JPH06244079A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH06244079A JPH06244079A JP5053026A JP5302693A JPH06244079A JP H06244079 A JPH06244079 A JP H06244079A JP 5053026 A JP5053026 A JP 5053026A JP 5302693 A JP5302693 A JP 5302693A JP H06244079 A JPH06244079 A JP H06244079A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- wafer
- axis optical
- projection lens
- axis
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハとレチクルの位置合わせにおいて、オ
フアクシス光学系のオフセット量の経時的変化による精
度低下を防ぐ。 【構成】 予めレチクルＲを投影レンズ系２に対して所
定の位置に位置決めしたのち、オフアクシス光学系９に
よってウエハＷの位置ずれを検出し、ウエハステージ３
を駆動して前記位置ずれを解消することでウエハＷとレ
チクルＲの位置合わせを行う。オフアクシス光学系９に
よってウエハＷの位置ずれを検出するとき、Ｘレーザ干
渉計１３ａとＹレーザ干渉計１３ｂを有するオフアクシ
ス光学系モニタ装置Ｍによってオフアクシス光学系９と
投影レンズ系２の相対位置をモニタし、その出力に基づ
いてオフアクシス光学系９の出力を補正する。
フアクシス光学系のオフセット量の経時的変化による精
度低下を防ぐ。 【構成】 予めレチクルＲを投影レンズ系２に対して所
定の位置に位置決めしたのち、オフアクシス光学系９に
よってウエハＷの位置ずれを検出し、ウエハステージ３
を駆動して前記位置ずれを解消することでウエハＷとレ
チクルＲの位置合わせを行う。オフアクシス光学系９に
よってウエハＷの位置ずれを検出するとき、Ｘレーザ干
渉計１３ａとＹレーザ干渉計１３ｂを有するオフアクシ
ス光学系モニタ装置Ｍによってオフアクシス光学系９と
投影レンズ系２の相対位置をモニタし、その出力に基づ
いてオフアクシス光学系９の出力を補正する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造等に用いら
れる露光装置において、特にオフアクシス光学系によっ
て位置合わせを行う露光装置に関するものである。
れる露光装置において、特にオフアクシス光学系によっ
て位置合わせを行う露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路等の製造に用いられる露
光装置においては、１つの半導体集積回路を製造するた
めに通常何種類もの微細パターンを重ねあわせて露光、
焼付けていかねばならず、原画であるレチクルやマスク
とウエハ等基板の位置合わせには厳しい精度が要求され
る。このような位置合わせの方法には、一般に、投影レ
ンズ系を通して直接ウエハのアライメントマークを観察
するＴＴＬ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｔｈｅ Ｌｅｎｓ）アラ
イメント方式と、投影レンズ系の光軸から離れた位置に
光軸を有する顕微鏡等のオフアクシス光学系によってウ
エハのアライメントマークを観察するオフアクシスアラ
イメント方式がある。
光装置においては、１つの半導体集積回路を製造するた
めに通常何種類もの微細パターンを重ねあわせて露光、
焼付けていかねばならず、原画であるレチクルやマスク
とウエハ等基板の位置合わせには厳しい精度が要求され
る。このような位置合わせの方法には、一般に、投影レ
ンズ系を通して直接ウエハのアライメントマークを観察
するＴＴＬ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｔｈｅ Ｌｅｎｓ）アラ
イメント方式と、投影レンズ系の光軸から離れた位置に
光軸を有する顕微鏡等のオフアクシス光学系によってウ
エハのアライメントマークを観察するオフアクシスアラ
イメント方式がある。
【０００３】ＴＴＬアライメント方式によれば極めて高
精度の位置合わせが可能であるが、投影レンズ系は一般
に露光光の波長に合わせて収差の補正を行っており、露
光光とは別の照明光を位置合わせに用いた場合にはこれ
に合わせた収差の再補正を必要とするためスループット
が低下する。また、露光光を位置合わせに用いると、ウ
エハに塗布されたレジストが感光してしまうおそれがあ
り、さらに、最近多用される多層レジストの場合には露
光光が吸収されて反射光による位置合わせが不可能にな
ることもある。
精度の位置合わせが可能であるが、投影レンズ系は一般
に露光光の波長に合わせて収差の補正を行っており、露
光光とは別の照明光を位置合わせに用いた場合にはこれ
に合わせた収差の再補正を必要とするためスループット
が低下する。また、露光光を位置合わせに用いると、ウ
エハに塗布されたレジストが感光してしまうおそれがあ
り、さらに、最近多用される多層レジストの場合には露
光光が吸収されて反射光による位置合わせが不可能にな
ることもある。
【０００４】オフアクシスアライメント方式は、このよ
うなＴＴＬアライメント方式の短所を解消するために開
発されたものであり、高速度の位置合わせが可能であ
り、しかも、前述のような投影レンズ系の収差の再補正
等のためにスループットが低下するおそれもないが、ウ
エハとレチクルの位置合わせに際して、レチクルを投影
レンズ系に対して位置決めしたうえで、ウエハを保持す
るウエハステージを投影レンズ系の直下からオフアクシ
ス光学系の直下に移動させてウエハのアライメントマー
クの位置ずれを測定し、ウエハステージをもとの位置へ
もどしてから前記位置ずれを解消するものであるため、
露光開始前に、投影レンズ系を経た照明光による位置合
わせやウエハの試し焼き等によって、投影レンズ系の光
軸とオフアクシス光学系の光軸の相対位置を予め測定
し、これをウエハステージの駆動機構に記憶させておく
必要がある。
うなＴＴＬアライメント方式の短所を解消するために開
発されたものであり、高速度の位置合わせが可能であ
り、しかも、前述のような投影レンズ系の収差の再補正
等のためにスループットが低下するおそれもないが、ウ
エハとレチクルの位置合わせに際して、レチクルを投影
レンズ系に対して位置決めしたうえで、ウエハを保持す
るウエハステージを投影レンズ系の直下からオフアクシ
ス光学系の直下に移動させてウエハのアライメントマー
クの位置ずれを測定し、ウエハステージをもとの位置へ
もどしてから前記位置ずれを解消するものであるため、
露光開始前に、投影レンズ系を経た照明光による位置合
わせやウエハの試し焼き等によって、投影レンズ系の光
軸とオフアクシス光学系の光軸の相対位置を予め測定
し、これをウエハステージの駆動機構に記憶させておく
必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、オフアクシスアライメント方式による
位置合わせにおいて、オフアクシス光学系の光軸と投影
レンズ系の光軸の位置ずれ（オフセット量）が露光され
るウエハごとに変化したときに、これを補正することが
できず、位置合わせの精度が著しく低下するおそれがあ
る。
の技術によれば、オフアクシスアライメント方式による
位置合わせにおいて、オフアクシス光学系の光軸と投影
レンズ系の光軸の位置ずれ（オフセット量）が露光され
るウエハごとに変化したときに、これを補正することが
できず、位置合わせの精度が著しく低下するおそれがあ
る。
【０００６】本発明は、上記従来の技術の有する問題点
に鑑みてなされたものであり、オフアクシス光学系によ
ってウエハの位置ずれを測定するに際して、投影レンズ
系に対するオフアクシス光学系のオフセット量の経時的
変化によって測定誤差を生じるおそれのない露光装置を
提供することを目的とするものである。
に鑑みてなされたものであり、オフアクシス光学系によ
ってウエハの位置ずれを測定するに際して、投影レンズ
系に対するオフアクシス光学系のオフセット量の経時的
変化によって測定誤差を生じるおそれのない露光装置を
提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の露光装置は、投影レンズ系に対するウエハ
の位置ずれを検出するオフアクシス光学系を有し、前記
オフアクシス光学系の出力に基づいて前記ウエハの位置
決めを行う露光装置であって、前記投影レンズ系と前記
オフアクシス光学系の相対位置を検出する検出手段と、
該検出手段の出力に基づいて前記オフアクシス光学系の
出力を補正する補正手段を有することを特徴とする。
に、本発明の露光装置は、投影レンズ系に対するウエハ
の位置ずれを検出するオフアクシス光学系を有し、前記
オフアクシス光学系の出力に基づいて前記ウエハの位置
決めを行う露光装置であって、前記投影レンズ系と前記
オフアクシス光学系の相対位置を検出する検出手段と、
該検出手段の出力に基づいて前記オフアクシス光学系の
出力を補正する補正手段を有することを特徴とする。
【０００８】
【作用】上記装置によれば、投影レンズ系に対するウエ
ハの位置ずれをオフアクシス光学系によって検出すると
ともに、投影レンズ系とオフアクシス光学系の相対位置
を検出し、これによってオフアクシス光学系の出力を補
正する。各ウエハごとに投影レンズ系とオフアクシス光
学系の相対位置が変化しても、オフアクシス光学系によ
って検出されるウエハの位置ずれの測定値に誤差を発生
するおそれがない。
ハの位置ずれをオフアクシス光学系によって検出すると
ともに、投影レンズ系とオフアクシス光学系の相対位置
を検出し、これによってオフアクシス光学系の出力を補
正する。各ウエハごとに投影レンズ系とオフアクシス光
学系の相対位置が変化しても、オフアクシス光学系によ
って検出されるウエハの位置ずれの測定値に誤差を発生
するおそれがない。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１０】図１は一実施例を説明する説明図であっ
て、本実施例の露光装置Ｅは、公知の縮小投影型露光装
置であって、露光光Ｌを発生する光源１と、露光光Ｌを
ウエハＷ上に結像させる投影レンズ系２と、ウエハＷを
保持するウエハステージ３と、ウエハステージ３を、投
影レンズ系２の光軸の方向（以下、「Ｚ方向」とい
う。）および該光軸に直交する一平面内の２軸の方向
（以下、それぞれ「Ｘ方向、Ｙ方向」という。）および
前記光軸のまわりに回動する方向（以下、「θ方向とい
う。）に移動自在に支持する台盤４と、ウエハステージ
３を台盤４上でＸ，Ｙ，Ｚおよびθ方向に移動させるウ
エハステージ駆動装置５と、これを制御するコントロー
ラ６と、光源１と投影レンズ系２の間にレチクルＲを保
持するレチクルステージ７と、これをＸ，Ｙ，Ｚおよび
θ方向に移動させるレチクルステージ駆動装置８を有す
る。また、ウエハステージ３に保持されたウエハＷとレ
チクルステージ７に保持されたレチクルＲの位置合わせ
のために、ウエハＷのアライメントマークを観察し、レ
チクルＲのアライメントマークとの間のＸ方向およびＹ
方向の位置ずれを検出するオフアクシス光学系９が設け
られている。なお、投影レンズ系２の光軸に対するレチ
クルＲの位置ずれは、レチクルアライメント光学系１０
によって検出され、その出力はコントローラ６に入力さ
れてレチクルステージ駆動装置８を駆動する。コントロ
ーラ６は補正手段である記憶回路６ａを有し、記憶回路
６ａには、投影レンズ系２の光軸に対するレチクルアラ
イメントマークの基準位置や、図２に示すように、投影
レンズ系２の光軸Ｃ1 とオフアクシス光学系９の光軸Ｃ
2 の間の位置ずれ（以下、「オフセット量」という。）
等が記憶されている。
て、本実施例の露光装置Ｅは、公知の縮小投影型露光装
置であって、露光光Ｌを発生する光源１と、露光光Ｌを
ウエハＷ上に結像させる投影レンズ系２と、ウエハＷを
保持するウエハステージ３と、ウエハステージ３を、投
影レンズ系２の光軸の方向（以下、「Ｚ方向」とい
う。）および該光軸に直交する一平面内の２軸の方向
（以下、それぞれ「Ｘ方向、Ｙ方向」という。）および
前記光軸のまわりに回動する方向（以下、「θ方向とい
う。）に移動自在に支持する台盤４と、ウエハステージ
３を台盤４上でＸ，Ｙ，Ｚおよびθ方向に移動させるウ
エハステージ駆動装置５と、これを制御するコントロー
ラ６と、光源１と投影レンズ系２の間にレチクルＲを保
持するレチクルステージ７と、これをＸ，Ｙ，Ｚおよび
θ方向に移動させるレチクルステージ駆動装置８を有す
る。また、ウエハステージ３に保持されたウエハＷとレ
チクルステージ７に保持されたレチクルＲの位置合わせ
のために、ウエハＷのアライメントマークを観察し、レ
チクルＲのアライメントマークとの間のＸ方向およびＹ
方向の位置ずれを検出するオフアクシス光学系９が設け
られている。なお、投影レンズ系２の光軸に対するレチ
クルＲの位置ずれは、レチクルアライメント光学系１０
によって検出され、その出力はコントローラ６に入力さ
れてレチクルステージ駆動装置８を駆動する。コントロ
ーラ６は補正手段である記憶回路６ａを有し、記憶回路
６ａには、投影レンズ系２の光軸に対するレチクルアラ
イメントマークの基準位置や、図２に示すように、投影
レンズ系２の光軸Ｃ1 とオフアクシス光学系９の光軸Ｃ
2 の間の位置ずれ（以下、「オフセット量」という。）
等が記憶されている。
【００１１】前記オフセット量は、露光装置の露光を開
始する前に測定され、コントローラ６の記憶回路６ａに
記憶される。オフセット量の測定は、例えば、テスト用
のウエハのアライメントマークを投影レンズ系２を通し
て観察し、オフアクシス光学系９による観察の結果と比
較することによって両者の光軸の相対的位置ずれを検出
したり、あるいは、レチクルのアライメントマークをテ
スト用のウエハに焼付けて、焼付けられたレチクルのア
ライメントマークとウエハのアライメントマークの間の
位置ずれをオフアクシス光学系９によって検出すること
によって行われる。
始する前に測定され、コントローラ６の記憶回路６ａに
記憶される。オフセット量の測定は、例えば、テスト用
のウエハのアライメントマークを投影レンズ系２を通し
て観察し、オフアクシス光学系９による観察の結果と比
較することによって両者の光軸の相対的位置ずれを検出
したり、あるいは、レチクルのアライメントマークをテ
スト用のウエハに焼付けて、焼付けられたレチクルのア
ライメントマークとウエハのアライメントマークの間の
位置ずれをオフアクシス光学系９によって検出すること
によって行われる。
【００１２】ウエハステージ３のＸ，Ｙおよびθ方向の
位置は、図３および図４に示すように、ウエハステージ
３に一体的に設けられた一対のミラー１１ａ，１１ｂの
うちの一方のミラー１１ａにレーザ光を照射してその反
射光からそれぞれ干渉縞を得る一対の第１のレーザ干渉
計１２ａ，１２ｂと、他方のミラー１１ｂにレーザ光を
照射してその反射光から干渉縞を得る第２のレーザ干渉
計１２ｃによってモニタされる。第１のレーザ干渉計１
２ａ，１２ｂはウエハステージ３のＸ方向の位置をモニ
タするとともに、両者の出力の差からウエハステージ３
のθ方向の位置をモニタし、第２のレーザ干渉計１２ｃ
はウエハステージ３のＹ方向の位置をモニタする。
位置は、図３および図４に示すように、ウエハステージ
３に一体的に設けられた一対のミラー１１ａ，１１ｂの
うちの一方のミラー１１ａにレーザ光を照射してその反
射光からそれぞれ干渉縞を得る一対の第１のレーザ干渉
計１２ａ，１２ｂと、他方のミラー１１ｂにレーザ光を
照射してその反射光から干渉縞を得る第２のレーザ干渉
計１２ｃによってモニタされる。第１のレーザ干渉計１
２ａ，１２ｂはウエハステージ３のＸ方向の位置をモニ
タするとともに、両者の出力の差からウエハステージ３
のθ方向の位置をモニタし、第２のレーザ干渉計１２ｃ
はウエハステージ３のＹ方向の位置をモニタする。
【００１３】なお、オフアクシス光学系９は図示しない
光源と、光路を分割するビームスプリッタと、対物レン
ズと、観察用のテレビカメラ等を有し、ウエハＷのアラ
イメントマークをテレビカメラ等によって撮像し、撮像
した画像をコントローラによって画像処理することで、
ウエハＷのアライメントマークの位置ずれを検出する。
光源と、光路を分割するビームスプリッタと、対物レン
ズと、観察用のテレビカメラ等を有し、ウエハＷのアラ
イメントマークをテレビカメラ等によって撮像し、撮像
した画像をコントローラによって画像処理することで、
ウエハＷのアライメントマークの位置ずれを検出する。
【００１４】ウエハＷとレチクルＲの位置合わせは、露
光されるウエハごとに、以下のように行われる。
光されるウエハごとに、以下のように行われる。
【００１５】レチクルアライメント光学系１０及びレチ
クルステージ駆動装置８によってレチクルＲを投影レン
ズ系２の光軸Ｃ1 に対して所定の位置へ位置決めしたの
ち、ウエハステージ駆動装置５によってウエハステージ
３をオフアクシス光学系９の光軸Ｃ2 に向かって移動さ
せる。オフアクシス光学系９によってウエハＷのアライ
メントマークを観察し、レチクルのアライメントマーク
に基づいて設定された所定の基準位置に対する位置ずれ
を測定し、次いで、ウエハステージ３を前記と逆の方向
に移動させる。このときのウエハステージ３の移動量
を、オフアクシス光学系９によって測定されたウエハの
アライメントマークの位置ずれと、コントローラ６の記
憶回路６ａに記憶されたオフセット量に基づいて制御す
ることで、ウエハＷとレチクルＲの位置合わせが行われ
る。
クルステージ駆動装置８によってレチクルＲを投影レン
ズ系２の光軸Ｃ1 に対して所定の位置へ位置決めしたの
ち、ウエハステージ駆動装置５によってウエハステージ
３をオフアクシス光学系９の光軸Ｃ2 に向かって移動さ
せる。オフアクシス光学系９によってウエハＷのアライ
メントマークを観察し、レチクルのアライメントマーク
に基づいて設定された所定の基準位置に対する位置ずれ
を測定し、次いで、ウエハステージ３を前記と逆の方向
に移動させる。このときのウエハステージ３の移動量
を、オフアクシス光学系９によって測定されたウエハの
アライメントマークの位置ずれと、コントローラ６の記
憶回路６ａに記憶されたオフセット量に基づいて制御す
ることで、ウエハＷとレチクルＲの位置合わせが行われ
る。
【００１６】露光されるウエハごとにこのようなレチク
ルとウエハの位置合わせが繰返されるが、この間、温度
変化等によって、露光開始前に設定したオフセット量が
変化するおそれがある。そこで、以下のような検出手段
であるオフアクシス光学系モニタ装置Ｍによってオフセ
ット量のＸ方向およびＹ方向の経時的変化を測定し、記
憶回路６ａにおいて記憶された値を補正する。
ルとウエハの位置合わせが繰返されるが、この間、温度
変化等によって、露光開始前に設定したオフセット量が
変化するおそれがある。そこで、以下のような検出手段
であるオフアクシス光学系モニタ装置Ｍによってオフセ
ット量のＸ方向およびＹ方向の経時的変化を測定し、記
憶回路６ａにおいて記憶された値を補正する。
【００１７】オフアクシス光学系モニタ装置Ｍは、投影
レンズ系２の鏡筒に一体的に設けられたＸレーザ干渉計
１３ａおよびＹレーザ干渉計１３ｂと、オフアクシス光
学系９の鏡筒に一体的に設けられたＸミラー１４ａおよ
びＹミラー１４ｂからなる。Ｘミラー１４ａは、図３に
示すように、Ｘレーザ干渉計１３ａを経てＸ方向に入射
するレーザ光をそのまま逆進させる反射面を有し、Ｘレ
ーザ干渉計１３ａは該反射面の反射光の光路の長さを測
定する。Ｙミラー１４ｂは、図４に示すように、Ｙレー
ザ干渉計１３ｂを経てビームベンダ１５に入射し、これ
によって直角に曲げられたレーザ光を逆進させる反射面
を有し、Ｙレーザ干渉計１３ｂは該反射面の反射光の光
路の長さを測定する。
レンズ系２の鏡筒に一体的に設けられたＸレーザ干渉計
１３ａおよびＹレーザ干渉計１３ｂと、オフアクシス光
学系９の鏡筒に一体的に設けられたＸミラー１４ａおよ
びＹミラー１４ｂからなる。Ｘミラー１４ａは、図３に
示すように、Ｘレーザ干渉計１３ａを経てＸ方向に入射
するレーザ光をそのまま逆進させる反射面を有し、Ｘレ
ーザ干渉計１３ａは該反射面の反射光の光路の長さを測
定する。Ｙミラー１４ｂは、図４に示すように、Ｙレー
ザ干渉計１３ｂを経てビームベンダ１５に入射し、これ
によって直角に曲げられたレーザ光を逆進させる反射面
を有し、Ｙレーザ干渉計１３ｂは該反射面の反射光の光
路の長さを測定する。
【００１８】なお、ビームベンダ１５は、Ｙミラー１３
ｂとともにオフアクシス光学系９の鏡筒に固着されてお
り、Ｙレーザ干渉計１３ｂとビームベンダ１５の反射面
のＸ方向の離間距離は、Ｘミラー１４ａの反射面とＸレ
ーザ干渉計１３ａの間のＸ方向の離間距離Ｌ1 に等し
い。また、Ｙミラー１４ｂの反射面とビームベンダ１５
の間のＹ方向の離間距離をＬ2 とすれば、Ｙミラー１４
ｂの反射光の光路の長さはＬ1 ＋Ｌ2 で表わされる。Ｘ
レーザ干渉計１３ａとＸミラー１４ａのＸ方向の離間距
離Ｌ1 がΔＬ1 だけ変化し、Ｙレーザ干渉計１３ｂとＹ
ミラー１４ｂのＹ方向の離間距離Ｌ2 がΔＬ2 だけ変化
したとき、ミラー１４ａ，１４ｂの反射光の光路の長さ
は、それぞれ、（Ｌ1 ＋ΔＬ1 ）、（Ｌ1 ＋ΔＬ1 ＋Ｌ
2 ＋ΔＬ2）で表わされる。従って、Ｘレーザ干渉計１
３ａの出力およびその変化から、投影レンズ系２の光軸
Ｃ1 とオフアクシス光学系９の光軸Ｃ2 のＸ方向の離間
距離Ｌ1 およびその変化ΔＬ1 を検出し、Ｘレーザ干渉
計１３ａの出力とＹレーザ干渉計１３ｂの出力の差およ
びその変化から、前記２つの光軸Ｃ1 ，Ｃ2 のＹ方向の
離間距離Ｌ2 およびその変化ΔＬ2 を検出することがで
きる。
ｂとともにオフアクシス光学系９の鏡筒に固着されてお
り、Ｙレーザ干渉計１３ｂとビームベンダ１５の反射面
のＸ方向の離間距離は、Ｘミラー１４ａの反射面とＸレ
ーザ干渉計１３ａの間のＸ方向の離間距離Ｌ1 に等し
い。また、Ｙミラー１４ｂの反射面とビームベンダ１５
の間のＹ方向の離間距離をＬ2 とすれば、Ｙミラー１４
ｂの反射光の光路の長さはＬ1 ＋Ｌ2 で表わされる。Ｘ
レーザ干渉計１３ａとＸミラー１４ａのＸ方向の離間距
離Ｌ1 がΔＬ1 だけ変化し、Ｙレーザ干渉計１３ｂとＹ
ミラー１４ｂのＹ方向の離間距離Ｌ2 がΔＬ2 だけ変化
したとき、ミラー１４ａ，１４ｂの反射光の光路の長さ
は、それぞれ、（Ｌ1 ＋ΔＬ1 ）、（Ｌ1 ＋ΔＬ1 ＋Ｌ
2 ＋ΔＬ2）で表わされる。従って、Ｘレーザ干渉計１
３ａの出力およびその変化から、投影レンズ系２の光軸
Ｃ1 とオフアクシス光学系９の光軸Ｃ2 のＸ方向の離間
距離Ｌ1 およびその変化ΔＬ1 を検出し、Ｘレーザ干渉
計１３ａの出力とＹレーザ干渉計１３ｂの出力の差およ
びその変化から、前記２つの光軸Ｃ1 ，Ｃ2 のＹ方向の
離間距離Ｌ2 およびその変化ΔＬ2 を検出することがで
きる。
【００１９】このようにしてオフアクシス光学系のオフ
セット量を常時モニタし、記憶回路６ａにおいて記憶さ
れたオフセット量を補正することによって、ウエハＷと
レチクルＲの位置合わせをより高精度で行うことができ
る。
セット量を常時モニタし、記憶回路６ａにおいて記憶さ
れたオフセット量を補正することによって、ウエハＷと
レチクルＲの位置合わせをより高精度で行うことができ
る。
【００２０】なお、レーザ光を用いた測長器の替わり
に、公知の静電容量センサを用いた測長手段によってオ
フセット量をモニタすることができることはいうまでも
ない。
に、公知の静電容量センサを用いた測長手段によってオ
フセット量をモニタすることができることはいうまでも
ない。
【００２１】
【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、次に記載するような効果を奏する。
ので、次に記載するような効果を奏する。
【００２２】各ウエハごとに投影レンズ系とオフアクシ
ス光学系の相対位置が変化しても、オフアクシス光学系
によって検出されるウエハの位置ずれの測定値に誤差を
発生するおそれがないため、ウエハの位置決めを高精度
で行うことができる。その結果、レチクルとウエハの位
置合わせを高精度で行うことができる。
ス光学系の相対位置が変化しても、オフアクシス光学系
によって検出されるウエハの位置ずれの測定値に誤差を
発生するおそれがないため、ウエハの位置決めを高精度
で行うことができる。その結果、レチクルとウエハの位
置合わせを高精度で行うことができる。
【図１】一実施例を説明する説明図である。
【図２】図１の露光装置の主要部を拡大して示す部分模
式図である。
式図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線からみた一部断面平面図であ
る。
る。
【図４】図２のＢ−Ｂ線からみた一部断面平面図であ
る。
る。
Ｗ ウエハ Ｒ レチクル Ｍ オフアクシス光学系モニタ装置 １ 光源 ２ 投影レンズ系 ３ ウエハステージ ５ ウエハステージ駆動装置 ６ コントローラ ６ａ 記憶回路 ７ レチクルステージ ９ オフアクシス光学系 １０ レチクルアライメント光学系 １３ａ Ｘレーザ干渉計 １３ｂ Ｙレーザ干渉計 １４ａ Ｘミラー １４ｂ Ｙミラー １５ ビームベンダ
Claims (4)
- 【請求項１】 投影レンズ系に対するウエハの位置ずれ
を検出するオフアクシス光学系を有し、前記オフアクシ
ス光学系の出力に基づいて前記ウエハの位置決めを行う
露光装置であって、前記投影レンズ系と前記オフアクシ
ス光学系の相対位置を検出する検出手段と、該検出手段
の出力に基づいて前記オフアクシス光学系の出力を補正
する補正手段を有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 検出手段が、投影レンズ系およびオフア
クシス光学系のうちの一方に設けられた反射面と、他方
と一体的に設けられたレーザ干渉計を有することを特徴
とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項３】 検出手段が、投影レンズ系およびオフア
クシス光学系のうちの一方に設けられた一対の互に反射
角の異なる反射面と、他方と一体的に設けられた一対の
レーザ干渉計からなり、一方のレーザ干渉計が一方の反
射面に対向しており、他方のレーザ干渉計が他方の反射
面の反射光の光路を曲げるビームベンダに対向している
ことを特徴とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項４】 検出手段が、静電容量センサを用いた測
長手段であることを特徴とする請求項１記載の露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5053026A JPH06244079A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5053026A JPH06244079A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244079A true JPH06244079A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12931385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5053026A Pending JPH06244079A (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06244079A (ja) |
-
1993
- 1993-02-18 JP JP5053026A patent/JPH06244079A/ja active Pending
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