送し、スパッター室１５とコーティグ前室２０と
を隔てるゲートバルブ２５ｂを閉じる。それから、コー
ティグ前室２０とコーティング室２３とを隔てるゲート
バルブ２５ｃを開き、トレイ１１をコーティグ前室２０
からコーティング室２３に移送する。
【００５６】コーティング室２３は、防臭冷却器２４を
介して真空装置２０で排気できるようになっている。ま
た、コーティング室２３は、気化室２１で気化したガス
を熱分解する熱分解室２２に接続されている。
介して真空装置２０で排気できるようになっている。ま
た、コーティング室２３は、気化室２１で気化したガス
を熱分解する熱分解室２２に接続されている。
【００５７】気化室２１では、約１７５℃、１３３Ｐａ
の条件の下で、ジパラキシリレン
の条件の下で、ジパラキシリレン
【００５８】
【化５】
【００５９】を気化させる。気化したガスは、熱分解室
２２に送られる。約６８０℃、６７Ｐａの条件の下で、
熱分解することにより、ジラジカルパラキシリレン
２２に送られる。約６８０℃、６７Ｐａの条件の下で、
熱分解することにより、ジラジカルパラキシリレン
【００６０】
【化６】
【００６１】が発生する。このジラジカルパラキシリレ
ンはコーティング室２３に導入される。約３５℃、１３
Ｐａの条件の下で、吸着と重合が同時に行われ、基板１
の光磁気記録膜２上に高分子量のポリパラキシレン膜
（膜厚は５μｍ）が形成される。これにより、基板１の
光磁気記録膜２上に保護膜３が形成される。
ンはコーティング室２３に導入される。約３５℃、１３
Ｐａの条件の下で、吸着と重合が同時に行われ、基板１
の光磁気記録膜２上に高分子量のポリパラキシレン膜
（膜厚は５μｍ）が形成される。これにより、基板１の
光磁気記録膜２上に保護膜３が形成される。
【００６２】最後に、トレイ１１をアンロード室７に移
送し、コーティング室２３とアンロード室７とを隔てる
ゲートバルブ２５ｄを閉じた後、アンロード室７の中を
リークし、トレイ１１を取り出す。
送し、コーティング室２３とアンロード室７とを隔てる
ゲートバルブ２５ｄを閉じた後、アンロード室７の中を
リークし、トレイ１１を取り出す。
【００６３】上記の製造装置、製造方法によれば、光磁
気記録膜２を大気にさらすことなく、真空中で保護膜３
を形成できる。このため、大気中の水蒸気、酸素等が光
磁気記録膜２に吸着しなくなる。これにより、光磁気デ
ィスクの信頼性が大幅に向上する。
気記録膜２を大気にさらすことなく、真空中で保護膜３
を形成できる。このため、大気中の水蒸気、酸素等が光
磁気記録膜２に吸着しなくなる。これにより、光磁気デ
ィスクの信頼性が大幅に向上する。
【００６４】また、この製造装置はインラインタイプで
あるので、光磁気ディスクを効率よく製造できる。しか
も、スパッター室１５とコーティング室２３との間にコ
ーティグ前室２０を設けたので、保護膜３の材料による
スパッター室１２〜１５のコンタミネーションを防止で
きる。
あるので、光磁気ディスクを効率よく製造できる。しか
も、スパッター室１５とコーティング室２３との間にコ
ーティグ前室２０を設けたので、保護膜３の材料による
スパッター室１２〜１５のコンタミネーションを防止で
きる。
【００６５】上記の製造方法では、保護膜３としてポリ
パラキシリレンを用いた光磁気ディスクを例に挙げて説
明したが、保護膜３としてポリパラキシリレンの誘導体
を用いた光磁気ディスクも、ほぼ同様の方法で製造でき
る。
パラキシリレンを用いた光磁気ディスクを例に挙げて説
明したが、保護膜３としてポリパラキシリレンの誘導体
を用いた光磁気ディスクも、ほぼ同様の方法で製造でき
る。
【００６６】また、光磁気記録膜２を蒸着法で形成する
こともできる。
こともできる。
【００６７】さらに、上記光磁気ディスクの構造、製造
装置、製造方法は、光磁気カード、光磁気テープ等の光
磁気メモリー素子の構造、製造装置、製造方法にも応用
できる。
装置、製造方法は、光磁気カード、光磁気テープ等の光
磁気メモリー素子の構造、製造装置、製造方法にも応用
できる。
【００６８】本発明の第２実施例について図４に基づい
て説明すれば、以下の通りである。
て説明すれば、以下の通りである。
【００６９】なお、説明の便宜上、前記の実施例の図面
に示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符
号を付記し、その説明を省略する。
に示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符
号を付記し、その説明を省略する。
【００７０】本実施例のフロッピーディスク（メモリー
素子）は、図４に示すように、基板４（基体）の両面
に、記録層５・５（記録膜）を形成し、基板１および記
録層５・５の全体を被うように保護膜３を形成した構造
になっている。なお、カートリッジは図示されていな
い。
素子）は、図４に示すように、基板４（基体）の両面
に、記録層５・５（記録膜）を形成し、基板１および記
録層５・５の全体を被うように保護膜３を形成した構造
になっている。なお、カートリッジは図示されていな
い。
【００７１】基板４には、例えば、厚さ７５μｍのポリ
エチレンテレフタレートが用いられる。記録層５には、
膜厚が約０．５μｍのＣｏ−Ｃｒが用いられる。
エチレンテレフタレートが用いられる。記録層５には、
膜厚が約０．５μｍのＣｏ−Ｃｒが用いられる。
【００７２】保護膜３には、前記実施例と同一材料が用
いられる。
いられる。
【００７３】フロッピーディスクの製造方法、製造装置
は前記実施例とほぼ同じである。
は前記実施例とほぼ同じである。
【００７４】上記の構成によれば、耐環境性に優れ、か
つ、磁気ヘッドに対して潤滑性に優れたフロッピーディ
スクが得られる。従来用いられていたライナーは不要と
なるので、部品点数を少なくできる。
つ、磁気ヘッドに対して潤滑性に優れたフロッピーディ
スクが得られる。従来用いられていたライナーは不要と
なるので、部品点数を少なくできる。
【００７５】また、本実施例のフロッピーディスクの構
造、製造装置、製造方法は、磁気カード、磁気テープ等
の磁気メモリー素子にも応用できる。
造、製造装置、製造方法は、磁気カード、磁気テープ等
の磁気メモリー素子にも応用できる。
【００７６】本発明の第３実施例について説明すれば、
以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施例
の図面に示した部材と同一の機能を有する部材には、同
一の符号を付記し、その説明を省略する。
以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施例
の図面に示した部材と同一の機能を有する部材には、同
一の符号を付記し、その説明を省略する。
【００７７】本実施例のハードディスク（メモリー素
子）の基本構成は、図４のフロッピーディスクとほぼ同
様である。基板４には、例えば、アルマイト処理された
Ａｌ−Ｍｇ合金が用いられる。記録層５は、膜厚が約
０．１〜０．２μｍのγ−Ｆｅ2Ｏ3 を形成し、熱処理
した後、ＳｉＯ2 等からなる保護層を形成することによ
り得られる。
子）の基本構成は、図４のフロッピーディスクとほぼ同
様である。基板４には、例えば、アルマイト処理された
Ａｌ−Ｍｇ合金が用いられる。記録層５は、膜厚が約
０．１〜０．２μｍのγ−Ｆｅ2Ｏ3 を形成し、熱処理
した後、ＳｉＯ2 等からなる保護層を形成することによ
り得られる。
【００７８】保護膜３には、前記実施例と同一材料が用
いられる。
いられる。
【００７９】ハードディスクの製造方法、製造装置は前
記実施例とほぼ同じである。
記実施例とほぼ同じである。
【００８０】上記の構成によれば、耐環境性に優れ、か
つ、磁気ヘッドに対して潤滑性に優れたハードディスク
を得られる。しかも、生産効率が高い。
つ、磁気ヘッドに対して潤滑性に優れたハードディスク
を得られる。しかも、生産効率が高い。
【００８１】請求項１の発明に対応する光磁気ディス
ク、フロッピーディスクおよびハードディスク等のメモ
リー素子は、基板１（または、基板４）上に、磁性層を
含む光磁気記録膜２（または、記録層５）と、光磁気記
録膜２（または、記録層５）を被う保護膜３とを備えた
メモリー素子において、上記保護膜３は、ポリパラキシ
リレンまたは塩素を含まないポリパラキシリレン誘導体
のいずれかである構成である。
ク、フロッピーディスクおよびハードディスク等のメモ
リー素子は、基板１（または、基板４）上に、磁性層を
含む光磁気記録膜２（または、記録層５）と、光磁気記
録膜２（または、記録層５）を被う保護膜３とを備えた
メモリー素子において、上記保護膜３は、ポリパラキシ
リレンまたは塩素を含まないポリパラキシリレン誘導体
のいずれかである構成である。
【００８２】このため、保護膜３の摩擦係数が小さくな
るので、耐摩耗性が向上する。これにより、潤滑膜等が
不要になる。しかも、これらの保護膜３は真空中で形成
可能であるため、信頼性の高いメモリー素子を実現でき
る。
るので、耐摩耗性が向上する。これにより、潤滑膜等が
不要になる。しかも、これらの保護膜３は真空中で形成
可能であるため、信頼性の高いメモリー素子を実現でき
る。
【００８３】請求項２の発明に対応する光磁気ディス
ク、フロッピーディスクおよびハードディスク等のメモ
リー素子は、上記のポリパラキシリレン誘導体が、ポリ
モノフルオロパラキシリレン、ポリモノメチルパラキシ
リレン、ポリモノエチルパラキシリレンのいずれかであ
る構成である。
ク、フロッピーディスクおよびハードディスク等のメモ
リー素子は、上記のポリパラキシリレン誘導体が、ポリ
モノフルオロパラキシリレン、ポリモノメチルパラキシ
リレン、ポリモノエチルパラキシリレンのいずれかであ
る構成である。
【００８４】このため、請求項１の作用効果に加え、摩
擦係数がさらに小さくなるか、もしくは、強固な保護膜
３が得られる。このため、磁気ヘッドと接触する等の、
より過酷な環境での使用に耐えるメモリー素子を実現で
きる。
擦係数がさらに小さくなるか、もしくは、強固な保護膜
３が得られる。このため、磁気ヘッドと接触する等の、
より過酷な環境での使用に耐えるメモリー素子を実現で
きる。
【００８５】請求項３の発明に対応する光磁気ディス
ク、フロッピーディスクおよびハードディスク等のメモ
リー素子の製造方法は、上記のメモリー素子の製造方法
であって、基板１上に光磁気記録膜２（または、記録層
５）を真空中で成膜した後、大気にさらすことなく、ポ
リパラキシリレンまたは塩素を含まないポリパラキシリ
レン誘導体のいずれかからなる保護膜３を真空中で成膜
する構成である。
ク、フロッピーディスクおよびハードディスク等のメモ
リー素子の製造方法は、上記のメモリー素子の製造方法
であって、基板１上に光磁気記録膜２（または、記録層
５）を真空中で成膜した後、大気にさらすことなく、ポ
リパラキシリレンまたは塩素を含まないポリパラキシリ
レン誘導体のいずれかからなる保護膜３を真空中で成膜
する構成である。
【００８６】このため、光磁気記録膜２（または、記録
層５）が水蒸気、酸素等を吸着することがなくなる。こ
れにより、信頼性の高いメモリー素子を製造できる。
層５）が水蒸気、酸素等を吸着することがなくなる。こ
れにより、信頼性の高いメモリー素子を製造できる。
【００８７】請求項４の発明に対応する光磁気ディス
ク、フロッピーディスクおよびハードディスク等のメモ
リー素子の製造装置は、上記のメモリー素子の製造装置
であって、光磁気記録膜２（または、記録層５）をスパ
ッター法で成膜するスパッター室１２〜１５と、ポリパ
ラキシリレンまたは塩素を含まないポリパラキシリレン
誘導体のいずれかからなる保護膜３を熱分解により成膜
するコーティング室２３とが設けられており、光磁気記
録膜２（または、記録層５）を成膜した基板１（また
は、基板４）をスパッター室１２〜１５からコーティン
グ室２３に真空状態を保ったまま移送できるように、ス
パッター室１２〜１５とコーティング室２３とが接続さ
れている構成である。
ク、フロッピーディスクおよびハードディスク等のメモ
リー素子の製造装置は、上記のメモリー素子の製造装置
であって、光磁気記録膜２（または、記録層５）をスパ
ッター法で成膜するスパッター室１２〜１５と、ポリパ
ラキシリレンまたは塩素を含まないポリパラキシリレン
誘導体のいずれかからなる保護膜３を熱分解により成膜
するコーティング室２３とが設けられており、光磁気記
録膜２（または、記録層５）を成膜した基板１（また
は、基板４）をスパッター室１２〜１５からコーティン
グ室２３に真空状態を保ったまま移送できるように、ス
パッター室１２〜１５とコーティング室２３とが接続さ
れている構成である。
【００８８】このため、請求項３の作用効果に加え、上
記のメモリー素子をインラインで製造できる。これによ
り、生産効率が格段に向上する。
記のメモリー素子をインラインで製造できる。これによ
り、生産効率が格段に向上する。
【００８９】
【発明の効果】請求項１の発明に係るメモリー素子は、
以上のように、保護膜が、ポリパラキシリレンまたは塩
素を含まないポリパラキシリレン誘導体のいずれかであ
るので、保護膜の摩擦係数が小さくなり、耐摩耗性が向
上する。これにより、潤滑膜等を形成しない単純な構成
で、信頼性の高いメモリー素子を実現できるという効果
を奏する。
以上のように、保護膜が、ポリパラキシリレンまたは塩
素を含まないポリパラキシリレン誘導体のいずれかであ
るので、保護膜の摩擦係数が小さくなり、耐摩耗性が向
上する。これにより、潤滑膜等を形成しない単純な構成
で、信頼性の高いメモリー素子を実現できるという効果
を奏する。
【００９０】請求項２の発明に係るメモリー素子は、以
上のように、上記のポリパラキシリレン誘導体は、ポリ
モノフルオロパラキシリレン、ポリモノメチルパラキシ
リレン、ポリモノエチルパラキシリレンのいずれかであ
るので、摩擦係数がさらに小さくなるか、もしくは、強
固な保護膜が得られる。このため、磁気ヘッドと接触す
る等の、より過酷な環境での使用に耐えるメモリー素子
を実現できるという効果を奏する。
上のように、上記のポリパラキシリレン誘導体は、ポリ
モノフルオロパラキシリレン、ポリモノメチルパラキシ
リレン、ポリモノエチルパラキシリレンのいずれかであ
るので、摩擦係数がさらに小さくなるか、もしくは、強
固な保護膜が得られる。このため、磁気ヘッドと接触す
る等の、より過酷な環境での使用に耐えるメモリー素子
を実現できるという効果を奏する。
【００９１】請求項３の発明に係るメモリー素子の製造
方法は、以上のように、上記のメモリー素子の製造方法
であって、基体上に記録膜を真空中で成膜した後、大気
にさらすことなく、ポリパラキシリレンまたは塩素を含
まないポリパラキシリレン誘導体のいずれかからなる保
護膜を真空中で成膜するので、記録膜が水蒸気、酸素等
を吸着することがなくなる。これにより、信頼性の高い
メモリー素子を製造できるという効果を奏する。
方法は、以上のように、上記のメモリー素子の製造方法
であって、基体上に記録膜を真空中で成膜した後、大気
にさらすことなく、ポリパラキシリレンまたは塩素を含
まないポリパラキシリレン誘導体のいずれかからなる保
護膜を真空中で成膜するので、記録膜が水蒸気、酸素等
を吸着することがなくなる。これにより、信頼性の高い
メモリー素子を製造できるという効果を奏する。
【００９２】請求項４の発明に係るメモリー素子の製造
装置は、以上のように、上記のメモリー素子の製造装置
であって、記録膜をスパッター法または蒸着法で成膜す
る成膜室と、ポリパラキシリレンまたは塩素を含まない
ポリパラキシリレン誘導体のいずれかからなる保護膜を
熱分解により成膜するコーティング室とが設けられてお
り、記録膜を成膜した基体を成膜室からコーティング室
に真空状態を保ったまま移送できるように、成膜室とコ
ーティング室とが接続されているので、請求項３の効果
に加え、上記のメモリー素子をインラインで製造でき
る。これにより、生産効率が格段に向上するという効果
を奏する。
装置は、以上のように、上記のメモリー素子の製造装置
であって、記録膜をスパッター法または蒸着法で成膜す
る成膜室と、ポリパラキシリレンまたは塩素を含まない
ポリパラキシリレン誘導体のいずれかからなる保護膜を
熱分解により成膜するコーティング室とが設けられてお
り、記録膜を成膜した基体を成膜室からコーティング室
に真空状態を保ったまま移送できるように、成膜室とコ
ーティング室とが接続されているので、請求項３の効果
に加え、上記のメモリー素子をインラインで製造でき
る。これにより、生産効率が格段に向上するという効果
を奏する。
【図１】本発明に係る光磁気ディスクの構成を示す概略
の断面図である。
の断面図である。
【図２】本発明に係る光磁気ディスクの他の構成を示す
概略の断面図である。
概略の断面図である。
【図３】図１および図２の光磁気ディスクの製造装置を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図４】本発明に係るフロッピーディスクおよびハード
ディスクの構成を示す概略の断面図である。
ディスクの構成を示す概略の断面図である。
【図５】従来の光磁気ディスクの構成を示す概略の断面
図である。
図である。
【図６】図５の光磁気ディスクの製造方法を示す説明図
である。
である。
【図７】従来の光磁気ディスクの他の構成を示す概略の
断面図である。
断面図である。
【図８】図７の光磁気ディスクの製造方法を示す説明図
である。
である。
【図９】従来の光磁気ディスクのその他の構成を示す概
略の断面図である。
略の断面図である。
【図１０】従来の光磁気ディスクのその他の構成を示す
概略の断面図である。
概略の断面図である。
【図１１】従来のフロッピーディスクの構成を示す概略
の断面図である。
の断面図である。
【図１２】従来のハードディスクの構成を示す概略の断
面図である。
面図である。
１ 基板（基体） ２ 光磁気記録膜（記録膜） ３ 保護膜 ４ 基板（基体） ５ 記録層（記録膜） １２ スパッター室（成膜室） １３ スパッター室（成膜室） １４ スパッター室（成膜室） １５ スパッター室（成膜室） ２３ コーティング室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】基体上に、磁性層を含む記録膜と、記録膜
を被う保護膜とを備えたメモリー素子において、 上記保護膜は、ポリパラキシリレンまたは塩素を含まな
いポリパラキシリレン誘導体のいずれかであることを特
徴とするメモリー素子。 - 【請求項２】ポリパラキシリレン誘導体は、ポリモノフ
ルオロパラキシリレン、ポリモノメチルパラキシリレ
ン、ポリモノエチルパラキシリレンのいずれかであるこ
とを特徴とする請求項１記載のメモリー素子。 - 【請求項３】基体上に、磁性層を含む記録膜と、記録膜
を被う保護膜とを備えたメモリー素子の製造方法であっ
て、 基体上に記録膜を真空中で成膜した後、大気にさらすこ
となく、ポリパラキシリレンまたは塩素を含まないポリ
パラキシリレン誘導体のいずれかからなる保護膜を真空
中で成膜することを特徴とするメモリー素子の製造方
法。 - 【請求項４】基体上に、磁性層を含む記録膜と、記録膜
を被う保護膜とを備えたメモリー素子の製造装置であっ
て、 記録膜をスパッター法または蒸着法で成膜する成膜室
と、ポリパラキシリレンまたは塩素を含まないポリパラ
キシリレン誘導体のいずれかからなる保護膜を熱分解に
より成膜するコーティング室とが設けられており、記録
膜を成膜した基体を成膜室からコーティング室に真空状
態を保ったまま移送できるように、成膜室とコーティン
グ室とが接続されていることを特徴とするメモリー素子
の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5041399A JPH06251360A (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | メモリー素子、その製造方法およびその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5041399A JPH06251360A (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | メモリー素子、その製造方法およびその製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06251360A true JPH06251360A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12607306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5041399A Pending JPH06251360A (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | メモリー素子、その製造方法およびその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06251360A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010528400A (ja) * | 2007-05-22 | 2010-08-19 | ドルベック，マーク，エイ． | コンピュータの高性能ハードディスクドライブ |
-
1993
- 1993-03-02 JP JP5041399A patent/JPH06251360A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010528400A (ja) * | 2007-05-22 | 2010-08-19 | ドルベック，マーク，エイ． | コンピュータの高性能ハードディスクドライブ |
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Effective date: 20051209 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
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