JPH01216527A - 縮小投影露光装置のアライメント方式 - Google Patents
縮小投影露光装置のアライメント方式Info
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- JPH01216527A JPH01216527A JP63041363A JP4136388A JPH01216527A JP H01216527 A JPH01216527 A JP H01216527A JP 63041363 A JP63041363 A JP 63041363A JP 4136388 A JP4136388 A JP 4136388A JP H01216527 A JPH01216527 A JP H01216527A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
縮小投影露光装置のアライメント方式に関し。
ウェハ・ローテーション成分を小さく抑えることにより
チップ間の重ね合わせ精度を向上させることを目的とし
。
チップ間の重ね合わせ精度を向上させることを目的とし
。
アライメントにより生じるウェハ・ローテーション成分
のずれ量を、レチクル側のアライメント光学系を用い、
レチクルをアライメント・駆動補正することにより、上
記ウェハ・ローテーション成分のずれ量を補正するよう
に構成する。
のずれ量を、レチクル側のアライメント光学系を用い、
レチクルをアライメント・駆動補正することにより、上
記ウェハ・ローテーション成分のずれ量を補正するよう
に構成する。
本発明は、縮小投影露光装置のアライメント方式に関す
る。
る。
IC,LSIの製造において、リソグラフィ工程で縮小
投影露光装置(ステッパー)が用いられている。
投影露光装置(ステッパー)が用いられている。
縮小投影露光装置は、屈折光学系を用いて、実パターン
の5〜lO倍の寸法のパターンのマスク(レチクル)の
像を縮小投影し、ウェハを固定したテーブルを平面上に
ステップ・アンド・リピートするものである。
の5〜lO倍の寸法のパターンのマスク(レチクル)の
像を縮小投影し、ウェハを固定したテーブルを平面上に
ステップ・アンド・リピートするものである。
第3図は、縮小投影露光装置の例を示す図である。
第3図において、31は実パターンの5〜lO倍の寸法
のマスクであるレチクル、32は実パターンが投影され
、その上に複数個のチップが形成されるシリコンなどか
らなるウェハ、33はウェハ32上に形成され1個々の
ICやLSIを構成するチップ、34はレチクル31の
パターンをウェハ32上に投影させるための縮小投影レ
ンズ。
のマスクであるレチクル、32は実パターンが投影され
、その上に複数個のチップが形成されるシリコンなどか
らなるウェハ、33はウェハ32上に形成され1個々の
ICやLSIを構成するチップ、34はレチクル31の
パターンをウェハ32上に投影させるための縮小投影レ
ンズ。
35は水銀ランプなどからなる高輝度光源、36は縮小
投影レンズ34を通してウェハ32上のチップ33を測
定するためのオン・アクシス光学系。
投影レンズ34を通してウェハ32上のチップ33を測
定するためのオン・アクシス光学系。
37は縮小投影レンズ34を通さずにウェハ32上のチ
ップ33を測定するためのオフ・アクシス光学系、38
はウェハ32のX軸を測定するためのX軸干渉針、39
はウェハ32のY軸を測定するためのY軸干渉針、40
はウェハ32を把持するためのウェハ・チャック、41
はウェハ32をX軸およびY軸方向に移動させて、ステ
ップ・アンド・リピートするためのXYステージである
。
ップ33を測定するためのオフ・アクシス光学系、38
はウェハ32のX軸を測定するためのX軸干渉針、39
はウェハ32のY軸を測定するためのY軸干渉針、40
はウェハ32を把持するためのウェハ・チャック、41
はウェハ32をX軸およびY軸方向に移動させて、ステ
ップ・アンド・リピートするためのXYステージである
。
この縮小投影露光装置のレチクル31とチップ33とを
アライメントする方式として1次の3方式がある。
アライメントする方式として1次の3方式がある。
1)グイ・パイ・グイ・オン・アクシス(DieBy
Die On Axis) ・アライメント方式これ
は、レチクル31とウェハ32上のチップ33とを縮小
投影レンズ34を通して、オン・アクシス光学系36を
用いて、直に1つづつアライメントしていく方式である
。
Die On Axis) ・アライメント方式これ
は、レチクル31とウェハ32上のチップ33とを縮小
投影レンズ34を通して、オン・アクシス光学系36を
用いて、直に1つづつアライメントしていく方式である
。
ii)グイ・パイ・グイ・オフ・アクシス(DieBy
Die Off Axis) ・アライメント方式こ
れは、直接レチクル31とウェハ32上のチップ33と
をアライメントセずに、縮小投影レンズ34を通さずに
オフ・アクシス光学系37を用いてレチクル31とウェ
ハ32上のチップ33とをアライメントする方式である
。
Die Off Axis) ・アライメント方式こ
れは、直接レチクル31とウェハ32上のチップ33と
をアライメントセずに、縮小投影レンズ34を通さずに
オフ・アクシス光学系37を用いてレチクル31とウェ
ハ32上のチップ33とをアライメントする方式である
。
ii)グローバル(Global)・アライメント方式
これは、ウェハ32上の数点を読み取り、それらからチ
ップ33の配列を算出し、その結果に基づいてレチクル
31とウェハ32上のチップ33とを7ライメントする
方式である。
これは、ウェハ32上の数点を読み取り、それらからチ
ップ33の配列を算出し、その結果に基づいてレチクル
31とウェハ32上のチップ33とを7ライメントする
方式である。
また、上記の3方式のいずれかにより検出されたウェハ
・ローテーション(ウェハ32のX軸干渉針が示すX軸
からの回転ずれ量)を補正する方式として9次の2方式
がある。
・ローテーション(ウェハ32のX軸干渉針が示すX軸
からの回転ずれ量)を補正する方式として9次の2方式
がある。
i)レチクル駆動方式
これは、レチクル31を回転駆動してウェハ・ローテー
ションを補正する方式である。
ションを補正する方式である。
ii)ウェハ駆動方式
これは、ウェハ32を回転駆動してウェハ・ローテーシ
ョンを補正する方式である。
ョンを補正する方式である。
従来のように、グイ・パイ・グイ・オン・アクシス・ア
ライメント方式、グイ・パイ・グイ・オフ・アクシス・
アライメント方式またはグローバル・アライメント方式
によりレチクルとウェハ上のチップとのアライメント計
測を行った後に、レチクル駆動方式またはウェハ駆動方
式によりウェハ・ローテーションを補正する方式では、
ウェハ・ローテーションの補正を充分に行うことができ
なかった。
ライメント方式、グイ・パイ・グイ・オフ・アクシス・
アライメント方式またはグローバル・アライメント方式
によりレチクルとウェハ上のチップとのアライメント計
測を行った後に、レチクル駆動方式またはウェハ駆動方
式によりウェハ・ローテーションを補正する方式では、
ウェハ・ローテーションの補正を充分に行うことができ
なかった。
したがって、チップ間の重ね合わせ精度が充分に得られ
ないという問題があった。
ないという問題があった。
本発明は、ウェハ・ローテーション成分を小さく抑える
ことによりチップ間の重ね合わせ精度を向上させた縮小
投影露光装置のアライメント方式を提供することを目的
とする。
ことによりチップ間の重ね合わせ精度を向上させた縮小
投影露光装置のアライメント方式を提供することを目的
とする。
上記目的を達成するために1本発明の縮小投影露光装置
のアライメント方式は、アライメントにより生じるウェ
ハ・ローテーション成分のずれ量を、レチクル側のアラ
イメント光学系を用い、レチクルをアライメ・ント・駆
動補正することにより。
のアライメント方式は、アライメントにより生じるウェ
ハ・ローテーション成分のずれ量を、レチクル側のアラ
イメント光学系を用い、レチクルをアライメ・ント・駆
動補正することにより。
上記ウェハ・ローテーション成分のずれ量を補正するよ
うに構成する。
うに構成する。
〔作用〕
第1図は1本発明の作用説明図である。
第1図を用いて2本発明の詳細な説明する。
レチクルは、予め何らかの方法で縮小投影露光装置内の
所定の位置に設置される。この状態で。
所定の位置に設置される。この状態で。
ウェハは、第1図(a)に示すように、角度θのウェハ
・ローテーションを持うている。
・ローテーションを持うている。
このウェハ・ローテーションは、ウェハを駆動して補正
する。
する。
また、第1図(C)に示すように、ウェハ上のチップ配
列は、ステージ干渉計のX軸に対して。
列は、ステージ干渉計のX軸に対して。
角度θだけローテーション成分を持つ。
その後、レチクル側に設けられたアライメント・マーク
と縮小投影露光装置側に設けられた基準マークとでアラ
イメントがなされる。この結果。
と縮小投影露光装置側に設けられた基準マークとでアラ
イメントがなされる。この結果。
縮小投影露光装置側の基準マークとステージ干渉計のX
軸とは予め平行出しが行われているので。
軸とは予め平行出しが行われているので。
第1図(b)に示すように、レチクルのパターンは、ス
テージ干渉計のX軸に対してローテーション成分を持た
ないようになる。
テージ干渉計のX軸に対してローテーション成分を持た
ないようになる。
しかしながら、実際には、第1図(C)に示すように、
レチクルのパターンは、ウェハとのアライメント後、ウ
ェハ上において、ステージ干渉針のX軸に対しである角
度θを持って転写される。
レチクルのパターンは、ウェハとのアライメント後、ウ
ェハ上において、ステージ干渉針のX軸に対しである角
度θを持って転写される。
このローテーション成分をΔとすると、Δは1次式で表
される。すなわち。
される。すなわち。
Δ=δ1..ρ、、。i
+ (3σr*t、at直、7 + δrad?、a
r轟1.) (1)ここで δr*t#、 r*sム4ニレチクルをアライメントに
より設定し、そのアライメントおよ び駆動が正確に行っても、実際 にウェハ上にパターンを転写し た場合に生じるローテーション 成分の誤差量 3σret+ atム1.ニレチクルを縮小投影露光装
置側に対してアライメントする 時の精度 δ1.、θ1rtva’レチクルを駆動して回転させる
時の駆動系の分解能 である。
r轟1.) (1)ここで δr*t#、 r*sム4ニレチクルをアライメントに
より設定し、そのアライメントおよ び駆動が正確に行っても、実際 にウェハ上にパターンを転写し た場合に生じるローテーション 成分の誤差量 3σret+ atム1.ニレチクルを縮小投影露光装
置側に対してアライメントする 時の精度 δ1.、θ1rtva’レチクルを駆動して回転させる
時の駆動系の分解能 である。
特に、δ1.、ρ01.ム4が生じる理由は、ウェハ上
にレチクルのパターンを転写して、そのローテーション
成分を観測した場合、有限の値がでれば。
にレチクルのパターンを転写して、そのローテーション
成分を観測した場合、有限の値がでれば。
実際にはローテーション成分がな″くても、観測された
値の分だけ補正されるからである。
値の分だけ補正されるからである。
以上のようにして転写されたパターンに対して。
重ね合ねせをして焼き付ける時、そのウェハのローテー
ション成分のアライメント精度を3δwj HA L
i□、そして、その駆動系の分解能をδwJ、driv
*とすると、全体としてのローテーション成分のずれ量
は9次式のようになる。すなわち。
ション成分のアライメント精度を3δwj HA L
i□、そして、その駆動系の分解能をδwJ、driv
*とすると、全体としてのローテーション成分のずれ量
は9次式のようになる。すなわち。
i)レチクルを駆動してローテーション成分のずれ量を
補正した場合 Δ「3δ「・tρ・rII雲五− +(3σr’llt+5l19R+δraLj、d□9
.)+3δw#+aLiva 1
21ii)ウェハを駆動してローテーション成分のずれ
量を補正した場合 Δ−;δ1.乞ρ−r*sra +(3σrat、a口、、1+δraL#1riv、)
+(3σyJ、@Lime+δ、θ、4r!vJ
Ta2(2)式および(3)式においては、()内の値
のうち、精度の悪い方が支配的であるから。
補正した場合 Δ「3δ「・tρ・rII雲五− +(3σr’llt+5l19R+δraLj、d□9
.)+3δw#+aLiva 1
21ii)ウェハを駆動してローテーション成分のずれ
量を補正した場合 Δ−;δ1.乞ρ−r*sra +(3σrat、a口、、1+δraL#1riv、)
+(3σyJ、@Lime+δ、θ、4r!vJ
Ta2(2)式および(3)式においては、()内の値
のうち、精度の悪い方が支配的であるから。
Δr ≦Δ@(4)
が常に成立する。
以上の説明から、予め測定されたウェハ・ローテーショ
ン成分のずれ量を、レチクル側のアライメント光学系を
用い、レチクルをアライメント・駆動補正すれば、ウェ
ハ・ローテーション成分のずれ量を補正すれば、ウェハ
・ローテーション成分のずれ量を小さく抑えることがで
きることが分かる。
ン成分のずれ量を、レチクル側のアライメント光学系を
用い、レチクルをアライメント・駆動補正すれば、ウェ
ハ・ローテーション成分のずれ量を補正すれば、ウェハ
・ローテーション成分のずれ量を小さく抑えることがで
きることが分かる。
第2図は1本発明の1実施例構成図である。
レチクル側および縮小投影露光装置側双方に各各アライ
・メント・マークが設けられている。
・メント・マークが設けられている。
双方のアライメント・マークは、アライメント対物スコ
ープによりアライメントされる。
ープによりアライメントされる。
アライメントは相対的に行われればよいので。
縮小投影露光装置側のアライメント・マークは。
アライメント対物スコープの中にあってもよい。
アライメント対物スコープによりレチクル例のアライメ
ント・マークと縮小投影露光装置側のアライメント・マ
ークとのずれ量を観測し、そのずれ量をX軸方向、Y軸
方向および回転方向の駆動系で補正する。
ント・マークと縮小投影露光装置側のアライメント・マ
ークとのずれ量を観測し、そのずれ量をX軸方向、Y軸
方向および回転方向の駆動系で補正する。
ウェハ・ローテーション成分は、第3図に示した縮小投
影露光装置のオフ・アクシス光学系37で測定しても、
また、縮小投影レンズ34を通してレチクル31とウェ
ハ32上のチップ33とをアライメントしてオン・アク
シス光学系36で測定してもよい。
影露光装置のオフ・アクシス光学系37で測定しても、
また、縮小投影レンズ34を通してレチクル31とウェ
ハ32上のチップ33とをアライメントしてオン・アク
シス光学系36で測定してもよい。
測定されたウェハ・ローテーション成分のずれ量は、第
2図に示すような、レチクル−縮小投影露光装置間のア
ライメント光学系を用い、レチクル側をアライメント・
駆動補正することにより行う。
2図に示すような、レチクル−縮小投影露光装置間のア
ライメント光学系を用い、レチクル側をアライメント・
駆動補正することにより行う。
以上のようにすることにより、ウェハ・ローテーション
成分のずれ量が最終的なチップ間の回転成分のずれに転
化されるのを小さく抑えることができる。
成分のずれ量が最終的なチップ間の回転成分のずれに転
化されるのを小さく抑えることができる。
本発明によれは、縮小投影露光装置のアライメントにお
いて、ウェハ・ローテーション成分を小さく抑えること
により、チップ間の重ね合わせ精度を向上させることが
できる。
いて、ウェハ・ローテーション成分を小さく抑えること
により、チップ間の重ね合わせ精度を向上させることが
できる。
第1図は本発明の作用説明図、第2図は本発明の1実施
例構成図、第3図は縮小投影露光装置の例を示す図であ
る。
例構成図、第3図は縮小投影露光装置の例を示す図であ
る。
Claims (1)
- アライメントにより生じるウェハ・ローテーション成
分のずれ量を、レチクル側のアライメント光学系を用い
、レチクルをアライメント・駆動補正することにより、
上記ウェハ・ローテーション成分のずれ量を補正するこ
とを特徴とする縮小投影露光装置のアライメント方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63041363A JPH01216527A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 縮小投影露光装置のアライメント方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63041363A JPH01216527A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 縮小投影露光装置のアライメント方式 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01216527A true JPH01216527A (ja) | 1989-08-30 |
Family
ID=12606385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63041363A Pending JPH01216527A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 縮小投影露光装置のアライメント方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01216527A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62171126A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影型露光装置 |
JPH01144626A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-06 | Nikon Corp | アライメント方法 |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP63041363A patent/JPH01216527A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62171126A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影型露光装置 |
JPH01144626A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-06 | Nikon Corp | アライメント方法 |
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