JPH0624770A - 石英導波路用ガラス層製造方法 - Google Patents
石英導波路用ガラス層製造方法Info
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- JPH0624770A JPH0624770A JP18141592A JP18141592A JPH0624770A JP H0624770 A JPH0624770 A JP H0624770A JP 18141592 A JP18141592 A JP 18141592A JP 18141592 A JP18141592 A JP 18141592A JP H0624770 A JPH0624770 A JP H0624770A
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- silicon substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 石英導波路用ガラス層製造方法に関し、ガラ
ス層の厚さが均一でまた亀裂等がなく、且つガラス層内
に気泡が混入する恐れのないことを目的とする。 【構成】 平面視形状が可動ステージ５の平面視形状よ
り大きいベース板10を、可動ステージ５上にセットし、
ベース板10上にシリコン基板１を載置して、火炎法によ
りシリコン基板１の上面にガラススート層を堆積形成し
た後に、可動ステージ５からシリコン基板１をベース板
10ごと取外して、加熱炉に投入し加熱し、ガラススート
層をガラス化して、シリコン基板１の上面にガラス層を
設ける構成とする。
ス層の厚さが均一でまた亀裂等がなく、且つガラス層内
に気泡が混入する恐れのないことを目的とする。 【構成】 平面視形状が可動ステージ５の平面視形状よ
り大きいベース板10を、可動ステージ５上にセットし、
ベース板10上にシリコン基板１を載置して、火炎法によ
りシリコン基板１の上面にガラススート層を堆積形成し
た後に、可動ステージ５からシリコン基板１をベース板
10ごと取外して、加熱炉に投入し加熱し、ガラススート
層をガラス化して、シリコン基板１の上面にガラス層を
設ける構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、石英導波路用ガラス層
製造方法に関する。光方向性結合器，光カプラ等の光導
波路デバイスの石英系光導波路は、シリコン基板の表面
に形成したアンダクラッド層と、アンダクラッド層の上
部に形成した断面角形の所望形状のコアパターンと、コ
アパターンを覆うオーバクラッド層とから構成される。
製造方法に関する。光方向性結合器，光カプラ等の光導
波路デバイスの石英系光導波路は、シリコン基板の表面
に形成したアンダクラッド層と、アンダクラッド層の上
部に形成した断面角形の所望形状のコアパターンと、コ
アパターンを覆うオーバクラッド層とから構成される。
【０００２】そして、これらのアンダクラッド層，コア
パターンのパターン化前のコア層、及びオーバクラッド
層は、いずれも所望の成分のガラススートを加熱しガラ
ス化することで製造される。
パターンのパターン化前のコア層、及びオーバクラッド
層は、いずれも所望の成分のガラススートを加熱しガラ
ス化することで製造される。
【０００３】
【従来の技術】図３は、石英導波路用ガラス層の従来の
製造工程を示す図である。図３において、１は、直径が
約100mm 厚さが約1mm の円板状のシリコン基板である。
製造工程を示す図である。図３において、１は、直径が
約100mm 厚さが約1mm の円板状のシリコン基板である。
【０００４】６は、酸素をキャリアにして所望の原料ガ
スを導入し、酸化反応でシリコン基板１上にガラススー
トを堆積形成する石英製の酸水素バーナである。従来は
図３の(A) に図示したように、可動ステージ５の上面に
シリコン基板１を載置した後に、酸水素バーナ６をＸ軸
方向の往復運動を付与するとともに、可動ステージ５を
Ｙ軸方向に移動して、シリコン基板１の全表面に、SiO2
に P2O5とB2O3をドープしたクラッド用ガラススート層2
Aを堆積形成し、さらにクラッド用ガラススート層2Aの
全表面にSiO2にGeO2をドープしたコア用ガラススート層
3Aを堆積形成している。
スを導入し、酸化反応でシリコン基板１上にガラススー
トを堆積形成する石英製の酸水素バーナである。従来は
図３の(A) に図示したように、可動ステージ５の上面に
シリコン基板１を載置した後に、酸水素バーナ６をＸ軸
方向の往復運動を付与するとともに、可動ステージ５を
Ｙ軸方向に移動して、シリコン基板１の全表面に、SiO2
に P2O5とB2O3をドープしたクラッド用ガラススート層2
Aを堆積形成し、さらにクラッド用ガラススート層2Aの
全表面にSiO2にGeO2をドープしたコア用ガラススート層
3Aを堆積形成している。
【０００５】次に、図３の(B) に図示したように、シリ
コン基板１を可動ステージ５から取外して石英製トレー
８上に移す。そして、シリコン基板１を石英製トレー８
ごと、電気炉のような加熱炉に投入し、約1300℃に加熱
して、それぞれのガラススート層をガラス化すること
で、図３の(C) に図示したように、クラッド用ガラスス
ート層2Aをアンダクラッド層２にガラス化し、コア用ガ
ラススート層3Aをガラス化してアンダクラッド層２の上
層にコア層３を形成している。
コン基板１を可動ステージ５から取外して石英製トレー
８上に移す。そして、シリコン基板１を石英製トレー８
ごと、電気炉のような加熱炉に投入し、約1300℃に加熱
して、それぞれのガラススート層をガラス化すること
で、図３の(C) に図示したように、クラッド用ガラスス
ート層2Aをアンダクラッド層２にガラス化し、コア用ガ
ラススート層3Aをガラス化してアンダクラッド層２の上
層にコア層３を形成している。
【０００６】なお、前述の工程に引き続いて下記の工程
を行い、シリコン基板上に石英系光導波路を設ける。コ
ア層の表面にフォトリソグラフィ手法により所望のパタ
ーンマスクを設け、反応性イオンエッチング法でエッチ
ングして、不要のコア層部分を除去して、図アンダクラ
ッド層上に断面角形のコアパターンを設ける。
を行い、シリコン基板上に石英系光導波路を設ける。コ
ア層の表面にフォトリソグラフィ手法により所望のパタ
ーンマスクを設け、反応性イオンエッチング法でエッチ
ングして、不要のコア層部分を除去して、図アンダクラ
ッド層上に断面角形のコアパターンを設ける。
【０００７】次に、前述と同様に火炎法により、アンダ
クラッド層及びコアパターンの表面に、SiO2に P2O5 と
B2O3をドープしたオーバクラッド用ガラススート層を堆
積形成する。
クラッド層及びコアパターンの表面に、SiO2に P2O5 と
B2O3をドープしたオーバクラッド用ガラススート層を堆
積形成する。
【０００８】そして、約1150℃に加熱して、オーバクラ
ッド用ガラススート層をガラス化してオーバクラッド層
とすることで、コアパターンの下面がアンダクラッド層
で、側面及び上面がオーバクラッド層で覆われた、石英
系光導波路とする。
ッド用ガラススート層をガラス化してオーバクラッド層
とすることで、コアパターンの下面がアンダクラッド層
で、側面及び上面がオーバクラッド層で覆われた、石英
系光導波路とする。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、シリコン基
板の全表面に均一の厚さでガラススート層堆積形成する
ためには、酸水素バーナをシリコン基板を外れた位置ま
で広範囲に往復移動させなければならない。
板の全表面に均一の厚さでガラススート層堆積形成する
ためには、酸水素バーナをシリコン基板を外れた位置ま
で広範囲に往復移動させなければならない。
【００１０】このために図３の(A) に図示したように、
シリコン基板１の周囲の可動ステージ５の表面にガラス
スートGAが付着する。そして、シリコン基板を可動ステ
ージから取り外す際に、ガラススートがシリコン基板の
周囲からシリコン基板の中心側に向かって剥がれたり、
或いはクラックが発生し、その結果、ガラス層（アンダ
クラッド層及びコア層）の厚さが不均一になるという問
題点があった。
シリコン基板１の周囲の可動ステージ５の表面にガラス
スートGAが付着する。そして、シリコン基板を可動ステ
ージから取り外す際に、ガラススートがシリコン基板の
周囲からシリコン基板の中心側に向かって剥がれたり、
或いはクラックが発生し、その結果、ガラス層（アンダ
クラッド層及びコア層）の厚さが不均一になるという問
題点があった。
【００１１】また、可動ステージに次のシリコン基板を
セットして、ガラススートを堆積形成する際に、可動ス
テージの周縁に堆積したガラススートが、酸水素バーナ
の火炎により舞い上がりシリコン基板上に付着する。そ
の結果ガラス層に気泡が混入し、光損失が増加するとい
う問題点があった。
セットして、ガラススートを堆積形成する際に、可動ス
テージの周縁に堆積したガラススートが、酸水素バーナ
の火炎により舞い上がりシリコン基板上に付着する。そ
の結果ガラス層に気泡が混入し、光損失が増加するとい
う問題点があった。
【００１２】本発明はこのような点に鑑みて創作された
もので、ガラス層の厚さが均一で、また亀裂等がなく、
且つガラス層内に気泡が混入する恐れのない石英導波路
用ガラス層製造方法を提供することを目的としている。
もので、ガラス層の厚さが均一で、また亀裂等がなく、
且つガラス層内に気泡が混入する恐れのない石英導波路
用ガラス層製造方法を提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、図１に図示したように、平面視形状が可
動ステージ５の平面視形状より大きいベース板10を、可
動ステージ５上にセットし、ベース板10上にシリコン基
板１を載置して、火炎法によりシリコン基板１の上面に
クラッド用ガラススート層2Aを堆積形成し、さらにクラ
ッド用ガラススート層2Aの表面にコア用ガラススート層
3Aを堆積形成する。
めに本発明は、図１に図示したように、平面視形状が可
動ステージ５の平面視形状より大きいベース板10を、可
動ステージ５上にセットし、ベース板10上にシリコン基
板１を載置して、火炎法によりシリコン基板１の上面に
クラッド用ガラススート層2Aを堆積形成し、さらにクラ
ッド用ガラススート層2Aの表面にコア用ガラススート層
3Aを堆積形成する。
【００１４】そして、可動ステージ５からシリコン基板
１をベース板10ごと取外して、加熱炉に投入し加熱し、
それぞれのガラススート層をガラス化して、シリコン基
板１の上面にアンダクラッド層２を、アンダクラッド層
２の表面にコア層３を設けるものとする。
１をベース板10ごと取外して、加熱炉に投入し加熱し、
それぞれのガラススート層をガラス化して、シリコン基
板１の上面にアンダクラッド層２を、アンダクラッド層
２の表面にコア層３を設けるものとする。
【００１５】また、ベース板10の上面に設けた座ぐり穴
11にシリコン基板１を挿入することで、シリコン基板１
の上面がベース板10の上面よりも僅かに高くなるように
シリコン基板をセットし、その後、シリコン基板１の上
面に所望のガラススート層を堆積形成するものとする。
11にシリコン基板１を挿入することで、シリコン基板１
の上面がベース板10の上面よりも僅かに高くなるように
シリコン基板をセットし、その後、シリコン基板１の上
面に所望のガラススート層を堆積形成するものとする。
【００１６】或いはまた、ベース板10の材料を、ガラス
化時の温度以上の耐熱性を備えた、非金属材料とするも
のとする。
化時の温度以上の耐熱性を備えた、非金属材料とするも
のとする。
【００１７】
【作用】本発明に使用するベース板は可動ステージより
も大きい。したがって、可動ステージには、ガラススー
トが付着しない。
も大きい。したがって、可動ステージには、ガラススー
トが付着しない。
【００１８】一方、ベース板にシリコン基板をセットし
た状態で加熱炉に送りこみ、シリコン基板及びベース板
の表面に堆積形成したガラススートをガラス化し、その
後、シリコン基板の周囲に沿ってガラスを切込み、シリ
コン基板上のガラス層とベース板上のガラス層とを分離
した後に、シリコン基板をベース板から取り外すもので
ある。
た状態で加熱炉に送りこみ、シリコン基板及びベース板
の表面に堆積形成したガラススートをガラス化し、その
後、シリコン基板の周囲に沿ってガラスを切込み、シリ
コン基板上のガラス層とベース板上のガラス層とを分離
した後に、シリコン基板をベース板から取り外すもので
ある。
【００１９】したがって、ガラススートが剥離したり、
或いはガラススートに亀裂が発生することがない。即
ち、シリコン基板上に形成されるガラス層の厚さが均一
であり、またそのガラス層に亀裂が発生することがな
い。
或いはガラススートに亀裂が発生することがない。即
ち、シリコン基板上に形成されるガラス層の厚さが均一
であり、またそのガラス層に亀裂が発生することがな
い。
【００２０】そして、次に製造するシリコン基板をベー
ス板にセットして、そのシリコン基板にガラス層を設け
る際に、先にベース板の周囲に堆積したガラススート
は、既にガラス化している。なお、可動ステージにはガ
ラススートが付着していない。
ス板にセットして、そのシリコン基板にガラス層を設け
る際に、先にベース板の周囲に堆積したガラススート
は、既にガラス化している。なお、可動ステージにはガ
ラススートが付着していない。
【００２１】よって、シリコン基板の表面に形成するガ
ラス層に気泡が混入することがないので、本製造方法に
よって得られた石英系光導波路は、光損失が小さい。ま
た、ベース板の上面とシリコン基板の上面との間には殆
ど段差がない。このことにより、酸水素バーナをシリコ
ン基板の表面のみならずベース板の表面まで拡開して往
復運動させても、酸水素バーナの先端部に発生する火炎
が乱れることがない。
ラス層に気泡が混入することがないので、本製造方法に
よって得られた石英系光導波路は、光損失が小さい。ま
た、ベース板の上面とシリコン基板の上面との間には殆
ど段差がない。このことにより、酸水素バーナをシリコ
ン基板の表面のみならずベース板の表面まで拡開して往
復運動させても、酸水素バーナの先端部に発生する火炎
が乱れることがない。
【００２２】したがって、シリコン基板の周囲に形成さ
れるガラススート層の厚さと、中央部に形成されるガラ
ススート層の厚さが殆ど等しくなり、均一の成分で均一
の厚さのガラス層が得られる。
れるガラススート層の厚さと、中央部に形成されるガラ
ススート層の厚さが殆ど等しくなり、均一の成分で均一
の厚さのガラス層が得られる。
【００２３】一方、金属粉が石英導波路用ガラス層に混
入すると、その金属粉が光を吸収するので光損失が増加
する。本発明のベース板は、ガラス化時の温度以上（14
00℃以上) の耐熱性を備えた非金属材料である。したが
って、ガラススートの堆積形成時及びガラス化に、金属
粉がガラススート内或いはガラス層に混入する恐れがな
い。
入すると、その金属粉が光を吸収するので光損失が増加
する。本発明のベース板は、ガラス化時の温度以上（14
00℃以上) の耐熱性を備えた非金属材料である。したが
って、ガラススートの堆積形成時及びガラス化に、金属
粉がガラススート内或いはガラス層に混入する恐れがな
い。
【００２４】即ち、本製造方法によって得られた石英系
光導波路は光損失が小さい。
光導波路は光損失が小さい。
【００２５】
【実施例】以下図を参照しながら、本発明を具体的に説
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
【００２６】図１は、本発明の製造工程を示す図であ
り、図２は本発明の最終工程を示す図である。図１，図
２において、10は、石英, カーボン, アルミナ, シリコ
ン等の、溶融点が1400℃以上の非金属材料よりなるベー
ス板である。
り、図２は本発明の最終工程を示す図である。図１，図
２において、10は、石英, カーボン, アルミナ, シリコ
ン等の、溶融点が1400℃以上の非金属材料よりなるベー
ス板である。
【００２７】ベース板10は、直径が例えば160mm,厚さが
約５mmの円板であって, 上面の中央部に、シリコン基板
１がしっくりと挿入される、直径がやく100mm , 深さが
約0.8mm の座ぐり穴11を設けてある。
約５mmの円板であって, 上面の中央部に、シリコン基板
１がしっくりと挿入される、直径がやく100mm , 深さが
約0.8mm の座ぐり穴11を設けてある。
【００２８】また、ベース板10の下面に角形の凹部12を
設け、この凹部12を可動ステージ５の上部に嵌入するこ
とで、ベース板10を可動ステージ５にセットするように
している。
設け、この凹部12を可動ステージ５の上部に嵌入するこ
とで、ベース板10を可動ステージ５にセットするように
している。
【００２９】以下本発明の石英導波路用ガラス層製造を
詳細に説明する。図１の(A) に図示したように、可動ス
テージ５の上部にベース板10をセットし、ベース板10の
座ぐり穴11にシリコン基板１を挿入することで、シリコ
ン基板１をベース板10上にセットする。（尚、シリコン
基板１の上面とベース板10上面との段差は約0.2mm とな
る)そして、酸素をキャリアにして所望の原料ガスを導
入した酸水素バーナ６を、Ｘ軸方向に100mm ／sec 程度
の速度で往復移動させるとともに、可動ステージ５をＹ
軸方向に１mm／sec 程度の速度で移動することで、酸化
反応でベース板10の表面を含むシリコン基板１の全表面
に、SiO2に P2O5 とB2O3をドープしたクラッド用ガラス
スート層2A（ガラス化された場合に20μmmの厚さのガラ
ススート層)を堆積形成する。
詳細に説明する。図１の(A) に図示したように、可動ス
テージ５の上部にベース板10をセットし、ベース板10の
座ぐり穴11にシリコン基板１を挿入することで、シリコ
ン基板１をベース板10上にセットする。（尚、シリコン
基板１の上面とベース板10上面との段差は約0.2mm とな
る)そして、酸素をキャリアにして所望の原料ガスを導
入した酸水素バーナ６を、Ｘ軸方向に100mm ／sec 程度
の速度で往復移動させるとともに、可動ステージ５をＹ
軸方向に１mm／sec 程度の速度で移動することで、酸化
反応でベース板10の表面を含むシリコン基板１の全表面
に、SiO2に P2O5 とB2O3をドープしたクラッド用ガラス
スート層2A（ガラス化された場合に20μmmの厚さのガラ
ススート層)を堆積形成する。
【００３０】次に、同様にしてクラッド用ガラススート
層2Aの全表面に、SiO2にGeO2をドープしたコア用ガラス
スート層3A（ガラス化された場合に６μmmの厚さのガラ
ススート層) を堆積形成する。
層2Aの全表面に、SiO2にGeO2をドープしたコア用ガラス
スート層3A（ガラス化された場合に６μmmの厚さのガラ
ススート層) を堆積形成する。
【００３１】なお、上記の過程においてシリコン基板１
の周囲のベース板10の表面には、ガラススートGAが堆積
される。そして、図１の(B) に図示したように、可動ス
テージ５からシリコン基板１をベース板10ごと取外し
て、電気炉等の加熱炉に投入し、約1300℃に加熱して、
それぞれのガラススート層をガラス化することで、図１
の(C) に図示したように、クラッド用ガラススート層2A
をアンダクラッド層２にガラス化し、コア用ガラススー
ト層3Aをガラス化してアンダクラッド層２の上層にコア
層３を形成する。
の周囲のベース板10の表面には、ガラススートGAが堆積
される。そして、図１の(B) に図示したように、可動ス
テージ５からシリコン基板１をベース板10ごと取外し
て、電気炉等の加熱炉に投入し、約1300℃に加熱して、
それぞれのガラススート層をガラス化することで、図１
の(C) に図示したように、クラッド用ガラススート層2A
をアンダクラッド層２にガラス化し、コア用ガラススー
ト層3Aをガラス化してアンダクラッド層２の上層にコア
層３を形成する。
【００３２】この際、ベース板10の表面に付着堆積した
ガラススートGAは、ガラスＧとなる。その後、図２に図
示したように、シリコン基板１の周囲に沿ってガラスＧ
を切込み、シリコン基板上のガラス層とベース板上のガ
ラス層とを分離する。そして、シリコン基板１をベース
板10から取り外す。
ガラススートGAは、ガラスＧとなる。その後、図２に図
示したように、シリコン基板１の周囲に沿ってガラスＧ
を切込み、シリコン基板上のガラス層とベース板上のガ
ラス層とを分離する。そして、シリコン基板１をベース
板10から取り外す。
【００３３】上述のように本発明は、シリコン基板１と
ベース板の上面にかけた堆積形成したガラススート層
を、そのままの状態で加熱炉に送り、ガラス化するので
あるから、ガラススートが剥離したり、或いはガラスス
ートに亀裂が発生することがない。
ベース板の上面にかけた堆積形成したガラススート層
を、そのままの状態で加熱炉に送り、ガラス化するので
あるから、ガラススートが剥離したり、或いはガラスス
ートに亀裂が発生することがない。
【００３４】即ち、シリコン基板１上に形成されるガラ
ス層の厚さが均一であり、またそのガラス層に亀裂が発
生することがない。一方、ベース板10は可動ステージ５
よりも大きいので、可動ステージ５にはガラススートが
付着しない。また、前の石英導波路用ガラス層を形成す
る際に、ベース板10の表面に付着したガラススートは、
次のシリコン基板にガラススート層を堆積する際には、
既にガラス化している。
ス層の厚さが均一であり、またそのガラス層に亀裂が発
生することがない。一方、ベース板10は可動ステージ５
よりも大きいので、可動ステージ５にはガラススートが
付着しない。また、前の石英導波路用ガラス層を形成す
る際に、ベース板10の表面に付着したガラススートは、
次のシリコン基板にガラススート層を堆積する際には、
既にガラス化している。
【００３５】よって、シリコン基板の表面に形成するガ
ラス層に気泡が混入することがないので、本製造方法に
よって得られた石英系光導波路は光損失が小さい。ま
た、ベース板10の上面とシリコン基板１の上面との間に
は殆ど段差がないので、酸水素バーナの先端部に発生す
る火炎が乱れることがない。
ラス層に気泡が混入することがないので、本製造方法に
よって得られた石英系光導波路は光損失が小さい。ま
た、ベース板10の上面とシリコン基板１の上面との間に
は殆ど段差がないので、酸水素バーナの先端部に発生す
る火炎が乱れることがない。
【００３６】したがって、シリコン基板１の周囲に形成
されるガラススート層の厚さと、中央部に形成されるガ
ラススート層の厚さが殆ど等しく、均一の成分で均一の
厚さのガラス層が得られる。
されるガラススート層の厚さと、中央部に形成されるガ
ラススート層の厚さが殆ど等しく、均一の成分で均一の
厚さのガラス層が得られる。
【００３７】一方、ベース板10は、ガラス化時の温度以
上（1400℃以上) の耐熱性を備えた非金属材料であるの
で、ガラススートの堆積形成時及びガラス化に、金属粉
がガラススート内或いはガラス層に混入する恐れがなく
て、得られる石英系光導波路は光損失が小さい。
上（1400℃以上) の耐熱性を備えた非金属材料であるの
で、ガラススートの堆積形成時及びガラス化に、金属粉
がガラススート内或いはガラス層に混入する恐れがなく
て、得られる石英系光導波路は光損失が小さい。
【００３８】なお、前述の工程に引き続いて下記の工程
を行い、シリコン基板上に石英系光導波路を設ける。即
ち、コア層の表面にフォトリソグラフィ手法により所望
のパターンマスクを設け、反応性イオンエッチング法で
エッチングして、不要のコア層部分を除去して、図アン
ダクラッド層上に断面角形のコアパターンを設ける。
を行い、シリコン基板上に石英系光導波路を設ける。即
ち、コア層の表面にフォトリソグラフィ手法により所望
のパターンマスクを設け、反応性イオンエッチング法で
エッチングして、不要のコア層部分を除去して、図アン
ダクラッド層上に断面角形のコアパターンを設ける。
【００３９】次に、前述と同様に火炎法により、アンダ
クラッド層及びコアパターンの表面に、SiO2に P2O5 と
B2O3をドープしたオーバクラッド用ガラススート層を堆
積形成する。
クラッド層及びコアパターンの表面に、SiO2に P2O5 と
B2O3をドープしたオーバクラッド用ガラススート層を堆
積形成する。
【００４０】そして、約1150℃に加熱して、オーバクラ
ッド用ガラススート層をガラス化してオーバクラッド層
とすることで、コアパターンの下面がアンダクラッド層
で、側面及び上面がオーバクラッド層で覆われた、石英
系光導波路とする。
ッド用ガラススート層をガラス化してオーバクラッド層
とすることで、コアパターンの下面がアンダクラッド層
で、側面及び上面がオーバクラッド層で覆われた、石英
系光導波路とする。
【００４１】本発明の製造方法は、上述のオーバクラッ
ド層を設ける際に適用して、同等の効果があることは勿
論である。
ド層を設ける際に適用して、同等の効果があることは勿
論である。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、シリコ
ン基板上に形成されるガラス層の厚さが均一であり、ま
たそのガラス層に亀裂が発生することがなく、且つその
成分が均一であるので、得られる石英導波路用ガラス層
の品質が良好である。
ン基板上に形成されるガラス層の厚さが均一であり、ま
たそのガラス層に亀裂が発生することがなく、且つその
成分が均一であるので、得られる石英導波路用ガラス層
の品質が良好である。
【００４３】また、ガラス層に気泡が混入したり、或い
は金属粉が混入する恐れがないので、本製造方法によっ
て得られた石英系光導波路は光損失が小さいという効果
を有する。
は金属粉が混入する恐れがないので、本製造方法によっ
て得られた石英系光導波路は光損失が小さいという効果
を有する。
【図１】 本発明の製造工程を示す図
【図２】 本発明の最終工程を示す図
【図３】 従来の製造工程を示す図
１ シリコン基板 ２ アンダクラッド層 2A クラッド用ガラススート層 ３ コア層 3A コア用ガラススート層 ５ 可動ステージ ６ 酸水素バーナ ８ 石英製トレー 10 ベース板 11 座ぐり穴 12 凹部 Ｇ ガラス GA ガラススート
Claims (3)
- 【請求項１】 平面視形状が可動ステージ（５）の平面
視形状より大きいベース板（10）を、該可動ステージ
（５）上にセットし、該ベース板（10）上にシリコン基
板１を載置して、火炎法により該シリコン基板（１）の
上面にガラススート層を堆積形成し後に、 該可動ステージ（５）から該シリコン基板（１）を該ベ
ース板（10）ごと取外して、加熱炉に投入し加熱し、ガ
ラススート層をガラス化して該シリコン基板（１）の上
面に、ガラス層を設けることを特徴とする石英導波路用
ガラス層製造方法。 - 【請求項２】 ベース板（10）の上面に設けた座ぐり穴
（11）にシリコン基板（１）を挿入することで、該シリ
コン基板（１）の上面が該ベース板（10）の上面よりも
僅かに高くなるように載置し、 その後、該シリコン基板（１）の上面に所望のガラスス
ート層を堆積形成することを特徴とする請求項１記載の
石英導波路用ガラス層製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載のベース板
（10）が、ガラス化時の温度以上の耐熱性を備えた、非
金属材料であることを特徴とする石英導波路用ガラス層
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18141592A JPH0624770A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 石英導波路用ガラス層製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18141592A JPH0624770A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 石英導波路用ガラス層製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0624770A true JPH0624770A (ja) | 1994-02-01 |
Family
ID=16100371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18141592A Withdrawn JPH0624770A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 石英導波路用ガラス層製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0624770A (ja) |
-
1992
- 1992-07-09 JP JP18141592A patent/JPH0624770A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |