JPS62171126A - 投影型露光装置 - Google Patents

投影型露光装置

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JPS62171126A
JPS62171126A JP61013475A JP1347586A JPS62171126A JP S62171126 A JPS62171126 A JP S62171126A JP 61013475 A JP61013475 A JP 61013475A JP 1347586 A JP1347586 A JP 1347586A JP S62171126 A JPS62171126 A JP S62171126A
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JP61013475A
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English (en)
Inventor
Kyoichi Suwa
恭一 諏訪
Koichi Ono
大野 康一
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Nikon Corp
Original Assignee
Nippon Kogaku KK
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Publication date
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Publication of JPS62171126A publication Critical patent/JPS62171126A/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明はフォトリソグラフィ工程等でウェハを露光した
り、一括露光用のワーキングマスクを作ったりするため
の投影型露光装置に関する。
(発明の背景) 近年、縮小投影型露光装置は高い位置合わせ精度ととも
に高いスループットを有するようになり、半導体素子の
生産ラインで多数台が使われている。
この種の縮小投影型露光装置は半導体ウェハ上にすでに
形成されたパターンと、レチクルに描画されたパターン
の投影レンズによる縮小像とを、つエバ上のパターン毎
にステップ・アンドリピート方式で重ね合わせ露光して
いくものである。この重ね合わせ露光にあたって最近ク
ローズアップされてきた問題として、投影レンズの光学
特性(結像倍率、焦点位置)の変動があげられる。この
変動は投影レンズにレチクルを介して照明光が通ること
、投影レンズの設置環境の大気圧が一定でないこと、等
によって生じる。これらの変動は先に本発明者らが出願
した特開昭60−28613号公報、特開昭60−78
454号公報等に開示されているように、投影レンズ内
の空気間隔の圧力を制御することによって容易に補正す
ることができる。ところが、上記のような原因による光
学特性の変動を補正したとしても、長期的に光学特性が
所定の値からずれてくるといった問題点が浮きぼりにさ
れてきた。この種の変動については、その原因が必らず
しも明確ではないが、精密機械の経時的な変化と考える
ことができる。このような経時的な変化については、例
えば1日に1度、基準となるテスト・レチクルを用いて
ウェハ上にためし焼きを行ない、焼き付けられたパター
ンのレジスト像を、所定の測定機で計測することによっ
て倍率誤差や焦点変動を求めればよい。
しかしながらこのような方法は露光装置の稼動率を低下
させるとともに、定期的にオペレータがためし焼き、測
定等の余分な工程に時間を要することになり、はなはだ
不便であるといった問題がある。
(発明の目的) 本発明は上記問題点を解決し、特に長期的な結像特性の
変動を装置自身で自動的に計測し得る投影型露光装置を
得ることを目的とする。
(発明の概要) 本発明における露光装置においては、所望のパターン(
回路パターン等)と、アライメント用の複数のマークと
を有するマスク(レチクル)の光像を、所定の結像特性
(所定倍率、所定焦点距離)で被投影基板(ウェハ、又
は基準マーク板)に投影する投影レンズと、この投影レ
ンズの結像面に位置した物体(ウェハ又は基準マーク板
上のマーク等)とレチクル上のマークとのいずれも検出
可能なアライメント光学系(Rxy−Mtc、Rθ−M
ic)とが設けられている。そしてこのような構成にお
いてレチクル上のマーク(Rxy。
Rθ)の結像面における投影予定位置に基づいて、アラ
イメント光学系のマーク検出中心を設定(Rθ−Mic
の調整)した後、このアライメント光学系を使ってレチ
クルを装置に対してアライメントする方式を採用してい
る場合に、以下のような手段を設ける。すなわち、レチ
クルをアライメントした後、結像面と光学的に平行な面
内で発生したレチクルの残存回転誤差(レチクルローテ
ーション)を検出する回転誤差検出手段と、その誤差量
がアライメント光学系のマーク検出中心の設定時におけ
る結像特性の変動量(倍率変動量)に対応するものとし
て、この変動量を算出する演算手段とを設ける。
上記回転誤差検出手段は実施例によれば、レチクル上の
互いに離れた2ケ所のマーク(Rxy。
Sy)の投影位置をウェハステージ上の基準マーりを使
って夫々検出し、各位置をウェハステージの位置計測用
のレーザ干渉計で求め、その位置の差からレチクルロー
テーション量を算出する方式である。このため常にウェ
ハステージの走り座標計(x y)を基準としたレチク
ルローテーションが検出できる。
(実施例) 第2図は本発明の実施例による投影型露光装置の概略的
な構成を示す斜視図であり、その構成自体は特開昭60
−186845号公報に開示されているものとほぼ同一
である。そこで第2図については簡単に説明する。レチ
クルRにはパターン領域Prと、レチクルアライメント
用の2つのマークRXy、Rθと、TTL (グイ・パ
イ・ダイ)アライメント用の2つのマーク(透明窓)S
x。
syとが夫々所定の位置に形成されている。レチクルス
テージ2は駆動部3.4によってアライメント時にX方
向、X方向及び回転方向にレチクルRを微動させる。投
影レンズ1は所定の投影倍率でパターン領域Pr、マー
ク3x、Sy(あるいはマークRX y % Rθ)の
像をウェハW上に投影する。ウェハWは駆動部11によ
って微小回転するθテーブル10上に吸着され、θテー
ブル10は2方向(光軸AX方向)に上下動する2ステ
ージ9に設けられる。Zステージ9は駆動部5によって
移動するXステージ6上をX方向に移動するXステージ
8上に設けられている。Xステージ8はXステージ6上
の駆動部7によって移動する。
さてZステージ9の2辺にはレーザ干渉計12と14と
からの測長用のビームBx、Byが照射される移動鏡1
3.15が固定されている。またZステージ9上には基
準マーク30が設けられている。さらに投影レンズ1に
は圧力調整器19が接続され、これによって投影レンズ
1内の所定の空気間隔の圧力が調整され、投影レンズ1
自体の光学特性が所望の値に制御される。この圧力調整
器19についての構成、作用及び動作は先にも述べた特
開昭60−78454号公報に詳しく開示されている。
さてレチクルRの上方にはマークRxyのX方向とX方
向のずれを検出するためのレチクルアライメント用光電
顕微鏡(以下Rxy−Micと呼ぶ)16と、マークR
θのX方向のずれを検出するためのレチクルアライメン
ト用光電顕微鏡(以下Rθ−M i cと呼ぶ)17と
が、夫々マークRxy、Rθに対応する位置に設けられ
ている。またマークsyと投影レンズ1の結像面に位置
した物体(ウェハW上のアライメントマーク、又は基準
マーク板30上のマーク)とのX方向の相対的なずれを
検出するためのステップ・アライメント用顕微鏡(以下
S3’−Micと呼ぶ)20と、同様にマークSxと結
像面に位置したマークとのX方向の相対的なずれを検出
するためのステップ・アライメント顕微鏡(以下Sx−
Micと呼ぶ)21とが設けられている。
第3図は第2図のレチクルRのマーク配置を示す平面図
である。レチクルRの中心RCを原点としてウェハWの
xyXステージ68の移動座標系(レーザ干渉計12.
14による測定座標系と同一)を当てはめると、マーク
RxyはX軸上に中心を有する十字形であり、X方向と
Y方向とに延びた線状パターンの組み合わせである。一
方マークRθはy軸上に中心を有し、X軸と平行に伸び
た線状パターンである。マークsyはレチクル中心RC
を挟んでマークRxyと反対側のX軸上にあり、マーク
Sxはレチクル中心RCを挟んでマークRθと反対側の
y軸上にある。尚、このマークS X −、S yの位
置は必らずしも第3図に示すように限られるものではな
く、予めレチクルR上での位置がわかっていれば、どこ
にあってもよい。
ただし、第3図に示した配置は、後述の実施例で説明す
るがレチクルローテーションや倍率の計測の上で極めて
都合がよい。
第4図は投影レンズ1の結像面における各マークの投影
位置を示す平面図である。第4図において座標系xyは
レーザ干渉計12.14によって計測される系であり、
その原点は投影レンズ1の光軸AXが通るように定めで
ある。光軸AX (原点)を中心とする円形の領域は投
影レンズ1によイ っで投影し得る最大の範囲を示すシメージフィールドi
fである。ProはレチクルRがアライメント誤差なく
位置決めされたときのパターン領域Prの投影像であり
、同様にSx’  :sy’ の夫々はマークSx、S
yの投影像である。また17’はRθ−M t c 1
7の検出視野を表し、17aはマークRθの検出中心で
ある。16゛はRxy−M i c 16の検出視野を
表わし、16aはマークRxyの検出中心である。この
検出中心16aと17aは、それぞれマークRxyとR
θとを挟み込むような形状をしており、その位置はイメ
ージフィールドtf内で固定したものに定められる。
ただし、Rθ−M i c l 7の検出中心17a 
(又は検出視野17゛)はY方向に微小量だけ移動させ
ることが可能である。これはRθ−M i c 17の
光学系内に設けられた平行平板ガラスをモータによって
回転させて行なわれる。ところで第4図には基準マーク
板30も示されており、ここにはX方向に伸びた線状マ
ーク30yと、X方向に伸びた線状マーク30xとが十
字形に形成されている。これらマーク30x、30yは
投影レンズ1を介してRxy−Mic16、Rθ−Mi
c17によって検出可能な形状、大きさに定められてい
る。
第5図は第2図の装置の制御系を示すブロック図であり
、装置全体のシーケンスはマイクロコンピュータ等のプ
ロセンサー(以下CPUとする)60によって統括制御
される。インターフェース制御部(以下IFCとする)
61はCPU60と各種ユニットとの間で情報のやり取
りを行なうものである。ステップ・アライメント処理部
(以下5−ALGとする)62は、3x−Mic21、
Sy−Mic20からの光電信号(テレビ画像信号)を
入力して、レチクルRとウェハWとのショット内での位
置ずれ量を検出する。レチクル・アライメント処理部(
以下4R−ALGとする)63はRxy−Mic16、
Rθ−M i c 17からの光電信号を入力して、検
出中心16a、17aに対するマークRx y −、R
θのずれ、又は検出中心16a、17aに対するマーク
30x、30yのずれを検出するものである。このR−
ALG63にはRθ−M i c l 7の検出中心1
7aをY方向に微調するための制御回路も含まれている
。圧力制御部(以下ABCとする)64は、大気圧の変
動や、投影レンズ1に照明光が通ることによって生じる
投影倍率の誤差を算出し、その誤差が零になるような圧
力指令値を圧力調整器19に出力する。この動作は装置
が稼動している間(装置の電源が入っている間)は逐次
実行されているものとする。その他CPU60はレチク
ルステージ2の駆動部3.4への指令、xyステージ6
.8の駆動部5,7.11への指令をIFC61を介し
て出力するとともに、レーザ干渉計12.14からの位
置情報も読み込む。端末器66はキーボードやディスプ
レイを含み、オペレータからのコマンドをCPU60に
与えるものである。
次に本発明の第1の実施例による動作を第1図のフロー
チャートに基づいて説明する。このフローチャートはC
PU60で実行されるものである。
尚、本実施例においてABC64と圧力調整器19とは
、投影レンズ1への照明光の入射による倍率変動分と、
大気圧の変化による倍率変動分とについては時々刻々補
正しているものとする。以下、第1図に示したステップ
100〜107を順に説明する。
〔ステップ100〕 まずレチクルRをレチクルステージ2に載置して、マー
クRxy、Rθの夫々がRxy−Mic16、Rθ−M
iC17の各検出中心16a、17aからはずれるよう
な初期位置にレチクルステージ2を位置決めしておく。
〔ステップ101〕 次に、駆動部5.7を制御してRxy−Mic16の検
出視野16”内に基準マーク30x、30yが位置する
ようにxyステージ6.8を移動させる。そして基準マ
ーク30x、30yが検出中心16aの中心に挟み込ま
れるように、CP(J60はR−ALG63からのずれ
量信号に基づいて駆動部5,7をサーボ制御する。検出
中心16aと基準マーク30x、30yとが重ね合わさ
れると、CPU60はこのときのxyステージ6゜8の
座標値(X+ 、Y+ )をレーザ干渉計12゜14か
ら読み取り記憶する。尚、基準マーク30x、30Mの
投影レンズ1による逆投影像はレチクルRのマークRx
yが形成された領域(透明部)を介してRXy−Mic
16により検出される。
〔ステップ102〕 次に、レチクルR上のマークRxyとRθとの配置関係
及び投影レンズ10倍率によって決まる距離だけ、xy
ステージ6.8を座標値(X、。
Y、)から移動させ、マークRθの投影されるべき位置
に基準マーク30yが位置するようにレーザ干渉計12
.14を依りにxyステージ6.8を位置決めする。こ
のときの座標値を(X2.Y2)とする。そしてRθ−
M i c 17によって、レチクルRのマークR6周
辺の透明部及び投影レンズ1を介して基準マーク30y
を検出する。このとき投影レンズ1に倍率誤差がなけれ
ば、Rθ−Mic17の検出中心17aと基準マーク3
0yとは正確に一致して検出される。ここで基準マーク
30yに対して検出中心17aがY方向にずれていると
きは、基準マーク30yの位置を固定したまま、検出中
心17aが基準マーク30yを挟み込むように平行平板
ガラスを回転調整する。これによってレチクルアライメ
ント用のセンサーとしてのRxy−Mic15と、Rθ
−M i c 17との各検出中心16a、17aがx
yステージ6゜8の座標系xyに関して正確に設定され
たことになる。
〔ステップ103〕 次に上記チェックされたRxy−Mic16、Rθ−M
 i c 17を用いて、マークRxyが検出中心16
aに一致し、マークRθが検出中心17aに一致するよ
うに、R−ALG63からのずれ量信号に基づいて駆動
部3,4をサーボ制御して、レチクルステージ2を位置
決めする。これによってレチクルRはxyステージ6.
8の座標系xy(装置上で固定された系)に対して正確
にアライメントされたことになる。
ここで投影レンズ1に微小な倍率誤差があった場合、レ
チクルRは第6図に示すように座標系Xyに対して微小
回転(ローテーション)してアライメントされる。第6
図は倍率誤差ΔMによるレチクルローテーションΔθr
を誇張して示した平面図であり、R” はローテーショ
ンΔθrが零の場合のレチクルを示す。またレチクルR
の中心RCを原点とする座標系のαβはレチクルRの内
部の系であり、この座標系αβ上にマークRxy、Rθ
、Sx、Syが予め定められた配置で形成されている。
第6図に示すように、ステップ102において検出中心
17aを設定したとき、倍率誤差によってΔMだけ光軸
AXよりに検出中心17aがずれたものとする。尚、Δ
Mは本来極めて小さく (例えば1μm以下)、それに
対してマークRxyとRθとの間隔は大きいため、マー
クRxyと検出中心16aとをアライメントし、マーク
Rθと検出中心17aとをアライメントするとき、その
検出視野内で各マークが回転して検出されることはなく
、単にX方向とX方向とのずれとして検出されるだけで
ある。ここでレチクルRは説明を簡単にするためマーク
Rxyを中心にローテーションΔθrを起こしたのもと
する。
〔ステップ104〕 次にCPU60は第6図に示したレチクノにローテーシ
ョンΔθrを検出する。実際にはΔθrが小さいため、
マークsyのX軸からのX方向におけるずれ量ΔRRを
ローテーション量として計測する。具体的には第7図を
用いて説明する。まずCPU60は基準マーク30x、
30yがマークRxyの投影位置にくるように、xyス
テージ6゜8を座標値(XI 、 Yl )に位置決め
する。そしてxyステージ6.8をy座標値(Y、)を
変化させずにX方向に距離DLだけ移動させて、座標値
(X3.Y、)に位置決めする。本来ならこの位置にマ
ークsyの投影像の中心が存在するはずであるが、マー
クSyの投影像はX方向にΔRRだけずれている。第7
図でSyoはレチクルローテーションが零のときのマー
クSyの像位置である。また距離DLはレチクルR上の
マークRxyとsyとの間隔、及び設計上の投影倍率か
ら求められる。マークsyはX方向のずれを求めるため
のものであるから、X方向のマークのずれは計測上はと
んど誤差とはならない。さて、基準マーク30yは第7
図中のSy゛の位置に設定されるので、S)r−MiC
20と5−ALG62を用いて基準マーク30yとマー
クSyとのX方向のずれ量、すなわちΔRRを検出する
。尚、ローテーションの回転角度Δθrは(1)式のよ
うに表される。
L 〔ステップ105〕 ここでCPU60はローテーション量ΔRRがほぼ零か
否かを判断する。ここでは厳密に零に追い込まれている
ことが望ましいが、許容し得る範囲内(例えば−0,0
8μm<ΔRR<0.08μm)であれば、ローテーシ
ョンなしと判断する。そしてこの範囲内のときは倍率誤
差も許容範囲内であるとして処理を終了する。
〔ステップ106〕 ステップ105でローテーションΔRRが大きいと判断
されると、CPU60はΔRRに基づいて倍率誤差ΔM
を算出する。この算出の方法を再び第7図を用いて説明
する。第7図でRθ゛はローテーションがないときのマ
ークRθの位置であL    ・ ヨンΔθrだけ回転し、線分中の位置にくる。従って誤
差ΔMはマークRθ′ とRθとのX方向のずれ成分で
ある。ここでマークRxyとRθとのψ ΔM= (L+ −tanΔθr ) X s i n
 *  −・−−−−(2)そこで先の(1)式を(2
)式に代入すると、(3)式を得る。
角度#はマークRxyとRθとの位置関係によって決ま
る一定値であり、レチクル中心RCからマークRθまで
のX方向の距離をL2とすると、φ sin 看= Lx / L+であるから(3)式は(
4)式のように書き直せる。
・−−一・−m−・・−・ (4) この(4)式からも明らかなように、ローテーション量
ΔRRがわかれば倍率誤差ΔMは極めて簡単に求められ
る。
さて、本実施例では、求めた倍率誤差ΔMに基づいてC
PU60はABO64に一ΔMだけ補正するための指令
を出力する。この指令を受けたABO34は、光軸AX
からL2だけ離れた投影点が一ΔM(第6図の場合、光
軸AXから外側に広がる方向)だけずれるような圧力オ
フセット値を圧力調整器19に出力する。
〔ステップ107〕 次にCPU60はレチクルRがステップ100と同じ初
期位置にリセットされるようにレチクルステージ2を移
動させた後、再びステップ101〜104を実行する。
そしてステップ105でΔRRが許容範囲内に入った時
点で全ての処理が終了する。
以上本実施例ではマークRxyとマークsyとのX方向
のほぼ中間の位置にマークRθが存在するため、検出中
心17aを設定したときの倍率誤差ΔMに対してほぼ2
倍だけマークsyがX方向にずれるので、検出感度がそ
れだけよくなるといった効果がある。また第6図によれ
ば、マークSy以外にマークSxを用いてレチクルロー
テーションを検出し得るが、レチクルアライメント用の
マークRxy、Rθの配置が上記のように定められてい
ると、レチクルRの回転中心は実際はマークRxyと一
致せず、マークSxを用いたローテーション検出はほと
んど意味がない。このことについて以下本発明の第2の
実施例とともに説明する。
第8図は本発明の第2の実施例による動作を説明するフ
ローチャートである。
第8図において、ステップ100〜104,106.1
07は第1図中の各ステップと全く同一である。先の第
1実施例と異なる点は、ステップ200.201,20
2が付加され、ΔRRに基づいて算出された倍率誤差Δ
Mと、実際の計測によって求めた倍率誤差Δにとを比較
して、信頼性を向上させたことである。先にも述べたよ
うに、倍率誤差ΔMによるレチクルローテーションはマ
ークRxy以外の点を中心にして生じる。第9図はそれ
を説明するための平面図である。第6図においては倍率
誤差ΔMにより検出中心17aがΔMだけずれるとした
が厳密には第9図のように検出中心16aもΔMだけ光
軸AXの方向(X方向)にずれる。すなわち投影レンズ
1の投影倍率に誤差が生じると、レチクルR上での検出
中心16a、17aの位置関係は、基準マーク30x、
30yを用いて各顕微鏡を設定した後、例えば第9図に
示すように光軸AXに向ってΔMだけともにずれること
になる。このためアライメントされたレチクルRは第9
図中で左下隅を中心に回転して設定される。このような
場合でもレチクルローテーション量ΔRR1ΔMの計測
方法、及び演算式はΔθrが極めて小さいため先の41
1〜(4)と全く同様でよい。
さて、第8図に示すように、ΔRRの計測の後、ステッ
プ200で倍率誤差の実測を行なう。これは第9図に示
したように、検出中心16aの座標値(x+ 、Yl 
)とマークSxの投影座標位置とのX方向の間隔を計測
することによって行なわれる。このためにCPU60は
+  xyステージ6゜8を制御して、レチクルRのマ
ークRxyとマークSxとのX方向の間隔と、設計上の
投影倍率とに基づいて基準マーク30xを座標値(X、
、Y。
)から一定距離だけ走らせて、マークSxの投影像Sx
′ と重ねるように位置決めする。そしてSx−Mic
21と5−ALG62によってマークSxと基準マーク
30xとのX方向の位置ずれ量を求める。この位置ずれ
量が実測された投影倍率の誤差Δにである。またこのス
テップ200においてCPU60はΔRRに基づいて先
の式(11〜(4)を用いて倍率誤差ΔMを算出する。
そして次のステップ201において、ΔMとΔにとの比
較を行なう。本来、ΔRRに基づいて算出されたΔMと
実測されたΔにとは、マークRxy、!=Rθとの中心
RCからの各距離が等しい場合は同じ値になるはずであ
る。しかも倍率誤差がない場合はΔMもΔにもほぼ零(
許容範囲内)になっているはずである。ここでΔMho
、かつΔに#Oと判断された場合は全ての処理を終了す
る。
そうでない場合はステップ202に進み、ΔMとΔにと
がほぼ等しい値か否かを判断する。ここでΔM#Δにと
判断されると、第1図の場合と同様に投影倍率の補正(
ステップ106)を行ない、再びステップ101からの
動作が繰り返される。
ステップ202で否と判断された場合はΔRRの計測時
、又はΔにの実測時に何らかの誤差が発生したことが考
えられ、ステップ203のエラー処理が実行される。こ
のエラー処理はオペレータに警告を発生するようなこと
、ΔRRやΔKをもう一度だけ計測し直してステップ2
00を再度実行するようなこと、などを行なうものであ
る。
本実施例によれば、レチクルアライメント時(ステップ
103)に、レチクルステージ2を装置の固定部に真空
吸着する際に生じた微小なすれ量による倍率計測の誤検
出がなくなり、より信頼性の高いものとなる。また、第
9図に示すように、レチクルローテーションによるマー
クSxのX方向のずれは零に近い(y軸上に一致してい
る)ため、マークSxと検出中心16aとのX方向のず
れ量計測は高精度に行なえる。
向上起筆1、第2の実施例では投影レンズ自体の結像特
性を修正して倍率補正したが、投影レンズとレチクルと
の間隔を調整してもよい。またステップ106の倍率修
正は、ΔMの値に基づいて、オペレータが手動でABC
64に指令を与えるようにしてもよい。また倍率補正量
が求まれば、自ずと投影レンズ1の焦点変動もわかる。
従って投影レンズ1とウェハWとの間隔を、その焦点変
動分だけ補正するようにZステージ9を制御すれば、常
に最良のピント状態が維持できる。
(発明の効果) 以上本発明によれば、投影光学系の倍率変化が簡単にチ
ェックでき、長期間に渡って安定した高精度な重ね合わ
せ露光ができるという効果が得られる。また実施例に示
したような倍率チェックをバッチ(ロフト)の先頭で行
ない、倍率修正を加えておくことによって、そのロフト
内のウニへの全てに渡って均一な重ね合わせ精度が得ら
れる。
さらに倍率修正として圧力制御を用いる場合は焦点変動
も同時に修正されるので、好都合である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例による動作を示すフロー
チャート図、第2図は本発明が適用される投影型露光装
置の構成を示す斜視図、第3図はレチクルのマーク配置
を示す平面図、第4図は投影視野内のマークと検出中心
との投影位置を示す平面図、第5図は制御系の回路ブロ
ック図、第6図は、レチクルローテーションの様子を示
す平面図、第7図はレチクルローテーションから倍率誤
差を求める方法を説明する図、第8図は本発明の第2の
実施例による動作を示すフローチャート図、第9図はレ
チクルローテーションの様子を示す平面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 ■ −・−投影レンズ 16.17 −−−−−−一・レチクルアライメント顕
微鏡19−・−・−・圧力調整器 20.21−・−・ステンブアライメント顕微鏡16a
、17a  ・−一−−−−・検出中心30−・−・基
準マーク板

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)所望のパターンとアライメント用の複数のマーク
    とを有するマスクの光像を、所定の結像特性で被投影基
    板に投影する投影光学系と、該投影光学系の結像面に位
    置した物体と前記マークとを共に検出可能なアライメン
    ト光学系とを備え前記マークの前記結像面における投影
    予定位置に基づいて前記アライメント光学系のマーク検
    出中心を設定した後、該アライメント光学系を使って前
    記マスクを装置に対してアライメントする装置において
    、前記マスクのアライメント後、前記結像面と平行な面
    内での前記マスクの残存回数誤差を検出する回転誤差検
    出手段と;該残存回転誤差量が前記アライメント光学系
    のマーク検出中心の設定時における前記結像特性の変動
    量に対応するものとして、該変動量を算出する演算手段
    とを設けたことを特徴とする投影型露光装置。
  2. (2)前記露光装置は前記演算手段によって算出された
    変動量に応じて前記結像特性を補正する補正手段を有す
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の装置。
  3. (3)前記補正手段による補正の後、前記アライメント
    光学系のマーク検出中心の設定を行ない、再び前記マス
    クをアライメントすることを特徴とする特許請求の範囲
    第2項記載の装置。
JP61013475A 1986-01-24 1986-01-24 投影型露光装置 Pending JPS62171126A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01216527A (ja) * 1988-02-24 1989-08-30 Fujitsu Ltd 縮小投影露光装置のアライメント方式
JPH01283927A (ja) * 1988-05-11 1989-11-15 Mitsubishi Electric Corp 縮小投影露光装置
JPH021903A (ja) * 1988-06-10 1990-01-08 Mitsubishi Electric Corp Ttlアライメント装置
KR19980074072A (ko) * 1996-04-04 1998-11-05 오노 시게오 위치 관리 방법 및 위치를 맞추는 방법

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