JPH021903A - Ｔｔｌアライメント装置 - Google Patents
Ｔｔｌアライメント装置Info
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- JPH021903A JPH021903A JP63144350A JP14435088A JPH021903A JP H021903 A JPH021903 A JP H021903A JP 63144350 A JP63144350 A JP 63144350A JP 14435088 A JP14435088 A JP 14435088A JP H021903 A JPH021903 A JP H021903A
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
この発明は、ＴＴＬアライメントによりマスク上のパタ
ーンをウェハ上に投影するＴＴＬアライメント装置に関
する。
ーンをウェハ上に投影するＴＴＬアライメント装置に関
する。
第３図は理想格子像とレンズのディストーシヨンにより
歪曲した投影像との関係を設明する図である。
歪曲した投影像との関係を設明する図である。
図において、３ａは理想格子像で、破線により表わされ
ている。３ｂはレンズを用いて理想格子像３ａを投影し
た場合の投影像で、実線により表されている。・Ａ、Ａ
Ｉはアライメントマーク位置で、アライメントマーク位
置Δは理想格子像３ａの所定座標を表し、設計値に相当
する。アライメントマーク位置Ａ１は、アライメントマ
ーク位置Δがレンズを通じて段形された投影像３ｂ上の
座標を表している。ΔＸおよびΔＹは誤差量で、アライ
メントマーク位置Ａがアライメントマーク位置Ａ１へず
れたときの水平方向あるいは垂直方向の誤差量を表す。
ている。３ｂはレンズを用いて理想格子像３ａを投影し
た場合の投影像で、実線により表されている。・Ａ、Ａ
Ｉはアライメントマーク位置で、アライメントマーク位
置Δは理想格子像３ａの所定座標を表し、設計値に相当
する。アライメントマーク位置Ａ１は、アライメントマ
ーク位置Δがレンズを通じて段形された投影像３ｂ上の
座標を表している。ΔＸおよびΔＹは誤差量で、アライ
メントマーク位置Ａがアライメントマーク位置Ａ１へず
れたときの水平方向あるいは垂直方向の誤差量を表す。
次に、レチクル上のパターンの転写に使用したレンズの
ディストーシヨンと、そのパターンに対して重ね合わせ
を行なうレンズのディストーシヨンとの差が大ぎい場合
において、ＴＴＬアライメントを実施する場合について
、第４図、第５図を用いて述べる。図において、４は理
想格子、４ａはレンズを通じて理想格子４をウェハ上に
投影することにより形成された投影像、４ｂは前記投影
＠４ａ上に形成されたＸ方向を合わせるためのアライメ
ントマーク、４Ｃはウェハ上のパターンに重ね合わせを
行なうレチクル側のパターンの投影像、４ｄはレチクル
側のアライメントマークの位置を示ず。また、ΔＸ１．
ΔＸ２は理想格子４／Ｊ）らの誤差量を示す。
ディストーシヨンと、そのパターンに対して重ね合わせ
を行なうレンズのディストーシヨンとの差が大ぎい場合
において、ＴＴＬアライメントを実施する場合について
、第４図、第５図を用いて述べる。図において、４は理
想格子、４ａはレンズを通じて理想格子４をウェハ上に
投影することにより形成された投影像、４ｂは前記投影
＠４ａ上に形成されたＸ方向を合わせるためのアライメ
ントマーク、４Ｃはウェハ上のパターンに重ね合わせを
行なうレチクル側のパターンの投影像、４ｄはレチクル
側のアライメントマークの位置を示ず。また、ΔＸ１．
ΔＸ２は理想格子４／Ｊ）らの誤差量を示す。
搬影像４ａと４Ｃの位置関係は理想格子４を基準とする
と第４図のようになる。つまり、レンズのディストーシ
ヨンを考慮した場合、投影＆４ａと４Ｃの位置関係が第
４図に示すようになった場合、所望の重ね合せができる
ことになる。このような状況において、アライメントマ
ークとして４ｂと４ｄを用いＴＴＬアライメントを行な
ったとすると、第５図のようになる。第５図での投影像
４ａと４Ｃの位置関係は第４図のそれと比べると、投影
＠４ＣがＸ軸方向に（Δｘ１＋ΔＸ２）だけ移動してい
ることになる。つまり、重ね合わせ誤差が（ΔＸ１＋Δ
Ｘ２＞となる。
と第４図のようになる。つまり、レンズのディストーシ
ヨンを考慮した場合、投影＆４ａと４Ｃの位置関係が第
４図に示すようになった場合、所望の重ね合せができる
ことになる。このような状況において、アライメントマ
ークとして４ｂと４ｄを用いＴＴＬアライメントを行な
ったとすると、第５図のようになる。第５図での投影像
４ａと４Ｃの位置関係は第４図のそれと比べると、投影
＠４ＣがＸ軸方向に（Δｘ１＋ΔＸ２）だけ移動してい
ることになる。つまり、重ね合わせ誤差が（ΔＸ１＋Δ
Ｘ２＞となる。
ＴＴＬアライマントによりレチクル上のパターンをウェ
ハ上に投影する場合、レチクル上のパターンを形成する
ときに用いられたレンズと、ＴＴＬアライメントに用い
るレンズどディス［−−ジョンに差があると、前ｊホし
たように重ね合わせ誤差を生じ、この誤差を補正するた
めに、従来は露光。
ハ上に投影する場合、レチクル上のパターンを形成する
ときに用いられたレンズと、ＴＴＬアライメントに用い
るレンズどディス［−−ジョンに差があると、前ｊホし
たように重ね合わせ誤差を生じ、この誤差を補正するた
めに、従来は露光。
現像して誤差量をバーニア等で確認し、その後、この誤
差ｍをオフセットとして加えなければならないという問
題点があった。
差ｍをオフセットとして加えなければならないという問
題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、ＴＴＬアライメントにより投影像間の重ね
合わせを行なう場合、重ね合わせ誤差を小さく押えるこ
とができるＴＴＬアライメント装置を得ることを目的と
する。
れたもので、ＴＴＬアライメントにより投影像間の重ね
合わせを行なう場合、重ね合わせ誤差を小さく押えるこ
とができるＴＴＬアライメント装置を得ることを目的と
する。
この発明に係るＴＴＬアライメント装置は、ＴＴＬアラ
イメントによりマスク上のパターンをウェハ上に投影す
るＴＴＬアライメント装置であって、前記マスク上のパ
ターンを形成するときに用いられたレンズと、前記ＴＴ
Ｌアライメントに用いるレンズとのディストーシヨンに
よる誤差量をイメージフィールド内の各点毎にあらかじ
め記憶する記憶手段と、前記マスク上及び前記ウェハ上
のアライメントマークを用いてＴＴＬアライメントを実
行する手段と、前記アライメントマークの位置に対応す
る前記誤差量を前記記憶手段から読み出し、アライメン
ト結果を補正するための補正量を演算する補正量演算手
段と、前記補正量演算手段で演算された補正量に従い、
前記マスク上のパターンを前記ウェハ上に投影させる投
影手段とを備えた構成としている。
イメントによりマスク上のパターンをウェハ上に投影す
るＴＴＬアライメント装置であって、前記マスク上のパ
ターンを形成するときに用いられたレンズと、前記ＴＴ
Ｌアライメントに用いるレンズとのディストーシヨンに
よる誤差量をイメージフィールド内の各点毎にあらかじ
め記憶する記憶手段と、前記マスク上及び前記ウェハ上
のアライメントマークを用いてＴＴＬアライメントを実
行する手段と、前記アライメントマークの位置に対応す
る前記誤差量を前記記憶手段から読み出し、アライメン
ト結果を補正するための補正量を演算する補正量演算手
段と、前記補正量演算手段で演算された補正量に従い、
前記マスク上のパターンを前記ウェハ上に投影させる投
影手段とを備えた構成としている。
この発明における記憶手段はマスク上のパターンを形成
するときに用いられたレンズと、ＴＴＬアライメントに
用いるレンズとのディストーシヨンによる誤差量をイメ
ージフィールド°内の各点毎にあらかじめ記憶し、補正
量演算手段はアライメントマークの位置に対応する誤差
量を記憶手段から読み出し、アライメント結果を補正す
るための補正量を演算し、投影手段に伝達し、投影手段
はアライメント結果を補正し、マスク上のパターンをウ
ェハに投影する。
するときに用いられたレンズと、ＴＴＬアライメントに
用いるレンズとのディストーシヨンによる誤差量をイメ
ージフィールド°内の各点毎にあらかじめ記憶し、補正
量演算手段はアライメントマークの位置に対応する誤差
量を記憶手段から読み出し、アライメント結果を補正す
るための補正量を演算し、投影手段に伝達し、投影手段
はアライメント結果を補正し、マスク上のパターンをウ
ェハに投影する。
第１図はこの発明の一実施例を示す回路図である。１ａ
はＸＹステージ、１ｂはレーザー干渉計システム、１Ｃ
は回路パターンが転写されるウェハ、１ｅはレチクル１
ｑのパターンをウェハ１Ｃ上に投影する投影光学系、１
ｈはレチクル１ｇ及びウェハ１Ｃを照明する光束の進路
を変えるための折り返しミラー １１は照明光を透過し
、レチクル１Ｑ及びウェハ１Ｃのアライメントマーク部
分からの反射光の光路を変えるためのハーフミラ１ｊは
照明光を収束させるための対物レンズ、１には反射光を
ＩＴＶカメラ１１に結像するための対物レンズである。
はＸＹステージ、１ｂはレーザー干渉計システム、１Ｃ
は回路パターンが転写されるウェハ、１ｅはレチクル１
ｑのパターンをウェハ１Ｃ上に投影する投影光学系、１
ｈはレチクル１ｇ及びウェハ１Ｃを照明する光束の進路
を変えるための折り返しミラー １１は照明光を透過し
、レチクル１Ｑ及びウェハ１Ｃのアライメントマーク部
分からの反射光の光路を変えるためのハーフミラ１ｊは
照明光を収束させるための対物レンズ、１には反射光を
ＩＴＶカメラ１１に結像するための対物レンズである。
ＩＴＶカメラ１１はレチクル１ｑ及びウェハ１Ｃのアラ
イメントマーク部分からの反射光を受光する。１ｍ及び
１ｎはレチクル１Ｑ及び×Ｙステージ１ａを駆動するた
めのモーター １０．１１）は各々コンピュータ内の記
憶手段及び補正量演算手段を示す。記憶手段１ｏには、
ウェハ１Ｃにパターンを転写する場合に用いるレンズ（
投影光学系１ｅ）のディストーシヨンデータ及びレチク
ル１ｑにパターンを転写する場合に用いたレンズのディ
ストーシヨンデータをあらかじめ記憶させておく。補正
量演算手段１ｐは、記憶手段１０より読み出されたディ
ストーシヨンデータに基づき補正量を演算し、この演算
結果をモータ１ｍ、１ｎに伝達する。モータ１ｍ、１ｎ
は演算結果に基づきレチクル１（７，ウェハ１Ｃの位置
を移動させる。
イメントマーク部分からの反射光を受光する。１ｍ及び
１ｎはレチクル１Ｑ及び×Ｙステージ１ａを駆動するた
めのモーター １０．１１）は各々コンピュータ内の記
憶手段及び補正量演算手段を示す。記憶手段１ｏには、
ウェハ１Ｃにパターンを転写する場合に用いるレンズ（
投影光学系１ｅ）のディストーシヨンデータ及びレチク
ル１ｑにパターンを転写する場合に用いたレンズのディ
ストーシヨンデータをあらかじめ記憶させておく。補正
量演算手段１ｐは、記憶手段１０より読み出されたディ
ストーシヨンデータに基づき補正量を演算し、この演算
結果をモータ１ｍ、１ｎに伝達する。モータ１ｍ、１ｎ
は演算結果に基づきレチクル１（７，ウェハ１Ｃの位置
を移動させる。
第２図はＩＴＶカメラ１１によって観察されるレチクル
１Ｑ上のアライメントマーク４ｄとウェハ１Ｃ上のアラ
イメントマーク４ｂの位置関係を示すものである。各々
のアライメントマーク４ｄ。
１Ｑ上のアライメントマーク４ｄとウェハ１Ｃ上のアラ
イメントマーク４ｂの位置関係を示すものである。各々
のアライメントマーク４ｄ。
４ｂはｊ！１１２となるようにウェハ１Ｃ又はレチクル
１ｇあるいは両方をモータ１ｍ、１ｎを用いて移動させ
ることによってなされる。
１ｇあるいは両方をモータ１ｍ、１ｎを用いて移動させ
ることによってなされる。
次に、動作について説明する。まず、第３図に示したよ
うに、理想格子像３ａ上のアライメントマークＡと投影
ｅａｂ上のアライメントマークＡ１の誤差量をイメージ
フィールド内の各点において計測してマツプを作成し、
コンピュータの記憶手段１０に記憶させる。そして、そ
の棲モータ１ｍ、Ｉｎを用い、従来と同様、第５図に示
すようなアライメントを行う。この場合、ＩＴＶカメラ
１Ｊｌで観察されるアライメントマーク４ｂ、４ｄの位
置関係を第２図に示すよう１１＝ｊ！２）にする。第５
図に示した例ではレチクル１ｑを移動することによりア
ライメントを行っている。このアライメントの結果、前
述したように（ΔＸ１＋ΔＸ２＞の重ね合わせ誤差が生
じる。この場合、アライメントマーク４ｂ、４ｄの位置
に対応した誤差量を補正量演算手段１ｐが記憶手段１ｏ
から読み出し、補正量に換算し、モータ１ｍ、１ｎに伝
達する。上記例での補正量は（−（ΔＸ１＋ΔＸ２）、
Ｏ）となる。つまり、第５図のアライメントマーク４ｄ
がＸ軸方向に（−（Δｘ１＋ΔＸ２だけずれるようにモ
ータ１ｍが駆動し、レチクル１ｑ上のパターンをウェハ
１Ｃ上に投影する。
うに、理想格子像３ａ上のアライメントマークＡと投影
ｅａｂ上のアライメントマークＡ１の誤差量をイメージ
フィールド内の各点において計測してマツプを作成し、
コンピュータの記憶手段１０に記憶させる。そして、そ
の棲モータ１ｍ、Ｉｎを用い、従来と同様、第５図に示
すようなアライメントを行う。この場合、ＩＴＶカメラ
１Ｊｌで観察されるアライメントマーク４ｂ、４ｄの位
置関係を第２図に示すよう１１＝ｊ！２）にする。第５
図に示した例ではレチクル１ｑを移動することによりア
ライメントを行っている。このアライメントの結果、前
述したように（ΔＸ１＋ΔＸ２＞の重ね合わせ誤差が生
じる。この場合、アライメントマーク４ｂ、４ｄの位置
に対応した誤差量を補正量演算手段１ｐが記憶手段１ｏ
から読み出し、補正量に換算し、モータ１ｍ、１ｎに伝
達する。上記例での補正量は（−（ΔＸ１＋ΔＸ２）、
Ｏ）となる。つまり、第５図のアライメントマーク４ｄ
がＸ軸方向に（−（Δｘ１＋ΔＸ２だけずれるようにモ
ータ１ｍが駆動し、レチクル１ｑ上のパターンをウェハ
１Ｃ上に投影する。
このことにより、各々のレンズのディストーシヨンによ
る投影誤差を減少させることができる。
る投影誤差を減少させることができる。
なお、上記実施例ではアライメントをレチクル１ｇを移
動させることにより行ったが、ウェハ１Ｃを移動させ、
あるいはレチクル１ｑ及びウェハ１Ｃを移動させること
により行ってもよい。
動させることにより行ったが、ウェハ１Ｃを移動させ、
あるいはレチクル１ｑ及びウェハ１Ｃを移動させること
により行ってもよい。
また、上記実施例ではＸ軸方向の補正について説明した
が、Ｙ軸方向の補正についても同様に行われ、また、Ｘ
＠力方向Ｙ軸方向の補正ら同時に行うことができる。
が、Ｙ軸方向の補正についても同様に行われ、また、Ｘ
＠力方向Ｙ軸方向の補正ら同時に行うことができる。
以上のように、この発明によれば、マスク上のパターン
を形成するときに用いられたレンズと、ＴＴＬアライメ
ントに用いるレンズとのディストーシヨンによる誤差量
をイメージフィールド内の各点毎にあらかじめ計測し記
憶する記憶手段と、マスク上及びウェハ上のアライメン
トマークを用いて−ｒ Ｔ Ｌアライメントを実行する
手段と、アライメントマークの位置に対応する誤差量を
記憶手段から読み出しアライメント結果を補正するため
の補正量を演算する補正量演算手段と、補正量演算手段
で演算された補正量に従いマスク上のパターンをウェハ
上に投影する手段とを設けたので、実際に露光・現像し
て補正量を算出する必要がなくなるという効果がある。
を形成するときに用いられたレンズと、ＴＴＬアライメ
ントに用いるレンズとのディストーシヨンによる誤差量
をイメージフィールド内の各点毎にあらかじめ計測し記
憶する記憶手段と、マスク上及びウェハ上のアライメン
トマークを用いて−ｒ Ｔ Ｌアライメントを実行する
手段と、アライメントマークの位置に対応する誤差量を
記憶手段から読み出しアライメント結果を補正するため
の補正量を演算する補正量演算手段と、補正量演算手段
で演算された補正量に従いマスク上のパターンをウェハ
上に投影する手段とを設けたので、実際に露光・現像し
て補正量を算出する必要がなくなるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す図、第２図はアライ
メントマークの位置関係を示す図、第３図はレンズディ
ストーシヨンを説明するための図、第４図及び第５図は
ウェハ及びレチクル上の投影像を説明するための図であ
る。 Ｙ 図において、１ ａＸＹステージ、１Ｃはウェハ、１ｅ
は投影光学系、１９はレチクル、１ｈは光束変更ミラー
、１１はハーフミラ−１１ｊ及び１には対物レンズ、１
１はＩＴＶカメラ、１ｏは記憶手段、１ｐは補正量演算
手段である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分をボす。 代理人 大 岩 増 雄 第 図 第 図 ＋１−−−［ＴＶ力メフ 手 続 補 正 圭 （自発）
メントマークの位置関係を示す図、第３図はレンズディ
ストーシヨンを説明するための図、第４図及び第５図は
ウェハ及びレチクル上の投影像を説明するための図であ
る。 Ｙ 図において、１ ａＸＹステージ、１Ｃはウェハ、１ｅ
は投影光学系、１９はレチクル、１ｈは光束変更ミラー
、１１はハーフミラ−１１ｊ及び１には対物レンズ、１
１はＩＴＶカメラ、１ｏは記憶手段、１ｐは補正量演算
手段である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分をボす。 代理人 大 岩 増 雄 第 図 第 図 ＋１−−−［ＴＶ力メフ 手 続 補 正 圭 （自発）
Claims (1)
- （１）ＴＴＬアライメントによりマスク上のパターンを
ウェハ上に投影するＴＴＬアライメント装置であって、 前記マスク上のパターンを形成するときに用いられたレ
ンズと、前記ＴＴＬアライメントに用いるレンズとのデ
ィストーシヨンによる誤差量をイメージフィールド内の
各点毎にあらかじめ記憶する記憶手段と、 前記マスク上及び前記ウェハ上のアライメントマークを
用いてＴＴＬアライメントを実行する手段と、 前記アライメントマークの位置に対応する前記誤差量を
前記記憶手段から読み出し、アライメント結果を補正す
るための補正量を演算する補正量演算手段と、 前記補正量演算手段で演算された補正量に従い前記マス
ク上のパターンを前記ウェハ上に投影させる投影手段と
を備えたＴＴＬアライメント装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63144350A JPH021903A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | Ｔｔｌアライメント装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63144350A JPH021903A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | Ｔｔｌアライメント装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021903A true JPH021903A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15360061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63144350A Pending JPH021903A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | Ｔｔｌアライメント装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH021903A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110568729A (zh) * | 2018-06-05 | 2019-12-13 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 像差测量装置及方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60138926A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-23 | Toshiba Corp | パタ−ン転写装置 |
| JPS6165436A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置検出装置 |
| JPS62171126A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影型露光装置 |
| JPS6341023A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-22 | エスヴィージー・リトグラフィー・システムズ・インコーポレイテッド | ウエハをレチクルヘアラインする方法および装置 |
-
1988
- 1988-06-10 JP JP63144350A patent/JPH021903A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60138926A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-23 | Toshiba Corp | パタ−ン転写装置 |
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| JPS62171126A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影型露光装置 |
| JPS6341023A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-22 | エスヴィージー・リトグラフィー・システムズ・インコーポレイテッド | ウエハをレチクルヘアラインする方法および装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110568729A (zh) * | 2018-06-05 | 2019-12-13 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 像差测量装置及方法 |
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