JPH0624701A - 臨界温度の高い超伝導体酸化物のインゴットの製造方法 - Google Patents
臨界温度の高い超伝導体酸化物のインゴットの製造方法Info
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- JPH0624701A JPH0624701A JP5073664A JP7366493A JPH0624701A JP H0624701 A JPH0624701 A JP H0624701A JP 5073664 A JP5073664 A JP 5073664A JP 7366493 A JP7366493 A JP 7366493A JP H0624701 A JPH0624701 A JP H0624701A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 6
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005188 flotation Methods 0.000 claims description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
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- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/225—Complex oxides based on rare earth copper oxides, e.g. high T-superconductors
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
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- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 臨界温度の高い超伝導体酸化物のインゴット
の製造方法を提供する。 【構成】 特にＹＢａＣｕＯ、ＢｉＳｒＣａＣｕＯ、Ｔ
ｌＢａＣａＣｕＯ族に属する臨界温度の高い超伝導体酸
化物のインゴットの融解−凝固による製造方法を提供す
る。本方法は、適切な理論量を有する酸化物インゴット
１を用いて、インゴットを炉４０内部のガス膜上に浮揚
させて水平方向に維持し、前記インゴットを融解し、核
形成が前記インゴットの下方部分で始まるように前記炉
内に垂直温度勾配を設定し、前記温度勾配を維持しなが
ら、炉の温度を完全な凝固に相当する温度まで０．１℃
／時以下の速度で全体的に下げ、最後に前記インゴット
に従来の酸素化処理を適用することを特徴とする。
の製造方法を提供する。 【構成】 特にＹＢａＣｕＯ、ＢｉＳｒＣａＣｕＯ、Ｔ
ｌＢａＣａＣｕＯ族に属する臨界温度の高い超伝導体酸
化物のインゴットの融解−凝固による製造方法を提供す
る。本方法は、適切な理論量を有する酸化物インゴット
１を用いて、インゴットを炉４０内部のガス膜上に浮揚
させて水平方向に維持し、前記インゴットを融解し、核
形成が前記インゴットの下方部分で始まるように前記炉
内に垂直温度勾配を設定し、前記温度勾配を維持しなが
ら、炉の温度を完全な凝固に相当する温度まで０．１℃
／時以下の速度で全体的に下げ、最後に前記インゴット
に従来の酸素化処理を適用することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特にＹＢａＣｕＯ、Ｂ
ｉＳｒＣａＣｕＯ、ＴｌＢａＣａＣｕＯ族に属する臨界
温度の高い超伝導体酸化物のインゴットの製造方法に関
する。
ｉＳｒＣａＣｕＯ、ＴｌＢａＣａＣｕＯ族に属する臨界
温度の高い超伝導体酸化物のインゴットの製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】製造方
法の原理は、通常坩堝内で実施される二相媒質からの包
晶型成長方法である。この方法は、いわゆる凝固の前
に、高い処理温度、通常当該酸化物の包晶凝固温度Ｔp
よりも少なくとも５０℃ほど高い温度（例えばＹＢａＣ
ｕＯの場合で約１０００℃）を必要とする。このような
温度では、超伝導体酸化物は固体（例えばＹＢａ2Ｃｕ3
Ｏ7-xの場合で固相２１１Ｙ2ＢａＣｕＯ5）及び液体に
分解され、この液体は坩堝の壁と反応し得る。その結
果、相状態図で組成物のドリフト（ｄｅｒｉｖｅ）が生
じる。
法の原理は、通常坩堝内で実施される二相媒質からの包
晶型成長方法である。この方法は、いわゆる凝固の前
に、高い処理温度、通常当該酸化物の包晶凝固温度Ｔp
よりも少なくとも５０℃ほど高い温度（例えばＹＢａＣ
ｕＯの場合で約１０００℃）を必要とする。このような
温度では、超伝導体酸化物は固体（例えばＹＢａ2Ｃｕ3
Ｏ7-xの場合で固相２１１Ｙ2ＢａＣｕＯ5）及び液体に
分解され、この液体は坩堝の壁と反応し得る。その結
果、相状態図で組成物のドリフト（ｄｅｒｉｖｅ）が生
じる。
【０００３】これは特に２つの固体と１つの液体とに関
係する反応なので、凝固は非常に遅い。ＹＢａＣｕＯの
場合、例えば以下の化学式：
係する反応なので、凝固は非常に遅い。ＹＢａＣｕＯの
場合、例えば以下の化学式：
【０００４】
【化１】
【０００５】が得られる。
【０００６】理想的にはインゴットの成長は、過融解の
小さい包晶温度Ｔpに近い温度で実施されねばならな
い。過融解が大きいと実際、成長面内に固体粒子が介在
してしまう。更には、この成長は規則的に非対流状態で
実施されねばならない。何故ならば、過融解の局所変動
は、高い瞬間成長速度及び成長面内での固体粒子トラッ
ピングの危険性となって現れるからである。
小さい包晶温度Ｔpに近い温度で実施されねばならな
い。過融解が大きいと実際、成長面内に固体粒子が介在
してしまう。更には、この成長は規則的に非対流状態で
実施されねばならない。何故ならば、過融解の局所変動
は、高い瞬間成長速度及び成長面内での固体粒子トラッ
ピングの危険性となって現れるからである。
【０００７】従って、インゴットの理想的な成長方法は
拡散状態での低速成長方法でなければならない。しかし
ながら、このことは、非常な高温での液体と坩堝との接
触時間が非常に長いために、前述した好ましくない結果
（坩堝の部分的溶解、相状態図の変化、余計な相の介
在、粒界に沈澱物等）が生じ、結果的に最終インゴット
の組織が部分的に破壊され、またインゴット内に大型寸
法の沈澱物が存在するということを意味している。坩堝
とインゴットとの膨張率の差によって亀裂が生じて、イ
ンゴットが坩堝に付着することをこのことに付け加えね
ばならない。
拡散状態での低速成長方法でなければならない。しかし
ながら、このことは、非常な高温での液体と坩堝との接
触時間が非常に長いために、前述した好ましくない結果
（坩堝の部分的溶解、相状態図の変化、余計な相の介
在、粒界に沈澱物等）が生じ、結果的に最終インゴット
の組織が部分的に破壊され、またインゴット内に大型寸
法の沈澱物が存在するということを意味している。坩堝
とインゴットとの膨張率の差によって亀裂が生じて、イ
ンゴットが坩堝に付着することをこのことに付け加えね
ばならない。
【０００８】このような全ての障害によって、最終的に
臨界電流密度Ｊcが減少し、大型寸法、例えば約５０ｃ
ｍ3のインゴットの製造が妨げられる。
臨界電流密度Ｊcが減少し、大型寸法、例えば約５０ｃ
ｍ3のインゴットの製造が妨げられる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、単結晶組織に
できるだけ近い結晶組織を得ることのできる、臨界温度
の高い超伝導体酸化物のインゴットの融解−凝固による
製造方法に関する。
できるだけ近い結晶組織を得ることのできる、臨界温度
の高い超伝導体酸化物のインゴットの融解−凝固による
製造方法に関する。
【００１０】本発明は、特にＹＢａＣｕＯ、ＢｉＳｒＣ
ａＣｕＯ、ＴｌＢａＣａＣｕＯ族に属する臨界温度の高
い超伝導体酸化物のインゴットの融解−凝固による製造
方法に関する。本方法は、適切な理論量を有する酸化物
インゴットを用いて、このインゴットを炉内部のガス膜
上に浮揚させて水平方向に維持し、インゴットを融解
し、核形成がインゴットの下方部分で始まるように炉内
に垂直温度勾配を設定し、この温度勾配を維持しなが
ら、炉の温度を完全な凝固に相当する温度まで０．１℃
／時以下の速度で全体的に下げ、最後にこのインゴット
に従来の酸素化処理を適用することを特徴とする。
ａＣｕＯ、ＴｌＢａＣａＣｕＯ族に属する臨界温度の高
い超伝導体酸化物のインゴットの融解−凝固による製造
方法に関する。本方法は、適切な理論量を有する酸化物
インゴットを用いて、このインゴットを炉内部のガス膜
上に浮揚させて水平方向に維持し、インゴットを融解
し、核形成がインゴットの下方部分で始まるように炉内
に垂直温度勾配を設定し、この温度勾配を維持しなが
ら、炉の温度を完全な凝固に相当する温度まで０．１℃
／時以下の速度で全体的に下げ、最後にこのインゴット
に従来の酸素化処理を適用することを特徴とする。
【００１１】有利な実施例によれば、垂直温度勾配は約
１０℃／ｃｍである。
１０℃／ｃｍである。
【００１２】変形例によれば、核形成がこのインゴット
の一方の端部でのみ始まり、次に他方の端部までゆっく
りと拡大するように、インゴットの下方部分で温度が調
整される。
の一方の端部でのみ始まり、次に他方の端部までゆっく
りと拡大するように、インゴットの下方部分で温度が調
整される。
【００１３】この中間段階は、長さが約１０ｃｍのイン
ゴットの場合で数十時間持続し得る。
ゴットの場合で数十時間持続し得る。
【００１４】このようにして、晶子間に連続面（ａ，
ｂ）を有する均一組織がインゴットの底部に得られる。
ｂ）を有する均一組織がインゴットの底部に得られる。
【００１５】垂直温度勾配を維持しながら、温度を徐々
に下げていく間に、この底部組織から垂直方向に成長さ
せられる。この凝固段階中の成長界面温度は絶えず包晶
温度Ｔpに非常に近い。
に下げていく間に、この底部組織から垂直方向に成長さ
せられる。この凝固段階中の成長界面温度は絶えず包晶
温度Ｔpに非常に近い。
【００１６】透磁率が約１〜２・１０-15ｍ2のマグネシ
ア多孔質膜を介して浮揚させるのが好ましい。
ア多孔質膜を介して浮揚させるのが好ましい。
【００１７】ガス膜上に浮揚させることにより、インゴ
ットは自動的に支持され、それによって外面からこのイ
ンゴット内への酸素の拡散が容易になる。
ットは自動的に支持され、それによって外面からこのイ
ンゴット内への酸素の拡散が容易になる。
【００１８】有利には、浮揚ガスの組成は、酸素化処理
を成功させるために調整することができる。例えばガス
は、ＹＢａＣｕＯ族の化合物の場合、６００℃から純粋
酸素であり得る。
を成功させるために調整することができる。例えばガス
は、ＹＢａＣｕＯ族の化合物の場合、６００℃から純粋
酸素であり得る。
【００１９】変形例によれば、融解及び凝固中に約１〜
３テスラスの垂直磁界をインゴットに加える。このよう
な磁界は媒質の見掛け粘度を増加させ、従って磁界に生
じ得る対流を減少させる。
３テスラスの垂直磁界をインゴットに加える。このよう
な磁界は媒質の見掛け粘度を増加させ、従って磁界に生
じ得る対流を減少させる。
【００２０】非接触の本発明方法によって、従来技術の
坩堝に見られる全ての欠点（組成のドリフト、壁上での
自然で不規則な核形成−成長、熱機械的応力）を排除す
ることができる。破損の最も重大な原因が排除されて、
単結晶の電流密度値に近い臨界電流密度値を有する大型
寸法の粒子からなる均質組織が得られる。
坩堝に見られる全ての欠点（組成のドリフト、壁上での
自然で不規則な核形成−成長、熱機械的応力）を排除す
ることができる。破損の最も重大な原因が排除されて、
単結晶の電流密度値に近い臨界電流密度値を有する大型
寸法の粒子からなる均質組織が得られる。
【００２１】
【実施例】例示的且つ非制限的な実施例に関する以下の
説明によって本発明の他の特徴及び利点が明白となろ
う。
説明によって本発明の他の特徴及び利点が明白となろ
う。
【００２２】ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-Xに相当する化学量論的
比率で、ＢａＣｕＯ2，ＣｕＯ，Ｙ2Ｏ3の粉末混合物を
アイソスタティックプレスして得られたインゴット１を
図１に示す。インゴットの密度は高く、好ましくは０．
７０以上である。この粉末混合物を焼結する。
比率で、ＢａＣｕＯ2，ＣｕＯ，Ｙ2Ｏ3の粉末混合物を
アイソスタティックプレスして得られたインゴット１を
図１に示す。インゴットの密度は高く、好ましくは０．
７０以上である。この粉末混合物を焼結する。
【００２３】インゴットの寸法は以下の通りである。
【００２４】−直径≦１９．８５ｍｍ −長さ：５０ｍｍ （長さはもっと長く、少なくとも２００ｍｍに等しい長
さであってもよい）。
さであってもよい）。
【００２５】このインゴット１は、主に軸２周りの２つ
の同軸部分からなり且つ軸２に直交する対称面４を有す
る浮揚装置内に導入される。これは、管形状の中空外側
胴体５及び内管６である。これらは、いずれもセラミッ
ク製であり且つ互いに埋込み７によって固定されてい
る。管５内部の管６の部分は、内径が２０．０ｍｍ、長
さが少なくとも４００ｍｍに等しい拡散多孔質膜８を構
成している。いわゆる膜８の両側での管６の内径は２
０．５ｍｍである（この差は図１では分からない）。
の同軸部分からなり且つ軸２に直交する対称面４を有す
る浮揚装置内に導入される。これは、管形状の中空外側
胴体５及び内管６である。これらは、いずれもセラミッ
ク製であり且つ互いに埋込み７によって固定されてい
る。管５内部の管６の部分は、内径が２０．０ｍｍ、長
さが少なくとも４００ｍｍに等しい拡散多孔質膜８を構
成している。いわゆる膜８の両側での管６の内径は２
０．５ｍｍである（この差は図１では分からない）。
【００２６】好ましくは、この膜８のセラミックは、イ
ンゴット１の化合物によって湿らされることがほとんど
ないマグネシアである。膜８と管５とは、管１２を介し
て浮揚ガスの供給を受ける空洞１１をその間に形成して
いる。
ンゴット１の化合物によって湿らされることがほとんど
ないマグネシアである。膜８と管５とは、管１２を介し
て浮揚ガスの供給を受ける空洞１１をその間に形成して
いる。
【００２７】管６内部には、インゴット１の両側に２つ
のピストン１３，１４が配置されている。これらのピス
トンは、膜８と同種であり且つ滑動棒１５，１６内部に
設けられた管を介して浮揚ガスの供給を受ける２つの拡
散膜９，１０をこのインゴットの方向に備えている。２
つのピストンの外径は、１９．８５ｍｍに等しくなるよ
うに選択する。
のピストン１３，１４が配置されている。これらのピス
トンは、膜８と同種であり且つ滑動棒１５，１６内部に
設けられた管を介して浮揚ガスの供給を受ける２つの拡
散膜９，１０をこのインゴットの方向に備えている。２
つのピストンの外径は、１９．８５ｍｍに等しくなるよ
うに選択する。
【００２８】前述したアセンブリは、２つのキャップ２
２（一方のキャップを図２に示す）によって３０で閉鎖
されているシリカ管２１からなる密閉エンクロージャ２
０内に配置されている。
２（一方のキャップを図２に示す）によって３０で閉鎖
されているシリカ管２１からなる密閉エンクロージャ２
０内に配置されている。
【００２９】このキャップは、種々のオリフィス２３，
２４，２５を備えている。オリフィス２３は膜８へのガ
ス供給を可能とし、オリフィス２５はエンクロージャ２
０内を真空にすることができ、オリフィス２４は、一方
では２６でモータ（図示せず）に連結された棒１５を並
進させ、他方では膜９にガスを供給するのに役立つ（番
号２７を参照）。
２４，２５を備えている。オリフィス２３は膜８へのガ
ス供給を可能とし、オリフィス２５はエンクロージャ２
０内を真空にすることができ、オリフィス２４は、一方
では２６でモータ（図示せず）に連結された棒１５を並
進させ、他方では膜９にガスを供給するのに役立つ（番
号２７を参照）。
【００３０】好ましくは浮揚ガスは、例えばそれぞれ８
０容量％、２０容量％のアルゴン／酸素混合物である
が、酸素の比率を増してもよい。
０容量％、２０容量％のアルゴン／酸素混合物である
が、酸素の比率を増してもよい。
【００３１】エンクロージャ２０は、内径が５５ｍｍ、
外径が８０ｍｍのセラミック、例えば安定化ジルコニア
の環状部内に軸２と平行に配置されたカートリッジ４
１，４２から供給を受ける管状炉４０内に配置されてい
る。これらのカートリッジは、インゴット１の下部と上
部との間に温度勾配を生じるように非対称的に配置され
ている。各カートリッジの電力は、炉の中央部分で１０
℃／ｃｍの垂直温度勾配を得るように調整できねばなら
ない。
外径が８０ｍｍのセラミック、例えば安定化ジルコニア
の環状部内に軸２と平行に配置されたカートリッジ４
１，４２から供給を受ける管状炉４０内に配置されてい
る。これらのカートリッジは、インゴット１の下部と上
部との間に温度勾配を生じるように非対称的に配置され
ている。各カートリッジの電力は、炉の中央部分で１０
℃／ｃｍの垂直温度勾配を得るように調整できねばなら
ない。
【００３２】前述した装置は例えば以下のように使用さ
れる。
れる。
【００３３】インゴット１を脱気するためにまずエンク
ロージャ２０（オリフィス２５）内を真空にし、浮揚さ
せずに６００℃までの加熱を開始する。
ロージャ２０（オリフィス２５）内を真空にし、浮揚さ
せずに６００℃までの加熱を開始する。
【００３４】膜８，９，１０によってインゴット１を浮
揚させる。膜の拡散圧力は任意の公知の手段によって調
整する。
揚させる。膜の拡散圧力は任意の公知の手段によって調
整する。
【００３５】１０５０℃まで急速に加熱し、融解中のイ
ンゴットは常に３つの膜によって包囲された状態に維持
されている。参考までに、インゴット高さが２０ｍｍ未
満で、膜の透磁率が約１〜２・１０-15ｍ2の場合、膜の
下流圧力は７００ｍｂａｒｓである。
ンゴットは常に３つの膜によって包囲された状態に維持
されている。参考までに、インゴット高さが２０ｍｍ未
満で、膜の透磁率が約１〜２・１０-15ｍ2の場合、膜の
下流圧力は７００ｍｂａｒｓである。
【００３６】炉４０内温度を約１５分間均一に１０５０
℃に維持する。次に温度を包晶温度Ｔp、即ち約１００
０℃まで下げる。
℃に維持する。次に温度を包晶温度Ｔp、即ち約１００
０℃まで下げる。
【００３７】加熱カートリッジ４１，４２の調整によっ
て、下方カートリッジの温度を下げ、最初の核形成がイ
ンゴット１の底部で発生するように、炉内に１０℃／ｃ
ｍの垂直温度勾配を設定する。しかし、この核形成がイ
ンゴットの一方の端部、例えば膜９に近い端部でのみ始
まるように縦温度勾配も設ける。この勾配は例えば数℃
／ｃｍである。成長面はインゴットの他方の端部まで非
常にゆっくりと広がる。この段階は、インゴットの底部
が完全に組織化されるように数十時間持続する。
て、下方カートリッジの温度を下げ、最初の核形成がイ
ンゴット１の底部で発生するように、炉内に１０℃／ｃ
ｍの垂直温度勾配を設定する。しかし、この核形成がイ
ンゴットの一方の端部、例えば膜９に近い端部でのみ始
まるように縦温度勾配も設ける。この勾配は例えば数℃
／ｃｍである。成長面はインゴットの他方の端部まで非
常にゆっくりと広がる。この段階は、インゴットの底部
が完全に組織化されるように数十時間持続する。
【００３８】次に、インゴットが完全に凝固し終えるま
で、０．１℃／時よりも低い速度で炉全体の温度を下げ
る。この段階終了時のインゴット１の上面温度はＴpよ
りも僅かに低い。
で、０．１℃／時よりも低い速度で炉全体の温度を下げ
る。この段階終了時のインゴット１の上面温度はＴpよ
りも僅かに低い。
【００３９】７００℃では、固体インゴット１の酸化プ
ロセスは比較的大きい容量膨張となって現れる。そこ
で、ピストン１３，１４を用いてインゴット１を浮揚領
域外に、即ち管６の直径が２０．５ｍｍの膜８の外に移
動させることが必要である。
ロセスは比較的大きい容量膨張となって現れる。そこ
で、ピストン１３，１４を用いてインゴット１を浮揚領
域外に、即ち管６の直径が２０．５ｍｍの膜８の外に移
動させることが必要である。
【００４０】６００℃、５００℃及び４００℃で数時間
維持した後に、室温になるまで１℃／時で温度の下降を
継続する。
維持した後に、室温になるまで１℃／時で温度の下降を
継続する。
【００４１】得られたインゴットは、上方部分が平坦に
なった円筒形状を有する。インゴットは非常にきめが細
かく、大型粒子を備えている。これらの粒子の軸Ｃは垂
直であり且つインゴットの軸方向中央面に平行である。
なった円筒形状を有する。インゴットは非常にきめが細
かく、大型粒子を備えている。これらの粒子の軸Ｃは垂
直であり且つインゴットの軸方向中央面に平行である。
【００４２】勿論、本発明は前述した実施例に制限され
ず、本発明の範囲を逸脱することなく、あらゆる手段を
同等の手段に代えることができる。
ず、本発明の範囲を逸脱することなく、あらゆる手段を
同等の手段に代えることができる。
【図１】本発明方法を実施し得る装置の中央部分の概略
部分断面図である。
部分断面図である。
【図２】図１の装置の一方の端部の概略部分断面図であ
る。
る。
１ インゴット ２ 軸 ８，９，１０ 膜 １３，１４ ピストン ２０ エンクローシャ ２２ キャップ ４０ 炉
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｂ 12/00 ＺＡＡ 8936−5Ｇ
Claims (6)
- 【請求項１】 特にＹＢａＣｕＯ、ＢｉＳｒＣａＣｕ
Ｏ、ＴｌＢａＣａＣｕＯ族に属する臨界温度の高い超伝
導体酸化物をインゴットの融解−凝固により製造する方
法であって、適切な理論量を有する酸化物インゴットを
用いて、インゴットを炉内部のガス膜上に浮揚させて水
平方向に維持し、前記インゴットを融解し、核形成が前
記インゴットの下方部分で始まるように前記炉内に垂直
温度勾配を設定し、前記温度勾配を維持しながら、炉の
温度を完全な凝固に相当する温度まで０．１℃／時以下
の速度で全体的に下げ、最後に前記インゴットに従来の
酸素化処理を適用することを特徴とする超伝導体酸化物
のインゴットの製造方法。 - 【請求項２】 炉内温度を全体的に下げる段階の前に、
前記核形成が前記インゴットの一方の端部でのみ始ま
り、次に他方の端部までゆっくりと拡大するように、イ
ンゴットの下方部分で温度が調整されることを特徴とす
る請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項３】 前記垂直温度勾配が約１０℃／ｃｍであ
ることを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。 - 【請求項４】 透磁率が約１〜２・１０-15ｍ2のマグネ
シア多孔質膜を介して浮揚させることを特徴とする請求
項１から３のいずれか一項に記載の製造方法。 - 【請求項５】 インゴットの融解及び凝固中に約１〜３
テスラスの垂直磁界をインゴットに加えることを特徴と
する請求項１から４のいずれか一項に記載の製造方法。 - 【請求項６】 浮揚ガスがアルゴン／酸素混合物を含ん
でおり、酸素含量が少なくとも２０容量％であることを
特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の製造
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9204174A FR2689524B1 (fr) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | Procede de fabrication d'un lingot en oxyde supraconducteur a haute temperature critique. |
| FR9204174 | 1992-04-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0624701A true JPH0624701A (ja) | 1994-02-01 |
Family
ID=9428530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5073664A Pending JPH0624701A (ja) | 1992-04-06 | 1993-03-31 | 臨界温度の高い超伝導体酸化物のインゴットの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5376622A (ja) |
| EP (1) | EP0565415B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0624701A (ja) |
| CA (1) | CA2093379C (ja) |
| DE (1) | DE69315882T2 (ja) |
| FR (1) | FR2689524B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4892402A (en) * | 1987-04-30 | 1990-01-09 | Hoya Corporation | Method for making contact lens hydrophilic |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE9318197U1 (de) * | 1993-11-30 | 1994-11-10 | Adelwitz Technologie-Zentrum GmbH, 04886 Arzberg | Hochtemperatur Supraleiter Material |
| FR2742366B1 (fr) * | 1995-12-19 | 1998-01-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede et installation de sustentation d'une masse liquide par une couche gazeuse |
| FR2757184B1 (fr) * | 1996-12-12 | 1999-02-26 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif et procede de cristallogenese |
| FR2806100B1 (fr) | 2000-03-10 | 2002-09-20 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif et procede de cristallogenese |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2509637A1 (fr) * | 1981-07-17 | 1983-01-21 | Commissariat Energie Atomique | Procede de sustentation, de positionnement et de moulage sans contact de masses liquides permettant la solidification en forme de materiaux et application de ce procede a la mise en forme de materiaux en microgravite |
| US4975411A (en) * | 1987-05-19 | 1990-12-04 | Fonar Corporation | Superconductors and methods of making same |
| US4942151A (en) * | 1987-09-28 | 1990-07-17 | Arch Development Corporation | Magnetic preferential orientation of metal oxide superconducting materials |
| JPH01157499A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-20 | Toshiba Corp | 酸化物超電導体単結晶の製造方法 |
| WO1990013517A1 (en) * | 1989-05-02 | 1990-11-15 | Nippon Steel Corporation | Oxide superconductor and method of producing the same |
| FR2665462B1 (fr) * | 1990-08-02 | 1997-08-29 | Centre Nat Rech Scient | Procede de cristallisation en presence de champ magnetique. |
-
1992
- 1992-04-06 FR FR9204174A patent/FR2689524B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-03-31 US US08/040,596 patent/US5376622A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-03-31 JP JP5073664A patent/JPH0624701A/ja active Pending
- 1993-04-02 DE DE69315882T patent/DE69315882T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-04-02 EP EP93400865A patent/EP0565415B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-05 CA CA002093379A patent/CA2093379C/fr not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4892402A (en) * | 1987-04-30 | 1990-01-09 | Hoya Corporation | Method for making contact lens hydrophilic |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0565415A3 (ja) | 1995-03-29 |
| CA2093379A1 (fr) | 1993-10-07 |
| DE69315882D1 (de) | 1998-02-05 |
| FR2689524A1 (fr) | 1993-10-08 |
| EP0565415B1 (fr) | 1997-12-29 |
| FR2689524B1 (fr) | 1994-05-13 |
| DE69315882T2 (de) | 1998-04-16 |
| US5376622A (en) | 1994-12-27 |
| EP0565415A2 (fr) | 1993-10-13 |
| CA2093379C (fr) | 1999-02-23 |
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